JP2016009730A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 24
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 abstract description 26
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 19
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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- H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
【課題】半導体基板内の重金属不純物濃度を低減できる半導体装置の製造方法を提供する
。
【解決手段】
第1の面と前記第1の面と対向する第2の面を有する半導体基板の前記第2の面上に第
1の膜を形成する工程と、前記第1の膜の上側に第2の膜を形成する工程と、前記第1の
膜と、前記半導体基板と、を加熱処理する工程と、を備る。第2の膜は第1の膜により加
熱処理を行っても十分に重金属不純物を捕獲する機能を有する。さらに前記第1の膜及び
前記第2の膜を除去する工程と、を含む。
【選択図】図2
。
【解決手段】
第1の面と前記第1の面と対向する第2の面を有する半導体基板の前記第2の面上に第
1の膜を形成する工程と、前記第1の膜の上側に第2の膜を形成する工程と、前記第1の
膜と、前記半導体基板と、を加熱処理する工程と、を備る。第2の膜は第1の膜により加
熱処理を行っても十分に重金属不純物を捕獲する機能を有する。さらに前記第1の膜及び
前記第2の膜を除去する工程と、を含む。
【選択図】図2
Description
半導体装置の製造方法に関する。
一般的に固体撮像装置において、重金属不純物が半導体内に存在すると、特性に影響を
与えることが知られている。固体撮像装置の活性領域に重金属不純物が存在すると、重金
属によりバンドギャップ中に欠陥準位が形成される。この欠陥準位が、リーク電流、又は
、暗状態で明るく見える白傷、といった問題を引き起こす。そこで、例えば固体撮像装置
の製造工程において、結晶粒界や結晶欠陥を有するゲッタリング層を設け重金属不純物を
捕獲することが行われる。このゲッタリング層を用いた半導体装置の製造方法としてPBS(
Polysilicon Back Sealing)法が知られている。
与えることが知られている。固体撮像装置の活性領域に重金属不純物が存在すると、重金
属によりバンドギャップ中に欠陥準位が形成される。この欠陥準位が、リーク電流、又は
、暗状態で明るく見える白傷、といった問題を引き起こす。そこで、例えば固体撮像装置
の製造工程において、結晶粒界や結晶欠陥を有するゲッタリング層を設け重金属不純物を
捕獲することが行われる。このゲッタリング層を用いた半導体装置の製造方法としてPBS(
Polysilicon Back Sealing)法が知られている。
半導体基板内の重金属不純物濃度を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。
第1の面と第1の面と対向する第2の面を有する半導体基板の第2の面上に第1の膜を
形成する工程と、第1の膜の上側に第2の膜を形成する工程と、第1の膜と、半導体基板
と、を加熱処理する工程と、第1の膜及び第2の膜を除去する工程と、を含む。
形成する工程と、第1の膜の上側に第2の膜を形成する工程と、第1の膜と、半導体基板
と、を加熱処理する工程と、第1の膜及び第2の膜を除去する工程と、を含む。
以下本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
(第1実施形態)
半導体装置の一例として固体撮像装置を用いて第1実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する。
半導体装置の一例として固体撮像装置を用いて第1実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する。
第1実施形態に係る半導体装置の製造過程を図1〜図7を用いて説明する。図1から図
7は第1実施形態に係る半導体装置の製造過程における半導体装置の断面図である。
7は第1実施形態に係る半導体装置の製造過程における半導体装置の断面図である。
半導体装置100は第1の膜2及び第2の膜3から構成される。
固体撮像装置200は、フォトダイオード4が設けられている画素領域5と、フォトダ
イオード4からの信号を処理する回路や画素領域5の動作を制御する回路が設けられてい
る周辺領域6から構成される。周辺回路6は、画素領域5の外周を囲むように設けられる
。これらの回路はMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタ9などにより構成される
