JP2022519393A - 画素構造、表示装置及び画素構造の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
20 発光素子
21 反射電極
22 発光層
23 電極
30 反射リッジ
30b ベース
30p ピーク
30w1 第1の凹面反射側壁
30w2 第2の凹面反射側壁
40 光学層
40b ベース
40p ピーク
40s 凸面
40w1 第1の凹面側壁
40w2 第2の凹面側壁
50 画素定義層
60 絶縁材料層
60 絶縁リッジ
60’ 絶縁材料層
60b ベース
60p ピーク
60w1 第1の凹面絶縁側壁
60w2 第2の凹面絶縁側壁
70 フォトレジスト層
Claims (20)
- ベース基板と、
前記ベース基板上に位置し、反射電極、前記反射電極上に位置する発光層、及び前記発光層の前記反射電極から離れた側に位置する実質的に透明な電極を備える発光素子と、を備え、
前記反射電極は、前記発光層を横方向に透過した光を反射して画素構造の発光面から出射させるように構成された反射リッジを有し、
前記反射リッジは、前記反射リッジのピークから前記反射リッジのベースまで延在する第1の凹面反射側壁と、前記反射リッジのピークから前記反射リッジのベースまで延在する第2の凹面反射側壁とを有し、前記第1の凹面反射側壁は、前記第2の凹面反射側壁とは反対側を向いている、画素構造。 - 前記反射電極の前記ベース基板に面する側に位置する絶縁リッジをさらに備え、
前記絶縁リッジは、前記絶縁リッジのピークから前記絶縁リッジのベースまで延在する第1の凹面絶縁側壁と、前記絶縁リッジのピークから前記絶縁リッジのベースまで延在する第2の凹面絶縁側壁とを有し、前記第1の凹面絶縁側壁は、前記第2の凹面絶縁側壁とは反対側を向き、
前記反射電極は、前記第1の凹面絶縁側壁及び前記第2の凹面絶縁側壁上に位置して、前記第1の凹面反射側壁と、前記第2の凹面反射側壁とを形成している、請求項1に記載の画素構造。 - 前記第1の凹面反射側壁及び前記第2の凹面反射側壁の各々の曲率半径は、約400nmから約750nmの範囲にある、請求項1に記載の画素構造。
- 前記反射リッジのピークの幅は、前記反射リッジのピークを形成するためのプロセスマージンの5倍未満である、請求項1に記載の画素構造。
- 前記反射リッジと前記発光層との間に位置する光学層をさらに備え、
前記光学層の前記ベース基板上の正射影は、前記反射リッジの前記ベース基板上の正射影と少なくとも部分的に重なる、請求項1に記載の画素構造。 - 前記光学層は、前記反射リッジから離れた凸面を有し、
前記凸面の曲率半径は、約500nmから約1500nmの範囲にある、請求項5に記載の画素構造。 - 前記光学層は、前記光学層のピークから前記光学層のベースまで延在する第1の凹面側壁と、前記光学層のピークから前記光学層のベースまで延在する第2の凹面側壁とを有し、前記第1の凹面側壁は、前記第2の凹面側壁とは反対側を向いている、請求項5に記載の画素構造。
- 前記反射リッジは、連続的に接続されたリッジである、請求項1に記載の画素構造。
- 前記反射リッジは、互いに離間している複数のサブリッジを備える、請求項1に記載の画素構造。
- 前記複数のサブリッジの各々は、前記ベース基板の主表面に実質的に平行な平面に沿った断面を有し、前記断面の形状は、矩形、円形、楕円形からなる群から選択される、請求項9に記載の画素構造。
- 前記ベース基板上に位置し、画素開口を定義する画素定義層をさらに備え、
前記発光素子は、光が前記画素開口を通って前記画素構造の発光面から出射するように、光を射出するように構成され、
前記反射リッジは、前記画素開口内に位置する、請求項1に記載の画素構造。 - 前記反射リッジは、前記画素開口を複数のサブ領域に分割する、請求項11に記載の画素構造。
- 請求項1から12のいずれか一項に記載の画素構造を備える、表示装置。
- ベース基板上に発光素子を形成することを含み、
前記発光素子を形成することは、反射電極を形成することと、前記反射電極上に発光層を形成することと、前記発光層の前記反射電極から離れた側に実質的に透明な電極を形成することとを含み、
前記反射電極は、前記発光層を横方向に透過した光を反射して画素構造の発光面から出射させるように構成された反射リッジを有するように形成され、
前記反射リッジは、前記反射リッジのピークから前記反射リッジのベースまで延在する第1の凹面反射側壁と、前記反射リッジのピークから前記反射リッジのベースまで延在する第2の凹面反射側壁とを有するように形成され、前記第1の凹面反射側壁は、前記第2の凹面反射側壁とは反対側を向いている、画素構造の製造方法。 - 前記反射電極を形成する前に、絶縁リッジを形成することをさらに含み、
前記絶縁リッジは、前記絶縁リッジのピークから前記絶縁リッジのベースまで延在する第1の凹面絶縁側壁と、前記絶縁リッジのピークから前記絶縁リッジのベースまで延在する第2の凹面絶縁側壁とを有するように形成され、前記第1の凹面絶縁側壁は、前記第2の凹面絶縁側壁とは反対側を向き、
前記反射電極は、前記第1の凹面絶縁側壁及び前記第2の凹面絶縁側壁上に形成されて、前記第1の凹面反射側壁と、前記第2の凹面反射側壁とを形成している、請求項14に記載の方法。 - 前記絶縁リッジを形成することは、
前記ベース基板上に絶縁材料層を積層することと、
前記絶縁材料層上にフォトレジスト層を形成することと、
前記絶縁リッジに対応するパターンを有するマスク板を用いて前記フォトレジスト層を露光及び現像することと、
等方性エッチング法により前記絶縁材料層をエッチングして、前記第1の凹面絶縁側壁と前記第2の凹面絶縁側壁とを形成することとを含む、請求項15に記載の方法。 - 前記反射電極を形成した後、かつ前記発光層を形成する前に、光学層を形成することをさらに含み、
前記光学層は、前記反射リッジと前記発光層との間に形成され、
前記光学層の前記ベース基板上の正射影は、前記反射リッジの前記ベース基板上の正射影と少なくとも部分的に重なる、請求項14に記載の方法。 - 前記光学層は、有機材料を用いて形成され、
前記光学層は、前記反射リッジから離れた凸面を有するように形成され、
前記凸面の曲率半径は、約500nmから約1500nmの範囲にある、請求項17に記載の方法。 - 前記光学層は、無機材料を用いて形成され、
前記光学層は、前記光学層のピークから前記光学層のベースまで延在する第1の凹面側壁と、前記光学層のピークから前記光学層のベースまで延在する第2の凹面側壁とを有するように形成され、前記第1の凹面側壁は、前記第2の凹面側壁とは反対側を向いている、請求項17に記載の方法。 - 前記ベース基板上に、画素開口を定義する画素定義層を形成することをさらに含み、
前記反射リッジは、前記画素開口内に形成されている、請求項14に記載の方法。
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