JP2015230900A - パワーモジュール - Google Patents
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Abstract
Description
また、パワーモジュール用基板の他方の面側には、パワー素子(半導体素子)からの熱を放散するために、放熱板や冷却器などのヒートシンクが配設されることがある。このとき、絶縁基板と放熱板や冷却器などのヒートシンクとの熱膨張係数に起因する熱応力を緩和するために、パワーモジュール用基板においては、絶縁基板の他方の面に金属層となる金属板が接合され、この金属層と上述の放熱板や冷却器などのヒートシンクが接合される構成とされている。
ここで、回路層がアルミニウムまたはアルミニウム合金で構成されている場合には、例えば特許文献3に開示されているように、回路層の表面に電解めっき等によってNiめっき膜を形成し、このNiめっき膜上にはんだ材を配設して半導体素子を接合する必要があった。
なお、回路層が銅又は銅合金で構成されている場合においても、回路層の表面にNiめっき膜を形成し、このNiめっき膜上にはんだ材を配設して半導体素子を接合していた。
最近では、パワーモジュールに負荷されるパワーサイクル温度が上昇しており、パワーモジュールの耐熱性向上が求められている。そこで、例えば特許文献4,5には、高融点のSn−Sb系はんだ材が提案されている。
また、銅又は銅合金からなる回路層の表面にNiめっきを形成して半導体素子をはんだ接合したパワーモジュールにおいても、パワーサイクルの負荷をかけると、はんだにクラックが生じ、熱抵抗が上昇するおそれがあった。
また、はんだ層にNiが含まれていることにより、はんだ層と銅層の接合界面に(Cu,Ni)6Sn5からなる金属間化合物層を形成させることができ、パワーサイクルに対する信頼性を向上させるためことができる。
なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、前記はんだ層内に存在するNi3Sn4の面積率を0.1%以下とすることが好ましい。
この場合、はんだ層がSbを0.5mass%以上7.9mass%以下含有しているので、はんだ層の融点が比較的高くなり、パワーサイクル温度や冷熱サイクル温度が高い場合であっても、信頼性を向上させることが可能となる。また、SnにSbが固溶することにより、はんだ層の強度向上を図ることができる。また、Niを0.05mass%以上含有しているので、金属間化合物を平滑化できるとともに、はんだ層と銅層の接合界面に(Cu,Ni)6Sn5からなる金属間化合物層を確実に形成し、パワーサイクルに対する信頼性を確実に向上することができる。また、Niの含有量が0.8mass%以下とされているので、Ni3Sn4の発生を抑制することができる。さらに、Cuを0.4mass%以上4.6mass%以下含有しているので、NiとCuが反応することにより、Ni3Sn4の発生を抑制することができる。
この場合、パワーサイクルを繰り返し負荷した場合であっても、はんだ層が早期に破壊されることがなく、パワーサイクルに対する信頼性の向上を図ることができる。なお、上述のパワーサイクル試験は、最もはんだ層に負荷が掛かる条件であることから、この条件下でパワーサイクルを10万回負荷したときの熱抵抗上昇率が10%未満とされていれば、通常の使用において、十分な信頼性を得ることができる。
図1に、本発明の第1の実施形態であるパワーモジュール1を示す。このパワーモジュール1は、絶縁基板(絶縁層)11の一方の面に回路層12が形成されたパワーモジュール用基板10と、回路層12上(図1において上面)に搭載された半導体素子3と、を備えている。なお、本実施形態のパワーモジュール1では、絶縁基板11の他方の面側(図1において下面)にヒートシンク41が接合されている。
このはんだ層20は、図4に示すように、Sn−Sb系のはんだ材30によって形成されており、本実施形態では、Sn−0.5〜8.2mass%Sbはんだ材30が用いられている。
また、図2に示すように、はんだ層20のうち回路層12との界面近傍には、(Cu,Ni)6Sn5からなる金属間化合物層26が形成されている。
ここで、Ni3Sn4の面積率は、以下の手順により算出した。はんだ層20の一つの断面の全領域を複数回に分けて、EPMAによってカラーマッピングと半定量分析を行い、NiとSnの組成分布を取得する。そして、Niの組成(atomic%)とSnの組成(atomic%)の比(Ni/Sn)が0.65〜0.85の範囲内にある領域をNi3Sn4の領域とみなし、その領域の面積を画像処理ソフトにて求め、はんだ層20の断面積(即ち、はんだ層20の一つの断面の全領域の面積)に対するNi3Sn4の面積率を算出した。