。フォトダイオード4及びMOSトランジスタ9は半導体基板1内に設けられている。配線
層11は、半導体基板1上に設けられている。配線層11は例えばシリコン酸化膜(SiO2
)等の絶縁膜と、絶縁膜中に例えばデュアルダマシン法などを用いて形成された銅(Cu)
配線等から構成される。固体撮像装置200は更にカラーフィルタ12及びマイクロレン
ズ13を有する。
イオード4からの信号を処理する回路や画素領域5の動作を制御する回路が設けられてい
る周辺領域6から構成される。周辺回路6は、画素領域5の外周を囲むように設けられる
。これらの回路はMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタ9などにより構成される
。フォトダイオード4及びMOSトランジスタ9は半導体基板1内に設けられている。配線
層11は、半導体基板1上に設けられている。配線層11は例えばシリコン酸化膜(SiO2
)等の絶縁膜と、絶縁膜中に例えばデュアルダマシン法などを用いて形成された銅(Cu)
配線等から構成される。固体撮像装置200は更にカラーフィルタ12及びマイクロレン
ズ13を有する。
固体撮像装置には表面照射型と裏面照射型とがある。
表面照射型固体撮像装置は、半導体基板1のMOSトランジスタ9及び配線が設けられて
いる側から例えば太陽光などの光が入射する。一方、裏面照射型固体撮像装置は、半導体
基板1のMOSトランジスタ9及び配線が設けられた側とは反対側から光が入射する。それ
ぞれの固体撮像装置において、マイクロレンズ13及びカラーフィルタ12を透過して入
射した光は、フォトダイオード4で電気信号に変換されて、トランジスタ9及び配線等を
経由して外部回路へ出力される。
いる側から例えば太陽光などの光が入射する。一方、裏面照射型固体撮像装置は、半導体
基板1のMOSトランジスタ9及び配線が設けられた側とは反対側から光が入射する。それ
ぞれの固体撮像装置において、マイクロレンズ13及びカラーフィルタ12を透過して入
射した光は、フォトダイオード4で電気信号に変換されて、トランジスタ9及び配線等を
経由して外部回路へ出力される。
第1実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を用いた製造工程の一例として、表面照射
型固体撮像装置の製造工程を説明するが、本実施形態は、裏面照射型固体撮像装置の製造
工程にも適用可能である。
型固体撮像装置の製造工程を説明するが、本実施形態は、裏面照射型固体撮像装置の製造
工程にも適用可能である。
以下、第1実施形態に係る固体撮像装置200の製造工程を示す。
半導体基板1はシリコン(Si)から構成され、第1の面1a及び第1の面1aと対向する
第2の面1bを有する。まず半導体基板1に付着した不純物を除去するため半導体基板1
の洗浄処理を行う。また、半導体基板1の表面は、空気に触れることで自然に酸化され、
薄い酸化膜が形成される。この酸化膜を除去するために、半導体基板1の表面を希フッ酸
洗浄(Dilute Hydro Fluoric)する。
第2の面1bを有する。まず半導体基板1に付着した不純物を除去するため半導体基板1
の洗浄処理を行う。また、半導体基板1の表面は、空気に触れることで自然に酸化され、
薄い酸化膜が形成される。この酸化膜を除去するために、半導体基板1の表面を希フッ酸
洗浄(Dilute Hydro Fluoric)する。
次に図1に示すように、成膜装置(図示しない)は第2の面1b上に第1の膜2である
酸化膜2を形成する。本実施形態では第1の膜2を酸化膜として説明するが、第2の膜3
の単結晶化を抑制でき半導体基板1内の重金属不純物が第1の膜2を経由して第2の膜3
へ移動させる膜であればよい。第1の膜2は例えばアルミナや窒化ケイ素で形成されても
よい。成膜装置として、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法又はLPCVD(Low Pressu
re Chemical Vapor Deposition)法を用いて反応炉内の酸素濃度を変えて半導体基板1の
第2の面上に酸化膜2を形成する。自然酸化膜をフッ酸により除去した後に酸化膜2を形
成するため、CVD法の場合は、シラン(SiH4)などのシリコン原子を含むガス及び酸素ガス
の混合ガスに熱エネルギーを与える。温度は600度〜650度でシランガスが反応し第
2の面1b上に酸化膜2が堆積される。成膜装置として、プラズマによりシリコン原料と
酸素を反応させ酸化膜を形成するプラズマCVD法を用いてもよい。成膜装置により形成さ
れる酸化膜の膜厚は1.5nm以内であることが好ましい。また、空気中で自然に形成される
膜厚よりも厚いほうがよい。
酸化膜2を形成する。本実施形態では第1の膜2を酸化膜として説明するが、第2の膜3
の単結晶化を抑制でき半導体基板1内の重金属不純物が第1の膜2を経由して第2の膜3
