JP2015121533A - 可撓光センサモジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】可撓光センサモジュールが、提唱される。
【解決手段】可撓光センサモジュールは、支持基板および可撓導波路を備える。支持基板は、第1の溝および第2の溝を有し、第1の溝は、第1の溝の2つの側面で第1の光マイクロ反射表面および第2の光マイクロ反射表面を有する。可撓導波路は、支持基板の第1の溝上に配置される。支持基板は、第1の溝を備えた第1の基板および第2の溝を備えた第2の基板を含むことができ、第1の基板は、前記第2の基板上に配置される。膜が、第1の基板と第2の基板との間に配置される。光源および光検出素子が、第1の基板上に配置される。
【選択図】図1

Description

本発明は光センサに関し、およびより詳しくは、光センサシステム内の震動を測定する可撓光センサモジュールに関する。
一般に、光センサは光または電磁波のエネルギを電気エネルギに変換するものである。背景技術光センサは、それらの主要部品として半導体を有するフォトダイオード、アバランシェフォトダイオード、フォトトランジスタ、光MOS、CCDセンサおよびCMOSセンサ、光電効果を用いる光電子増倍管、などを含む。
以前の半導体光センサの中で、いくつかはキャリアを外部電流に直接変換することによって電流として出力信号を抽出するものであり、そこではキャリアは光による照射によって生成される電子または正孔である。他は、過半数の電流の変調として出力信号を抽出するものであり、そこでは変調は所定の局所的場所に累積される光発生キャリアによって局所的電場によって形成される。
最近、光センサの使用が、とりわけセンサが関連電子回路の性能/信頼性にひどく影響を及ぼす厳しい環境内に配置されなければならないような用途における検出用途に対してより優勢になってきた。光ファイバセンサはそれらがセンサに、またはその近くに何の電子回路も必要としないという利点を有する。光ファイバセンサでは、光は遠隔の位置から光ファイバを通して送られる。
光ファイバセンサは概ね、高速の動的な測定をするために設計されたものおよび低速の相対的に静的な測定のために設計されたものの、2つのカテゴリに分類される。動的センサの例は、信号が1Hz以上の率で変化する、水中聴音器、地中聴音器および音速センサを含む。低速(静的)センサの例は、信号変化の率が秒、分または時間のオーダーであることができる、温度、静水圧および構造上の張力を含む。多くの用途は、主に光ファイバセンサを使用する加速、音速および震動の動的測定に関する。
本発明では、可撓光センサモジュールが提唱される。可撓光センサモジュールは、2個の部品、光モジュールおよび信号波を検出するための震動検出ユニットを備える。震動検出ユニットは、可撓導波路である。可撓導波路は、支持基板、膜もしくはFPC上にまたは下に配置される(取り付けられる/実装される)ことができる。可撓光センサモジュールは、支持基板、可撓導波路、光源および光検出素子を備える。支持基板は、第1の溝を備えた第1の基板および第2の溝を備えた第2の基板を含み、第1の基板が第2の基板上に配置される。一例において膜が含まれ、第1の基板と第2の基板との間に配置されることができる。別の例では、膜は震動検出ユニットとなるように可撓導波路と一体化されることができる。光源および少なくとも1個の光検出素子が、基板上に(より上に)配置される。可撓光センサモジュールは、単一光センサまたは光センサアレイであることができる。
1つの態様によれば、基板は光マイクロ反射表面、凹状ベンチを有する。
別の態様によれば、基板は可撓導波路または膜を露出させるための開口部を有する。
さらにもう一つの態様によれば、可撓導波路は反射平面を備えたV形状溝を有する。光(可撓)導波路は、可撓プリント回路(FPC)と一体化されることができる。慣性センサが、可撓プリント回路の第1の開口部および光導波路の第2の開口部まで延在する可撓プリント回路上に配置されることができる。
光源は、可視光および不可視光を放出することが可能である。一実施態様において、少なくとも1つの溝が、基板の凹状構造体上に形成される。凹状構造体のこの少なくとも1つの溝に基づいて、光学部品(ケーブル)がこの少なくとも1つの溝に受動的に位置合わせされることができる。
本発明の部品、特性および利点が、明細書および添付の図面内に概説される好ましい実施態様の詳細な説明によって理解されることができる:
