JP2016006857A5 - 半導体装置および電子機器 - Google Patents

Claims (7)

1. トランジスタと、第１の導電膜と、絶縁膜と、を有する半導体装置であって、
   前記絶縁膜は、開口部を有し、
   前記第１の導電膜は、前記開口部に設けられた領域を有し、
   前記第１の導電膜は、前記トランジスタと電気的に接続され、
   前記第１の導電膜の側面は、膜厚方向の断面形状において、複数の凸部を有することを特徴とする半導体装置。
2. 第１の開口部を有する第１の絶縁膜と、
   第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、
   第３の開口部を有する第３の絶縁膜と、
   前記第１の開口部、前記第２の開口部、および前記第３の開口部に設けられた第１の導電膜と、を有し、
   前記第１の開口部と、第２の開口部と、前記第３の開口部とは、互いに重なる領域を有し、
   前記第１の開口部における前記第１の導電膜の幅、前記第２の開口部における前記第１の導電膜の幅、および前記第３の開口部における前記第１の導電膜の幅の、少なくとも２つ以上が互いに異なることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２において、
   前記第２の開口部は、前記第１の開口部上に位置し、
   前記第３の開口部は、前記第２の開口部上に位置し、
   前記第１の導電膜は、前記第１の開口部における幅より前記第２の開口部における幅が小さく、
   前記第１の導電膜は、前記第３の開口部における幅より前記第２の開口部における幅が小さいことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項３において、
   前記第１の絶縁膜および前記第３の絶縁膜は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、または酸化アルミニウム膜を有し、
   前記第２の絶縁膜は、酸化シリコン膜、または酸化窒化シリコン膜を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項２において、
   前記第２の開口部は、前記第１の開口部上に位置し、
   前記第３の開口部は、前記第２の開口部上に位置し、
   前記第１の導電膜は、前記第１の開口部における幅より前記第２の開口部における幅が大きく、
   前記第１の導電膜は、前記第３の開口部における幅より前記第２の開口部における幅が大きいことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項５において、
   前記第１の絶縁膜および前記第３の絶縁膜は、酸化シリコン膜、または酸化窒化シリコン膜を有し、
   前記第２の絶縁膜は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、または酸化アルミニウム膜を有することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の半導体装置と、
   表示装置、マイクロフォン、スピーカー、操作キー、位置入力装置、レンズ、または、接続部と、を有することを特徴とする電子機器。