へ移動させる膜であればよい。第1の膜2は例えばアルミナや窒化ケイ素で形成されても
よい。成膜装置として、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法又はLPCVD(Low Pressu
re Chemical Vapor Deposition)法を用いて反応炉内の酸素濃度を変えて半導体基板1の
第2の面上に酸化膜2を形成する。自然酸化膜をフッ酸により除去した後に酸化膜2を形
成するため、CVD法の場合は、シラン(SiH4)などのシリコン原子を含むガス及び酸素ガス
の混合ガスに熱エネルギーを与える。温度は600度〜650度でシランガスが反応し第
2の面1b上に酸化膜2が堆積される。成膜装置として、プラズマによりシリコン原料と
酸素を反応させ酸化膜を形成するプラズマCVD法を用いてもよい。成膜装置により形成さ
れる酸化膜の膜厚は1.5nm以内であることが好ましい。また、空気中で自然に形成される
膜厚よりも厚いほうがよい。
次に図2に示すように、酸化膜2の上側に第2の膜3を形成する。第2の膜3はゲッタ
リング機能を有するポリシリコン膜3である。CVD装置において、シラン(SiH4)ガスを流
し熱分解させることによりポリシリコンを形成する。
リング機能を有するポリシリコン膜3である。CVD装置において、シラン(SiH4)ガスを流
し熱分解させることによりポリシリコンを形成する。
次に図3に示すように、半導体基板1にフォトリソグラフィ技術により形成されたマス
クを利用して所定の領域に不純物イオンの注入を制御することにより、画素領域5及び周
辺領域6を形成する。画素領域5及び周辺領域6内の所定の位置に、隣接する素子を電気
的に分離する素子分離領域8を形成する。まず、半導体基板1内にトレンチを形成する。
次にトレンチ内部に絶縁膜を埋め込んで素子分離領域8を形成する。又は、半導体基板1
に半導体基板1の導電形とは異なるように不純物イオンを注入する。これにより半導体基
板1と不純物イオンを注入し形成された不純物領域との接合面で、pnp接合、npn接合を形
成するか、又は空乏領域を形成する。素子分離領域8は画素領域5で変換された電子が隣
接する他の画素領域5にリークすることを抑制する。
クを利用して所定の領域に不純物イオンの注入を制御することにより、画素領域5及び周
辺領域6を形成する。画素領域5及び周辺領域6内の所定の位置に、隣接する素子を電気
的に分離する素子分離領域8を形成する。まず、半導体基板1内にトレンチを形成する。
次にトレンチ内部に絶縁膜を埋め込んで素子分離領域8を形成する。又は、半導体基板1
に半導体基板1の導電形とは異なるように不純物イオンを注入する。これにより半導体基
板1と不純物イオンを注入し形成された不純物領域との接合面で、pnp接合、npn接合を形
成するか、又は空乏領域を形成する。素子分離領域8は画素領域5で変換された電子が隣
接する他の画素領域5にリークすることを抑制する。
次に画素領域5内及び周辺領域6内にMOSトランジスタ9や抵抗素子を形成する。MOSト
ランジスタのゲート酸化膜10は熱酸化法により形成される。
ランジスタのゲート酸化膜10は熱酸化法により形成される。
次に図4に示すように、半導体基板1の画素領域5内に不純物をイオン注入する。その
後、注入された不純物を熱拡散させることにより半導体基板1内に例えばp形不純物層及
びn形不純物層が形成される。このp形不純物層及びn形不純物層がフォトダイオード4と
しての機能を有する。
後、注入された不純物を熱拡散させることにより半導体基板1内に例えばp形不純物層及
びn形不純物層が形成される。このp形不純物層及びn形不純物層がフォトダイオード4と
しての機能を有する。
次に図5に示すように、配線層11を半導体基板1上に形成する。配線層11は、例え
ばシリコン酸化膜(SiO2)等の絶縁膜に例えばデュアルダマシン法などを用いて形成した
銅(Cu)配線(図示しない)から構成される。銅以外にも、アルミ(Al)又はタングステ
ン(W)等も、配線層11中の配線に用いることができる。
ばシリコン酸化膜(SiO2)等の絶縁膜に例えばデュアルダマシン法などを用いて形成した
銅(Cu)配線(図示しない)から構成される。銅以外にも、アルミ(Al)又はタングステ
ン(W)等も、配線層11中の配線に用いることができる。
図6に示すように、画素領域5における配線層11上に反射防止膜(図示しない)を介
してカラーフィルタ12を画素ごとに形成する。さらにマイクロレンズ13をカラーフィ
ルタ12上に画素ごとに形成する。
してカラーフィルタ12を画素ごとに形成する。さらにマイクロレンズ13をカラーフィ
ルタ12上に画素ごとに形成する。
図7に示すように、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法を用いて酸化膜2及び第2
の膜3を除去する。これは、固体撮像装置のサイズ等の問題及び第2の膜3で捕獲した重
金属不純物を固体撮像装置内に残存させないことによる。
の膜3を除去する。これは、固体撮像装置のサイズ等の問題及び第2の膜3で捕獲した重
金属不純物を固体撮像装置内に残存させないことによる。
なお、酸化膜2及び第2の膜3の除去は、固体撮像装置200の製造工程におけるすべ
ての熱処理を行う工程が実施された後に行うことができる。ここでいう熱処理を行う工程
の一例として、例えばCVD法による膜形成、不純物イオン注入後の熱拡散、ゲート酸化膜
を形成する際の熱酸化等である。
ての熱処理を行う工程が実施された後に行うことができる。ここでいう熱処理を行う工程
の一例として、例えばCVD法による膜形成、不純物イオン注入後の熱拡散、ゲート酸化膜
を形成する際の熱酸化等である。
以上の工程により、第1実施形態の製造方法により固体撮像装置200が完成する。
次に本実施形態に係る固体撮像装置200の製造方法における特徴と、その作用及び効
果を説明する。
果を説明する。
半導体基板1中に含まれる例えばアルミ(Al)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)等の重金属不純物
は、結晶粒界又は結晶欠陥による未結合手に捕獲される。このため重金属不純物の捕獲能
力は多数の結晶の集合の結晶表面積又は結晶中の未結合手の多さに依存する。ここで結晶
表面積は、それぞれの結晶方位を有する結晶粒の表面積の集合である。本実施形態では、
第2の膜3は多結晶であり多くの結晶粒界を有するポリシリコン膜である。重金属不純物
を捕獲する能力はポリシリコンの結晶表面積に依存するため、結晶表面積の大きいほうが
高い。一般に、ポリシリコンは、熱処理により半導体基板1と接している面から半導体基
板1の配列にそろい単結晶化される。単結晶化により、ポリシリコンの結晶表面積が小さ
くなることから、重金属不純物の捕獲能力が低下する。ポリシリコンに捕獲されなかった
重金属不純物が半導体基板1内に残留することにより、半導体基板1のバンドギャップ中
に欠陥準位を形成する。この欠陥準位により電子は励起されやすい状態となり、少しのエ
ネルギーにより電子が励起されてしまう。このため暗状態で明るく見える白傷といった問
題を引き起こす。
は、結晶粒界又は結晶欠陥による未結合手に捕獲される。このため重金属不純物の捕獲能
力は多数の結晶の集合の結晶表面積又は結晶中の未結合手の多さに依存する。ここで結晶
表面積は、それぞれの結晶方位を有する結晶粒の表面積の集合である。本実施形態では、
第2の膜3は多結晶であり多くの結晶粒界を有するポリシリコン膜である。重金属不純物
を捕獲する能力はポリシリコンの結晶表面積に依存するため、結晶表面積の大きいほうが
高い。一般に、ポリシリコンは、熱処理により半導体基板1と接している面から半導体基
板1の配列にそろい単結晶化される。単結晶化により、ポリシリコンの結晶表面積が小さ
くなることから、重金属不純物の捕獲能力が低下する。ポリシリコンに捕獲されなかった
重金属不純物が半導体基板1内に残留することにより、半導体基板1のバンドギャップ中
に欠陥準位を形成する。この欠陥準位により電子は励起されやすい状態となり、少しのエ
ネルギーにより電子が励起されてしまう。このため暗状態で明るく見える白傷といった問
題を引き起こす。
そこで、本実施形態では、酸化膜2を半導体基板1とポリシリコン膜3の間に形成する
ことにより、熱処理工程によりポリシリコンが半導体基板1の配列を引き継いで単結晶化
することを抑制することができる。これによりポリシリコンの結晶表面積が熱処理工程に
より小さくならないため、ポリシリコン中の重金属不純物を捕獲する能力が下がらない。
つまり、半導体基板1中の重金属不純物をポリシリコンで捕獲できる為、半導体基板1中
の重金属不純物の濃度が低下する。
ことにより、熱処理工程によりポリシリコンが半導体基板1の配列を引き継いで単結晶化
することを抑制することができる。これによりポリシリコンの結晶表面積が熱処理工程に
より小さくならないため、ポリシリコン中の重金属不純物を捕獲する能力が下がらない。
つまり、半導体基板1中の重金属不純物をポリシリコンで捕獲できる為、半導体基板1中
の重金属不純物の濃度が低下する。
酸化膜2の膜厚が厚い場合、半導体基板1からポリシリコンに向かう重金属不純物の移
動を妨げてしまう。このため、半導体基板1中の重金属不純物がポリシリコン内に十分に
捕獲されない。この結果、重金属不純物の濃度は半導体基板1内で低減されずに、固体撮
像装置200の活性領域内に重金属不純物が残留してしまう。
動を妨げてしまう。このため、半導体基板1中の重金属不純物がポリシリコン内に十分に
捕獲されない。この結果、重金属不純物の濃度は半導体基板1内で低減されずに、固体撮
像装置200の活性領域内に重金属不純物が残留してしまう。
一方、酸化膜2の膜厚が薄い場合、半導体基板1と向かい合う面のポリシリコンが製造
段階における熱の影響を受ける。この熱の影響により、ポリシリコンが半導体基板1の配
