JP2010258125A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】大気中でも良好に基板を洗浄できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】遮断板４０は、搬送路３０ａの上方に配置されており、各搬送ローラ３０により搬送される基板Ｗの上面と近接する。また、遮断板４０には、リンス液供給ノズル６０の設置スペースとして使用される複数の中空突出部４２が設けられている。複数のリンス液供給ノズル６０は、中空突出部４２の延伸方向に沿うように、中空突出部４２の中空空間４２ａに固定されており、搬送される基板Ｗに対して近接できる。シールドガス供給ノズル５０、５５は、第１処理空間７１にシールドガスを供給し、第１処理空間７１内の空気をシールドガスと置換する。これにより、第１処理空間７１において、基板Ｗと、大気に含まれる酸素と、リンス液の水分と、が接触することを防止できる。
【選択図】図５

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」とも称する）に対して処理を施す基板処理装置に関するもので、特に、基板洗浄の改良に関する。

従来より、液晶表示装置用のガラス基板を搬送ローラにより水平搬送しつつ、このガラス基板に対してエッチングおよび洗浄を施す技術が、知られている（特許文献１）。

ここで、特許文献１の技術が低温ポリシリコンＴＦＴ（Thin Film Transistor）液晶の製造工程に適用される場合、低温ポリシリコンＴＦＴ液晶は、例えば、以下のような手順により製造される。

（１）まず、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、ガラス基板上のデバイス面にアモルファスシリコンの薄膜が形成される。（２）次に、アモルファスシリコン膜が、結晶化され、多結晶シリコン膜に改質されるように、レーザ（例えば、エキシマレーザ）がアモルファスシリコン膜に照射され、アモルファスシリコン膜に対してレーザアニール処理が施される。（３）そして、多結晶シリコン膜に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムスズ）などの透明電極や、液晶駆動用のドライバ回路等が形成され、ガラス基板に液晶表示装置が作り込まれる。

また、アモルファスシリコンは、その活性度が高く、空気中の酸素と、空気中の有機物を取り込んだ水分と、が、アモルファスシリコンと接触すると、アモルファスシリコン膜の表面にはシリコン酸化物が形成される。その結果、アモルファスシリコン膜の表面は、空気中の有機物等の不純物を含む酸化物により汚染されることになる。

したがって、低温ポリシリコンＴＦＴ液晶の製造工程では、レーザアニール処理に先立って、ガラス基板の上面にアモルファスシリコンの清浄面を露出させることが必要となり、ガラス基板の上面に対してフッ化水素等によるエッチング処理が施される。

特開２００３−１２４１８２号公報

しかし、アモルファスシリコン膜は、撥水性を有し、アモルファスシリコン膜上に供給されるリンス液（例えば、純水）は、その表面張力により球状となる。したがって、エッチング処理で使用された薬液をガラス基板上から洗い流すため、ガラス基板上にリンス液が供給されると、エッチング処理により露出させられたアモルファスシリコンは、空気中の酸素と、球状となったリンス液と、接触する。

その結果、ガラス基板上のアモルファスシリコンと、リンス液の水分と、空気中の酸素と、が結合し、アモルファスシリコン膜の表面には、デバイス不良の原因となるシリコン酸化物のシミ（ウォーターマーク）が形成される。

そして、このようなウォーターマークの発生原因から、ガラス基板の表面のアモルファスシリコン膜と、空気中の酸素と、の接触が阻害されれば、ウォーターマークの発生を防止できることが分かる。

例えば、処理槽に貯留されたリンス液にエッチング後のガラス基板が浸漬（ディップ）されると、エッチング後のガラス基板の周囲は、リンス液で覆われ、ガラス基板上のアモルファスシリコンは、大気に触れることなくリンス液で洗浄される。

また、リンス液供給用のスプレーノズルの配置密度を増大させ、基板上にリンス液が液盛り（パドル）されるようにすると、ガラス基板上のアモルファスシリコンは大気に触れることなくリンス液で洗浄される。

しかしながら、一度洗浄処理に使用されたリンス液には、金属イオン等の汚染物質が含まれている場合がある。そのため、ガラス基板をリンス液に浸漬させる手法、およびガラス基板上にリンス液を液盛りする手法においては、循環機構により供給される循環水はリンス液として使用されず、未使用の新液がリンス液として使用される。そして、使用済のリンス液は、排液として工場内の排液処理設備に排出される。

その結果、酸素との接触を防止するために、ガラス基板をリンス液に浸漬させる手法や、ガラス基板上にリンス液を液盛りする手法が採用されると、リンス液の使用量が増大し、場合によっては、排液処理設備の処理能力を超えるという問題も生ずる。

そこで、本発明では、大気中でも良好に基板を洗浄できる基板処理装置を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板処理装置であって、搬送路に沿った搬送方向に、基板を搬送する搬送部と、前記搬送路の上方に配置されており、前記搬送部により搬送される基板の上面と近接する第１遮断板と、少なくとも、前記搬送部により搬送される基板と前記第１遮断板とで囲まれる第１処理空間に、シールドガスを供給するシールドガス供給部と、基板の上面に第１リンス液を供給する第１リンス液供給部とを備え、前記シールドガスの雰囲気とされた前記第１処理空間に、前記第１リンス液を供給することによって、前記搬送部により搬送される基板を洗浄することを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記第１遮断板は、前記第１遮断板の上面から上方に突出しつつ前記搬送方向と交差する方向に延伸して設けられており、内部に前記搬送部側に開口する中空空間を有する中空突出部、を有しており、前記第１リンス液供給部は、前記中空突出部の延伸方向に沿って、前記中空空間に複数設けられていることを特徴とする。

