CN105915179A - 一种晶圆及太阳能电池的光致载流子辐射锁相成像检测方法与*** - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 241000931526 Acer campestre Species 0.000 description 1
- 239000011469 building brick Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
- H02S50/10—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
- H02S50/15—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells using optical means, e.g. using electroluminescence
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
本发明公开了一种晶圆及太阳能电池的光致载流子辐射锁相成像检测方法与***，所述***包括近红外相机、信号采集卡、计算机、三维移动台、长通滤波片、第一激光器和第二激光器，被测样件固定在三维移动台上，调节三维移动台使被测样件在近红外相机视野内清晰可见；计算机通过控制信号采集卡控制激光器对被测样件进行光激励，同时控制近红外相机进行同步触发采集图像序列；近红外相机采集的图像序列传送至计算机进行锁相处理，进而实现高信噪比的载流子辐射信号成像。本发明激光采用面激励方式激发样件，探测面积大、检测效率高；采用锁相算法，可以提高信噪比，在自然光背景下仍然可以得到良好检测结果，无需暗室环境，检测方便。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶圆及太阳能电池的光致载流子辐射锁相成像检测方法与***，适用于卫星、微电子、半导体、光伏等领域的晶圆制造及太阳能电池生产和组件的载流子检测与评价。
背景技术
由于半导体及其产品（电子组件、太阳能电池等）作为功能材料和重要的可再生能源转换器件，在诸多领域用途广泛，特别是太阳能电池在当今能源匮乏的大背景下受到广泛关注，需求逐年增加，但由于其在生产制备过程中工艺复杂，晶圆及其成品容易造成多种缺陷（如生长不均匀、死结、机械划擦等）和污染（杂质离子污染），进而对载流子浓度造成严重影响，严重影响其后续使用性能，增加产品生产成本、降低生产效率。
目前太阳能电池成像无损检测技术主要是电致发光方法和光致发光等检测技术，电致发光方法对于晶圆等无pn结的样件无法进行检测，并且该方法需要在暗室下进行，信噪比低；光致发光检测技术由于受到背景噪声影响比较严重，因此信噪比比较低。光致载流子辐射锁相成像检测方法特别适用于半导体材料的检测，同时具有信噪比高、无损伤、直观、探测面积大及效率高等优势，因此，载流子辐射锁相成像检测方法在半导体及太阳电池领域具有广泛的应用前景。
发明内容
本发明的目的克服电致发光和光致发光方法信噪比低及暗室下操作带来的不便，提供一种晶圆和太阳能电池的光致载流子辐射锁相成像检测方法与***。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
一种晶圆和太阳能电池的光致载流子辐射锁相成像检测***，基于光致载流子辐射检测原理，包括近红外相机、信号采集卡（具有模拟信号输出功能）、计算机、三维移动台、长通滤波片、第一激光器和第二激光器，其中：
被测样件固定在三维移动台上，调节三维移动台使被测样件在近红外相机视野内清晰可见；
计算机控制信号采集卡产生调制信号，该信号一方面控制第一激光器和第二激光器同步触发并对被测样件进行光激励，两束激光束照射到被测样件后产生载流子辐射光子信号；另一方面控制近红外相机对载流子辐射光子信号产生的图像序列进行同步采集，被被测样件反射的激光束和环境噪声信号被长通滤波片滤掉；
近红外相机将采集的图像序列反馈至计算机，计算机将采集到的图像序列进行锁相相关处理进而对载流子辐射信号进行检测。
一种利用上述***检测晶圆和太阳能电池载流子浓度的方法，包括如下步骤：
步骤（1）：确定要测量的半导体材料，将其放置在三维移动台上；
步骤（2）：开启晶圆和太阳能电池的光致载流子辐射锁相成像检测***；
步骤（3）：调节三维移动台位置，使要测量的半导体材料在近红外相近内清晰可见；
步骤（4）：计算机通过信号采集卡控制第一激光器和第二激光器光强按照调制规律变化，同时控制近红外相机进行实施图像数据采集；
步骤（5）：计算机对近红外相机采集的图像序列进行记录，并通过计算机控制软件进行图像数据处理与信号提取，进而进行载流子信号的成像。
本发明具有如下优点：
1、本发明激光采用面激励（激光波长根据材料带隙决定）方式激发样件，探测面积大、检测效率高；
2、本发明采用锁相算法，可以提高信噪比，在自然光背景下仍然可以得到良好检测结果，无需暗室环境，检测方便；
3、本发明利用光激励，可对原材料到电池片成品的每个过程都能进行检测。
附图说明
图1为晶圆和太阳能电池的光致载流子辐射锁相成像检测***原理框图；
图2为单晶硅电池检测结果；
图3为多晶硅电池检测结果。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的技术方案作进一步的说明，但并不局限于此，凡是对本发明技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，均应涵盖在本发明的保护范围中。
如图1所示，本发明所述的晶圆及太阳能电池的载流子辐射锁相成像检测***由计算机1、第一信号传输线15、第二信号传输线17、第三信号传输线13、数据传输线2、第一激光器3、第二激光器14、第一光纤4、第二光纤12、光束整形装置5、第一激光束6、第二激光束9、三维移动台7、被测样件8、长通滤波片10、近红外相机11和信号采集卡16构成，其中：
