JP2015119068A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
ウエーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015119068A JP2015119068A JP2013262197A JP2013262197A JP2015119068A JP 2015119068 A JP2015119068 A JP 2015119068A JP 2013262197 A JP2013262197 A JP 2013262197A JP 2013262197 A JP2013262197 A JP 2013262197A JP 2015119068 A JP2015119068 A JP 2015119068A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cutting
- die bonding
- bonding film
- tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】 ダイボンディング工程において不良を発生させる恐れを低減可能なウエーハの加工方法を提供することである。【解決手段】 表面に形成された交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面にダイボンディング用フィルムを介してダイシングテープを貼着するテープ貼着ステップと、該テープ貼着ステップを実施した後、該ダイシングテープを介してウエーハをチャックテーブルで保持する保持ステップと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの表面から切削ブレードを該ダイシングテープに至るまで切り込ませ、該分割予定ラインに沿って切削してウエーハと該ダイボンディング用フィルムを分断する分断溝を形成する切削ステップと、該切削ステップを実施した後、該分断溝に沿って熱を照射して該切削ステップで発生した該ダイボンディング用フィルムの髭状のバリを縮小溶融させる熱照射ステップと、を備えたことを特徴とする。【選択図】図５
Description
本発明は、ダイボンディング用フィルム付きウエーハを分割して複数のダイボンディング用フィルム付きチップを形成するウエーハの加工方法に関する。
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域にＩＣやＬＳＩ等のデバイスが形成された半導体ウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスへと分割することで半導体デバイスが形成される。
分割された半導体デバイスは、金属製基板（リードフレーム）やテープ基板等にダイボンディング（接着）され、これらの金属製基板やテープ基板が分割されることで個々の半導体チップが製造される。こうして製造された半導体チップは、携帯電話やパソコン等の各種電子機器に広く使用されている。
半導体デバイスを基板上にダイボンディングするには、基板上の半導体デバイス搭載位置に半田やＡｕ−Ｓｉ共晶、樹脂ペースト等の接着剤を供給してその上に半導体デバイスを載置して接着する方法が用いられている。
近年では、例えば特開２０００−１８２９９５号公報に開示されているように、予め半導体ウエーハの裏面にＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）やＤＢＦ（Ｄｉｅ Ｂｏｎｄ Ｆｉｌｍ）と称されるシート状のダイボンド用フィルムを貼着しておく方法が広く採用されている。
即ち、ＤＡＦが接着された半導体ウエーハを個々のチップへと分割することで、ＤＡＦが裏面に装着された半導体チップを形成する。その後、半導体チップ裏面のＤＡＦを介して半導体チップを基板上にダイボンディングすることで、使用する接着剤を最小限とし、また半導体チップの搭載エリアを最小にできるというメリットがある。
しかし、ＤＡＦは延性が高いため、ＤＡＦが接着された半導体ウエーハを切削ブレードで切削すると、切削されたＤＡＦに髭状のバリが発生してボンディング時の断線の原因になるという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ダイボンディング工程において不良を発生させる恐れを低減可能なウエーハの加工方法を提供することである。
本発明によると、表面に形成された交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面にダイボンディング用フィルムを介してダイシングテープを貼着するテープ貼着ステップと、該テープ貼着ステップを実施した後、該ダイシングテープを介してウエーハをチャックテーブルで保持する保持ステップと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの表面から切削ブレードを該ダイシングテープに至るまで切り込ませ、該分割予定ラインに沿って切削してウエーハと該ダイボンディング用フィルムを分断する分断溝を形成する切削ステップと、該切削ステップを実施した後、該分断溝に沿って熱を照射して該切削ステップで発生した該ダイボンディング用フィルムの髭状のバリを縮小溶融させる熱照射ステップと、
を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
本発明のウエーハの加工方法では、ウエーハを切削した後、切削して形成した分断溝に熱を照射する熱照射ステップを実施する。分断溝に熱を照射することで、切削ステップで発生したダイボンディング用フィルムの髭状のバリは収縮し溶融するため、バリが分割されたチップの表面に達して表面に付着する恐れを低減することができ、後のボンディング工程において不良を発生させる恐れを低減することができる。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、半導体ウエーハ（以下、単にウエーハと略称することがある）１１の表面側斜視図が示されている。
半導体ウエーハ１１は、例えば厚さが１００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面１１ａに複数の分割予定ライン（ストリート）１３が格子状に形成されているとともに、複数の分割予定ライン１３によって区画された各領域にＩＣ，ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。ウエーハ１１の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ１７が形成されている。１１ｂはウエーハ１１の裏面である。
本発明のウエーハの加工方法では、まず図２に示すように、ウエーハ１１の裏面をＤＡＦ等のダイボンディング用フィルム１２に貼着し、ダイボンディング用フィルム１２を外周部が環状フレームＦに貼着されたダイシングテープＴに貼着する。即ち、ウエーハ１１の裏面１１ｂをダイボンディング用フィルム１２を介してダイシングテープＴに貼着するテープ貼着ステップを実施する。
テープ貼着ステップを実施した後、図３に示すように、切削装置のチャックテーブル１４でダイシングテープＴを介してウエーハ１１を吸引保持する保持ステップを実施する。環状フレームＦはクランプ１６によりクランプして固定する。
次いで、図示しない切削装置の撮像ユニットでチャックテーブル１４に保持されたウエーハ１１を撮像し、撮像画像からパターンマッチング等の画像処理により切削すべきストリート１３を検出するアライメントを実施する。
アライメントを実施した後、図４に示すように、スピンドル１８に装着された切削ブレード２０を矢印Ａ方向に高速回転させながら、ウエーハ１１の表面１１ａからダイシングテープＴに至るまで切り込ませ、チャックテーブル１４を加工送りすることにより、分割予定ライン１３に沿って切削してウエーハ１１とダイボンディング用フィルム１２を分断する分断溝１９を形成する切削ステップを実施する。
この切削ステップは、切削ブレード２０を割り出し送りしながら第１の方向に伸長する全ての分割予定ライン１３に沿って実施後、チャックテーブル１４を９０°回転し、第１の方向に直交する第２の方向に伸長する全ての分割予定ライン１３に沿って実施し、ウエーハ１１を裏面にダイボンディング用フィルム１２が貼着された個々のチップ２１に分割する。
ダイボンディング用フィルム１２は延性が高いため、ダイボンディング用フィルム１２が貼着されたウエーハ１１を切削ブレード２０で切削すると髭状のバリ２２が発生し、このバリ２２がチップ２１の表面に付着することがある。チップ２１の表面に付着したバリ２２をそのまま残しておくと、チップ２１ボンディング時の断線の原因になるという問題がある。
従って、本発明では、図５に示すように、熱照射装置のチャックテーブル１４ＡでダイシングテープＴを介してウエーハ１１を吸引保持し、クランプ１６Ａで環状フレームＦをクランプして固定する。
そして、ヒーター又は熱照射ランプ２４からウエーハ１１の分断溝１９に沿って熱を照射して、切削ステップで発生したダイボンディング用フィルム１２の髭状のバリ２２を縮小溶融させ、チップ２１の表面からはバリ２２を完全に除去する（熱照射ステップ）。
熱照射ステップ実施後、図６に示すように、ピックアップ装置のチャックテーブル１４ＢでダイシングテープＴを介してウエーハ１１を吸引保持し、環状フレームＦをクランプ１６Ｂでクランプして固定する。そして、ピックアップコレット２６により裏面にダイボンディング用フィルム１２が貼着されたチップ２１をピックアップし、チップ収容容器等に収容する。
