JP2016004830A - 半導体チップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】研削後のプラズマエッチング工程において腐食性ガスの発生を抑制することができる半導体チップの製造方法を提供すること。【解決手段】半導体チップの製造方法は切削溝形成工程と裏面研削工程と洗浄工程と乾燥工程とプラズマエッチング工程とから構成される。切削溝形成工程は半導体ウエーハの表面に少なくとも半導体チップDTの厚さに相当する深さの切削溝を形成する。裏面研削工程は研削水を供給しつつ半導体ウエーハの裏面を研削して切削溝を表出させる。洗浄工程は切削溝の表出により個々の半導体チップDTに分離された状態で半導体チップDTの裏面DTR側を洗浄水CWで洗浄する。乾燥工程は加熱、真空、又は加熱真空により個々のチップ間に残留している水分を乾燥除去する。プラズマエッチング工程は半導体チップDTの裏面DTRをプラズマエッチングする。【選択図】図6
Description
本発明は、半導体ウエーハを分割して半導体チップを製造する半導体チップの製造方法に関する。
半導体チップの薄化及び小型化と共に、半導体チップの抗折強度の向上を目的として、所謂先ダイシングで半導体ウエーハを半導体チップに分割後、切削歪み層及び研削歪み層をプラズマエッチングにより除去して、半導体チップの抗折強度を向上するプロセスが提案されている(特許文献1参照)。
特許文献1に示されたプロセスは、プラズマエッチングにより半導体チップの抗折強度の向上が図れるが、下記の新たな問題が発生している。即ち、先ダイシングにおいては狭ストリート(ストリート)の要望により切削溝幅も狭小化(数十μm)しており、研削工程時に使用する研削水が切削溝内に浸入し、研削後の洗浄乾燥工程でスピンナー乾燥を行ってもほぼ残留してしまっている。
特許文献1に示されたプロセスは、切削溝内に研削水が残留した状態の半導体ウエーハにそのままプラズマエッチング工程を遂行する。残留している研削水は、エッチングガス(例えば、SF6)と反応し腐食性の強い例えばHFガスなどの腐食性ガスを大量に発生し、プラズマエッチング装置の配管が腐食しポンプが頻繁に故障してしまう、という新たな問題が発生している。
本発明は、上記問題にかんがみなされたもので、その目的は、プラズマエッチング工程において腐食性ガスの発生を抑制することができる半導体チップの製造方法を提供することである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の半導体チップの製造方法は、ストリートによって区画されて複数の半導体チップが表面に形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分離する半導体チップの製造方法であって、半導体ウエーハの表面に少なくとも半導体チップの厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、該切削溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着し、該保護部材を下にして研削装置のチャックテーブルに載置し、研削水を供給しつつ該半導体ウエーハの裏面を研削して該切削溝を表出させる裏面研削工程と、該切削溝の表出により個々の半導体チップに分離された状態で、該半導体チップの裏面側を洗浄水で洗浄する洗浄工程と、該洗浄工程を実施した後に、該保護部材に貼着された複数の該半導体チップを乾燥装置内に挿入し、加熱、真空、又は加熱真空により個々のチップ間に残留している水分を乾燥除去する乾燥工程と、該乾燥工程を実施した後に、該半導体チップの裏面をプラズマエッチングするプラズマエッチング工程とから構成されることを特徴とする。
本発明は、洗浄工程とプラズマエッチング工程の間に、加熱真空乾燥により半導体チップを乾燥させる乾燥工程を挿入しているので、裏面研削工程後の洗浄工程において複数のチップ間に残留する洗浄水を完全に除去することが可能であり、その後のプラズマエッチング工程において腐食性ガスの発生を抑制することができる。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態〕
実施形態に係る半導体チップの製造方法を、図1から図8に基づいて説明する。図1は、実施形態に係る半導体チップの製造方法が施される半導体ウエーハを示す斜視図、図2は、実施形態に係る半導体チップの製造方法の切削溝形成工程の概要を示す図、図3は、実施形態に係る半導体チップの製造方法の裏面研削工程の概要を示す図、図4は、実施形態に係る半導体チップの製造方法の洗浄工程の概要を示す図、図5は、実施形態に係る半導体チップの製造方法の洗浄工程後の半導体ウエーハなどの要部を示す断面図、図6は、実施形態に係る半導体チップの製造方法の乾燥工程の概要を示す図、図7は、実施形態に係る半導体チップの製造方法のプラズマエッチング工程の概要を示す平面図、図8は、実施形態に係る半導体チップの製造方法のプラズマエッチング工程の概要を示す図である。