计算机1通过控制信号采集卡16控制第一激光器3和第二激光器14同步触发并对被测样件8进行光激励；同时控制信号采集卡16控制近红外相机11进行同步触发采集图像序列；近红外相机11采集的图像序列通过数据传输线2传送至计算机1进行锁相处理，进而实现高信噪比的载流子辐射信号成像。
本发明中，为了保证激光辐照到被测样件8表面能量密度分布均匀，采用两束激光束：第一激光束6和第二激光束9。
本发明中，所述近红外相机11与第一激光器3和第二激光器14并列放置，保证近红外相机11可采集到第一激光器3和第二激光器14对被测样件8的载流子辐射信息。
本发明中，所述第一激光器3和第二激光器14分别通过第一光纤4和第二光纤12与光束整形装置5相连。
本发明的晶圆和太阳能电池的载流子辐射锁相成像检测***是基于光致载流子辐射检测原理，采用计算机1通过第一信号传输线17控制信号采集卡16产生调制信号，该信号通过第二信号传输线15控制第一激光器3和第二激光器14使其光强按调制规律变化，调制变化的第一激光束6和第二激光束9照射到被测样件8后产生调制变化的过剩载流子，过剩载流子通过辐射复合辐射出与该材料带隙能相近的光子信号，载流子辐射光子信号与样件材料和载流子输运参数(载流子寿命、扩散系数、前/后表面复合速率)相关，并且这些参数决定电池的电学参数(开路电压、短路电流、反向饱和电流、理想因子、光电转化效率等)，信号被近红外相机11接收，而被被测样件8反射的激光和环境噪声信号被长通滤波片10滤掉，进而通过锁相处理算法提取样件载流子辐射信息达到对样件的载流子检测目的。
具体实施步骤如下：
步骤（1）：确定要测量的半导体材料，将其放置在三维移动台上；
步骤（2）：首先开启晶圆和太阳能电池的光致载流子辐射锁相成像检测***，此步骤包括计算机1、信号采集卡16、第一激光器3、第二激光器14、近红外相机11、三维移动台7等设备供电开启；
步骤（3）：调节三维移动台7位置，使被测样件8在近红外相近11内清晰可见；
步骤（4）：计算机1控制软件调制信号通过信号采集卡16模拟输出通道输出，使其控制第一激光器3和第二激光器14光强按照调制规律变化，同时此控制信号通过触发第三信号传输线13控制近红外相机进行实施图像数据采集；
步骤（5）：计算机1通过数据传输线2对近红外相机11的图像序列进行记录，并通过计算机控制软件进行图像数据处理与信号提取，进而进行载流子信号的成像。
至此完成了对样件的光致载流子辐射锁相成像，其结果如图2和3所示。
图2是利用该检测***对单晶硅太阳能电池进行光致载流子辐射锁相成像检测结果，可以由图明显看出单晶硅电池结构及缺陷信息（如栅线，汇流线以及裂纹位置）；图3是该检测***对多晶硅太阳能电池进行光致载流子辐射锁相成像检测结果，可以由图明显看出多晶硅电池结构（栅线、汇流线）以及载流子分布不均匀性（由晶体结构和缺陷导致）。
Claims (3)
1.一种晶圆和太阳能电池的光致载流子辐射锁相成像检测***，其特征在于所述检测***包括近红外相机、信号采集卡、计算机、三维移动台、长通滤波片、第一激光器和第二激光器，其中：
被测样件固定在三维移动台上，调节三维移动台使被测样件在近红外相机视野内清晰可见；
计算机控制信号采集卡产生调制信号，该信号一方面控制第一激光器和第二激光器同步触发并对被测样件进行光激励，两束激光束照射到被测样件后产生载流子辐射光子信号；另一方面控制近红外相机对载流子辐射光子信号产生的图像序列进行同步采集，被被测样件反射的激光束和环境噪声信号被长通滤波片滤掉；
近红外相机将采集的图像序列反馈至计算机，计算机将采集到的图像序列进行锁相相关处理进而对载流子辐射信号进行检测。
2.根据权利要求1所述的晶圆和太阳能电池的光致载流子辐射锁相成像检测***，其特征在于所述近红外相机与第一激光器和第二激光器并列放置。
3.一种利用权利要求1所述的晶圆和太阳能电池的光致载流子辐射锁相成像检测***检测晶圆和太阳能电池载流子浓度的方法，其特征在于所述方法步骤如下：
步骤（1）：确定要测量的半导体材料，将其放置在三维移动台上；
步骤（2）：开启晶圆和太阳能电池的光致载流子辐射锁相成像检测***；
步骤（3）：调节三维移动台位置，使要测量的半导体材料在近红外相近内清晰可见；
步骤（4）：计算机通过信号采集卡控制第一激光器和第二激光器光强按照调制规律变化，同时控制近红外相机进行实施图像数据采集；
步骤（5）：计算机对近红外相机采集的图像序列进行记录，并通过计算机控制软件进行图像数据处理与信号提取，进而进行载流子信号的成像。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610222997.4A CN105915179A (zh) | 2016-04-12 | 2016-04-12 | 一种晶圆及太阳能电池的光致载流子辐射锁相成像检测方法与*** |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610222997.4A CN105915179A (zh) | 2016-04-12 | 2016-04-12 | 一种晶圆及太阳能电池的光致载流子辐射锁相成像检测方法与*** |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105915179A true CN105915179A (zh) | 2016-08-31 |
Family
ID=56745065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610222997.4A Pending CN105915179A (zh) | 2016-04-12 | 2016-04-12 | 一种晶圆及太阳能电池的光致载流子辐射锁相成像检测方法与*** |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160831 |
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |