JP2015228784A - 光電池の評価方法、光電池の評価装置、プログラム、および光電池の製造方法 - Google Patents
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Description
(a)第1のサブセルを有する光電池の発光ダイオード動作時におけるエレクトロルミネッセンスの絶対強度に対応し、発光ダイオード動作時の注入電流密度の関数として得られた、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートを準備する工程と、
(b)前記第1のサブセルについて、ネットのキャリア発生レートとネットのキャリア損失レートとのバランスに基づき、発光ダイオード動作時の注入電流密度と光電池動作時の取出電流密度との関係を求め、前記工程(a)において発光ダイオード動作時の注入電流密度の関数として得られた輻射再結合損失レートから、光電池動作時の取出電流密度の関数として、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートを得る工程と
を有する光電池の評価方法が提供される。
第1のサブセルを有する光電池の発光ダイオード動作時におけるエレクトロルミネッセンスの絶対強度に対応し、発光ダイオード動作時の注入電流密度の関数として得られた、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートと、
前記第1のサブセルについて、ネットのキャリア発生レートとネットのキャリア損失レートとのバランスに基づいて求められた、発光ダイオード動作時の注入電流密度と光電池動作時の取出電流密度との関係と
に基づいて、
光電池動作時の取出電流密度の関数として、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートを得るように構成された計算装置
を有する、光電池の評価装置が提供される。
第1のサブセルを有する光電池の発光ダイオード動作時におけるエレクトロルミネッセンスの絶対強度に対応し、発光ダイオード動作時の注入電流密度の関数として得られた、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートと、
前記第1のサブセルについて、ネットのキャリア発生レートとネットのキャリア損失レートとのバランスに基づいて求められた、発光ダイオード動作時の注入電流密度と光電池動作時の取出電流密度との関係と
に基づいて、
光電池動作時の取出電流密度の関数として、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートを得る手順
をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
光電池を形成する工程と、
前記光電池の特性を評価する工程と
を有し、
前記光電池の特性を評価する工程は、
第1のサブセルを有する光電池の発光ダイオード動作時におけるエレクトロルミネッセンスの絶対強度に対応し、発光ダイオード動作時の注入電流密度の関数として得られた、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートと、
前記第1のサブセルについて、ネットのキャリア発生レートとネットのキャリア損失レートとのバランスに基づいて求められた、発光ダイオード動作時の注入電流密度と光電池動作時の取出電流密度との関係と
に基づいて、
光電池動作時の取出電流密度の関数として、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートを得る工程
を有する光電池の製造方法が提供される。
と表すことができる。ai+1→iやa0→iなどの定義および算出法は後述する。
上式(1)〜(3)において、非輻射再結合損失レートRnr_iがゼロの理想的な場合(輻射限界)においては、サブセルSCiの外部発光量子効率yext_i rad[JPV]や、このときにサブセルSCiにかかる電圧Vi rad[JPV]が、先行研究論文により定式化され、与えられている。具体的には、外部発光量子効率yext_i rad[JPV]および電圧Vi rad[JPV]は、詳細平衡関係式およびショックレーの半導体基礎方程式に基づいて算出することができる。
PV動作時のキャリアバランス(式(1PV)〜(3PV))に基づいて、各サブセルにおけるキャリアの全ての再結合損失レートを得ることできる。また、評価(A)で説明したようにして、電流電圧関係を得ることができる。再結合損失レートおよび電流電圧関係に基づいて、入力と損失と出力のバランスを示すパワーバランスシートを作成することができ、各項目の寄与を分析、評価することができる。
PV動作時のキャリアバランス(式(1PV)〜(3PV))に基づいて、キャリアの発生と損失のバランスを示すキャリアバランスシートを作成することができ、各項目の寄与を分析、評価することができる。
外部発光量子効率yext_iは、各サブセルの非輻射再結合ロスの大小を反映しているが、材料品質の良い指標にはなっていない。これは、材料品質が同じであっても、各サブセルの膜厚や表面反射率などの構造パラメータが異なる場合、yext_iは異なる値になってしまうからである。太陽電池等の光電池の性能向上を目指す開発においては、材料の品質を、構造パラメータと分離して定量できることが望ましい。
と表される。なお、(i+1)層側半球角度平均は、全反射時はai+1→i[θ]=0となる。
と表される。ここで、r0→i[θ]とri+1→i[θ]は、空気側及び(i+1)層側からみた反射率を表す。
と表される。Rint_iは、各サブセルSCiの内部の輻射再結合損失レートである。なお、チルダ(〜)は、単位体積当りの量であることを示している。
と表される。
であり、
式(13)、(14)より、
である。
が得られ、式(4)〜(6)が得られる。
のように簡単化される。
TN12,TN23 トンネル接合
ELU,ELL 電極
ARC 反射防止層
10 光電池
20 電源
30 測定器
40 制御装置
Claims (14)
- (a)第1のサブセルを有する光電池の発光ダイオード動作時におけるエレクトロルミネッセンスの絶対強度に対応し、発光ダイオード動作時の注入電流密度の関数として得られた、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートを準備する工程と、
(b)前記第1のサブセルについて、ネットのキャリア発生レートとネットのキャリア損失レートとのバランスに基づき、発光ダイオード動作時の注入電流密度と光電池動作時の取出電流密度との関係を求め、前記工程(a)において発光ダイオード動作時の注入電流密度の関数として得られた輻射再結合損失レートから、光電池動作時の取出電流密度の関数として、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートを得る工程と
を有する光電池の評価方法。 - 前記工程(a)は、第1のサブセルを有する光電池に電圧を印加し発光ダイオードとして動作させ、前記第1のサブセルからのエレクトロルミネッセンスの絶対強度を測定することにより、発光ダイオード動作時の注入電流密度の関数として、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートを得る工程を含む、
請求項1に記載の光電池の評価方法。 - 前記光電池は、前記第1のサブセルに積層された第2のサブセルをさらに有し、
前記工程(a)は、前記第2のサブセルを有する前記光電池の発光ダイオード動作時におけるエレクトロルミネッセンスの絶対強度に対応し、発光ダイオード動作時の注入電流密度の関数として得られた、前記第2のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートを準備する工程を含み、
前記工程(b)は、前記第2のサブセルについて、ネットのキャリア発生レートとネットのキャリア損失レートとのバランスに基づき、発光ダイオード動作時の注入電流密度と光電池動作時の取出電流密度との関係を求め、前記工程(a)において発光ダイオード動作時の注入電流密度の関数として得られた輻射再結合損失レートから、光電池動作時の取出電流密度の関数として、前記第2のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートを得る工程を含む、
請求項1または2に記載の光電池の評価方法。 - さらに、
(c)前記光電池の有する少なくとも1つのサブセルについて、前記工程(b)で光電池動作時の取出電流密度の関数として得られた輻射再結合損失レートに基づき、前記光電池の光電池動作時における特性を示す少なくとも1つの物理量を算出する工程
を有する請求項1〜3のいずれか1項に記載の光電池の評価方法。 - 前記工程(c)で算出される物理量は、光電池における透過損失、サブセルにかかる電圧、サブセルにおける熱化損失、サブセルにおける輻射再結合損失、サブセルにおける非輻射再結合損失、サブセルにおける接合損失、および、サブセルからの出力の少なくとも1つを含む、請求項4に記載の光電池の評価方法。
- 前記工程(c)では、前記工程(b)で光電池動作時の取出電流密度の関数として得られた輻射再結合損失レートに基づいて、サブセルの光電池動作時における外部発光量子効率を算出する、請求項4または5に記載の光電池の評価方法。
- 前記工程(c)では、前記外部発光量子効率と、輻射限界条件における理想的な外部発光量子効率と、輻射限界条件においてサブセルにかかる理想的な電圧とに基づいて、サブセルにかかる電圧を算出する、請求項6に記載の光電池の評価方法。
- 前記工程(c)では、前記外部発光量子効率に基づいて、サブセルの内部発光量子効率を算出する、請求項6に記載の光電池の評価方法。
- 前記工程(b)で用いられる、サブセルにおけるネットのキャリア発生レートとネットのキャリア損失レートのバランスの、ネットのキャリア損失レートを構成する項目として、
(R1)当該サブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートと、
(R2)当該サブセルにおける非輻射再結合損失レートと
が含まれ、
前記工程(b)では、サブセルについて、
前記工程(a)で得られた前記項目(R1)の輻射再結合損失レートに基づき、発光ダイオード動作時の注入電流密度の関数として、前記項目(R2)の非輻射再結合損失レートを求め、
さらに、
発光ダイオード動作時の注入電流密度の関数として得られた前記項目(R2)の非輻射再結合損失レートから、光電池動作時の取出電流密度の関数として、前記項目(R2)の非輻射再結合損失レートを得る、請求項1〜8のいずれか1項に記載の光電池の評価方法。 - 第1のサブセルを有する光電池の発光ダイオード動作時におけるエレクトロルミネッセンスの絶対強度に対応し、発光ダイオード動作時の注入電流密度の関数として得られた、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートと、
前記第1のサブセルについて、ネットのキャリア発生レートとネットのキャリア損失レートとのバランスに基づいて求められた、発光ダイオード動作時の注入電流密度と光電池動作時の取出電流密度との関係と
に基づいて、
光電池動作時の取出電流密度の関数として、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートを得る工程
を有する光電池の評価方法。 - 第1のサブセルを有する光電池の発光ダイオード動作時におけるエレクトロルミネッセンスの絶対強度に対応し、発光ダイオード動作時の注入電流密度の関数として得られた、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートと、
前記第1のサブセルについて、ネットのキャリア発生レートとネットのキャリア損失レートとのバランスに基づいて求められた、発光ダイオード動作時の注入電流密度と光電池動作時の取出電流密度との関係と
に基づいて、
光電池動作時の取出電流密度の関数として、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートを得るように構成された計算装置
を有する、光電池の評価装置。 - さらに、
前記光電池に順方向バイアスを印加する電源と、
前記光電池のエレクトロルミネッセンスの絶対強度を測定する測定器と
を有する、請求項11に記載の光電池の評価装置。 - 第1のサブセルを有する光電池の発光ダイオード動作時におけるエレクトロルミネッセンスの絶対強度に対応し、発光ダイオード動作時の注入電流密度の関数として得られた、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートと、
前記第1のサブセルについて、ネットのキャリア発生レートとネットのキャリア損失レートとのバランスに基づいて求められた、発光ダイオード動作時の注入電流密度と光電池動作時の取出電流密度との関係と
に基づいて、
光電池動作時の取出電流密度の関数として、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートを得る手順
をコンピュータに実行させるプログラム。 - 光電池を形成する工程と、
前記光電池の特性を評価する工程と
を有し、
前記光電池の特性を評価する工程は、
第1のサブセルを有する光電池の発光ダイオード動作時におけるエレクトロルミネッセンスの絶対強度に対応し、発光ダイオード動作時の注入電流密度の関数として得られた、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートと、
前記第1のサブセルについて、ネットのキャリア発生レートとネットのキャリア損失レートとのバランスに基づいて求められた、発光ダイオード動作時の注入電流密度と光電池動作時の取出電流密度との関係と
に基づいて、
光電池動作時の取出電流密度の関数として、前記第1のサブセルから前記光電池の外部への光放出に対応する輻射再結合損失レートを得る工程
を有する光電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014097923 | 2014-05-09 | ||
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JP2014147216A JP6411801B2 (ja) | 2014-05-09 | 2014-07-17 | 光電池の評価方法、光電池の評価装置、プログラム、および光電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2015228784A true JP2015228784A (ja) | 2015-12-17 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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