詳述すると、半導体素子3としてIGBT素子を回路層12へはんだ付けするとともに、アルミニウム合金からなる接続配線をボンディングする。そして、IGBT素子への通電を、通電(ON)で素子表面温度140℃、非通電(OFF)で素子表面温度60℃となる1サイクルを10秒毎に繰り返すようにして調整し、このパワーサイクルを10万回繰り返した後で、熱抵抗上昇率が10%未満とされているのである。
まず、回路層12となる銅板と絶縁基板11とを接合する(回路層形成工程S01)。ここで、絶縁基板11と回路層12となる銅板との接合は、いわゆる活性金属ろう付け法によって実施した。本実施形態では、Ag−27.4mass%Cu−2.0mass%Tiからなる活性ろう材を用いた。
これにより、パワーモジュール用基板10が製造される。
次に、このNiめっき膜31の上に、Sn−0.5〜8.2mass%Sbはんだ材30を介して半導体素子3を積層する。
これにより、回路層12と半導体素子3との間に、はんだ層20が形成され、本実施形態であるパワーモジュール1が製出される。
これにより、はんだ層20は、Sbを0.5mass%以上7.9mass%以下、Niを0.05mass%以上0.8mass%以下、Cuを0.4mass%以上4.6mass%以下、含有し、残部がSn及び不可避不純物とされた組成を有することになる。
さらに、はんだ層20の内部に、Cu,Ni,Snを含む金属間化合物からなる析出物粒子が分散されるとともに、はんだ層20のうち回路層12との界面近傍に、(Cu,Ni)6Sn5からなる金属間化合物層26が形成される。
また、Sn−Sb系のはんだ材30を用いているので、はんだ層20の融点が比較的高くなり、パワーサイクル温度や冷熱サイクル温度が高い場合であっても、信頼性を向上させることが可能となる。また、SnにSbが固溶することにより、はんだ層20の強度向上を図ることができる。
さらに、はんだ層20にはNiが含まれていることにより、(Cu,Ni)6Sn5からなる金属間化合物層26を形成することができる。
次に、本発明の第2の実施形態であるパワーモジュールについて、添付した図面を参照して説明する。なお、第1の実施形態と同じ部材には同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
図5に、本発明の第2の実施形態であるパワーモジュール101を示す。このパワーモジュール101は、絶縁基板(絶縁層)11の一方の面に回路層112が形成されたパワーモジュール用基板110と、回路層112上(図5において上面)に搭載された半導体素子3と、を備えている。
ここで、本実施形態では、アルミニウム層112Aは、純度99.99mass%以上のアルミニウムの圧延板を接合することで形成されている。また、銅層112Bは、無酸素銅の圧延板からなる銅板がアルミニウム層112Aの一方の面側に固相拡散接合されることにより形成されている。
拡散層115は、アルミニウム層112AのAl原子と、銅層112BのCu原子とが相互拡散することによって形成されるものである。この拡散層115においては、アルミニウム層112Aから銅層112Bに向かうにしたがい、漸次アルミニウム原子の濃度が低くなり、かつ銅原子の濃度が高くなる濃度勾配を有している。
本実施形態では、図6に示すように、アルミニウム層112A側から銅層112B側に向けて順に、アルミニウム層112Aと銅層112Bとの接合界面に沿って、θ相116、η2相117が積層し、さらにζ2相118a、δ相118b、及びγ2相118cのうち少なくとも一つの相が積層して構成されている(図7の状態図参照)。
また、本実施形態では、銅層112Bと拡散層115との界面に沿って、酸化物119がζ2相118a、δ相118b、又はγ2相118cのうち少なくとも一つの相からなる層の内部に層状に分散している。なお、この酸化物119は、アルミナ(Al2O3)等のアルミニウム酸化物とされている。
また、図8に示すように、はんだ層120のうち回路層112(銅層112B)との界面近傍には、(Cu,Ni)6Sn5からなる金属間化合物層126が形成されている。
さらに、はんだ層120の内部には、Cu,Ni,Snを含む金属間化合物からなる析出物粒子が分散している。ここで、はんだ層120の内部に存在するNi3Sn4からなる金属間化合物の面積率が0.5%以下とされている。
詳述すると、半導体素子3としてIGBT素子を回路層112(銅層112B)へはんだ付けするとともに、アルミニウム合金からなる接続配線をボンディングする。そして、IGBT素子への通電を、通電(ON)で素子表面温度140℃、非通電(OFF)で素子表面温度60℃となる1サイクルを10秒毎に繰り返すようにして調整し、このパワーサイクルを10万回繰り返した後で、熱抵抗上昇率が10%未満とされているのである。