列を引き継ぐように結晶粒径が拡大し単結晶化する。ポリシリコンが単結晶化すると結晶
の表面積が減るため重金属を十分に捕獲することができなくなる。
段階における熱の影響を受ける。この熱の影響により、ポリシリコンが半導体基板1の配
列を引き継ぐように結晶粒径が拡大し単結晶化する。ポリシリコンが単結晶化すると結晶
の表面積が減るため重金属を十分に捕獲することができなくなる。
以上のことを踏まえ酸化膜2の膜厚が膜厚が0.6nm以上で1.5nm以内で形成されることが
望ましい。酸化膜2の膜厚が上記範囲内で形成されることで、重金属不純物がポリシリコ
ンへ移動することが妨げられず、また、固体撮像装置の製造工程における熱処理の影響を
受けてポリシリコンの単結晶化が促進されない。以上のことから、ポリシリコンの、半導
体基板1中から重金属不純物を捕獲するという能力を向上することができる。本実施形態
では第2の膜3をポリシリコンとして説明したが、アモルファスシリコンを用いてもよい
。アモルファスシリコンは固体撮像装置の製造工程における熱処理により多結晶化、つま
りポリシリコンとなる。
望ましい。酸化膜2の膜厚が上記範囲内で形成されることで、重金属不純物がポリシリコ
ンへ移動することが妨げられず、また、固体撮像装置の製造工程における熱処理の影響を
受けてポリシリコンの単結晶化が促進されない。以上のことから、ポリシリコンの、半導
体基板1中から重金属不純物を捕獲するという能力を向上することができる。本実施形態
では第2の膜3をポリシリコンとして説明したが、アモルファスシリコンを用いてもよい
。アモルファスシリコンは固体撮像装置の製造工程における熱処理により多結晶化、つま
りポリシリコンとなる。
以上説明したように、本実施形態に係る製造方法により固体撮像装置を製造することに
より、固体撮像装置の半導体基板1中の重金属不純物濃度を低減することができる。この
結果、固体撮像装置において、白傷、又はリーク電流の発生を抑制することができる。
より、固体撮像装置の半導体基板1中の重金属不純物濃度を低減することができる。この
結果、固体撮像装置において、白傷、又はリーク電流の発生を抑制することができる。
(第2実施形態)
次に第2実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。
次に第2実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。
第2の実施形態の半導体装置の製造方法が第1実施形態と異なる点は、薬液を用いて酸
化膜2を形成することである。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、上記点を除い
て、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法と同じであるので、同一部分には同一符号
を付して詳細な説明は省略する。
化膜2を形成することである。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、上記点を除い
て、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法と同じであるので、同一部分には同一符号
を付して詳細な説明は省略する。
まずはじめに、半導体基板1に付着した不純物を除去するため半導体基板1の第2の面
1bの洗浄処理を行う。
1bの洗浄処理を行う。
次に例えばRCA洗浄を行う。RCA洗浄は、以下の手順で行う。例えば塩酸:過酸化水素=1
:4を沸騰させた薬液内に半導体基板1を入れる。その後、半導体基板1の第2の面1b上
の酸化膜を除去するために、半導体基板1の第2の面1bを希フッ酸で洗浄(DHF)した後
に超純水で洗浄する。次に例えばアンモニア水:過酸化水素=1:4を沸騰させた薬液内に
半導体基板1を約5分程度入れる。これにより半導体基板1上に例えば保護酸化膜膜2が
形成される。
:4を沸騰させた薬液内に半導体基板1を入れる。その後、半導体基板1の第2の面1b上
の酸化膜を除去するために、半導体基板1の第2の面1bを希フッ酸で洗浄(DHF)した後
に超純水で洗浄する。次に例えばアンモニア水:過酸化水素=1:4を沸騰させた薬液内に
半導体基板1を約5分程度入れる。これにより半導体基板1上に例えば保護酸化膜膜2が
形成される。
その後、第2の面1b上に酸化膜が形成された半導体基板1を例えばCVD装置内に挿入し
ポリシリコンを形成する。
ポリシリコンを形成する。
以上示したように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、薬液により自然酸化
膜を除去した後に新たに薬液により酸化膜2を形成するため、酸化膜2は自然酸化膜とは
異なり、意図的に形成された酸化膜である。また、半導体基板1を成膜装置へ挿入までの
間に重金属不純物等が半導体基板1内に混入することを防ぐことができる。更に、酸化膜
