JP2015179815A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 絶縁表面上の導電性を有する酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上に接する導電膜と、を有し、
   前記導電膜は、Ｃｕ−Ｘ合金膜（Ｘは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、またはＴｉ）と、前記Ｃｕ−Ｘ合金膜上に接するＣｕ膜とを含むことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記酸化物半導体膜の水素濃度は、８×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記酸化物半導体膜と、前記Ｃｕ−Ｘ合金膜との間に、Ｘを含む化合物を有する膜を含むことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記Ｃｕ−Ｘ合金膜は、Ｃｕ−Ｍｎ合金膜であることを特徴とする半導体装置。
5. 絶縁表面上の導電性を有する酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上に接する導電膜と、
   前記酸化物半導体膜上及び前記導電膜上に接する絶縁膜と、を有し、
   前記導電膜は、第１のＣｕ−Ｘ合金膜（Ｘは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、またはＴｉ）と、前記第１のＣｕ−Ｘ合金膜上に接するＣｕ膜と、前記Ｃｕ膜上に接する第２のＣｕ−Ｘ合金膜（Ｘは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、またはＴｉ）を含むことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項５において、
   前記酸化物半導体膜の水素濃度は、８×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項５又は６において、
   前記導電膜の外周に、Ｘを含む化合物を有する膜を含むことを特徴とする半導体装置。
8. 請求項５乃至７のいずれか一において、
   前記第１のＣｕ−Ｘ合金膜及び前記第２のＣｕ−Ｘ合金膜は、Ｃｕ−Ｍｎ合金膜であることを特徴とする半導体装置。