JP2015095456A - 膜形成用マスク、これを用いた膜形成方法及び有機発光表示装置の製造方法 - Google Patents

膜形成用マスク、これを用いた膜形成方法及び有機発光表示装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は膜形成用マスク、これを用いた膜形成方法及び有機発光表示装置の製造方法に関し、特に均一な厚さの膜を形成するためのマスク、これを用いた膜形成方法及び有機発光表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明による膜形成用マスクは連続的な膜を形成しようとする領域に対応する単位領域であって、少なくとも一つの吸光部及び少なくとも一つの反射部を含む単位領域を備え、前記単位領域に位置する前記吸光部と前記反射部は互いに異なる領域に位置する。【選択図】図１１

Description

本発明は膜形成用マスク、これを用いた膜形成方法及び有機発光表示装置の製造方法に係り、特に均一な厚さの膜を形成するためのマスク、これを用いた膜形成方法及び有機発光表示装置の製造方法に関する。
液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）及び電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ）などの表示装置は、電場生成電極と電気光学活性層（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃａｌ ａｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）を含む。液晶表示装置は電気光学活性層として液晶層を含み、有機発光表示装置は電気光学活性層として発光層を含み、電気泳動表示装置は電荷を帯びた粒子を含むことができる。電場生成電極は薄膜トランジスタなどのスイッチング素子に接続されてデータ信号を受信することができ、電気光学活性層はこのようなデータ信号を光学信号に変換することによって画像を表示する。
様々な表示装置のうち、例えば有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ）は自己発光型であって別途の光源が必要ないので消費電力側面から有利であるだけでなく、応答速度、視野角及びコントラスト比（ｃｏｎｔｒａｓｔ ｒａｔｉｏ）も優れている。
有機発光表示装置は赤色画素、青色画素、緑色画素及び白色画素などの複数の画素（ｐｉｘｅｌ）を含み、これら画素を組み合わせてフルカラー（ｆｕｌｌ ｃｏｌｏｒ）を表現することができる。各画素は有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｅｌｅｍｅｎｔ）とこれを駆動するための複数の薄膜トランジスタを含む。
有機発光素子は、電場生成電極である画素電極と共通電極、そして二つの電極の間に位置する発光部材を含む。画素電極及び共通電極のうちの一つの電極はアノード電極になり、他の電極はカソード電極になる。カソード電極から注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）とアノード電極から注入された正孔（ｈｏｌｅ）が、発光部材が含む発光層で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、励起子がエネルギーを放出しながら発光する。発光部材は有機物質を含んでもよい。
このような表示装置をはじめとする多様な電子装置の製造過程は基板上に多数の膜パターンを形成する過程を含む。膜パターンはインクジェットプリンティング、スクリーンプリンティング、フォトリソグラフィなど多様な方法で形成することができる。
特に、膜が有機物質を含む有機膜である場合には、有機物質が酸素、水分などに非常に敏感であるので、無機膜パターンを形成する一般的なリソグラフィ方法、特にフォトリソグラフィなどの方法が使用できない。有機膜パターンは、インクジェット法、スピンニング法、ノズル法などを活用したプリンティング工程、蒸着及びパターニング工程、シャドーマスクを用いた蒸着工程、熱またはレーザなどを用いた転写工程などを通じて形成できる。
このようにパターンを有する膜を形成する様々な方法のうちの転写工程は大型基板に低費用で且つ簡単に膜パターンを形成することができる方法として多く活用される。
特開２０１０−０９３０６８
本発明の目的は、転写工程で均一な膜の厚さが形成可能な膜形成用マスク及び膜形成方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、転写工程で均一な膜の厚さが形成可能な膜形成用マスクを用いた有機発光表示装置の製造方法を提供することにある。
本発明の一実施形態による膜形成用マスクは、連続的な膜を形成しようとする領域に対応する単位領域であって、位置する少なくとも一つの吸光部及び少なくとも一つの反射部を含む単位領域を備え、前記単位領域において前記吸光部と前記反射部が互いに異なる領域に位置する。
本発明の一実施形態による膜形成方法は、連続的な膜を形成しようとする領域に対応する単位領域であって、少なくとも一つの吸光部及び少なくとも一つの反射部を含む単位領域を備え、前記単位領域において前記吸光部と前記反射部が互いに異なる領域に位置する膜形成用マスクの上に積層物質を塗布する段階と、前記膜形成用マスクと対象基板を互いに整列する段階と、前記膜形成用マスクの背面に光を照射して前記吸光部を加熱させる段階とを含む。