また、請求項３の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記第１リンス液供給部は、前記第１遮断板に設けられた開口を介して、基板の上面に前記第１リンス液を供給することを特徴とする。

また、請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記搬送部は、前記搬送方向と交差する傾斜方向に基板を傾斜させて搬送し、前記シールドガス供給部は、空気より重い気体を前記シールドガスとして供給するとともに、前記傾斜方向に沿った前記第１遮断板の両端部のうち、上側に傾斜する第１端部の付近に設けられることを特徴とする。

また、請求項５の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記搬送部は、前記搬送方向と交差する傾斜方向に基板を傾斜させて搬送し、前記シールドガス供給部は、空気より軽い気体を前記シールドガスとして供給するとともに、前記傾斜方向に沿った前記第１遮断板の両端部のうち、下側に傾斜する第２端部の付近に設けられることを特徴とする。

また、請求項６の発明は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、前記搬送路の下方に配置されており、前記搬送部により搬送される基板の下面と近接する第２遮断板とをさらに備え、前記第１および第２遮断板により囲まれる第２処理空間に基板が搬送されることに先立って、前記第２処理空間に前記シールドガスの雰囲気が形成されていることを特徴とする。

また、請求項７の発明は、請求項６に記載の基板処理装置において、基板の下面に第２リンス液を供給する第２リンス液供給部、をさらに備えることを特徴とする。

また、請求項８の発明は、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、基板の上面に付着する前記第１リンス液が除去されるように、前記搬送方向における前記第１遮断板の下流側端部付近に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部、をさらに有することを特徴とする。

また、請求項９の発明は、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、前記搬送方向における前記第１遮断板の下流側端部付近に第３リンス液を供給することによって、前記第１リンス液が付着する基板の上面に、前記第１および第３リンス液による液膜を形成させる第３リンス液供給部と、基板の上面に形成される前記液膜が除去されるように、前記液膜に向けてエアーを供給するエアー供給部とを備えることを特徴とする。

請求項１ないし請求項９に記載の発明によれば、搬送部により搬送される基板と、第１遮断板と、で囲まれる第１処理空間に、シールドガスの雰囲気を形成することができる。これにより、基板の上面を第１リンス液で覆うことなく、基板が大気に含まれる酸素と接触することを防止することができる。そのため、第１リンス液の使用量を抑制しつつ、第１リンス液の水分および酸素に起因したウォーターマークが基板上に発生することを防止できる。

また、請求項１ないし請求項９に記載の発明において、リンス処理時に基板および酸素が接触することを防止するためには、少なくとも第１処理空間にシールドガスの雰囲気を形成すれば十分である。このように、シールドガスの使用量を増大させることなく、ウォーターマークが基板上に発生することを防止できる。

特に、請求項２に記載の発明によれば、複数の第１リンス液供給部は、中空突出部の中空空間に、中空突出部の延伸方向に沿って設けられている。これにより、第１リンス液供給部を基板に近接させて配置することができ、第１リンス液は、搬送される基板上に、中空突出部の延伸方向に沿った略線状に供給できる。そのため、搬送される基板の全面に対し、良好に第１リンス液を供給することができる。

特に、請求項３に記載の発明によれば、基板と第１遮断板との間に第１リンス液供給部を設ける必要がなく、基板に対して第１遮断板を近接させることができ、第１処理空間のサイズを小さく設定することができる。そのため、シールドガスの使用量をさらに低減させることができ、半導体製品の製造コストを低減させることができる。

特に、請求項６に記載の発明によれば、洗浄処理は、シールドガスの雰囲気とされた第２処理空間に基板が搬送され、続いて、第２処理空間に搬送された基板に第１リンス液が供給されることによって、実行される。すなわち、第１リンス液による洗浄は、シールドガスの雰囲気が形成された第２処理空間で実行される。

これにより、第１リンス液による洗浄中に、大気に含まれる酸素と基板とが接触することを確実に防止できる。そのため、第１リンス液の使用量を抑制しつつ、第１リンス液の水分および酸素に起因したウォーターマークが基板上に発生することをさらに防止できる。

また、請求項６に記載の発明によれば、シールドガスの雰囲気は、第２処理空間に形成されれば十分であり、シールドガスの使用量を増大させることなく、ウォーターマークが基板上に発生することを防止できる。

特に、請求項８に記載の発明によれば、搬送方向における第１遮断板の下流側端部付近に乾燥ガスを供給することができる。これにより、第１リンス液が付着した状態で第１遮断板の下流側に搬出される基板は、乾燥ガスに覆われつつ、乾燥ガスにより乾燥される。そのため、乾燥時において、第１リンス液の水分および酸素に起因したウォーターマークが基板上に発生することを防止できる。