2の形成は半導体基板1を洗浄する工程で行われるため、酸化膜2が成膜装置より形成さ
れる場合に比べて、酸化膜2の形成時間を短縮できる効果が得られる。
膜を除去した後に新たに薬液により酸化膜2を形成するため、酸化膜2は自然酸化膜とは
異なり、意図的に形成された酸化膜である。また、半導体基板1を成膜装置へ挿入までの
間に重金属不純物等が半導体基板1内に混入することを防ぐことができる。更に、酸化膜
2の形成は半導体基板1を洗浄する工程で行われるため、酸化膜2が成膜装置より形成さ
れる場合に比べて、酸化膜2の形成時間を短縮できる効果が得られる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したも
のであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その
他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の
省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や
要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる
。
のであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その
他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の
省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や
要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる
。
1・・・半導体基板
1a・・・第1の面
1b・・・第2の面
2・・・第1の膜
3・・・第2の膜
4・・・フォトダイオード
5・・・画素領域
6・・・周辺領域
7・・・ウェル領域
8・・・素子分離領域
9・・・MOSトランジスタ
10・・・ゲート酸化膜
11・・・配線層
12・・・カラーフィルタ
13・・・マイクロレンズ
100・・・半導体装置
200・・・固体撮像装置
1a・・・第1の面
1b・・・第2の面
2・・・第1の膜
3・・・第2の膜
4・・・フォトダイオード
5・・・画素領域
6・・・周辺領域
7・・・ウェル領域
8・・・素子分離領域
9・・・MOSトランジスタ
10・・・ゲート酸化膜
11・・・配線層
12・・・カラーフィルタ
13・・・マイクロレンズ
100・・・半導体装置
200・・・固体撮像装置
Claims (7)
- 第1の面と前記第1の面と対向する第2の面を有する半導体基板の前記第2の面上に第
1の膜を形成する工程と、
前記第1の膜の上側に第2の膜を形成する工程と、
前記第1の膜と、前記半導体基板と、を加熱処理する工程と、
前記第1の膜及び前記第2の膜を除去する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。 - 前記加熱処理工程により、半導体基板中の金属不純物が前記第2の膜中に吸着される請
求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の膜を形成した後、前記半導体基板上に絶縁膜及び金属配線を含む配線層を形
成する工程と、をさらに備えた請求項1又は2に記載の半導体製造装置の製造方法。 - 前記第1の膜及び前記第2の膜は、成膜装置により形成される
請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の膜を形成する工程は、半導体基板の少なくとも第2の面をフッ酸処理し、次
に過酸化水素及びアンモニア水の溶液に前記半導体基板を浸す工程を含む請求項1から請
求項4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の膜はシリコン酸化膜である請求項1から請求項5のいずれか1つに記載の半
導体装置の製造方法。 - 前記第2の膜はポリシリコン又はアモルファスシリコンである請求項1から請求項6の
いずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014128664A JP2016009730A (ja) | 2014-06-23 | 2014-06-23 | 半導体装置の製造方法 |
US14/625,454 US20150372049A1 (en) | 2014-06-23 | 2015-02-18 | Method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014128664A JP2016009730A (ja) | 2014-06-23 | 2014-06-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016009730A true JP2016009730A (ja) | 2016-01-18 |