本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、連続的な膜を形成しようとする領域に対応する単位領域にであって、少なくとも一つの吸光部及び少なくとも一つの反射部を含む単位領域を備え、前記単位領域において前記吸光部と前記反射部が互いに異なる領域に位置する膜形成用マスクの上に発光部材用有機物質を塗布する段階と、前記膜形成用マスクと対象基板を互いに整列する段階と、前記膜形成用マスクの背面に光を照射して前記吸光部を加熱させる段階とを含む。
前記単位領域で前記吸光部と前記反射部は第１方向及び前記第１方向と異なる第２方向のうちの少なくとも一方向において交互に配置されていてもよい。
基板と、前記基板上に位置し、前記吸光部を形成する少なくとも一つの吸光層と、前記基板上に位置し、前記反射部を形成する少なくとも一つの反射層とを含んでもよい。
前記単位領域の端に位置する傾斜領域を有し、前記傾斜領域に位置する前記吸光層または前記反射層は前記基板の面に対して上向きに傾斜を成してもよい。
前記傾斜領域で前記吸光層または前記反射層が前記基板の面に対して成す傾斜角はほぼ４０度乃至ほぼ５０度であってもよい。
前記傾斜領域の幅は、前記吸光部または前記反射部の幅より小さいか同一であってもよい。
前記傾斜領域の前記反射層及び前記吸光層と前記基板の間に位置する挿入層をさらに含み、前記挿入層の上面は傾斜面を成してもよい。
前記反射層と前記吸光層は同一層に位置し、互いに重畳しなくてもよい。
前記反射層と前記吸光層は互いに異なる層に位置し、前記吸光層は前記反射層と重畳する部分を含んでもよい。
前記吸光部及び前記反射部のうちの少なくとも一つは四角形であってもよい。
前記単位領域の端に位置する縁領域と、前記縁領域で囲まれた中心領域と、を備え、前記縁領域に位置する前記吸光部及び前記反射部のうちの少なくとも一つは短辺及び長辺を含むほぼ長方形であり、前記中心領域に位置する前記吸光部及び前記反射部のうちの少なくとも一つはほぼ正四角形であってもよい。
基板と、前記基板上に位置し、前記吸光部を形成する少なくとも一つの吸光層と、前記基板上に位置し、前記反射部を形成する少なくとも一つの反射層とを含み、前記単位領域の端に位置する傾斜領域を備え、前記傾斜領域に位置する前記吸光層または前記反射層は前記基板の面に対して上向きに傾斜を成し、前記縁領域に位置する前記吸光部または前記反射部の前記短辺の長さは前記傾斜領域の幅とほぼ同一であってもよい。
前記吸光部及び前記反射部のうちの少なくとも一つは前記単位領域の中心を囲む帯形状を有してもよい。
前記吸光部及び前記反射部のうちの一つは前記単位領域の中心に位置し、前記単位領域の中心に位置する前記吸光部または前記反射部は多角形であってもよい。
前記単位領域の最も外側に位置する前記吸光部または前記反射部の幅はその内側に位置する前記吸光部または前記反射部の幅より大きくてもよい。
前記単位領域の中心に前記吸光部を配置し、前記単位領域の中心周囲に前記中心に位置する前記吸光部と離隔されている他の吸光部を配置してもよい。
前記単位領域の中心周囲に位置する前記吸光部は前記単位領域の角付近に配置してもよい。
基板と、前記基板上に位置し、前記吸光部を形成する少なくとも一つの吸光層と、前記基板上に位置し、前記反射部を形成する少なくとも一つの反射層とを含み、前記単位領域の端に位置する傾斜領域を備え、前記傾斜領域に位置する前記吸光層または前記反射層は前記基板の面に対して上向きに傾斜を成し、前記傾斜領域の内側境界は前記単位領域の中心周囲に位置する前記吸光部の端境界とほぼ整列していてもよい。
本発明に係るマスク及びそのマスクを用いた膜形成方法によれば、膜の厚さを均一に形成することができる。
また、本発明に係るマスク及びそのマスクを用いた有機発光表示装置の製造方法によれば、各画素に均一な厚さの発光部材を有する有機発光表示装置を製造することができる。
本発明の一実施形態による膜形成用マスクの平面図である。 本発明の一実施形態による膜形成用マスクの平面図である。 図１に示した膜形成用マスクのＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。 図３に示した膜形成用マスクを用いて対象基板上に膜を形成する工程を示す概略図である。 本発明の一実施形態による膜形成用マスクを用いて形成した膜の位置による厚さを示すシミュレーショングラフを示す図である。 本発明の一実施形態による膜形成用マスクの断面図である。 図６に示した膜形成用マスクを用いて対象基板上に膜を形成する工程を示す概略図である。 本発明の一実施形態による膜形成用マスクの平面図である。 図８に示した膜形成用マスクのＩＸ−ＩＸ線による断面図である。 図８に示した膜形成用マスク及び対象基板の斜視図である。 図９に示した膜形成用マスクを用いて対象基板上に膜を形成する工程を示す概略図である。 図８に示した膜形成用マスクを用いて形成した膜の厚さを示すシミュレーション結果を示す図である。 図８に示した膜形成用マスクのＩＸ−ＩＸ線による断面図の他の例を示す図である。 図１３に示した膜形成用マスクを用いて対象基板上に膜を形成する工程を示す概略図である。 本発明の一実施形態による表示装置が含む複数の画素の配置図である。 本発明の一実施形態による表示装置が含む複数の画素の配置図である。 本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。 本発明の一実施形態による膜形成用マスクの平面図である。 図１８に示した膜形成用マスクのＸＩＸ−ＸＩＸ線による断面図である。 図１８に示した膜形成用マスクを用いて形成した膜の厚さを示すシミュレーション結果を示す図である。 本発明の一実施形態による膜形成用マスクの平面図である。 図２１に示した膜形成用マスクを用いて形成した膜の厚さを示すシミュレーション結果を示す図である。 本発明の一実施形態による膜形成用マスクの平面図である。 図２３に示した膜形成用マスクを用いて形成した膜の厚さを示すシミュレーション結果を示す図である。 本発明の一実施形態による膜形成用マスクの平面図である。
添付した図面を参照して本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳しく説明する。しかし、本発明は様々な形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面で、様々な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体に亘って同一又は類似の部分については同一の参照符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるというとき、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなく、それらの間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“直上”にあるというときはそれらの間に他の部分がないことを意味する。
以下、本発明の一実施形態による膜形成用マスク、これを用いた膜形成方法及び有機発光表示装置の製造方法について図面を参照して詳細に説明する。
本発明の一実施形態による膜形成用マスク１は、連続的な膜を形成しようとする領域に対応する単位領域ＴＡに位置する少なくとも一つの吸光部Ｐと少なくとも一つの反射部Ｒを含む。単位領域ＴＡにおいて吸光部Ｐと反射部Ｒは互いに異なる領域に位置する。単位領域ＴＡに位置する吸光部Ｐと反射部Ｒは多様な形状を有してもよい。このような吸光部Ｐ及び反射部Ｒの多様な形状について様々な図面を参照して説明する。
まず、図１乃至図５を参照して本発明の一実施形態による膜形成用マスクについて説明する。
図１及び図２はそれぞれ本発明の一実施形態による膜形成用マスクの平面図であり、図３は図１に示した膜形成用マスクのＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
図１または図２に示すように、本発明の一実施形態による膜形成用マスク１は単位領域ＴＡに位置し少なくとも一方向において交互に配列された少なくとも一つの吸光部Ｐと少なくとも一つの反射部Ｒを含む。特に一つの単位領域ＴＡにおいて一つの方向に互いに離隔した複数の吸光部Ｐを配置してもよい。
単位領域ＴＡは対象基板（図示せず）の上に膜を形成する時に膜パターンの単位になる領域であって、単位領域ＴＡに対応する領域に形成された膜は連続的に形成される。単位領域ＴＡの一辺の長さはほぼ数μｍ乃至数百μｍであってもよいが、これに限定されるものではない。
図１及び図２はそれぞれある一方向、例えば横方向においてのみ少なくとも一つの吸光部Ｐと少なくとも一つの反射部Ｒが交互に配列された例を示す。図１は単位領域ＴＡの端に反射部Ｒが配置された例を示し、図２は単位領域ＴＡの端に吸光部Ｐが配置された例を示す。しかし、吸光部Ｐと反射部Ｒが交互に配列される方法はこれに限定されず、多様に変更してもよい。
吸光部Ｐまたは反射部Ｒの幅（ａ）は数μｍ、例えばほぼ２μｍ乃至ほぼ５μｍであってもよいが、これに限定されるものではない。反射部Ｒの幅（ｂ）は数μｍ、例えばほぼ２μｍ乃至ほぼ５μｍであってもよいが、これに限定されるものではない。
図３に示すように、吸光部Ｐと反射部Ｒは基板１０の上に交互に配置された吸光層３０及び反射層４０によって形成されてもよい。吸光層３０と反射層４０は同一層に配置してもよい。
基板１０は光が透過できる透明性を有してもよい。基板１０は例えばポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレートなどのような高分子物質またはガラスを含んでもよい。
吸光層３０は光を吸収してこれを熱エネルギーに変換させることができ、光の反射率が低い。吸光層３０は所定の光学密度（ｏｐｔｉｃａｌ ｄｅｎｓｉｔｙ）及び光吸収性を有する物質を含んでもよい。例えば、吸光層３０はモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属またはこれらの酸化物または硫化物またはこれらの合金、カーボンブラック、黒鉛または赤外線染料を光吸収性物質として含む高分子材料のうちの少なくとも一つを含んでもよい。
吸光層３０は単一膜または多重膜として形成してもよい。例えば、吸光層３０はモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属またはこれらの酸化物または硫化物またはこれらの合金、カーボンブラック、黒鉛または赤外線染料を光吸収性物質として含む高分子材料などの単一膜として形成してもよく、金属層と金属酸化物が交互に積層された構造から形成してもよい。多重膜の場合、金属酸化物はＩＴＯ、ＴＣＯ、ＴｉＯ２などの透明な金属酸化物を含んでもよい。多重膜は金属層と隣接し酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）などを含むことができる保護膜をさらに含んでもよい。