特に、請求項９に記載の発明によれば、第１遮断板の下流側に搬出される基板の上面に液膜を形成させた後、この液膜をエアー供給部から供給されるエアーにより乾燥させることができる。すなわち、第１遮断板の下流側に搬出された直後の基板の表面は、既に液膜で覆われており、基板の表面は、酸素と接触することはない。また、エアーにより液膜が基板の上面から一気に除去される。このように、第１遮断板の下流側に搬出される基板は、液膜の水分および酸素と反応することがない。そのため、乾燥ガスとして酸素を含むエアーが基板の乾燥処理に使用されても、基板上にウォーターマークが発生することを良好に防止できる。

本発明の第１および第２の実施の形態における基板処理装置の全体構成の一例を示すブロック図である。 本発明の第１の実施の形態におけるリンス処理部および乾燥処理部の構成の一例を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態におけるリンス処理部および乾燥処理部の構成の一例を示す底面図である。 本発明の第１の実施の形態におけるリンス処理部を、基板の搬送方向の下流側から上流側に向かって見た図である。 本発明の第１の実施の形態におけるリンス処理部および乾燥処理部の構成の一例を示す側面図である。 本発明の第２の実施の形態におけるリンス処理部および乾燥処理部の構成の一例を示す側面図である。 本発明の第３の実施の形態におけるリンス処理部を、基板の搬送方向の下流側から上流側に向かって見た図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

＜１．第１の実施の形態＞
＜１．１．基板処理装置の構成＞
図１は、本発明の第１の実施の形態における基板処理装置１の構成の一例を示す図である。基板処理装置１は、搬送される基板に対して処理を施す装置であり、図１に示すように、主として、薬液処理部２と、リンス処理部３と、乾燥処理部８と、制御部９と、を備えている。

ここで、基板処理装置１では、矢印ＡＲ１方向（略Ｘ軸方向：搬送方向）に沿って、基板を略水平姿勢にて搬送する平流し方式が採用されており、基板は、薬液処理部２、リンス処理部３、および乾燥処理部８に、この順番で搬送される。また、図１および以降の各図には、それらの方向関係を明確にすべく必要に応じて適宜、Ｚ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系が付されている。

薬液処理部２は、搬送される基板に薬液を供給することによって、基板に対して薬液処理（例えば、基板上に形成された自然酸化膜を除去するエッチング処理）を実行する。そして、薬液処理された基板は、リンス処理部３に搬送される。

リンス処理部３は、薬液処理された基板に純水等のリンス液を供給することによって、基板に付着する薬液を洗い流すリンス処理を実行する。そして、リンス処理された基板は、乾燥処理部８に搬送される。また、乾燥処理部８は、リンス処理された基板に、乾燥ガスを供給することによって、基板に付着するリンス液を吹き飛ばし、基板を乾燥させる。なお、リンス処理部３および乾燥処理部８の詳細な構成については、後述する。

制御部９は、薬液処理部２、リンス処理部３、および乾燥処理部８の稼働状況を制御することによって、基板処理装置１による半導体製品の製造工程を管理する。図１に示すように、制御部９は、薬液処理部２、リンス処理部３、および乾燥処理部８と、信号線９５を介して電気的に接続されている。

メモリ９１は、揮発性または不揮発性の記憶部であり、プログラム９１ａやデータ等を記憶する。ＣＰＵ（Central Processing Unit）９２は、メモリ９１に記憶されているプログラム９１ａに従って、薬液処理部２、リンス処理部３、および乾燥処理部８による処理を、所望のタイミングで実行させる。

＜１．２．リンス処理部および乾燥処理部の構成＞
図２および図３は、リンス処理部３および乾燥処理部８の構成の一例を示す平面図および底面図である。図４は、リンス処理部３を、基板Ｗの搬送方向（矢印ＡＲ１方向）の下流側から上流側に向かって見た図である。図５は、リンス処理部３および乾燥処理部８の構成の一例を示す側面図である。

＜１．２．１．リンス処理部の構成＞
まず、リンス処理部３の構成について説明する。図２ないし図５に示すように、リンス処理部３は、主として、搬送ローラ３０と、遮断板４０、７０と、シールドガス供給ノズル５０と、リンス液供給ノズル６０、８０と、を有している。

複数（本実施の形態では６個）の搬送ローラ３０は、図２および図３に示すように、基板Ｗの搬送方向（矢印ＡＲ１方向）に沿って、略等間隔に配設されている。各搬送ローラ３０は、略円柱状の外形を有するとともに、その軸心がＹ軸と略平行となるように配設されている。

したがって、各搬送ローラ３０が駆動モータ（図示省略）により軸心を中心に回転させられると、基板Ｗは、搬送路３０ａに沿って搬送され、乾燥処理部８に受け渡される。このように、本実施の形態において複数の搬送ローラ３０は、搬送路３０ａ（図５中の一点鎖線）に沿った搬送方向（矢印ＡＲ１方向）に基板Ｗを搬送する搬送部として使用される。

遮断板４０（第１遮断板）は、例えば、板材にプレス加工を施すことによって形成される部材である。図５に示すように、遮断板４０は、搬送路３０ａの上方に配置されており、各搬送ローラ３０により搬送される基板Ｗの上面と近接する。これにより、遮断板４０は、搬送される基板Ｗの上方を覆う。また、遮断板４０には、リンス液供給ノズル６０の設置スペースとして使用される複数の中空突出部４２が設けられている。