実施形態に係る半導体チップの製造方法を、図1から図8に基づいて説明する。図1は、実施形態に係る半導体チップの製造方法が施される半導体ウエーハを示す斜視図、図2は、実施形態に係る半導体チップの製造方法の切削溝形成工程の概要を示す図、図3は、実施形態に係る半導体チップの製造方法の裏面研削工程の概要を示す図、図4は、実施形態に係る半導体チップの製造方法の洗浄工程の概要を示す図、図5は、実施形態に係る半導体チップの製造方法の洗浄工程後の半導体ウエーハなどの要部を示す断面図、図6は、実施形態に係る半導体チップの製造方法の乾燥工程の概要を示す図、図7は、実施形態に係る半導体チップの製造方法のプラズマエッチング工程の概要を示す平面図、図8は、実施形態に係る半導体チップの製造方法のプラズマエッチング工程の概要を示す図である。
実施形態に係る半導体チップの製造方法(以下、単に製造方法と呼ぶ)は、図1に示す半導体ウエーハWに所謂DBG加工を施し、半導体ウエーハWを個々の半導体チップDT(図4等に示す)に分離する製造方法である。
なお、実施形態に係る製造方法により個々の半導体チップDTに分割される加工対象としての半導体ウエーハWは、本実施形態ではシリコンなどを母材とする円板状の半導体ウエーハである。半導体ウエーハWは、図1に示すように、ストリートLによって区画されて複数の半導体チップDTが表面WSに形成されている。半導体ウエーハWは、ストリートLに切削溝CS(図2等に示す)が形成された後、表面WSの裏側の裏面WR側が研削されて薄化されて、半導体チップDTに分離される。また、例えば、実施形態では、半導体チップDTの仕上がり厚さT(図3に示す)を40μm、半導体チップDTの大きさを0.2mm×0.2mmとし、切削溝CSの幅を15μmとしている。なお、図1〜図8では、解りやすくするために、半導体チップDTの大きさを実際よりも大きく示している。
実施形態に係る製造方法は、切削溝形成工程と、裏面研削工程と、洗浄工程と、乾燥工程と、プラズマエッチング工程とから構成される。
切削溝形成工程においては、図2に示すように、半導体ウエーハWの裏面WRにダイシングテープTDを貼着し、ダイシングテープTDを介して半導体ウエーハWの裏面WRを切削装置10のチャックテーブル11に吸引保持させる。そして、チャックテーブル11と切削装置10の切削ブレード12とをストリートLに沿って相対的に移動させながら、半導体ウエーハWのストリートLを切削ブレード12で切削する。そして、半導体ウエーハWのストリートLに半導体チップDTの仕上がり厚さTよりも深い切削溝CSを形成する。なお、本発明では、切削溝CSの深さを半導体チップDTの仕上がり厚さTと等しくしてもよく、切削溝CSの深さを半導体チップDTの仕上がり厚さTよりも深くしてもよい。このように、本発明の切削溝形成工程は、半導体ウエーハWの表面WSに少なくとも半導体チップDTの厚さTに相当する深さの切削溝CSを形成する。そして、裏面研削工程に進む。
裏面研削工程では、切削溝CSが形成された半導体ウエーハWの表面WSに保護部材TGを貼着するとともに、ダイシングテープTDを裏面WRから剥離する。そして、図3に示すように、保護部材TGを下にして、半導体ウエーハWの表面WSを研削装置20のチャックテーブル21に載置し、チャックテーブル21に吸引保持させる。その後、研削装置20の軸心回りに回転する研削ホイール22(研削手段に相当)を、軸心回りに回転するチャックテーブル21上に位置付ける。そして、研削ホイール22内のノズル23を通して研削水を半導体ウエーハWの裏面WRに供給しつつ、研削ホイール22を徐々に下降していき、半導体ウエーハWの裏面WRに研削送りする。
半導体ウエーハWの裏面WRを研削ホイール22で研削して薄化するとともに、切削溝CSを裏面WR側に表出させて、半導体ウエーハWを個々の半導体チップDTに分離する。半導体チップDTの厚さが仕上がり厚さTになると、研削ホイール22をチャックテーブル21から離間させて、チャックテーブル21の半導体ウエーハW即ち半導体チップDTの吸引保持を解除する。そして、洗浄工程に進む。なお、半導体ウエーハWを個々の半導体チップDTに分離すると、半導体ウエーハWの表面WSが半導体チップDTの表面DTSとなり、裏面WRが半導体チップDTの裏面DTRとなる。
洗浄工程では、切削溝CSの表出により個々の半導体チップDTに分離された状態で、図4に示すように、半導体チップDTの表面DTSを保護部材TGを介して洗浄装置30のチャックテーブル31に載置し、チャックテーブル31に吸引保持させる。そして、チャックテーブル31を軸心回りに回転させ、かつ、洗浄装置30の洗浄水供給部32から洗浄水CWを半導体チップDTの裏面DTR側に供給して、半導体チップDTの裏面DTR側を洗浄水CWで洗浄する。
半導体チップDTの裏面DTRの洗浄が完了すると、乾燥工程に進む。なお、切削溝CSの幅、即ち、半導体チップDT間の間隔は、例えば、15μmなどの非常に小さな値であるので、洗浄工程後では、図5に示すように、切削溝CS内、即ち、半導体チップDT間に洗浄水CWが残留している。