反射層４０は反射率の高い物質を含む。例えば、反射層４０はアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、またはこれらの合金のうちの少なくとも一つを含んでもよい。
吸光層３０と反射層４０はスパッタリング、蒸着、メッキなどの方法によって積層してもよく、フォトリソグラフィなどのパターニング方法を用いてパターニングしてもよい。
図３に示すように、単位領域ＴＡの外側領域には周辺反射層（ｐｅｒｉｐｈｅｒｙ ｒｅｆｌｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）４２を配置してもよい。周辺反射層４２も反射層４０のように反射率の高い物質を含んでもよい。周辺反射層４２は隣接した単位領域ＴＡの間に配置してもよい。
以下、前述した図面と共に図４及び図５を参照して本発明の一実施形態による膜形成用マスクを用いた膜形成方法について説明する。
図４は図３に示した膜形成用マスクを用いて対象基板上に膜を形成する工程を示す概略図であり、図５は本発明の一実施形態による膜形成用マスクを用いて形成した膜の位置による厚さを示すシミュレーショングラフを示す図である。
図４に示すように、本発明の一実施形態による膜形成用マスク１の吸光層３０及び反射層４０の上に膜の材料である積層物質１００を塗布する。積層物質１００は有機物質を含んでもよい。
積層物質１００と吸光層３０及び反射層４０の間には積層物質１００と吸光層３０及び反射層４０の間の反応を防止することができる保護層（図示せず）をさらに配置してもよい。保護層は、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの物質を含んでもよい。
その次に、膜を形成する対象基板１１０を膜形成用マスク１と対向させて整列する。対象基板１１０と膜形成用マスク１の間のギャップｄＧはほぼ数μｍ、例えばほぼ３μｍであってもよいが、これに限定されるものではない。
その次に、フラッシュランプ、ハロゲンランプ、レーザなどの光源９０を膜形成用マスク１の基板１０がある背面に位置させて光を照射する。そうすると、反射層４０に照射された光は反射され、吸光部Ｐに位置する吸光層３０に照射された光は、吸光層３０において吸収されて熱エネルギーに変換され、吸光層３０が加熱され、吸光部Ｐの上に位置する積層物質１００も加熱される。これにより、吸光層３０の上またはその周囲の積層物質１００のみ蒸発され、対象基板１１０の上に転写されて蒸着され得る。
対象基板１１０の単位領域ＴＡに対応する領域に形成された膜は連続的に形成される。特に単位領域ＴＡに形成された連続的な膜の厚さが少なくとも一方向に非常に均一に形成できる。
従来の技術のように一つの単位領域ＴＡに対応して一つの吸光部Ｐのみ配置されているマスクを用いて積層物質を転写すれば、単位領域ＴＡの中央部分に蒸着された膜の厚さが最も厚く、端に行くほど厚さが薄くなり、ほぼガウス分布（Ｇａｕｓｓｉａｎ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）の厚さで膜が形成される。したがって、目標にする均一な膜の厚さを得ることができず、特に端部分の膜の厚さが目標の厚さに対して大幅に達することができずに外側に長く延び、所望の形状と大きさの膜パターンを得ることができない。
しかし、本発明の一実施形態による膜形成用マスク１を用いて膜を形成すれば、一つの単位領域ＴＡに複数の吸光部Ｐが位置し、それから積層物質１００が蒸発されて対象基板１１０の上に蒸着されるので、複数のガウス分布が重なった形状に膜が蒸着され、一単位領域ＴＡに連続的に形成された膜の厚さが少なくとも横方向の全体においてに均一であり得る。
図５は対象基板１１０の上に蒸着された膜の目標厚さに対する蒸着率の位置による変化を示す。本シミュレーションで、単位領域ＴＡの１はほぼ２０μｍとした。図５に示すように、単位領域ＴＡに対応して形成された膜の厚さは大部分が目標厚さのほぼ９０％以上であり、目標蒸着領域である単位領域ＴＡの全体亘って膜の厚さが均一であることが分かる。また、目標領域である単位領域ＴＡの外側に形成された不要な部分が短い。
このように本発明の一実施形態による膜形成用マスク１を用いて膜パターンを形成すれば、単位領域ＴＡに蒸着された膜の厚さが均一であり、大部分の位置の膜の厚さが目標厚さに近く、所望の形状と大きさの膜パターンを得ることができる。
以下、図６及び図７を参照して、本発明の一実施形態による膜形成用マスク及びこれを用いた膜形成方法について説明する。
図６は本発明の一実施形態による膜形成用マスクの断面図であり、図７は、図６に示した膜形成用マスクを用いて対象基板上に膜を形成する工程を示す概略図である。
図６に示すように、本実施形態による膜形成用マスク１は前述の図１乃至図３に示した実施形態と大部分が同一であるが、積層構造が異なっていてもよい。
本実施形態によれば、基板１０の上には反射部Ｒに対応する領域に反射層４０が位置し、その上の全面に吸光層３０が積層されていてもよい。すなわち、反射層４０の上にも吸光層３０が積層されていてもよい。反射層４０はスパッタリング、蒸着、メッキなどの方法によって積層された後にパターニングされ得る。
図７に示すように、本発明の一実施形態による膜形成用マスク１を用いた膜形成方法は前述した図４に示した実施形態と大部分が同一である。
まず、膜を形成するために膜形成用マスク１の吸光層３０の上に膜の材料である積層物質１００を塗布する。積層物質１００は有機物質を含んでもよい。
