JP2015226004A - 保護膜被覆方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】表面にバンプが形成されたウェーハであっても、バンプ上に被覆された保護膜の厚みを確認できるようにする。
【解決手段】ウェーハWの表面Waから突出したバンプBの上端をバイト11で切削し、バンプBの上端に平坦部20を形成するバイト切削ステップと、ウェーハWの裏面Wb側をスピンナーテーブル14に保持させ、ウェーハWの表面Waの全面に液状樹脂31を滴下し、スピンナーテーブル14を回転させることにより液状樹脂31をウェーハWの表面Waの全面に拡散させ保護膜32を被覆する保護膜被覆ステップと、保護膜厚み計測手段40によって平坦部20の上に被覆されている保護膜32の厚みを計測する保護膜厚み計測ステップとを実施することにより、ウェーハWを分割する前にあらかじめ保護膜32の厚みの良否を確認することが可能となる。
【選択図】図5
【解決手段】ウェーハWの表面Waから突出したバンプBの上端をバイト11で切削し、バンプBの上端に平坦部20を形成するバイト切削ステップと、ウェーハWの裏面Wb側をスピンナーテーブル14に保持させ、ウェーハWの表面Waの全面に液状樹脂31を滴下し、スピンナーテーブル14を回転させることにより液状樹脂31をウェーハWの表面Waの全面に拡散させ保護膜32を被覆する保護膜被覆ステップと、保護膜厚み計測手段40によって平坦部20の上に被覆されている保護膜32の厚みを計測する保護膜厚み計測ステップとを実施することにより、ウェーハWを分割する前にあらかじめ保護膜32の厚みの良否を確認することが可能となる。
【選択図】図5
Description
本発明は、表面にバンプが形成されたウェーハに保護膜を形成する方法に関する。
半導体ウェーハや光デバイスウェーハなどの被加工物においては、その表面の格子状のストリートによってそれぞれ区画された領域にデバイスが形成されている。このような各種ウェーハをデバイスごとの個々のチップに分割する方法として、レーザー光線をストリートに沿って照射してレーザー加工溝を形成した後、メカニカルブレーキング装置を用いてレーザー加工溝に沿って割断する方法が提案されている(例えば、下記の特許文献1を参照)。この方法では、レーザー光線が照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生し、被加工物に形成されたデバイスの表面にデブリが付着してデバイスの品質を低下させるという問題がある。
このような問題を解消するため、ウェーハのレーザー光線が入射する側の面(加工面)にポリビニルアルコール等からなる保護膜を被覆し、保護膜を通してレーザー光線をウェーハに照射するようにしたレーザー加工装置が提案されている(例えば、下記の特許文献2を参照)。
また、このようなレーザー加工装置には、ウェーハに被覆された保護膜の厚みを計測する厚み計側手段を備えているタイプのものがあり、厚み計側手段を用いて、保護膜が所望の厚みに形成されているかどうかを確認したり、保護膜の厚みにバラツキがあるかどうかを確認したりしている(例えば、下記の特許文献3を参照)。
しかし、表面にバンプと称される突起状の電極が複数形成されたウェーハについては、その表面に保護膜を被覆し厚み計側手段で保護膜の厚みを計測しても、バンプが球状に形成され微細な凹凸を有しているため、信頼性の高い計測結果を得ることができず、バンプに被覆された保護膜の厚みを確認できないという問題がある。そのため、保護膜の厚みが所定範囲にない状態のままウェーハを分割してしまうと、保護膜が薄くなっている部分のバンプにデブリが付着してしまい、ウェーハを個々のチップに分割した後、各チップを実装する際に不具合を生じることがある。
本発明は、上記の事情にかんがみてなされたもので、表面にバンプが形成されたウェーハであっても、バンプに被覆された保護膜の厚みを確認できるようにすることを目的としている。
本発明は、格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画され、表面から複数の球状の電極が突出したデバイスが形成されたウェーハの該表面に樹脂による保護膜を被覆する保護膜被覆方法であって、該電極が形成された表面側を露出させてチャックテーブルの保持面にウェーハを保持し、該保持面と直交する回転軸を中心として回転するバイトでウェーハの表面から突出した該電極の上端を切削し、該電極の上端に平坦部を形成するバイト切削ステップと、該電極に該平坦部が形成されたウェーハの裏面側をスピンナーテーブルに保持し、ウェーハの表面の中央領域に所定量の液状樹脂を滴下するとともに該スピンナーテーブルを回転させることにより、該液状樹脂をウェーハの表面の全面に拡散させ、ウェーハの表面に保護膜を被覆する保護膜被覆ステップと、該保護膜被覆ステップを実施した後に、該電極の該平坦部に保護膜厚み計測手段を位置づけて該電極の該平坦部に形成された保護膜の厚みを計測する保護膜厚み計測ステップと、を含んで構成される。
本発明の保護膜被覆方法は、バイト切削ステップを実施した後に保護膜被覆ステップを実施するため、ウェーハの表面から突出した電極の上端に形成された平坦部に厚みバラツキのない保護膜を被覆することができる。その後、保護膜厚み計側ステップを実施することで、電極の平坦部に被覆された保護膜の厚みを精度よく計測することができ、該保護膜の厚みが所定の範囲内であるかどうかを確認することができる。
このように、ウェーハを個々のチップに分割する前に電極に被覆された保護膜の厚みの良否を確認することが可能となるため、ウェーハの分割時に、電極にデブリが付着することを防止できる。
このように、ウェーハを個々のチップに分割する前に電極に被覆された保護膜の厚みの良否を確認することが可能となるため、ウェーハの分割時に、電極にデブリが付着することを防止できる。
図1に示すウェーハWは、被加工物の一例であって、その表面Waには、格子状の複数の分割予定ラインSによって区画されたそれぞれの領域に表面Waから突出した球状の電極であるバンプBが形成されたデバイスDが形成されている。ウェーハWの表面Waには、例えばLow-K膜が積層されている。ウェーハWの表面Waと反対側の面となる裏面Wbには、デバイスDが形成されていない。以下では、添付の図面を参照しながら、ウェーハWの表面Waに樹脂による保護膜を被覆する保護膜被覆方法について説明する。
バイト切削ステップ
まず、図2に示すバイト切削装置1を用いてウェーハWの表面Waから突出したバンプBの上端のバイトによる切削(以下では「バイト切削」と記載する)を実施する。バイト切削装置1は、Z軸方向にのびるコラム2を有しており、ウェーハWを保持する保持面3aを有するチャックテーブル3と、コラム2の前方側においてチャックテーブル3に保持されるウェーハWに対してバイト切削を施すバイト切削手段4と、モータ13を有しバイト切削手段4をZ軸方向に昇降させる昇降手段12とを備えている。なお、チャックテーブル3は、回転可能な構成となっていてもよいが、バイト切削時には回転させないようにする。
まず、図2に示すバイト切削装置1を用いてウェーハWの表面Waから突出したバンプBの上端のバイトによる切削(以下では「バイト切削」と記載する)を実施する。バイト切削装置1は、Z軸方向にのびるコラム2を有しており、ウェーハWを保持する保持面3aを有するチャックテーブル3と、コラム2の前方側においてチャックテーブル3に保持されるウェーハWに対してバイト切削を施すバイト切削手段4と、モータ13を有しバイト切削手段4をZ軸方向に昇降させる昇降手段12とを備えている。なお、チャックテーブル3は、回転可能な構成となっていてもよいが、バイト切削時には回転させないようにする。
バイト切削手段4は、チャックテーブル3の保持面3aと直交する方向(Z軸方向)の軸心を有するスピンドル5と、スピンドル5を回転可能に囲繞するスピンドルハウジング6と、スピンドル5の一端に接続されたモータ7と、スピンドル5の下端にマウント8を介して着脱可能に装着された円盤状のバイトホイール9と、バイトホイール9に着脱可能に装着されたバイト工具10とを備えている。バイト工具10は、角柱形状のシャンクの一端にバイト11が固定された構成となっており、モータ7がスピンドル5を所定の回転速度で回転させることにより、バイトホイール9を所定の回転速度で回転させることができる。
バイト切削装置1においてバンプBの上端をバイト切削するときは、ウェーハWの裏面Wb側をチャックテーブル3の保持面3aに載置し、ウェーハWの表面Wa側を上向きに露出させた状態で、図示しない吸引源によってウェーハWをチャックテーブル3で吸引保持する。
昇降手段12は、バイト切削手段4をチャックテーブル3に保持されたウェーハWに接近するZ軸方向に下降させてバイト11を所定の高さ位置に位置づけるとともに、モータ7によってスピンドル5が回転し、バイトホイール9を例えば矢印A方向に回転させる。
チャックテーブル3を水平方向に移動させながら、回転するバイト11によって、ウェーハWの表面Waから突出したバンプBの上端を削っていき、その高さを揃えて平坦面に形成する。すなわち、図3(a)に示す複数のバンプBの球形に湾曲した上端部分を図2で示したバイト11で削り取ることによって、図3(b)に示すように、各バンプBの上端に平坦部20を形成する。全てのバンプBの上端に平坦部20を形成し、その高さを揃えることにより、平坦部20からなる面一の平坦面21を形成することができる。
保護膜被覆ステップ
次に、図4に示すように、スピンナーテーブル14によってウェーハWを保持するとともに、保護膜を形成する液状樹脂を滴下する樹脂供給手段30を用いてウェーハWの表面Waに保護膜を被覆する。スピンナーテーブル14は、ウェーハWを保持する保持面15aを有する保持部15と、保持部15を回転可能に下方から支持する支持部16と、支持部16に接続されたモータ17と、保持部15の外周側に連設されて環状のフレームFが載置されるフレーム載置部18と、フレーム載置部18に載置されたフレームFをクランプするクランプ部19とを少なくとも備えている。
次に、図4に示すように、スピンナーテーブル14によってウェーハWを保持するとともに、保護膜を形成する液状樹脂を滴下する樹脂供給手段30を用いてウェーハWの表面Waに保護膜を被覆する。スピンナーテーブル14は、ウェーハWを保持する保持面15aを有する保持部15と、保持部15を回転可能に下方から支持する支持部16と、支持部16に接続されたモータ17と、保持部15の外周側に連設されて環状のフレームFが載置されるフレーム載置部18と、フレーム載置部18に載置されたフレームFをクランプするクランプ部19とを少なくとも備えている。
ウェーハWの表面Waに保護膜を被膜するときは、まず、中央部が開口した環状のフレームFの下部にテープTを貼着し、中央部から露出したテープTにウェーハWの裏面Wb側を貼着することによりテープTを介してフレームFとウェーハWとを一体に形成する。その後、ウェーハWの裏面Wb側に貼着されたテープTを保持部15の保持面15aに載置するとともにフレームFをフレーム載置部18に載置する。そして、クランプ部19がフレームFの上部を押さえて保持部15の保持面15aでウェーハWが動かないように保持する。
次いで、モータ17が支持部16を回転させ、スピンナーテーブル14を例えば矢印A方向に回転させながら、ウェーハWの上方側に位置づけられた樹脂供給手段30からウェーハWの表面Waの中央領域に所定量の液状樹脂31を滴下する。液状樹脂31としては、例えばPVA(ポリビニルアルコール)などの水溶性の液状樹脂を使用する。ウェーハWの表面Waに滴下された液状樹脂31は、スピンナーテーブル14に回転により発生する遠心力によってウェーハWの表面Waの中央領域から外周側に流れていき、ウェーハWの表面Waの全面に淀みなく拡散する。このようにして、図5に示すように、ウェーハWの表面Wa及びバンプBを覆う保護膜32を被覆する。
(3)保護膜厚み計側ステップ
保護膜被覆ステップを実施した後、図5に示すように、保護膜厚み計側手段40を用いてバンプBの平坦部20の上に被覆された保護膜32の厚みを計測する。保護膜厚み計側手段40は、ウェーハWの上方から保護膜32の厚みを非接触状態で測定する計測器である。図6に示すように、保護膜厚み計側手段40は、ウェーハWに対して測定光41を照射する発光部42と、測定光41の反射光を受光する受光部43と、反射光に基づいて保護膜32の厚みを算出する算出部44とを少なくとも備えている。発光部42は、レーザー光線を発光する発光素子421と、レーザー光線を集光する投光レンズ422とを備えている。一方、受光部43は、保護膜32及び平坦部20において反射した反射光を集光する受光レンズ432と、集光した反射光を受光した位置を検出する受光位置検出素子431とを備えている。
保護膜被覆ステップを実施した後、図5に示すように、保護膜厚み計側手段40を用いてバンプBの平坦部20の上に被覆された保護膜32の厚みを計測する。保護膜厚み計側手段40は、ウェーハWの上方から保護膜32の厚みを非接触状態で測定する計測器である。図6に示すように、保護膜厚み計側手段40は、ウェーハWに対して測定光41を照射する発光部42と、測定光41の反射光を受光する受光部43と、反射光に基づいて保護膜32の厚みを算出する算出部44とを少なくとも備えている。発光部42は、レーザー光線を発光する発光素子421と、レーザー光線を集光する投光レンズ422とを備えている。一方、受光部43は、保護膜32及び平坦部20において反射した反射光を集光する受光レンズ432と、集光した反射光を受光した位置を検出する受光位置検出素子431とを備えている。
図6に示すように、保護膜厚み計側手段40をウェーハWの表面Waから突出したバンプBの上方側に位置づけ、発光部からバンプBに向けて入射角αの測定光41を照射する。バンプBに向けて照射された測定光41は、その一部が保護膜32の上面において反射して反射光411となる。一方、保護膜32の上面において反射しなかった残りの光は、保護膜32を透過しバンプBの平坦部20の上面で反射して反射光412となる。算出部44は、受光位置検出素子431における反射光411を受光した位置45と反射光412を受光した位置46との距離Hに基づき、以下の式により保護膜32の厚みtを算出する。t=H/2sinα
バンプBの平坦部20の上に被膜されている保護膜32の膜厚にバラツキが発生していないため、保護膜32の厚みを計測することができる。
保護膜厚み計側手段40が計測した保護膜32の厚みが、所定の厚みの範囲外となっている場合には、図4に示した樹脂供給手段30によって、少量の液状樹脂31をウェーハWの表面Waに滴下して保護膜を再度被覆する。また、洗浄水でウェーハWの表面Waを一旦洗浄してから、上記した保護膜被覆ステップと同様の動作を行ってウェーハWの表面Waに新たに保護膜を被覆してもよい。このようにして、ウェーハWの表面Waに保護膜を被膜した後、上記した保護膜厚み計側ステップと同様の動作を再度行い、保護膜厚み計側手段40によって各バンプBの平坦部20上に被覆された保護膜の厚みを計測し、再度保護膜の厚みの確認を行う。
一方、保護膜厚み計側手段40が計測した保護膜32の厚みが、所定の厚みの範囲内となっている場合には、ウェーハWを個々のデバイスD毎のチップに分割する。例えば、図1に示したウェーハWの分割予定ラインSに沿ってレーザー光線を照射することにより、ウェーハWをフルカットする。または、レーザー光線をウェーハWの分割予定ラインSに沿って照射し、ウェーハWに分割溝を形成するハーフカットを実施して該分割溝に沿って例えばブレードで切削することによりウェーハWを分割してもよいし、例えばブレーキング装置を用いて該分割溝に沿ってウェーハWを割断するようにしてもよい。
以上のとおり、本発明にかかる保護膜被覆方法では、バイト切削ステップを実施してウェーハWの表面Waから突出したバンプBの上端をバイト11で切削し、バンプBの上端に平坦部20を形成した後に保護膜被覆ステップを実施して、ウェーハWの表面Waに液状樹脂31を滴下し、ウェーハWの表面Waに保護膜32を被覆するようにしたため、バンプBの上端に形成された平坦部20に厚みバラツキのない保護膜32を被覆すること可能となる。その後、保護膜厚み計側ステップを実施することで、保護膜厚み計側手段40が、バンプBの平坦部20に被覆されている保護膜32の厚みを精度よく計測することができるため、バンプBの上端のみならず側面側にも被覆されている保護膜32の厚みの良否を確認することが可能となる。
したがって、ウェーハWにレーザー光線を照射する際に、バンプBにデブリが付着するという問題はなく、ウェーハWを分割した後、個々のチップを実装する際に不具合が生じるのを防ぐことができる。
したがって、ウェーハWにレーザー光線を照射する際に、バンプBにデブリが付着するという問題はなく、ウェーハWを分割した後、個々のチップを実装する際に不具合が生じるのを防ぐことができる。
1:バイト切削装置 2:コラム 3:チャックテーブル 3a:保持面
4:バイト切削手段 5:スピンドル 6:スピンドルハウジング 7:モータ
8:マウンタ 9:バイトホイール 10:バイト工具 11:バイト 12:昇降手段
13:モータ 14:スピンナーテーブル 15:保持部 15a:保持面
16:支持部 17:モータ 18:フレーム載置部 19:クランプ部
20:平坦部 21:平坦面
30:樹脂供給手段 31:液状樹脂 32:保護膜
40:保護膜厚み計側手段 41:測定光
42:発光部 421:発光素子 422:投光レンズ
43:受光部 431:受光位置検出素子 432:受光レンズ
44:算出部
W:ウェーハ Wa:表面 Wb:裏面 S:分割予定ライン
D:デバイス B:バンプ
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W:ウェーハ Wa:表面 Wb:裏面 S:分割予定ライン
D:デバイス B:バンプ
Claims (1)
- 格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画され、表面から複数の球状の電極が突出したデバイスが形成されたウェーハの該表面に樹脂による保護膜を被覆する保護膜被覆方法であって、
該電極が形成された表面側を露出させてチャックテーブルの保持面にウェーハを保持し、該保持面と直交する回転軸を中心として回転するバイトでウェーハの表面から突出した該電極の上端を切削し、該電極の上端に平坦部を形成するバイト切削ステップと、
該電極に該平坦部が形成されたウェーハの裏面側をスピンナーテーブルに保持し、ウェーハの表面の中央領域に所定量の液状樹脂を滴下するとともに該スピンナーテーブルを回転させることにより、該液状樹脂をウェーハの表面の全面に拡散させ、ウェーハの表面に保護膜を被覆する保護膜被覆ステップと、
該保護膜被覆ステップを実施した後に、該電極の該平坦部に保護膜厚み計測手段を位置づけて該電極の該平坦部に形成された保護膜の厚みを計測する保護膜厚み計測ステップと、を含む保護膜被覆方法。
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2014
- 2014-05-29 JP JP2014111179A patent/JP2015226004A/ja active Pending
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