複数（本実施の形態では６つ）の中空突出部４２のそれぞれは、図５に示すように、遮断板４０の上面から上方に突出するように設けられた筒体である。また、図４に示すように、中空突出部４２は、搬送方向（略Ｘ軸方向）と交差（略直交）する矢印ＡＲ２方向（略Ｙ軸方向：延伸方向）に延伸して設けられている。さらに、図５に示すように、遮断板４０は、搬送ローラ３０側（下方）に開口する中空空間４２ａを有している。そして、各中空突出部４２の中空空間４２ａには、対応するリンス液供給ノズル６０が配設されている。

複数のシールドガス供給ノズル５０、５５は、遮断板４０側から各搬送ローラ３０側にシールドガスを供給するガス供給部（シールドガス供給部）である。図２、図４、および図５に示すように、複数のシールドガス供給ノズル５０は、各中空突出部４２の上部４３に、中空突出部４２の延伸方向（矢印ＡＲ２方向）に沿って、略等間隔に設けられている。一方、複数のシールドガス供給ノズル５５は、中空突出部４２の上部４３より高さ位置が低く（Ｚ座標が小さく）、かつ、各搬送ローラ３０に近接した平坦部４４に、設けられている。また、複数のシールドガス供給ノズル５５は、図２および図４に示すように、中空突出部４２の延伸方向（矢印ＡＲ２方向）に沿って、略等間隔に設けられている。

さらに、図４に示すように、各シールドガス供給ノズル５０は、配管５１およびバルブ５２を介して、シールドガス供給源５４と連通接続されている。一方、各シールドガス供給ノズル５５は、配管５６、バルブ５７を介して、シールドガス供給源５４と連通接続されている。

したがって、制御部９からの制御信号に従い、バルブ５２、５７のうちのいずれか１つが開放されると、シールドガス供給ノズル５０、および／または、５５から各搬送ローラ３０側にシールドガスが吐出される。そして、少なくとも、各搬送ローラ３０により搬送される基板Ｗと遮断板４０とで囲まれる第１処理空間７１には、シールドガスが供給され、第１処理空間７１の空気は、シールドガスと置換される。

ここで、本実施の形態において、シールドガスとしては、窒素ガス、アルゴンガス、およびヘリウムガス等、または、これら基板Ｗに対して不活性な気体を主成分とする気体であって、洗浄対象となる基板Ｗを酸化させない気体が使用される。

複数のリンス液供給ノズル６０は、遮断板４０側から各搬送ローラ３０側にリンス液（第１リンス液）を吐出することによって、搬送される基板Ｗの上面にリンス液を供給する液供給部（第１リンス液供給部）である。また、図２、図４、および図５に示すように、複数のリンス液供給ノズル６０は、中空突出部４２の延伸方向に沿うように中空突出部４２の中空空間４２ａに固定されており、搬送される基板Ｗに対して近接できる。なお、本実施の形態において、各リンス液供給ノズル６０は、スプレーノズルにより構成されているが、Ｙ軸方向に延びるスリットノズルであってもよい。

また、図５に示すように、各リンス液供給ノズル６０は、そのノズル先端が、基板Ｗの搬送方向から見て後方斜め下方に傾斜するように固定されており、基板Ｗの斜め上方からリンス液の水流を与える。さらに、図４に示すように、各リンス液供給ノズル６０は、配管６１およびバルブ６２を介して、第１リンス液供給源６４と連通接続されている。

したがって、制御部９からの制御信号に従い、バルブ６２が開放されると、各リンス液供給ノズル６０から吐出されるリンス液（第１リンス液）は、搬送される基板Ｗの上面において、中空突出部４２の延伸方向に沿った略線状に供給される。そのため、各リンス液供給ノズル６０は、搬送される基板Ｗの上面全域に対し、良好にリンス液（第１リンス液）を供することができ、基板Ｗを良好に洗浄することができる。

このように、制御部９は、シールドガスの雰囲気とされた第１処理空間７１に、リンス液（第１リンス液）を供給させることによって、搬送路３０ａに沿って搬送される基板Ｗを洗浄するように構成されている。

なお、本実施の形態において、第１リンス液供給源６４から供給されるリンス液（第１リンス液）としては、純水が使用されている。

遮断板７０（第２遮断板）は、搬送路３０ａの下方に配置されている板状体である。図５に示すように、遮断板７０は、各搬送ローラ３０により搬送される基板Ｗの下面と近接し、搬送される基板Ｗの下方を覆う。また、図３および図５に示すように、遮断板７０は、複数の板材から構成されており、各板材は、隣接する搬送ローラ３０間の間隙に配置されている。

このように、搬送路３０ａの上方に配置される遮断板４０と、搬送路３０ａの下方に配置されると、により囲まれる第２処理空間７２は、遮断板４０、７０によって、リンス処理部３外の空間と隔てられている。

ここで、低温ポリシリコンＴＦＴ液晶の製造工程において形成されるアモルファスシリコンは、撥水性を有し、活性度が非常に高い。また、アモルファスシリコン膜が形成された基板にリンス液が供給されると、リンス液は、その表面張力により球状となる。