その次に、膜を形成する対象基板１１０を膜形成用マスク１と対向させて整列する。対象基板１１０と膜形成用マスク１の間のギャップｄＧはほぼ数μｍ、例えばほぼ３μｍであってもよいが、これに限定されるものではない。
その次に、フラッシュランプ、ハロゲンランプ、レーザなどの光源９０を膜形成用マスク１の基板１０がある背面に位置させ、光を照射する。そうすると、反射部Ｒに対応する反射層４０に入射された光は反射され、反射層４０と重畳しない吸光層３０に照射された光のみ熱エネルギーに変換され吸光層３０が加熱される。これにより、吸光層３０の上に位置する積層物質１００も加熱される。これにより、吸光層３０の上またはその周囲の積層物質１００のみ蒸発され対象基板１１０の上に転写されて蒸着され得る。
以下、前述の図面と共に図８乃至図１０を参照して本発明の一実施形態による膜形成用マスクについて説明する。
図８は本発明の一実施形態による膜形成用マスクの平面図であり、図９は図８に示した膜形成用マスクのＩＸ−ＩＸ線による断面図であり、図１０は図８に示した膜形成用マスク及び対象基板の斜視図である。
本実施形態による膜形成用マスク１は前述の図１乃至図３に示した実施形態と大部分が同一であるが、吸光部Ｐ及び反射部Ｒが２次元面上の直交する二方向の両方において交互に配列されてもよい。すなわち、膜形成用マスク１は複数の吸光部Ｐ及び複数の反射部Ｒを含み、吸光部Ｐ及び反射部Ｒは横方向及び縦方向に交互に配列されている。これにより、図８に示したように、吸光部Ｐ及び反射部Ｒはチェック模様状に配置され得る。
吸光部Ｐまたは反射部Ｒの横方向及び縦方向の幅ｆは数μｍ、例えばほぼ２μｍ乃至ほぼ５μｍであってもよいが、これに限定されるものではない。
吸光部Ｐ及び反射部Ｒそれぞれの形状は長方形であってもよいが、これに限定されるものではない。図８は吸光部Ｐ及び反射部Ｒそれぞれの形状が正四角形である例を示す。また、一つの単位領域ＴＡに位置する吸光部Ｐ及び反射部Ｒの形状は図８に示したように一定であってもよく位置によって変わってもよい。
図９に示すように、吸光部Ｐと反射部Ｒは基板１０の上に交互に配置された吸光層３０及び反射層４０によって形成され得る。吸光層３０と反射層４０は同一層に配置してもよい。
図８乃至図１０に示すように、単位領域ＴＡの端に位置する傾斜領域Ａ２の少なくとも一部に位置する吸光層３０または反射層４０は基板１０の面に対して所定の傾斜角Ａを有して上向きに傾いていてもよい。このために基板１０と吸光層３０及び反射層４０の間には挿入層５０を配置してもよい。挿入層５０は単位領域ＴＡの端に位置する傾斜領域Ａ２から外側に延在して単位領域ＴＡの外側領域に配置されてもよい。
傾斜領域Ａ２の挿入層５０の厚さは０から始めて外側に行くほど厚くなり、上面は傾斜面をなす。挿入層５０の傾斜角Ａはほぼ２０度乃至ほぼ７０度であってもよく、さらに具体的にほぼ４０度乃至ほぼ５０度であってもよい。しかし、傾斜角Ａはこれに限定されるものではない。傾斜領域Ａ２で挿入層５０の傾斜角Ａは一定であってもよく位置によって変わってもよい。図９は挿入層５０の傾斜角Ａが一定である例を示す。
単位領域ＴＡの外側領域には周辺反射層４２を配置してもよい。周辺反射層４２は図９に示したように挿入層５０の上に配置してもよい。しかし、周辺反射層４２の下の挿入層５０は除去されていてもよい。
単位領域ＴＡの端に位置する傾斜領域Ａ２は図８に示したように中心領域Ａ１を囲んでもよい。
傾斜領域Ａ２の幅ｄは対応する吸光部Ｐまたは反射部Ｒの幅ｆより小さいかまたは同一であってもよい。特に傾斜領域Ａ２の幅ｄが対応する吸光部Ｐまたは反射部Ｒの幅ｆより小さい場合、単位領域ＴＡの端に位置する吸光部Ｐまたは反射部Ｒは傾斜領域Ａ２に位置する部分と中心領域Ａ１に位置する部分に分けられてもよい。この時、吸光部Ｐまたは反射部Ｒの中心領域Ａ１に位置する部分の幅ｃは傾斜領域Ａ２の幅ｄと同一であってもよく異なっていてもよい。
本発明の他の実施形態によれば、挿入層５０は省略してもよく、この場合、単位領域ＴＡの吸光層３０及び反射層４０は傾斜しておらず、平坦であり得る。
以下、前述した図８乃至図１０と共に図１１及び図１２を参照して本発明の一実施形態による膜形成用マスクを用いた膜形成方法について説明する。
図１１は図９に示した膜形成用マスクを用いて対象基板上に膜を形成する工程を示す概略図であり、図１２は図８に示した膜形成用マスクを用いて形成した膜の厚さを示すシミュレーション結果を示す図である。
図１１に示すように、本発明の一実施形態による膜形成用マスク１の吸光層３０及び反射層４０の上に膜の材料である積層物質１００を塗布する。積層物質１００は有機物質を含んでもよい。
積層物質１００と吸光層３０及び反射層４０の間には積層物質１００と吸光層３０及び反射層４０の間の反応を防止することができる保護層（図示せず）をさらに配置してもよい。保護層は、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの物質を含んでもよい。
その次に、膜を形成する対象基板１１０を膜形成用マスク１と対向させて整列する。対象基板１１０と膜形成用マスク１の間のギャップｄＧはほぼ数μｍ、例えばほぼ３μｍであってもよいが、これに限定されるものではない。
その次に、フラッシュランプ、ハロゲンランプ、レーザなどの光源９０を膜形成用マスク１の基板１０がある背面に位置させ、光を照射する。そうすると、反射層４０に照射された光は反射され、吸光部Ｐに位置する吸光層３０に照射された光は吸光層３０において吸収されて熱エネルギーに変換され、吸光層３０が加熱され、吸光部Ｐの上に位置する積層物質１００も加熱される。これにより吸光層３０の上またはその周囲の積層物質１００のみ蒸発され、対象基板１１０の上に転写されて蒸着され得る。