本発明の一実施態様に従う可撓光センサモジュールを例示する; 本発明の別の実施態様に従う可撓光センサモジュールを例示する; 本発明の更なる実施態様に従う可撓光センサモジュールを例示する; 本発明の更に別の実施態様に従う可撓光センサモジュールを例示する; 本発明の一実施態様に従う可撓光センサモジュールを例示する; 本発明の別の実施態様に従うFPC上の慣性センサおよび光導波路を備えた可撓光センサモジュールを例示する。 本発明に従うSiベースの慣性センサの構造体を例示する。
本発明のいくつかの好ましい実施態様が、次により詳細に記述される。しかしながら、本発明の好ましい実施態様が本発明を限定することよりむしろ例証のために提供されることが認識されるべきである。加えて、本発明は明示的に記述されるものの他に広範囲にわたる他の実施態様において実践されることができ、および添付の請求の範囲内に指定される場合を除いて本発明の範囲は明白に限定されない。
図1は、本発明の一実施態様に従う可撓光センサモジュールを示す。可撓光センサモジュールは震動検出素子(装置)として用いられることができ、それは標準半導体製造プロセスを使用することによって作られることができる。光素子が、検出システムとして震動検出素子に適用される。検出システムまたは検出装置は、音波、機械波動、地震波、脈拍および他の媒体による任意の震動波動エネルギを検出することができる。本実施態様において、可撓光センサモジュールは基板100、可撓導波路101、光源102および光検出素子103を備える。基板100は、第1の溝104および第2の溝105を有する。第1の溝104は、上向きの開口部を有する。第2の溝105は、下向きの開口部を有する。基板100は、基板100の第1の溝104の(内の)2つの側面に第1の光マイクロ反射表面100aおよび第2の光マイクロ反射表面100bを有する。可撓導波路101は、可撓材料でできている。可撓導波路101は、震動検出のための膜であることができる。可撓導波路101は、光を案内するために基板100の第1の溝104の底面に配置され(取り付けられ/実装され)、それと共に可撓導波路101の上面を露出させてかつ可撓導波路101の部分的下面を露出させる。可撓導波路101の下面の露出領域は、第2の溝105の底面の領域と等しい。一実施態様において、斜面を備えた可撓導波路101の2つの側面はそれぞれ、第1の光マイクロ反射表面100aおよび第2の光マイクロ反射表面100bに接触する。光源102から照射される光がその中に通過するのを容易にするために、可撓導波路101はその中に光路が許される。第1の溝104の底面および第2の溝105の底面は、可撓導波路101の部分的底面を露出させるために部分的にオーバーラップしている。光源102および光検出素子103は、基板100の上面の2つの側面上に(より上に)配置される。光源102は、可視光および不可視光を放出することが可能である。光源102は、例えばレーザー、赤外光または発光ダイオード(LED)である。赤外光は赤外バンド内にあり、それがレーザーまたはLEDによって放出されることができる。
基板100は、オプティカルベンチとなるように用いられ、かつ可撓導波路101がその中に配置されることを容易にするための基板100の第1の溝104の底面上の凹状ベンチ、および(45度角度または他の角度のような)指定された角度を有する光マイクロ反射表面100a、100bを有する。一実施態様において、基板100の第1の溝(凹状構造体)104は、基板100の頂面の下の指定された深さにあり、および、基板100の第2の溝(凹状構造体)105は、基板100の底面の下の指定された深さにある。第1の反射器が、基板100の第1のベンチ104の第1端部に画定され、および、第2の反射器が基板100の第1のベンチ104の第2の端部に画定される。基板100の第1のベンチ104の第1端部が第1の反射表面を形成し、および基板100の第1のベンチ104の第2の端部が第2の反射表面を形成する。基板100の第1のベンチ104は、第1の傾斜平面100aおよび第2の傾斜平面100bを有する。一実施態様において、第1の傾斜平面100aは第2の傾斜平面100bの反対側である。
例えば、それぞれ、光源102は左側で(光マイクロ反射表面100aの近くで)基板100の頂面に位置し(取り付けられ)、および、光検出素子103は右側で(光マイクロ反射表面100bの近くで)基板100の頂面に位置する(取り付けられる)。したがって、光源102によって放出される光信号は、基板100の第1の反射表面100aによって反射されて次いで可撓導波路101を通過し、続いて基板100の第2の反射表面100bによって反射されて、光検出素子103によって受信される。
信号波が可撓光センサモジュールの可撓導波路101(震動検出装置)に到達するにつれて、可撓導波路101は信号波によって上下に震動する。光源102からの光信号は、可撓導波路101の震動によって影響される。したがって、光源102によって放出される光出力は、可撓導波路101中で変えられる。可撓導波路101を通過する部分的光信号が、可撓導波路101から離れる。したがって、可撓導波路101の非震動と比較すると、光検出素子103によって検出される光の強度は、可撓導波路101の震動とともに漸減的に変えられる。検出される光の強度は、電気信号出力に変換される。したがって、震動検出の機能が達成されることができる。
可撓光センサモジュール(震動検出装置)の検出に基づいて、震動検出の機能が達成されることができる。可撓導波路は、音波、機械波動、地震波、脈拍...およびその他の媒体衝撃で生じる衝撃波動エネルギを検出するための震動検出機能を備えた震動検出部品として用いられる。可撓導波路101は、光検出システムとなるように光源102および光検出素子103を一体化する。したがって、本発明は震動検出システムとして光検出システムを使用する。
基板100および可撓導波路101の材料および厚さは、実用的用途に対する要件(種々の信号波、検出源)に基づいて選ばれることができる。例えば、基板100の材料はシリコンである。したがって、第1の溝104および第2の溝105は、標準半導体プロセス(フォトリトグラフィプロセス、エッチングプロセス)によって形成されることができる。例えば、可撓導波路101は可撓薄フィルムである。可撓導波路101の材料は、ポリマー材料、誘電材料を含む。
図2は、本発明の別の実施態様に従う可撓光センサモジュールの断面構造体を示す。本実施態様において、可撓光センサモジュールは第1の基板200、第2の基板201、膜202、可撓導波路203、光源204および光検出素子205を備える。第1の基板200は第2の溝(開口部)207を有し、および第2の基板201は第1の溝(開口部)206を有する。第1の溝206は、上向きである。第2の溝207は、下向きである。同様に、第2の基板201は第2の基板201の第1の溝206の(内の)2つの側面に第1の光マイクロ反射表面および第2の光マイクロ反射表面を有する。可撓導波路203は、可撓材料でできている。膜202は、第1の基板200と第2の基板201との間に配置され(取り付けられ/実装され)、それと共に第2の基板側面から来る信号波を検出するために膜202の部分的下面および上面を露出させる。膜202の下面の露出領域は、第2の溝207の底面の領域と等しい。可撓導波路203は、光を案内するために第2の基板201の第1の溝206内で膜202の底面に配置され(取り付けられ/実装され)、それと共に第2の基板側面から来る信号波を検出するために可撓導波路203の上面を露出させる。したがって、可撓導波路203および膜202は、震動検出のために用いられることができる。一実施態様において、斜面を備えた可撓導波路203の2つの側面はそれぞれ、第1の光マイクロ反射表面および第2の光マイクロ反射表面に接触する。光源204および光検出素子205は、第2の基板201の上面の2つの側面上に(より上に)配置される。
例えば、可撓導波路203は可撓薄フィルムである。可撓導波路203の材料は、ポリマー材料、誘電材料を含む。膜202は、薄フィルムである。膜202の材料は、SiOまたはSiNのような誘電材料を含む。
信号波が光センサモジュール(震動検出装置)の膜202および/または可撓導波路203に到達するにつれて、膜202および/または可撓導波路203が信号波によって震動する。可撓導波路203が膜202上に取り付けられるので、可撓導波路203および膜202はその時共に震動する。例えば、膜202および可撓導波路203の震動は上下に共に震動し、したがって、光源204によって放出される光は第2の基板201によって反射されてかつ光検出素子205によって受光される。上記したように、光源204によって放出される光出力はその震動に起因して可撓導波路203中で変えられ、光検出素子205によって検出される光の強度は可撓導波路203の震動とともに漸減的に変えられる。検出される光の強度は、電気信号出力に変換される。したがって、震動検出の機能が達成されることができる。
図3は、本発明のさらにもう一つの実施態様に従う可撓光センサモジュールの断面構造体を示す。本実施態様において、可撓光センサモジュールは膜300、可撓導波路301、光源302および光検出素子303を備える。可撓導波路301は、可撓材料(層)でできている。一実施態様において、可撓導波路301は膜である。本実施態様において、可撓導波路301は膜300の下に配置され(取り付けられ/実装され)、および可撓導波路301は可撓導波路301の2つの側面に第1の光マイクロ反射表面301aおよび第2の光マイクロ反射表面301bを有する。可撓導波路301は、震動検出のための膜300と組み合わさる。この種の構造体は、膜側面および/または可撓導波路側面から来る信号波を検出することができる。光源302によって放出される光は、それぞれ、可撓導波路301の2つの側面で第1の光マイクロ反射表面301aおよび第2の光マイクロ反射表面301b経由で反射され、かつ光検出素子303によって受光されることができる。光源302および光検出素子303は、膜300の上面の2つの側面上に配置される。
図4は、本発明の一実施態様に従う可撓光センサモジュールの断面構造体を示す。本実施態様において、膜300aは膜側面から来る信号波と接触する/を検出するために可撓導波路301の部分的上面を露出させる開口部304を有する。この種の構造体は、膜側面および/または可撓導波路側面から来る信号波を検出することができる。
図5は、本発明のさらにもう一つの実施態様に従う可撓光センサモジュールの断面構造体を示す。本実施態様において、可撓光センサモジュールは可撓プリント回路(FPC)400、可撓導波路401、光源402、光検出素子403、ドライバ集積回路(IC)404および相互インピーダンス増幅器(TIA)チップ405を備える。本実施態様において、光源402、光検出素子403、ドライバ集積回路(IC)404および相互インピーダンス増幅器(TIA)チップ405は、FPC400上へ構成される/一体化される。ドライバIC404は、光を放出するための光源(例えば光電子装置)402を駆動するために用いられることができる。本実施態様において、可撓導波路401はFPC400の下に配置される(取り付けられる/実装される)。本実施態様において、FPC400はFPC側面から来る信号波と接触する/を検出するために可撓導波路401の部分的上面を露出させる開口部408を有する;ならびに、第1の光マイクロ反射表面401aおよび第2の光マイクロ反射表面401bがそれぞれ、可撓導波路401のV形状溝406の片側およびV形状溝407の別の側面に形成されるように、可撓導波路401はV形状溝406およびV形状溝407を有する。V形状溝406および407は、インプリンティングプロセス、ウエッジ切断プロセスまたはレーザー加工プロセスによって形成されることができる。FPC400は、震動検出のために可撓導波路401と組み合わさる。この種の構造体は、FPC側面および/または可撓導波路側面から来る信号波を検出することができる。光源402によって放出される光は、可撓導波路401の2つの側面でそれぞれ、第1の光マイクロ反射表面401aおよび第2の光マイクロ反射表面401b経由で反射されることができる。光源402、ドライバ集積回路(IC)404および光検出素子403、相互インピーダンス増幅器(TIA)チップ405はそれぞれ、FPC400の上面の2つの側面上に配置される。
図6は、本発明のさらにもう一つの実施態様に従うFPC上の慣性センサおよび光導波路を備えた可撓光センサモジュールの断面構造体を示す。本実施態様において、可撓光センサモジュールは、可撓プリント回路(FPC)500、光導波路501、光源502、光検出素子503、ドライバ集積回路(IC)および相互インピーダンス増幅器(TIA)チップ(図示せず)および慣性センサ504を備える。本実施態様において、光源502、光検出素子503、ドライバ集積回路(IC)および相互インピーダンス増幅器(TIA)チップは、FPC500上へ構成される/一体化される。本実施態様において、FPC500はその中に配置される慣性センサ504のための開口部を有する。さらに、慣性センサ504がFPC500上に配置される。光導波路501が、FPC500の下に配置される(取り付けられる/実装される)。本実施態様において、光導波路501は開口部に延在する慣性センサ504を露出させる開口部を有し、それによって慣性センサ504が外側からの信号波を検出することが可能である。光導波路501は、それぞれ、光導波路501の左側および右側に形成される第1の光マイクロ反射表面501aおよび第2の光マイクロ反射表面501bを有する。FPC500は、光案内のための光導波路501と組み合わさる。光導波路501が、Gbpsデータチャネルとなることができる。慣性センサ504は、シリコンベース505および震動検出に用いられるその上に形成されるピラミッド形状構造体506から成る。この種の構造体は、光源側面および/または光導波路側面から来る信号波を検出することができる。光源502によって作り出される(放出される)光は、光導波路501の2つの側面で、それぞれ、第1の光マイクロ反射表面501aおよび第2の光マイクロ反射表面501b経由で反射されることができる。光源502、ドライバ集積回路(IC)および光検出素子503、相互インピーダンス増幅器(TIA)チップがFPC500の上面の2つの側面上に配置されて、それぞれ、電気接続パッド502aおよび電気接続パッド503a経由でFPC500に連結される。