本発明のウエーハの加工方法で製造されたチップ２１は、熱照射ステップでダイボンディング用フィルム１２の髭状のバリ２２を縮小させてチップ２１の表面から除去しているため、チップ２１のダイボンディング時に断線等の不良を発生させる恐れを低減できる。
１１ 半導体ウエーハ
１２ ダイボンディング用フィルム
１４，１４Ａ，１４Ｂ チャックテーブル
１９ 分断溝
２０ 切削ブレード
２２ バリ
２４ 熱照射ランプ
２６ ピックアップコレット
１２ ダイボンディング用フィルム
１４，１４Ａ，１４Ｂ チャックテーブル
１９ 分断溝
２０ 切削ブレード
２２ バリ
２４ 熱照射ランプ
２６ ピックアップコレット
Claims (1)
- 表面に形成された交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
ウエーハの裏面にダイボンディング用フィルムを介してダイシングテープを貼着するテープ貼着ステップと、
該テープ貼着ステップを実施した後、該ダイシングテープを介してウエーハをチャックテーブルで保持する保持ステップと、
該チャックテーブルに保持されたウエーハの表面から切削ブレードを該ダイシングテープに至るまで切り込ませ、該分割予定ラインに沿って切削してウエーハと該ダイボンディング用フィルムを分断する分断溝を形成する切削ステップと、
該切削ステップを実施した後、該分断溝に沿って熱を照射して該切削ステップで発生した該ダイボンディング用フィルムの髭状のバリを縮小溶融させる熱照射ステップと、
を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013262197A JP2015119068A (ja) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | ウエーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013262197A JP2015119068A (ja) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | ウエーハの加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015119068A true JP2015119068A (ja) | 2015-06-25 |
Family
ID=53531546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013262197A Pending JP2015119068A (ja) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2015119068A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11145515B2 (en) | 2017-06-15 | 2021-10-12 | Denso Corporation | Manufacturing method of semiconductor device with attached film |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04139785A (ja) * | 1990-09-29 | 1992-05-13 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載用基板のバリ取り装置 |
| JP2004079597A (ja) * | 2002-08-12 | 2004-03-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体チップの加工方法 |
| JP2006237375A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Toshiba Corp | ダイシング方法 |
| JP2010123823A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
-
2013
- 2013-12-19 JP JP2013262197A patent/JP2015119068A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04139785A (ja) * | 1990-09-29 | 1992-05-13 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載用基板のバリ取り装置 |
| JP2004079597A (ja) * | 2002-08-12 | 2004-03-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体チップの加工方法 |
| JP2006237375A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Toshiba Corp | ダイシング方法 |
| JP2010123823A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11145515B2 (en) | 2017-06-15 | 2021-10-12 | Denso Corporation | Manufacturing method of semiconductor device with attached film |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6052304B2 (ja) | エキスパンド方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 | |
| TW200921777A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| TWI653678B (zh) | Wafer processing method | |
| JP2005019525A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP2016001677A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP2009272421A (ja) | デバイスの製造方法 | |
| JP2007266557A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TW201436013A (zh) | 晶圓之加工方法 | |
| JP2010027857A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JP6257291B2 (ja) | パッケージ基板の加工方法 | |
| JP2006245209A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP2013235917A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
| JP2016225371A (ja) | ウェーハの分割方法 | |
| JP2017157749A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP2005116739A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| CN112670241A (zh) | 被加工物的加工方法 | |
| JP5508108B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2015092525A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP2015119068A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP5486865B2 (ja) | 金属層付きチップの製造方法 | |
| JP2014013807A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP4532358B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP2019016731A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP2014007331A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP2014007332A (ja) | ウエーハの加工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161017 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170620 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170622 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20171212 |