対象基板１１０の単位領域ＴＡに対応する領域に形成された膜は連続的に形成される。特に単位領域ＴＡに形成された連続的な膜の厚さが２次元面上で非常に均一に形成されてもよい。
図１２は対象基板１１０の上に蒸着された膜の目標厚さに関する蒸着率の２次元位置によるシミュレーション結果を示す図である。図１２に示すように、単位領域ＴＡに対応して形成された膜の厚さは大部分が目標厚さのほぼ９０％以上であり、目標蒸着領域である単位領域ＴＡの全体に亘って横方向及び縦方向の両方において膜の厚さが均一であることが分かる。
このように本発明の一実施形態による膜形成用マスク１を用いて膜パターンを形成すれば、一つの単位領域ＴＡに対応して複数の離隔した吸光部Ｐに対応する積層物質１００が蒸発されて対象基板１１０の上に蒸着されるので、複数のガウス分布が重なった状態に膜が蒸着される。したがって、一単位領域ＴＡに連続的に形成された膜の厚さが横方向及び縦方向を含む２次元面の全体において均一であり、大部分の位置の膜の厚さが目標厚さに近く、且つ所望の形状と大きさの膜パターンを得ることができる。
特に本実施形態のように単位領域ＴＡの端に位置する傾斜領域Ａ２の吸光層３０または反射層４０が傾斜角Ａを有して傾くようにすれば、積層物質１００が目標領域である単位領域ＴＡの外側に蒸発されることを防止し、単位領域ＴＡに集中されて転写されるようにすることができる。したがって、目標領域である単位領域ＴＡの外側に膜が形成されることを防止することができ、目標厚さにさらに近い膜の厚さを得ることができ、膜の均一度をさらに高めることができる。
以下、図１３及び図１４を参照して本発明の一実施形態による膜形成用マスク及びこれを用いた膜形成方法について説明する。
図１３は図８に示した膜形成用マスクのＩＸ−ＩＸ線による断面図の他の例であり、図１４は図１３に示した膜形成用マスクを用いて対象基板上に膜を形成する工程を示す断面図である。
図１３に示すように、本実施形態による膜形成用マスク１は前述の図８乃至図１０に示した実施形態と大部分が同一であるが、積層構造が異なっていてもよい。
本実施形態によれば、基板１０の上には反射部Ｒに対応する領域に反射層４０が位置し、その上の全面に吸光層３０が積層されていてもよい。すなわち、反射層４０の上にも吸光層３０が積層されていてもよい。
図１４に示すように、本発明の一実施形態による膜形成用マスク１を用いた膜形成方法は前述の図１１に示した実施形態と大部分が同一であるので、ここで詳細な説明は省略する。
以下、前述した図面と共に図１５乃至図１７を参照して本発明の一実施形態による膜形成用マスクを用いた有機発光表示装置の製造方法について説明する。
図１５及び図１６はそれぞれ本発明の一実施形態による表示装置が含む複数の画素の配置図であり、図１７は本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。
本発明の一実施形態による表示装置は複数の画素ＰＸが位置する表示板３００を含む。
まず、図１５に示すように、本発明の一実施形態による複数の画素ＰＸはほぼ行列形状に配列されていてもよい。横方向ＤＲ１である行方向に配列された画素ＰＸは交互に互いに異なる基本色を示すことができ、縦方向ＤＲ２に延びる各列に配置された画素ＰＸは同一な基本色を示すことができる。
図１６に示すように、本発明の一実施形態による表示板３００が含む複数の画素ＰＸは横方向ＤＲ１または縦方向ＤＲ２に対して斜めに傾いたほぼ行列形状に配列されていてもよい。この時、画素ＰＸが含む薄膜トランジスタに信号を供給する複数の信号線は横方向ＤＲ１または縦方向ＤＲ２にほぼ平行に延びていてもよい。本実施形態では横方向ＤＲ１に対して右上方向に延びる方向を行方向と言い、左下方向に延びる方向を列方向と言う。
各画素ＰＸは複数の基本色のうちの一つの光を放出することができる。本実施形態では赤色Ｒを示す画素、緑色Ｇを示す画素、そして青色Ｂを示す画素を含む有機発光表示装置を例として挙げて説明する。互いに異なる基本色を示す画素は互いに同一な形状または大きさを有してもよく、図１６に示したように各基本色の特性及び発光部材の寿命に応じて互いに異なる大きさ及び／または形状を有してもよい。本実施形態では青色Ｂを示す画素の大きさが最も大きくてもよく、緑色Ｇを示す画素の大きさが最も小さくてもよい。
各画素はほぼ長方形であってもよく、特に赤色Ｒを示す画素と青色Ｂを示す画素はそれぞれ菱形または正四角形であってもよい。
横方向ＤＲ１または縦方向ＤＲ２において斜めに延びる行方向または列方向に赤色Ｒを示す画素及び緑色Ｇを示す画素が交互に配置されており、それに隣接した行または列には青色Ｂを示す画素及び緑色Ｇを示す画素が交互に配置されている。赤色Ｒを示す画素と青色Ｂを示す画素のそれぞれは四つの緑色Ｇを示す画素と対角線方向に隣接していてもよい。これにより、全体的に緑色Ｇを示す画素の数が赤色Ｒを示す画素または青色Ｂを示す画素の数より多くほぼ２倍であってもよい。
この他にも画素ＰＸの配置は多様に変更してもよい。
以下、図１６を参照して本発明の一実施形態による表示装置の製造方法について説明する。
図１６に示すように、本発明の一実施形態による表示装置は有機発光表示装置であってもよい。
まず、透明なガラスまたはプラスチックなどで作られる対象基板１１０を用意し、その上に複数の信号線（図示せず）及び複数の駆動トランジスタＱｄを形成する。
その次に、信号線及び駆動トランジスタＱｄの上には無機物または有機物などからなる保護膜１８０を積層する。保護膜１８０をパターニングして駆動トランジスタＱｄの出力端子を露出させる接触孔１８５を形成することができる。
その次に、保護膜１８０の上にスパッタリングなどの方法で導電性物質を積層しパターニングして複数の画素電極１９１を形成する。画素電極１９１は保護膜１８０の接触孔１８５を通じて各画素ＰＸの駆動トランジスタＱｄの出力端子と接続され得る。
その次に、画素電極１９１及び保護膜１８０の上にアクリル樹脂またはポリイミド樹脂などの有機物または窒化ケイ素のような無機物を積層してパターニングし、複数の開口部を有する画素定義膜（隔壁とも言う）３６０を形成する。
その次に、本発明の一実施形態による膜形成用マスク１を用いて画素定義膜３６０及び画素電極１９１の上に有機物を含む発光部材３７０を形成する。
発光部材３７０は各画素ＰＸに下部有機共通層３７１、発光層１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ、そして上部有機共通層３７５を順次に積層して形成することができる。
下部有機共通層３７１は、例えば順次に積層された正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）及び正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）のうちの少なくとも一つを含んでもよい。下部有機共通層３７１は図１６に示したように複数の画素ＰＸが位置する表示領域全面に亘って形成されてもよく、各画素ＰＸ領域にそれぞれ形成され複数個で備えられてもよい。
各画素ＰＸにそれぞれの下部有機共通層３７１を形成する場合、本発明の一実施形態による膜形成用マスク１を用いて各画素ＰＸの目標領域に均一な厚さを有し目標厚さに近い厚さを有する下部有機共通層３７１を形成することができる。この時、各画素ＰＸで下部有機共通層３７１を形成しようとする目標領域は前述の単位領域ＴＡに対応する。
発光層１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは本発明の一実施形態による膜形成用マスク１を用いてそれぞれ対応する画素ＰＸの画素電極１９１の上に形成される。したがって、目標厚さに近い厚さを有しながら各画素ＰＸ全体領域で均一な厚さを有する発光層１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが形成できる。この時、各画素ＰＸで発光層１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを形成しようとする目標領域は前述の単位領域ＴＡに対応する。
発光層１００Ｒは赤色の基本色の光を固有に放出する有機物質で形成してもよく、発光層１００Ｇは緑色の基本色の光を固有に放出する有機物質で形成してもよく、発光層１００Ｂは青色の基本色の光を固有に放出する有機物質で形成してもよい。この他に多様な基本色の種類によって発光層１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが放出する光の色は変化可能である。
上部有機共通層３７５は、例えば順次に積層された電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）及び電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）のうちの少なくとも一つを含んでもよい。上部有機共通層３７５は画素ＰＸが配置されている表示領域全面に亘って形成されてもよく、各画素ＰＸ領域にそれぞれ形成され複数個で備えられてもよい。
各画素ＰＸにそれぞれの上部有機共通層３７５を形成する場合、本発明の一実施形態による膜形成用マスク１を用いて各画素ＰＸの目標領域に均一な厚さを有し目標厚さに近い厚さを有する上部有機共通層３７５を形成することができる。この時、各画素ＰＸで上部有機共通層３７５を形成しようとする目標領域は前述の単位領域ＴＡに対応する。
特に、前述の図１６に示した実施形態のように互いに異なる基本色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の画素ＰＸが２次元面上で互いに異なる二方向に交互に配列されている有機発光表示装置の場合、前述の図８乃至図１４に示した実施形態のように吸光部Ｐ及び反射部Ｒが２次元面上の互いに異なる二方向に交互に配列されている膜形成用マスク１を用いて発光部材３７０の有機層を積層すれば、２次元面上の少なくとも二方向に沿って均一な膜厚さを得ることができ、目標厚さに近い十分な厚さを得ることができる。
下部及び上部有機共通層３７１、３７５は発光層１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの発光効率を向上するためのものであって、下部及び上部有機共通層３７１、３７５のうちの少なくとも一つは省略してもよい。
その次に、発光部材３７０の上にスパッタリングなどの方法で導電性物質を積層して共通電圧を伝達する対向電極２７０を形成する。
各画素ＰＸの画素電極１９１、発光部材３７０及び対向電極２７０は有機発光素子を成し、画素電極１９１及び対向電極２７０の一方がカソードになり、他方がアノードになる。
対向電極２７０の上には発光部材３７０及び対向電極２７０を密封（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）して外部からの水分及び／または酸素の浸透を防止できる密封層（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）（図示せず）をさらに形成してもよい。