したがって、従来の技術において、ガラス基板上にリンス液が供給されると、エッチング処理により露出させられたアモルファスシリコンは、空気中の酸素と、球状となったリンス液と、接触する。その結果、ガラス基板上のアモルファスシリコンと、リンス液の水分と、空気中の酸素と、が結合し、アモルファスシリコン膜の表面には、デバイス不良の原因となるウォーターマークが形成されることになる。

これに対して、本実施の形態では、第２処理空間７２に基板Ｗが搬送されることに先立ってシールドガス供給ノズル５０、５５から第２処理空間７２にシールドガスが吐出される。そして、リンス液による洗浄は、シールドガス雰囲気が形成された第２処理空間７２で実行されることになる。すなわち、リンス処理部３における洗浄処理において、配線パターンが形成される基板Ｗ上のデバイス面と、大気に含まれる酸素と、が接触することを確実に防止できる。

また上述のように、リンス処理部３における洗浄処理では、基板Ｗを貯留されたリンス液に浸漬したり、基板Ｗ上にリンス液を液盛りしなくても、大気中に含まれる酸素と、基板Ｗと、が接触することを防止できる。

そのため、リンス処理部３は、リンス液の使用量を抑制しつつ、リンス液の水分および酸素に起因したウォーターマークが基板Ｗ上に発生することをさらに防止できる。

複数のリンス液供給ノズル８０は、遮断板７０側から遮断板４０側にリンス液（第２リンス液）を吐出することによって、搬送される基板Ｗの下面にリンス液を供給する液供給部（第２リンス液供給部）である。本実施の形態において、各リンス液供給ノズル８０は、例えばスプレーノズルにより構成されている。

また、図３および図５に示すように、複数のリンス液供給ノズル８０は、搬送ローラ３０の軸心方向（略Ｙ軸方向）に沿うように、遮断板７０の各板材に固定されており、搬送される基板Ｗに対して近接させることができる。

また、図５に示すように、各リンス液供給ノズル８０は、吐出されるリンス液の水流が鉛直上方（Ｚ軸正方向）となるように、設定されている。さらに、図４に示すように、各リンス液供給ノズル８０は、配管８１およびバルブ８２を介して、第２リンス液供給源８４と連通接続されている。

したがって、制御部９からの制御信号に従い、バルブ８２が開放されると、各リンス液供給ノズル８０から吐出されるリンス液（第２リンス液）は、搬送される基板Ｗの下面に、各搬送ローラ３０の軸心方向に沿った略線状に供給される。そのため、各リンス液供給ノズル８０は、搬送される基板Ｗの下面全域に対し、良好にリンス液（第２リンス液）を供給することができ、基板Ｗの下面を良好に洗浄することができる。

なお、本実施の形態において、第２リンス液供給源８４から供給されるリンス液（第２リンス液）としては、純水が使用されている。

＜１．２．２．乾燥処理部の構成＞
次に、乾燥処理部８の構成について説明する。図５に示すように、乾燥処理部８は、主として、複数の乾燥ガスナイフノズル８５（８５ａ、８５ｂ）を有している。

乾燥ガスナイフノズル８５ａは、搬送路３０ａの上方に配置されるとともに、基板Ｗの搬送方向（矢印ＡＲ１方向）から見て遮断板４０、７０の下流側（後方）に設けられている。また、乾燥ガスナイフノズル８５ａは、そのノズル先端が基板Ｗの搬送方向から見て後方斜め下方に傾斜するように固定されており、基板Ｗの斜め上方から乾燥ガスのガス流を与える。そして、リンス処理部３から搬出される基板Ｗの上面には、基板Ｗの搬送方向と交差（略直交）する方向（例えば、略Ｙ軸方向）に沿った略線状の乾燥ガス流が供給される。

一方、乾燥ガスナイフノズル８５ｂは、搬送路３０ａの下方に配置されるとともに、基板Ｗの搬送方向から見て遮断板４０、７０の下流側（後方）に設けられている。また、乾燥ガスナイフノズル８５ｂは、そのノズル先端が基板Ｗの搬送方向から見て後方斜め上方に傾斜するように固定されており、基板Ｗの斜め下方から乾燥ガスのガス流を与える。そして、リンス処理部３から搬出される基板Ｗの下面には、基板Ｗの搬送方向と交差（略直交）する方向（例えば、略Ｙ軸方向）に沿った略線状の乾燥ガス流が供給される。

さらに、乾燥ガスナイフノズル８５ａ、８５ｂのそれぞれは、配管８６およびバルブ８７を介して、乾燥ガス供給源８９と連通接続されている。

したがって、乾燥ガスナイフノズル８５ａは、基板Ｗの搬送方向における遮断板４０の下流側端部４０ａ付近に、圧縮された乾燥ガスを供給する。これにより、基板Ｗの上面に付着するリンス液は、乾燥ガスにより飛散させられる。

すなわち、基板Ｗの搬送方向から見て遮断板４０の下流側（後方）に搬出される基板Ｗの上面には、リンス液（第１リンス液）が付着している一方、この基板Ｗの上面は、乾燥ガスナイフノズル８５ａから吐出される乾燥ガスに覆われつつ、乾燥ガスにより乾燥される。そのため、乾燥時において、リンス液の水分および酸素に起因したウォーターマークが基板Ｗの上面に発生することを防止できる。

