JP2015082663A - 光センサモジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】震動の動的測定が可能な光センサモジュールを提供する。【解決手段】この光センサモジュール100は、光モジュールおよび震動検出ユニットを含む2個の部品を備える。震動検出ユニットは、光モジュール上に配置される。光モジュールは、光源105、光検出素子107および光マイクロ反射表面を備えた第2の基板102を備える。震動検出ユニットは、第1の基板101、膜103および光ゲート104を備える。膜103は、第1の基板101と光ゲート104との間に配置される。光源105および光検出素子107は、第2の基板102上に配置される。【選択図】図1

Description

本発明は光センサに関し、およびより詳しくは、光センサシステム内の震動を測定する光センサモジュールに関する。
一般に、光センサは光または電磁波のエネルギを電気エネルギに変換するものである。背景技術光センサは、それらの主要部品として半導体を有するフォトダイオード、アバランシェフォトダイオード、フォトトランジスタ、光MOS、CCDセンサおよびCMOSセンサ、光電効果を用いる光電子増倍管、などを含む。
以前の半導体光センサの中で、いくつかはキャリアを外部電流に直接変換することによって電流として出力信号を抽出するものであり、そこではキャリアは光による照射によって生成される電子または正孔である。他は、過半数の電流の変調として出力信号を抽出するものであり、そこでは変調は所定の局所的場所に累積される光発生キャリアによって局所的電場によって形成される。
最近、光センサの使用が、とりわけセンサが関連電子回路の性能/信頼性にひどく影響を及ぼす厳しい環境内に配置されなければならないような用途における検出用途に対してより優勢になってきた。光ファイバセンサはそれらがセンサに、またはその近くに何の電子回路も必要としないという利点を有する。光ファイバセンサでは、光は遠隔の位置から光ファイバを通して送られる。
光ファイバセンサは概ね、高速の動的な測定をするために設計されたものおよび低速の相対的に静的な測定のために設計されたものの、2つのカテゴリに分類される。動的センサの例は、信号が1Hz以上の率で変化する、水中聴音器、地中聴音器および音速センサを含む。低速(静的)センサの例は、信号変化の率が秒、分または時間のオーダーであることができる、温度、静水圧および構造上の張力を含む。多くの用途は、主に光ファイバセンサを使用する加速、音速および震動の動的測定に関する。
本発明において、光センサモジュールが提案される。この光センサモジュールは、光モジュールおよび震動検出ユニットを含む2個の部品を備える。震動検出ユニットは、光モジュール上に配置される(取り付けられる/実装される)。光モジュールは、光源、光検出素子および光マイクロ反射表面を備えた第2の基板を備える。震動検出ユニットは、第1の基板、膜および光ゲートを備える。膜は、第1の基板と光ゲートとの間に配置される。光源および少なくとも1個の光検出素子が、第2の基板上に(より上に)配置される。光センサモジュールは、単一光センサまたは光センサアレイであることができる。
1つの態様によれば、第2の基板は光マイクロ反射表面、凹状ベンチおよび位置合わせするためのガイドピンを有する。少なくとも1つの光ガイド層が、光をガイドするために第2の基板の凹状ベンチ(溝)内に形成される(充填される)。光ガイド層の材料は、ポリマー材料または誘電材料である。膜は、可撓性薄フィルムである。
別の態様によれば、第1の基板は膜を露出させるための開口部を有し、および第1のガイドピンが位置合わせするために膜の下に形成される。第2のガイドピンが、第1のガイドピンを支持して位置合わせするために第2の基板上に形成される。
光源は、可視光および不可視光を放出することが可能である。一実施態様において、少なくとも1つの溝が第2の基板の凹状構造体上に形成される。凹状構造体のこの少なくとも1つの溝に基づいて、光学部品(ケーブル)がこの少なくとも1つの溝に受動的に位置合わせされることができる。
本発明の部品、特性および利点が、明細書および添付の図面内に概説される好ましい実施態様の詳細な説明によって理解されることができる:
本発明の一実施態様に従う光センサモジュールを例示する; 図1の光センサの構造を例示する; 図1の光センサの構造を例示する; 本発明の一実施態様に従う光センサモジュールを例示する; 図1の光センサの構造を例示する; 本発明の一実施態様に従う光センサモジュールを例示する; 本発明の別の実施態様に従う光センサシステムを例示する; 本発明の一実施態様に従う光センサシステムを例示する。
本発明のいくつかの好ましい実施態様が、次により詳細に記述される。しかしながら、本発明の好ましい実施態様が本発明を限定することよりむしろ例証のために提供されることが認識されるべきである。加えて、本発明は明示的に記述されるものの他に広範囲にわたる他の実施態様において実践されることができ、および添付の請求の範囲内に指定される場合を除いて本発明の範囲は明白に限定されない。
図1は、本発明の一実施態様に従う光センサモジュールを示す。光センサモジュールは、震動検出素子(装置)として用いられることができ、それは標準半導体製造プロセスを使用することによって作られることができる。光素子が、検出システムとして震動検出素子に適用される。この検出システムは、音波、機械波動、地震波および他の媒体による任意の振動波動エネルギを検出することができる。本実施態様において、光センサモジュール100は2個の部品、光モジュールおよび震動検出ユニットを含む。震動検出ユニットは、光モジュール上に配置される(取り付けられる/実装される)。光モジュールは、光源105、光検出素子107、第2の基板102、凹状ベンチ102aおよびガイドピン(図示せず)を備える。震動検出ユニットは、第1の基板101、膜103、ガイドピン101bおよび光ゲート104を備える。膜103は、第1の基板101と光ゲート104との間に配置される。第1の基板101は、膜103上に配置される(取り付けられる/実装される)。第1の基板101は、膜103の領域を露出させるための開口部101aを有する。光ゲート104は、膜103の下に(上に)形成される(配置される)。光ゲート104は、第1の基板101の開口部101aの下に位置する。一実施態様において、光ゲート104は膜103上に取り付けられる(予め形成される)かまたは固定されることができる。光源105および光検出素子107は、第2の基板102上に(より上に)配置される。光源105は、可視光および不可視光を放出することが可能である。光源105は、例えばレーザー、赤外光または発光ダイオード(LED)である。赤外光は赤外バンド内にあり、それがレーザーまたはLEDによって放出されることができる。
図2は水平方向108に沿っての図1の光センサモジュールの断面構造を示す。第2の基板102は、オプティカルベンチとなるように用いられ、かつ、光ゲート104がその中に配置されることを容易にするための凹状ベンチ102a、および(45度角度または他の角度のような)指定された角度を有する光マイクロ反射表面102b、102cを有する。光ゲート104は、凹状ベンチ102a内に配置される。一実施態様において、凹状ベンチ102aのサイズは震動検出ユニット(第1の基板101、膜103および光ゲート104)のサイズより大きい。一実施態様において、第2の基板102はそれの上面の下に指定された深さの第1の溝(凹状構造体)102aを有する。第1の反射器が、第2の基板102内の凹状ベンチ102aの第1の端部に画定され、および、第2の反射器が第2の基板102内の凹状ベンチ102aの第2の端部に画定される。凹状構造体の第1の端部は第1の反射表面を形成し、および凹状構造体の第2の端部は第2の反射表面を形成する。凹状ベンチ102aは、第1の傾斜平面102bおよび第2の傾斜平面102cを有する。一実施態様において、オプティカルベンチ(第2の基板)102は(45度角度または他の角度のような)第1の指定された角度を有する第1のマイクロ反射表面(第1の傾斜平面)102bおよび(45度角度または他の角度のような)第2の指定された角度を有する第2のマイクロ反射表面(第2の傾斜平面)102cを含むことができ、マイクロ反射表面102bは、マイクロ反射表面102cの反対側である。凹状ベンチ102aは上向きである。
例えば、それぞれ、光源105は左側で第2の基板102の上面(マイクロ反射表面102b近く)に位置し(取り付けられ)、および、光検出素子107は右側の第2の基板102の上面(マイクロ反射表面102c近く)に位置する(取り付けられる)。したがって、光源105の(図1内に示される)光路105aは光源105によって放出される光信号が第2の基板102の第1の反射表面102bによって反射されて次いで光ゲート104に伝播するもの、または第2の基板102の第1の反射表面102bによって反射されて光ゲート104を通過し、そして次に、第2の基板102の第2の反射表面102cに伝播するものを含む。
光源105によって放出される可視光または不可視光は、光ゲート104に対して前方に反射するように第2の基板102の光マイクロ反射器102bに伝播し、それに続いて、光ゲート104によって反射する(もしくはブロックする)か、または光検出素子107によって受光されるように第2の基板102の光マイクロ反射器102cによって反射する。
信号波が光センサモジュール(震動検出装置)100の膜103に到達するにつれて、膜103は信号波によって振動する。光ゲート104が膜103上に取り付けられているので、光ゲート104はその時同時に振動する。例えば、膜103および光ゲート104の震動は共に上下に動き、したがって、光源105によって放出される光は光ゲート104によって反射される(ブロックされる)かまたは光検出素子107によって受光される。したがって、光検出素子107によって検出される光の強度は、光ゲート104の震動とともに(増加して)変わる。検出される光の強度は、電気信号出力に変換される。したがって、震動検出の機能が達成されることができる。
光センサモジュール(震動検出装置)100の検出に基づいて、震動検出の機能が達成されることができる。震動検出装置100は、音波、機械波動、地震波...およびその他の媒体衝撃で生じる衝撃波動エネルギを検出するための震動検出機能を備えた震動検出部品として用いられる。震動検出装置100は、光検出システムとなるようにその中に光源105および光検出素子107を一体化する。したがって、本発明は震動検出システムとして光検出システムを使用する。
光ゲート104の配置される位置、数、高さおよびサイズは、実用的用途に対する要件(種々の信号波、検出源)に依存する。第1の基板101、第2の基板102および膜103の材料および厚さは、実用的用途に対する要件(種々の信号波、検出源)に基づいて選ばれることができる。例えば、第1の基板101および第2の基板102の材料は、シリコンである。したがって、開口部101aおよび凹状ベンチ(溝)102aは標準半導体プロセス(フォトリトグラフィプロセス、エッチングプロセス)によって形成されることができる。例えば、膜103は可撓性薄フィルムである。
さらに、光ガイド層106a、106bが、図3に示される第2の基板102の凹状ベンチ(溝)102a内に形成される(充填される)。光ゲート104は、光ガイド層106aと光ガイド層106bとの間に配置される。光ガイド層106a、106bの材料は、ポリマー材料、誘電材料を含む。信号波が光センサモジュール(震動検出装置)100の膜103に到達するにつれて、膜103および光ゲート104は信号波によって共に振動する。光ガイド106aから光ガイド106bへの光信号は、光ゲート104の震動によって影響される。したがって、光検出素子107によって検出される光の強度は、光ゲート104の震動とともに(増加して)変わる。検出される光の強度は、電気信号出力に変換される。したがって、信号波の震動検出が達成されることができる。
図5は図4の垂直方向109に沿っての図1の光センサモジュールの断面構造を示す。ガイドピン101bおよびガイドピン102dは、図5に示される位置合わせ基線となるように用いられる。したがって、震動検出ユニットは第2の基板102のガイドピン102dにガイドピン101bを位置合わせすることによって光モジュール上に配置される(取り付けられる/実装される)。ガイドピン102dは、第1の接触傾斜を備えた傾斜バンプである。ガイドピン101bは、第2の接触傾斜を有する。ガイドピン101bの第2の接触傾斜の角度は、傾斜バンプ102dの第1の接触傾斜と実質的に同じである。位置合わせした後に、ガイドピン101bおよびガイドピン102dの総高さ(垂直)は、光ゲート104の厚さ(垂直)より大きい。したがって、光ゲート104の上部および底部位置は、組み立ての際にガイドピン101bおよびガイドピン102dの総高さ(垂直)に依存する。ガイドピン101bは、接触傾斜の方向にガイドピン102d上に配置される。一実施態様において、ガイドピン101bは接着剤によってガイドピン102d上に取り付けられる。例えば、ガイドピン101bは第1の基板101の一部または単一部品である。および、ガイドピン102dは第2の基板102の一部または独立部品である。ガイドピン101bは、膜103の下に(上に)取り付けられる。ガイドピン101bおよびガイドピン102dは、標準半導体プロセス(フォトリトグラフィプロセス、エッチングプロセス)によって形成されることができる。もう一つの実施態様では、膜103は位置合わせのための上述のガイドピン(101b、102d)なしで接着剤または金属ボンディングによって第2の基板102上に配置される(取り付けられる)。
図6は、本発明の一実施態様に従う光センサモジュールを示す。本実施態様において、光源105の光路は光学スプリッタ、光路105aおよび光路105bによって作り出される2本の光路に分割される。光センサモジュール100aは、光検出素子107、107aを備える。光路105aは、図1と同じように光ゲート104を通して光検出素子107まで通過する。別の光路105bは、光ゲート104を通過せず、かつ光検出素子107aに到達する。光路105aおよび光路105bの2つの光信号は、互いに比較されることができ、かつ精度を向上させるために数値解析を更に実行する。
図7は、本発明の別の実施態様に従う光センサシステムを示す。本実施態様において、光センサシステム200は2x2アレイ光センサモジュール100を備える。したがって、外部の信号波に対する震動検出の性能が高められることができる。もう一つの実施態様では、光センサは図8内に示される単一光センサまたは光センサアレイ(マトリクスセンサ)であることができる。マトリクスセンサは、mxnマトリクス光センサによって構成され、ここでmおよびnの数は1より大きな整数である。
理解されるであろうことは、実施態様の上記の記述は例としてのみ与えられること、および種々の修正が当業者によってなされることができることである。上記の仕様、例およびデータは、本発明の例示的な実施態様の構造および使用の完全な記述を提供する。本発明の種々の実施態様が特定の程度の詳細でまたは一つ以上の個々の実施態様を参照して上記されたとはいえ、当業者は本発明の趣旨または範囲から逸脱することなく、開示された実施態様に対して数多くの変更をなすことができる。
100、100a 光センサモジュール
101 第1の基板
101a 開口部
101b ガイドピン
102 第2の基板
102a 凹状ベンチ
102b 第1の光マイクロ反射表面
102c 第2の光マイクロ反射表面
102d ガイドピン
103 膜
104 光ゲート
105 光源
105a、105b 光路
106a、106b 光ガイド層
107、107a 光検出素子
108 水平方向
109 垂直方向
200 光センサシステム

Claims (5)

  1. 光センサモジュールであって:
    膜;
    前記膜の領域を露出させるための開口部を備えた第1の基板であって、前記膜上に配置される前記第1の基板;および
    前記膜の下に配置される光ゲートを備えることを特徴とする光センサモジュール。
  2. その上に形成される第1の光マイクロ反射表面および第2の光マイクロ反射表面を有する凹状構造体を備えた第2の基板を更に備え、前記光ゲートが、前記凹状構造体内に配置されることを特徴とする請求項1に記載の光センサモジュール。
  3. 前記膜が、接着剤または金属ボンディングによって前記第2の基板上に配置されることを特徴とする請求項2に記載の光センサモジュール。
  4. 前記膜の下に形成される第1のガイドピンおよび前記第2の基板上に形成される第2のガイドピンを更に備え、前記第1のガイドピンが、前記第2のガイドピン上に取り付けられることを特徴とする請求項2に記載の光センサモジュール。
  5. 前記第2の基板上に配置される光源および前記第2の基板上に配置される光検出素子を更に備える請求項2に記載の光センサモジュール。

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