図7は、本発明に従う慣性センサの構造体を示す。慣性センサ504は、光反射のためのピラミッド形状構造体を有する。慣性センサ504は、ベース505および震動検出に用いられるその上に形成されるピラミッド形状構造体506から成る。ベース505は、例えばシリコンベースまたは二酸化珪素フィルムである。ピラミッド形状構造体506は、4つの45°斜面を有し、および、慣性センサ504が震動する時、45°斜面の各々は光導波路501からの光をブロックして反射するためにあることができる。もう一つの実施態様では、ピラミッド形状構造体506が複数の斜面を有し、複数斜面の各々が45度または任意の角度を有する;ピラミッド形状構造体506の斜面の数および斜面の角度は、用途の要件に依存する。
理解されるであろうことは、実施態様の上記の記述は例としてのみ与えられること、および種々の修正が当業者によってなされることができることである。上記の仕様、例およびデータは、本発明の例示的な実施態様の構造および使用の完全な記述を提供する。本発明の種々の実施態様が特定の程度の詳細でまたは一つ以上の個々の実施態様を参照して上記されたとはいえ、当業者は本発明の趣旨または範囲から逸脱することなく、開示された実施態様に対して数多くの変更をなすことができる。
100 基板
100a 第1の光マイクロ反射表面
100b 第2の光マイクロ反射表面
101 可撓導波路
102 光源
103 光検出素子
104 第1の溝
105 第2の溝
200 第1の基板
201 第2の基板
202 膜
203 可撓導波路
204 光源
205 光検出素子
206 第1の溝
207 第2の溝
300、300a 膜
301 可撓導波路
301a 第1の光マイクロ反射表面
301b 第2の光マイクロ反射表面
302 光源
303 光検出素子
304 開口部
400 FPC
401 可撓導波路
401a 第1の光マイクロ反射表面
401b 第2の光マイクロ反射表面
402 光源
403 光検出素子
404 ドライバIC
405 TIAチップ
406 V形状溝
407 V形状溝
408 開口部
500 FPC
501 光導波路
501a 第1の光マイクロ反射表面
501b 第2の光マイクロ反射表面
502 光源
502a 電気接続パッド
503 光検出素子
503a 電気接続パッド
504 慣性センサ
505 シリコンベース
506 ピラミッド形状構造体

Claims (6)

  1. 可撓光センサモジュールであって:
    第1の溝および第2の溝を備え、前記第1の溝が前記第1の溝の2つの側面に第1の光マイクロ反射表面および第2の光マイクロ反射表面を有する、支持基板;および
    前記支持基板の前記第1の溝上に配置される可撓導波路を備えることを特徴とする可撓光センサモジュール。
  2. 前記支持基板が、前記第1の溝を備えた第1の基板および前記第2の溝を備えた第2の基板を含み、前記第1の基板が、前記第2の基板上に配置されてかつ前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置される膜を更に備える請求項1に記載の可撓光センサモジュール。
  3. 可撓光センサモジュールであって:
    膜;および
    前記膜上に配置される可撓導波路であって、前記可撓導波路が、前記可撓導波路の2つの側面に第1の光マイクロ反射表面および第2の光マイクロ反射表面を有する可撓導波路を備え;
    前記膜が、前記可撓導波路の部分的上面を露出させる開口部を有することを特徴とする可撓光センサモジュール。
  4. 可撓光センサモジュールであって:
    その中に形成される第1の開口部を備えた可撓プリント回路;および
    前記可撓プリント回路の下に配置される光導波路を備え、前記光導波路が、第1の光マイクロ反射表面および第2の光マイクロ反射表面を有することを特徴とする可撓光センサモジュール。
  5. 前記光導波路が可撓導波路であり、そして、前記第1の光マイクロ反射表面および前記第2の光マイクロ反射表面がそれぞれ前記可撓導波路の第1のV形状溝および第2のV形状溝の片側で形成されるように、前記可撓導波路が、前記第1のV形状溝および前記第2のV形状溝を有することを特徴とする請求項4に記載の可撓光センサモジュール。
  6. 前記光導波路が、その中に形成される第2の開口部ならびに前記第1の開口部および前記第2の開口部まで延在する前記可撓プリント回路上に配置される慣性センサを有することを特徴とする請求項4に記載の可撓光センサモジュール。
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