このように、本実施の形態において乾燥ガスナイフノズル８５ａは、少なくとも、基板Ｗの上面に付着するリンス液（第１リンス液）が除去されるように、乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部として使用される。

一方、乾燥ガスナイフノズル８５ｂは、基板Ｗの搬送方向から見て遮断板７０の下流側端部７０ａ付近に、圧縮された乾燥ガスを供給する。これにより、基板Ｗの下面に付着するリンス液は、乾燥ガスにより飛散させられる。

すなわち、基板Ｗの搬送方向から見て遮断板７０の下流側（後方）に搬出される基板Ｗの下面には、リンス液（第２リンス液）が付着している一方、この基板Ｗの上面は、乾燥ガスナイフノズル８５ｂから吐出される乾燥ガスに覆われつつ、乾燥ガスにより乾燥される。そのため、乾燥時において、リンス液の水分および酸素に起因したウォーターマークが基板Ｗの下面に発生することを防止できる。

このように、本実施の形態において乾燥ガスナイフノズル８５ｂは、少なくとも、基板Ｗの下面に付着するリンス液（第２リンス液）が除去されるように、乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部として使用される。

ここで、本実施の形態において、乾燥ガスとしては、シールドガスと同様に、窒素ガス、アルゴンガス、およびヘリウムガス等、または、これら基板Ｗに対して不活性な気体を主成分とする気体であって、洗浄対象となる基板Ｗを酸化させない気体が使用されることが好ましい。

＜１．３．第１の実施の形態における基板処理装置の利点＞
以上のように、第１の実施の形態の基板処理装置１は、各搬送ローラ３０により搬送される基板Ｗと、遮断板４０と、で囲まれる第１処理空間７１に、シールドガスの雰囲気を形成することができる。これにより、アモルファスシリコン膜のように、撥水性を有し、酸化されやすい膜が形成された基板Ｗに対してリンス処理を施す場合であっても、基板Ｗの上面をリンス液（第１リンス液）で覆うことなく、基板Ｗと、大気に含まれる酸素と、の接触がほとんどない。そのため、リンス液（第１リンス液）の使用量を抑制しつつ、リンス液の水分および酸素に起因したウォーターマークが基板Ｗ上に発生することを防止できる。

また、第１の実施の形態の基板処理装置１において、リンス処理時に基板Ｗおよび酸素が接触することを抑制するためには、少なくとも、第１処理空間７１にシールドガスの雰囲気を形成すれば十分である。このように、第１の実施の形態の基板処理装置１は、シールドガスの使用量を増大させることなく、ウォーターマークが基板上に発生することを防止できる。

＜２．第２の実施の形態＞
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。この第２の実施の形態における基板処理装置１００は、第１の実施の形態における基板処理装置１と比較して、乾燥処理部の構成が異なる点を除いては、第１の実施の形態と同じである。そこで、以下ではこの相違点を中心に説明する。

なお、以下の説明において、第１の実施の形態の基板処理装置１における構成要素と同様な構成要素については同一符号を付している。これら同一符号の構成要素は、第１の実施の形態において説明済みであるため、本実施形態では説明を省略する。

＜２．１．リンス処理部および乾燥処理部の構成＞
図６は、本発明の第２の実施の形態におけるリンス処理部３および乾燥処理部１０８の構成の一例を示す側面図である。図６に示すように、乾燥処理部１０８は、主として、複数のエアナイフノズル１８５（１８５ａ、１８５ｂ）と、第３リンス液供給ノズル１９５と、を有している。

エアナイフノズル１８５ａは、図６に示すように、搬送ローラ３０の上方に配置されるとともに、基板Ｗの搬送方向（矢印ＡＲ１方向）から見て遮断板４０、７０の下流側（後方）に設けられている。また、エアナイフノズル１８５ａは、そのノズル先端が基板Ｗの搬送方向から見て後方斜め下方に傾斜するように固定されており、基板Ｗ斜め上方からの空気流を与える。そして、リンス処理部３から搬出される基板Ｗの上面には、基板Ｗの搬送方向と交差（略直交）する方向（例えば、略Ｙ軸方向）に沿った略線状の空気流が供給される。

一方、エアナイフノズル１８５ｂは、図６に示すように、搬送路３０ａの下方に配置されるとともに、基板Ｗの搬送方向から見て遮断板４０、７０の下流側（後方）に設けられている。また、エアナイフノズル１８５ｂは、そのノズル先端が基板Ｗの搬送方向から見て後方斜め上方に傾斜するように固定されており、基板Ｗ斜め下方からの空気流を与える。そして、リンス処理部３から搬出される基板Ｗの下面には、基板Ｗの搬送方向と交差（略直交）する方向（例えば、略Ｙ軸方向）に沿った略線状の空気流が供給される。

さらに、エアナイフノズル１８５ａ、１８５ｂのそれぞれは、配管１８６およびバルブ１８７を介して、エアー供給源１８９と連通接続されている。

第３リンス液供給ノズル１９５は、遮断板４０側から各搬送ローラ３０側にリンス液（第３リンス液）を吐出することによって、搬送される基板Ｗの上面にリンス液を供給する液供給部（第３リンス液供給部）である。本実施の形態において、第３リンス液供給ノズル１９５は、いわゆるスリットノズルにより構成されており、図６に示すように、搬送路３０ａの上方に配置されている。また、第３リンス液供給ノズル１９５は、基板Ｗの搬送方向から見て、遮断板４０の下流側（後方）、かつ、エアナイフノズル１８５の上流側（前方）に設けられている。さらに、第３リンス液供給ノズル１９５は、配管１９６およびバルブ１９７を介して、第３リンス液供給源１９９と連通接続されている。