Family
ID=54870380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014128664A Pending JP2016009730A (ja) | 2014-06-23 | 2014-06-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150372049A1 (ja) |
JP (1) | JP2016009730A (ja) |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE4304849C2 (de) * | 1992-02-21 | 2000-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
JPH077007A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-10 | Rohm Co Ltd | 半導体装置用基板製造方法 |
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US7091110B2 (en) * | 2002-06-12 | 2006-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device by gettering using a anti-diffusion layer |
KR100652379B1 (ko) * | 2004-09-11 | 2006-12-01 | 삼성전자주식회사 | Cmos 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
KR100632463B1 (ko) * | 2005-02-07 | 2006-10-11 | 삼성전자주식회사 | 에피택셜 반도체 기판의 제조 방법과 이를 이용한 이미지센서의 제조 방법, 에피택셜 반도체 기판 및 이를 이용한이미지 센서 |
JP4992246B2 (ja) * | 2006-02-22 | 2012-08-08 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハ中のCu評価方法 |
US7737004B2 (en) * | 2006-07-03 | 2010-06-15 | Semiconductor Components Industries Llc | Multilayer gettering structure for semiconductor device and method |
KR100764061B1 (ko) * | 2006-12-04 | 2007-10-08 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 형성 방법 |
WO2009004889A1 (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-08 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 薄膜シリコンウェーハ及びその作製法 |
JP2010003928A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2010258083A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Panasonic Corp | Soiウェーハ、その製造方法および半導体装置の製造方法 |
US20110308603A1 (en) * | 2010-06-17 | 2011-12-22 | Katholieke Universiteit Leuven | Method for passivating a silicon surface |
JP5882579B2 (ja) * | 2010-12-14 | 2016-03-09 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2014
- 2014-06-23 JP JP2014128664A patent/JP2016009730A/ja active Pending
-
2015
- 2015-02-18 US US14/625,454 patent/US20150372049A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20150372049A1 (en) | 2015-12-24 |
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