JP2015188064A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (7)

1. 基板上の第１の導電体および第２の導電体と、
   前記第１の導電体上および前記第２の導電体上の第１の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体上の第２の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体上の、前記第１の導電膜と重なる領域を有する酸化物半導体と、
   前記酸化物半導体上の第３の絶縁体と、
   前記第３の絶縁体上の、前記酸化物半導体と重なる領域を有する第３の導電体と、
   前記第３の導電体の上面と接する領域と、前記酸化物半導体の上面と接する領域と、前記第２の絶縁膜の第１の開口部を介して、前記第１の絶縁体の上面と接する領域と、を有する第４の絶縁体と、
   前記第４の絶縁体上の第５の絶縁体と、
   前記第４の絶縁膜の第２の開口部および前記第５の絶縁膜の第３の開口部を介して、前記酸化物半導体と接する領域を有する第４の導電体と、
   前記第４の絶縁膜の第４の開口部および前記第５の絶縁膜の第５の開口部を介して、前記酸化物半導体と接する領域を有する第５の導電体と、
   前記第５の絶縁膜の第６の開口部を介して、前記第４の絶縁体の上面と接する領域を有し、かつ、前記第１の絶縁体および前記第４の絶縁体を介して、前記第２の導電体を重なる領域を有する第６の導電体と、を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第４の導電体および前記第５の導電体は、前記第３の導電体と重なる領域を有さないことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第４の導電体および前記第５の導電体は、前記第１の導電体と重なる領域を有さないことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記酸化物半導体のチャネル幅方向において、前記第３の導電体は、前記酸化物半導体を乗り越える形状を有し、
   前記第１の導電体は、前記第１の絶縁体および前記第２の絶縁体を介して、前記酸化物半導体の下面に面する形状を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第３の絶縁体は、前記酸化物半導体のチャネル方向において、前記第３の導電体よりも迫り出した形状を有することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項５において、
   前記第３の絶縁体は、端部の断面形状が円弧となる領域を有することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第３の導電体は、第１の導電層と、第２の導電層と、を有し、
   前記第２の導電層は、前記第１の導電層の上面と接する領域を有し、
   前記第１の導電層は、前記酸化物半導体のチャネル方向において、前記第２の導電層よりも迫り出した形状を有することを特徴とする半導体装置。