したがって、制御部９からの制御信号に従い、バルブ１９７が開放されると、基板Ｗの搬送方向における遮断板４０の下流側端部４０ａ付近に向けてリンス液（第３リンス液）が吐出され、リンス液（第１リンス液）が付着する基板Ｗの上面には、リンス液（第１および第３リンス液）による液膜１９５ａが形成される。すなわち、遮断板４０下流側（後方）に搬出される基板Ｗの上面は、液膜１９５ａに覆われることになる。

次に、制御部９からの制御信号に従い、バルブ１８７が開放されると、液膜１９５ａが形成された基板Ｗの上面に対し、エアナイフノズル１８５ａからのエアーが吐出され、基板Ｗの上面から液膜１９５ａが一気に除去される。

すなわち、基板Ｗの搬送方向から見て遮断板４０の下流側に搬出された直後の基板Ｗの上面には、既に液膜１９５ａで覆われており、基板Ｗの上面は、酸素と接触することはない。また、エアーにより液膜１９５ａは基板Ｗの上面から一気に除去される。

このように、遮断板４０の下流側に搬出される基板は、液膜１９５ａの水分および酸素と反応することがない。そのため、不活性ガスでなく酸素を含むエアーが、基板乾燥処理の乾燥ガスとして使用されても、基板Ｗ上にウォーターマークが発生することを良好に防止できる。また、エアナイフノズル１８５ａは、基板Ｗの上面に形成される液膜１９５ａが除去されるように、液膜１９５ａに向けてエアーを供給するエアー供給部として使用される。

なお、本実施の形態において、第３リンス液供給ノズル１９５から供給されるリンス液（第３リンス液）としては、純水が使用されている。

＜２．２．第２の実施の形態における基板処理装置の利点＞
以上のように、第２の実施の形態における基板処理装置１００は、リンス処理部３から搬出される基板Ｗ上にリンス液の液膜１９５ａを形成した上で、エアーナイフにより基板Ｗ上からリンス液を飛散させている。そのため、乾燥ガスとして酸素を含むエアーが使用されても、リンス処理された基板Ｗ上にウォーターマークが発生することを良好に防止できる。

＜３．第３の実施の形態＞
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。この第３の実施の形態における基板処理装置２００は、第１の実施の形態における基板処理装置１と比較して、リンス処理部の構成が異なる点を除いては、第１の実施の形態と同じである。そこで、以下ではこの相違点を中心に説明する。

なお、以下の説明において、第１の実施の形態の基板処理装置１における構成要素と同様な構成要素については同一符号を付している。これら同一符号の構成要素は、第１の実施の形態において説明済みであるため、本実施形態では説明を省略する。

＜３．１．リンス処理部の構成＞
図７は、本発明の第３の実施の形態におけるリンス処理部２０３を、基板Ｗの搬送方向（矢印ＡＲ１方向）の下流側から上流側に向かって見た図である。複数の搬送ローラ２３０は、基板Ｗを傾斜搬送する搬送部である。図７に示すように、各搬送ローラ２３０は、その軸心が水平軸（Ｙ軸）に対して傾斜するように、配置されている。これにより、基板Ｗは、搬送方向（略Ｘ軸方向）と交差（略直交）する矢印ＡＲ３方向（傾斜方向）に傾斜されて搬送される。

また、図７に示すように、遮断板４０、７０は、各搬送ローラ２３０と同様に、水平軸（Ｙ軸）に対して傾斜するように配置されており、これにともなって、第１および第２処理空間７１、７２も水平軸（Ｙ軸）に対して傾斜する。

この場合において、空気より重い気体（例えば、二酸化炭素やアルゴン等）がシールドガスとして供給される場合、傾斜方向に沿った遮断板４０の両端部のうち、少なくとも、上側に傾斜する端部付近のシールドガス供給ノズル５０ｂ、５５ｂからシールドガスが供給されるように構成されてもよい。

一方、空気より軽い気体（例えば、窒素ガス）がシールドガスとして供給される場合、傾斜方向に沿った遮断板４０の両端部のうち、少なくとも、下側に傾斜する端部付近のシールドガス供給ノズル５０ａ、５５ａからシールドガスが供給されるように構成されてもよい。

＜３．２．第３の実施の形態における基板処理装置の利点＞
以上のように、第３の実施の形態における基板処理装置２００は、シールドガスの種類に応じた供給手法で、第１および第２処理空間７１、７２にシールドガスを供給することができる。これにより、シールドガスの使用量を抑制しつつ、第１および第２処理空間７１、７２に対して効率的にシールドガスを供給することができる。

＜４．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。

（１）第１ないし第３の実施の形態において、リンス液供給ノズル６０、８０、１９５には、それぞれ異なるリンス液供給源（第１ないし第３リンス液供給源６４，８４、１９９）からリンス液が供給されるものとして説明したが、これに限定されるものでない。例えば、共通のリンス液供給源からのリンス液が供給されるように、各リンス液供給ノズル６０、８０、１９５が構成されてもよい。