乾燥工程では、洗浄工程を実施した後に、保護部材TGに貼着された複数の半導体チップDTを乾燥装置40の乾燥チャンバー41内に挿入する。そして、図6に示すように、半導体チップDTの表面DTSを保護部材TGを介して乾燥装置40の保持テーブル42に載置し、保持テーブル42に保持させる。そして、乾燥チャンバー41内の気体をバキュームポンプ43により乾燥チャンバー41外に排出して、乾燥チャンバー41内の圧力を大気圧よりも低くするとともに、ガスヒータ44により半導体ウエーハW即ち半導体チップDTを加熱する。すると、個々の半導体チップDT間に残留している水分(洗浄水CWなど)が蒸発して、半導体チップDTが乾燥する。
なお、ガスヒータ44によるガスの温度は、保護部材TGの耐熱温度などから定められ、例えば、保護部材TGの耐熱温度が70℃である場合には、40℃から60℃の間に設定される。また、本発明では、乾燥チャンバー41内の圧力は、ガスヒータ44によるガスの温度における水の飽和水蒸気圧付近の圧力であるのが望ましい。この場合、半導体チップDTを確実に乾燥させることができる。このように、乾燥工程では、加熱真空により個々の半導体チップDT間に残留している水分を乾燥除去する。乾燥が完了すると、プラズマエッチング工程に進む。また、本発明では、乾燥工程では、保持テーブル42にヒータを内蔵して、半導体チップDTを加熱してもよく、ハロゲンヒータで半導体チップDTを加熱してもよい。
プラズマエッチング工程は、乾燥工程を実施した後に、図7に示すように、保護部材TGに貼着された複数の半導体チップDTをプラズマエッチング装置50のチャンバー51内に挿入する。そして、図8に示すように、半導体チップDTの表面DTSを保護部材TGを介してプラズマエッチング装置50の保持部52に載置し、保持部52に連結された吸引ポンプ53を駆動して保持部52に半導体チップDTを吸引保持させる。チャンバー51内の気体を吸引ポンプ54により吸引してフィルター55を介してプラズマエッチング装置50外に排出して、チャンバー51内を真空にする。
その後、ポンプ56によってエッチングガス収容部57から例えば希薄なフッ素系ガス(SF6+He)などのエッチングガスをチャンバー51内に供給するとともに、高周波電源及び同調器58から保持部52を設けた高周波電極59aと、半導体チップDTの裏面DTRが対向する高周波電極59bに高周波電圧を供給する。このとき、保持部52は、冷却水循環器60によって循環される冷却水により冷却される。そして、半導体チップDTの裏面DTRをプラズマを用いてプラズマエッチングして、半導体チップDTの裏面DTRに生じていた研削歪み層と、半導体チップDTの側面に生じていた切削歪み層とが除去される。プラズマエッチング完了後に、半導体チップDTを次工程に搬送する。
実施形態に係る製造方法によれば、洗浄工程とプラズマエッチング工程の間に、加熱真空乾燥により半導体チップDTを乾燥させる乾燥工程を挿入しているので、裏面研削工程後の洗浄工程において複数の半導体チップDT間に残留する洗浄水CWを完全に除去することが可能である。したがって、プラズマエッチング工程において腐食性ガスの発生を抑制することができる。
前述した実施形態では、乾燥工程において、乾燥チャンバー41内を加熱しかつ真空にして、加熱真空により半導体チップDTを乾燥させているが、本発明では、乾燥チャンバー41内を大気圧に保ったまま加熱したり、乾燥チャンバー41内を加熱することなく真空(大気圧よりも圧力を下げること)にしてもよい。要するに、本発明では、乾燥工程では、加熱、真空、又は加熱真空により個々の半導体チップDT間に残留している洗浄水CWを乾燥除去すればよい。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
20 研削装置
21 チャックテーブル
40 乾燥装置
CW 洗浄水
DT 半導体チップ
DTR 裏面
L ストリート
T 厚さ
TG 保護部材
W 半導体ウエーハ
WS 表面
WR 裏面
CS 切削溝
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Claims (1)
- ストリートによって区画されて複数の半導体チップが表面に形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分離する半導体チップの製造方法であって、
半導体ウエーハの表面に少なくとも半導体チップの厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着し、該保護部材を下にして研削装置のチャックテーブルに載置し、研削水を供給しつつ該半導体ウエーハの裏面を研削して該切削溝を表出させる裏面研削工程と、
該切削溝の表出により個々の半導体チップに分離された状態で、該半導体チップの裏面側を洗浄水で洗浄する洗浄工程と、
該洗浄工程を実施した後に、該保護部材に貼着された複数の該半導体チップを乾燥装置内に挿入し、加熱、真空、又は加熱真空により個々のチップ間に残留している水分を乾燥除去する乾燥工程と、
該乾燥工程を実施した後に、該半導体チップの裏面をプラズマエッチングするプラズマエッチング工程と、
から構成される半導体チップの製造方法。
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