まず、絶縁基板11の一方の面及び他方の面にアルミニウム板を接合し、アルミニウム層112A及び金属層13を形成する(アルミニウム層及び金属層形成工程S101)。
絶縁基板11とアルミニウム板とを、ろう材を介して積層し、ろう付けによって絶縁基板11とアルミニウム板を接合する。このとき、ろう材としては、例えば、厚さ20〜110μmのAl−Si系ろう材箔を用いることができ、ろう付け温度は600〜620℃とすることが好ましい。
アルミニウム層112Aの上に銅板を積層し、これらを積層方向に加圧(圧力3〜35kgf/cm2)した状態で真空加熱炉内に装入して加熱することにより、アルミニウム層112Aと銅板とを固相拡散接合する。ここで、銅層形成工程S102において、加熱温度は400℃以上548℃以下、加熱時間は15分以上270分以下とされている。なお、アルミニウム層112Aと銅板との固相拡散接合を行う場合には、加熱温度を、AlとCuの共晶温度(548.8℃)より5℃低い温度から共晶温度未満の温度範囲とすることが好ましい。
この銅層形成工程S102により、絶縁基板11の一方の面にアルミニウム層112Aと銅層112Bとからなる回路層112が形成される。
次に、このNiめっき膜の上に、Sn−0.5〜8.2mass%Sbのはんだ材を介して半導体素子3を積層する。
これにより、回路層112(銅層112B)と半導体素子3との間に、はんだ層120が形成され、本実施形態であるパワーモジュール101が製出される。
これにより、はんだ層120は、Sbを0.5mass%以上7.9mass%以下、Niを0.05mass%以上0.8mass%以下、Cuを0.4mass%以上4.6mass%以下、含有し、残部がSn及び不可避不純物とされた組成を有することになる。
さらに、はんだ層120の内部に、Cu,Ni,Snを含む金属間化合物からなる析出物粒子が分散されるとともに、はんだ層120のうち回路層112(銅層112B)との界面近傍に、(Cu,Ni)6Sn5からなる金属間化合物層126が形成される。
また、本実施形態では、回路層112が銅層112Bを有しているので、半導体素子3から発生する熱を銅層112Bで面方向に拡げることができ、パワーモジュール用基板110側へ効率的に熱を伝達することができる。
また、回路層112の一方の面側に比較的変形抵抗の大きい銅又は銅合金からなる銅層112Bが形成されているので、パワーサイクル負荷時に、回路層112の変形を抑制することができ、パワーサイクルに対する高い信頼性を得ることが可能となる。
さらに、上述の固相拡散接合の加熱温度を、AlとCuの共晶温度(548.8℃)より5℃低い温度から共晶温度未満の範囲とした場合には、AlとCuの化合物が必要以上に形成されることを抑制できるとともに、固相拡散接合の際の拡散速度が確保され、比較的短時間で固相拡散接合することができる。
例えば、本実施形態では、金属層を、純度99.99mass%以上の4Nアルミニウムで構成したものとして説明したが、これに限定されることはなく、他のアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されていてもよいし、銅又は銅合金で構成されていてもよい。
さらに、絶縁層としてAlNからなる絶縁基板を用いたものとして説明したが、これに限定されることはなく、Al2O3、Si3N4等からなる絶縁基板を用いても良い。
さらに、絶縁基板と金属層となるアルミニウム板を、ろう付けによって接合するものとして説明したが、これに限定されることはなく、過渡液相接合法(Transient Liquid Phase Bonding)、金属ペースト法、鋳造法等を適用してもよい。
例えば、アルミニウム層の一方の面にめっき法により銅層を形成してもよい。なお、厚さ5μmから50μm程度の銅層を形成する場合にはめっき法を適用することが好ましい。厚さが50μmから3mm程度の銅層を形成する場合には固相拡散接合を適用することが好ましい。
前述の第1の実施形態に記載されたパワーモジュールを準備した。絶縁基板は、AlNで構成され、27mm×17mm、厚さ0.6mmのものを使用した。また、回路層は、無酸素銅で構成され、25mm×15mm、厚さ0.3mmのものを使用した。金属層は、4Nアルミニウムで構成され、25mm×15mm、厚さ0.6mmのものを使用した。半導体素子は、IGBT素子とし、13mm×10mm、厚さ0.25mmのものを使用した。ヒートシンクとしては、40.0mm×40.0mm×2.5mmのアルミニウム板(A6063)を使用した。
なお、はんだ接合条件は、水素3vol%還元雰囲気、加熱温度(加熱対象物温度)及び保持時間を表1の条件とし、室温までの平均冷却速度を2.5℃/sとした。
EPMA分析により、はんだ層の成分分析を行った。EPMA分析装置(日本電子株式会社製JXA−8530F)を用いて、加速電圧:15kV、スポット径:1μm以下、倍率:250倍で、はんだ層の平均組成を分析した。
EPMA分析により、はんだ層内のNi3Sn4の面積率を算出した。はんだ層の一つの断面の全領域を、倍率10000倍で複数回に分けて、EPMA(日本電子株式会社製JXA−8530F、加速電圧:15kV、スポット径:1μm以下)によってカラーマッピングと半定量分析を行い、NiとSnの組成分布を取得する。そして、Niの組成(atomic%)とSnの組成(atomic%)の比(Ni/Sn)が0.65〜0.85の範囲内にある領域をNi3Sn4の領域とみなし、その領域の面積を画像処理ソフトにて求め、はんだ層の断面積(即ち、はんだ層の一つの断面の全領域の面積)に対するNi3Sn4の面積率を算出した。
IGBT素子への通電を、通電(ON)で素子表面温度140℃、非通電(OFF)で素子表面温度60℃となる1サイクルを10秒毎に繰り返すようにして調整し、このパワーサイクルを10万回繰り返した。そして、初期状態からの熱抵抗の上昇率を評価した。なお、本発明例1〜14においては、すべて、パワーサイクルを10万回繰り返したときの熱抵抗上昇率が10%未満とされている。
IGBT素子への通電を、通電(ON)で素子表面温度140℃、非通電(OFF)で素子表面温度60℃となる1サイクルを10秒毎に繰り返すようにして調整し、このパワーサイクルを繰り返した。そして、初期状態からの熱抵抗の上昇率が10%以上となったサイクル回数(パワーサイクル寿命)を評価した。
熱抵抗として、過渡熱抵抗を熱抵抗テスター(TESEC社製4324−KT)を用いて測定した。印加電力:100W、印加時間:100msとし、電力印加前後のゲート−エミッタ間の電圧差を測定することにより、熱抵抗を求めた。測定は上述したパワーサイクル試験時において、1万サイクル毎に実施した。
冷熱衝撃試験機エスペック社製TSD−100を使用し、上述のパワーモジュールに対して、気相で、−45℃×5分←→200℃×5分の500サイクルの冷熱サイクルを実施した。
冷熱サイクル後のパワーモジュールに対し、はんだ層と回路層との界面の接合率について超音波探傷装置を用いて評価し、以下の式から算出した。
ここで、初期接合面積とは、接合前における接合すべき面積、すなわち本実施例ではIはんだ層の面積とした。超音波探傷像において剥離(はんだ層のクラック)は接合部内の白色部で示されることから、この白色部の面積を剥離面積とした。
(接合率(%))={(初期接合面積)−(剥離面積)}/(初期接合面積)×100
絶縁基板は、AlNで構成され、27mm×17mm、厚さ0.6mmのものを使用した。金属層は、4Nアルミニウムで構成され、25mm×15mm、厚さ0.6mmのものを使用した。半導体素子は、IGBT素子とし、13mm×10mm、厚さ0.25mmのものを使用した。ヒートシンクとしては、40.0mm×40.0mm×2.5mmのアルミニウム板(A6063)を使用した。
めっきの場合、アルミニウム層の表面にジンケート処理を施した後、電解めっきにて表2に示す厚さの銅層を形成した。
固相拡散接合の場合、表2に示す厚さの銅板を準備し、第2の実施形態で例示した条件でアルミニウム層の表面に銅板を固相拡散接合した。
なお、はんだ接合条件は、水素3vol%還元雰囲気、加熱温度(加熱対象物温度)を300℃及び保持時間を1分とし、室温までの平均冷却速度を2.5℃/sとした。
そして、実施例1と同様の方法により、はんだ層の組成、はんだ層内に存在するNi3Sn4の面積率、パワーサイクル寿命を評価した。評価結果を表2に示す。
また、銅層の厚さが5μm以上であれば、銅層中のCuがすべてはんだ側に拡散してしまうことがなく、銅層が残存することが確認された。さらに、銅層の厚さが3mm以下であれば、パワーサイクル寿命が10万回以上となることが確認された。
3 半導体素子
10 パワーモジュール用基板
11 絶縁基板(絶縁層)
12 回路層(銅層)
13 金属層
20 はんだ層
26 金属間化合物層
30 はんだ材
31 Niめっき膜
101 パワーモジュール
110 パワーモジュール用基板
112 回路層
112A アルミニウム層
112B 銅層
120 はんだ層
Claims (3)
- 絶縁層の一方の面に回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、前記回路層の一方の面に接合された半導体素子と、を備えたパワーモジュールであって、
前記回路層のうち前記半導体素子との接合面には、銅又は銅合金からなる銅層が設けられており、
前記銅層と前記半導体素子との間には、SnとSbを含有するはんだ材を用いて形成されたはんだ層が形成されており、
前記はんだ層にはNiが含まれており、
前記はんだ層内に存在するNi3Sn4の面積率が0.5%以下であることを特徴とするパワーモジュール。 - 前記はんだ層は、Sbを0.5mass%以上7.9mass%以下、Niを0.05mass%以上0.8mass%以下、Cuを0.4mass%以上4.6mass%以下、含有し、残部がSn及び不可避不純物とされていることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール。
- パワーサイクル試験において、通電時間5秒、温度差80℃の条件のパワーサイクルを10万回負荷したときの熱抵抗上昇率が10%未満であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパワーモジュール。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020155761A (ja) * | 2019-03-14 | 2020-09-24 | 株式会社豊田自動織機 | 接合構造及び液相拡散接合方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002124533A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Toshiba Corp | 電極材料、半導体装置及び実装装置 |
JP2009060101A (ja) * | 2000-12-21 | 2009-03-19 | Hitachi Ltd | 電子機器 |
WO2012077228A1 (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-14 | 三菱電機株式会社 | 無鉛はんだ合金、半導体装置、および半導体装置の製造方法 |
JP2013012739A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 電気接続端子構造体及びその製造方法 |
JP2013168431A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Mitsubishi Materials Corp | はんだ接合構造、パワーモジュール、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びそれらの製造方法 |
JP2013229579A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
WO2014103934A1 (ja) * | 2012-12-25 | 2014-07-03 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール |
-
2014
- 2014-06-03 JP JP2014114735A patent/JP6299442B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002124533A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Toshiba Corp | 電極材料、半導体装置及び実装装置 |
JP2009060101A (ja) * | 2000-12-21 | 2009-03-19 | Hitachi Ltd | 電子機器 |
WO2012077228A1 (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-14 | 三菱電機株式会社 | 無鉛はんだ合金、半導体装置、および半導体装置の製造方法 |
JP2013012739A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 電気接続端子構造体及びその製造方法 |
JP2013168431A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Mitsubishi Materials Corp | はんだ接合構造、パワーモジュール、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びそれらの製造方法 |
JP2013229579A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
WO2014103934A1 (ja) * | 2012-12-25 | 2014-07-03 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020155761A (ja) * | 2019-03-14 | 2020-09-24 | 株式会社豊田自動織機 | 接合構造及び液相拡散接合方法 |
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