（２）また、第１ないし第３の実施の形態において、基板Ｗの上面に供給されるリンス液（第１リンス液）は、中空突出部４２の中空空間４２ａに配置されたリンス液供給ノズル６０により吐出されるものとして説明したが、これに限定されるものでない。例えば、遮断板４０としては、中空突出部４２を有さず、平板状のものが使用され、リンス液供給部としては、遮断板４０上に固定されたパイプノズルが使用されてもよい。すなわち、搬送される基板Ｗと、遮断板４０との間に、リンス液供給部を設ける必要がない。この場合において、リンス液は、遮断板４０に設けられた開口を介して基板Ｗの上面に供給される。

このような構成が採用されることによって、基板Ｗに対して遮断板４０を近接させることができ、第１処理空間７１のサイズを小さく設定することができる。そのため、シールドガスの使用量を低減させることができ、半導体製品の製造コストを低減させることができる。

（３）さらに、第１ないし第３の実施の形態において、第２処理空間７２に供給されるシールドガスは、遮断板４０に設けられたシールドガス供給ノズル５０、５５から吐出されるものとして説明したが、これに限定されるものでない。例えば、遮断板７０に設けられたシールドガス供給部によって、第２処理空間７２にシールドガスが供給されるように構成されてもよい。

１、１００、２００ 基板処理装置
２ 薬液処理部
３、２０３ リンス処理部
８、１０８ 乾燥処理部
９ 制御部
３０、２３０ 搬送ローラ（搬送部）
３０ａ 搬送路
４０、７０ 遮断板（第１および第２遮断板）
４２ 中空突出部
５０（５０ａ、５０ｂ）、５５（５５ａ、５５ｂ） シールドガス供給ノズル（シールガス供給部）
６０、８０、１９５ リンス液供給ノズル（第１ないし第３リンス液供給部）
７１ 第１処理空間
７２ 第２処理空間
８５（８５ａ、８５ｂ） 乾燥ガスナイフノズル（乾燥ガス供給部）
１８５（１８５ａ、１８５ｂ） エアナイフノズル（エアー供給部）
ＡＲ１〜ＡＲ３ 矢印（搬送方向、延伸方向、および傾斜方向）
Ｗ 基板

Claims (9)

1. 基板処理装置であって、
   (a) 搬送路に沿った搬送方向に、基板を搬送する搬送部と、
   (b) 前記搬送路の上方に配置されており、前記搬送部により搬送される基板の上面と近接する第１遮断板と、
   (c) 少なくとも、前記搬送部により搬送される基板と前記第１遮断板とで囲まれる第１処理空間に、シールドガスを供給するシールドガス供給部と、
   (d) 基板の上面に第１リンス液を供給する第１リンス液供給部と、
   を備え、
   前記シールドガスの雰囲気とされた前記第１処理空間に、前記第１リンス液を供給することによって、前記搬送部により搬送される基板を洗浄することを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記第１遮断板は、
   前記第１遮断板の上面から上方に突出しつつ前記搬送方向と交差する方向に延伸して設けられており、内部に前記搬送部側に開口する中空空間を有する中空突出部、
   を有しており、
   前記第１リンス液供給部は、前記中空突出部の延伸方向に沿って、前記中空空間に複数設けられていることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記第１リンス液供給部は、前記第１遮断板に設けられた開口を介して、基板の上面に前記第１リンス液を供給することを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記搬送部は、前記搬送方向と交差する傾斜方向に基板を傾斜させて搬送し、
   前記シールドガス供給部は、
   空気より重い気体を前記シールドガスとして供給するとともに、
   前記傾斜方向に沿った前記第１遮断板の両端部のうち、上側に傾斜する第１端部の付近に設けられることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記搬送部は、前記搬送方向と交差する傾斜方向に基板を傾斜させて搬送し、
   前記シールドガス供給部は、
   空気より軽い気体を前記シールドガスとして供給するとともに、
   前記傾斜方向に沿った前記第１遮断板の両端部のうち、下側に傾斜する第２端部の付近に設けられることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
   (e) 前記搬送路の下方に配置されており、前記搬送部により搬送される基板の下面と近接する第２遮断板と、
   をさらに備え、
   前記第１および第２遮断板により囲まれる第２処理空間に基板が搬送されることに先立って、前記第２処理空間に前記シールドガスの雰囲気が形成されていることを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項６に記載の基板処理装置において、
   (f) 基板の下面に第２リンス液を供給する第２リンス液供給部、
   をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
   (g) 基板の上面に付着する前記第１リンス液が除去されるように、前記搬送方向から見て前記第１遮断板の下流側端部付近に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部、
   をさらに有することを特徴とする基板処理装置。
9. 請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
   (h) 前記搬送方向から見て前記第１遮断板の下流側端部付近に第３リンス液を供給することによって、前記第１リンス液が付着する基板の上面に、前記第１および第３リンス液による液膜を形成させる第３リンス液供給部と、
   (i) 基板の上面に形成される前記液膜が除去されるように、前記液膜に向けてエアーを供給するエアー供給部と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。

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