以下、前述の図８乃至図１２と共に図１８乃至図２０を参照して本発明の一実施形態による膜形成用マスクについて説明する。
図１８は本発明の一実施形態による膜形成用マスクの平面図であり、図１９は図１８に示した膜形成用マスクのＸＩＸ−ＸＩＸ線による断面図であり、図２０は図１８に示した膜形成用マスクを用いて形成した膜の厚さを示すシミュレーション結果を示す図である。
図１８に示すように、本実施形態による膜形成用マスク１は前述の図８に示した実施形態と大部分が同一であるが、吸光部Ｐ及び反射部Ｒの形状が位置によって異なっていてもよい。例えば、一単位領域ＴＡの内側領域Ａ３に位置する吸光部Ｐ及び反射部Ｒはほぼ互いに同一な大きさの正四角形であるか、または内側領域Ａ３の外側の縁領域に位置する吸光部Ｐ及び反射部Ｒは横方向または縦方向にさらに長い長方形であってもよい。単位領域ＴＡの各縁領域で長方形である吸光部Ｐ及び反射部Ｒは二列を成し隣接して配置されてもよい。
単位領域ＴＡが四角形であるとき、四つの角部に位置する吸光部Ｐまたは反射部Ｒは他の部分の吸光部Ｐまたは反射部Ｒと異なる形状及び／または大きさを有してもよい。例えば、一つの角部の外側に位置する吸光部Ｐまたは反射部Ｒは“¬”形状またはその回転された形状のように曲がった形状を有してもよく、その内側に位置する反射部Ｒまたは吸光部Ｐはほぼ正四角形であってもよい。すなわち、単位領域ＴＡの各角部には互いに隣接した一対の吸光部Ｐと反射部Ｒが位置し共に一つの四角形を成すことができる。
内側領域Ａ３に位置する吸光部Ｐまたは反射部Ｒの横方向または縦方向の幅ｆは数μｕｍ、例えばほぼ２μｍ乃至ほぼ５μｍであってもよいが、これに限定されるものではない。
内側領域Ａ３外側の縁領域に位置する吸光部Ｐまたは反射部Ｒの短辺の幅ｄ、ｅは内側領域Ａ３の吸光部Ｐまたは反射部Ｒの幅ｆより小さくてもよい。さらに、内側領域Ａ３外側に位置する隣接した吸光部Ｐ及び反射部Ｒの短辺の幅ｄ、ｅの合計は内側領域Ａ３の吸光部Ｐまたは反射部Ｒの幅ｆとほぼ同一であってもよい。また、縁領域に位置する吸光部Ｐまたは反射部Ｒの長辺の幅は内側領域Ａ３の吸光部Ｐまたは反射部Ｒの幅ｆとほぼ同一であってもよい。
図１９に示すように、吸光部Ｐと反射部Ｒは基板１０の上に交互に配置された吸光層３０及び反射層４０によって形成され得る。吸光層３０と反射層４０は同一層に配置してもよく、互いに重畳しなくてもよい。
図１８及び図１９に示すように、単位領域ＴＡの端に位置する傾斜領域Ａ２の少なくとも一部に位置する吸光層３０または反射層４０は基板１０の面に対して所定の傾斜角Ａを有し上側に傾いていてもよい。このために基板１０と吸光層３０及び反射層４０の間には挿入層５０を配置してもよい。挿入層５０は単位領域ＴＡの傾斜領域Ａ２から外側に延在して単位領域ＴＡの外側領域に配置されてもよい。挿入層５０は前述の実施形態と大部分が同一であるので、ここで詳細な説明は省略する。
単位領域ＴＡの外側領域には周辺反射層４２が配置されてもよい。周辺反射層４２は図９に示したように挿入層５０の上に配置されてもよい。しかし、周辺反射層４２の下の挿入層５０は除去されていてもよい。
単位領域ＴＡの端に位置する傾斜領域Ａ２は図１８に示したように中心領域Ａ１を囲んでいてもよい。
傾斜領域Ａ２の幅ｄは対応する吸光部Ｐまたは反射部Ｒの幅とほぼ同一であってもよい。この場合、傾斜領域Ａ２は縁領域の吸光部Ｐまたは反射部Ｒとほぼ整列されていてもよい。すなわち、縁領域で二行に配列された長方形の吸光部Ｐ及び反射部Ｒの境界と中心領域Ａ１の外側境界は実質的に一致してもよいが、これに限定されるものではない。
本発明の他の実施形態によれば、挿入層５０は省略してもよく、この場合、単位領域ＴＡの吸光層３０及び反射層４０は傾斜しておらず、平坦であってもよい。
本発明の他の実施形態によれば、反射部Ｒの反射層４０と吸光部Ｐの吸光層３０は互いに異なる層に配置されてもよい。この場合、前述の図１３に示した実施形態のように反射部Ｒに対応する領域に反射層４０が位置し、その上の全面に吸光層３０が積層されていてもよい。
図１８及び図１９に示した実施形態による膜形成用マスク１を用いた膜形成方法は前述の実施形態と大部分が同一であるので、ここで詳細な説明は省略する。
図２０は対象基板１１０の上に図１８及び図１９に示した実施形態による膜形成用マスク１を用いて蒸着された膜の目標厚さに関する蒸着率の２次元位置によるシミュレーション結果を示す図である。図２０に示すように、単位領域ＴＡに対応して形成された膜の厚さは大部分が目標厚さのほぼ９０％以上であり、目標蒸着領域である単位領域ＴＡ全体に亘って横方向及び縦方向の両方において膜の厚さが均一であることが分かる。これによる効果は前述のものと同一である。
特に本実施形態による各単位領域ＴＡの縁領域に位置する吸光部Ｐと反射部Ｒの幅が内側領域Ａ３でのものより狭くて吸光部Ｐの反復周期が短くなるので、単位領域ＴＡの端部分に蒸着される膜の厚さが薄くなるのを防止することができ、全体的に均一な厚さの膜を形成することができ、目標厚さにさらに近いように膜が蒸着され得る。
以下、前述の図面と共に図２１及び図２２を参照して本発明の一実施形態による膜形成用マスクについて説明する。
図２１は本発明の一実施形態による膜形成用マスクの平面図であり、図２２は図２１に示した膜形成用マスクを用いて形成した膜の厚さを示すシミュレーション結果を示す図である。
図２１に示すように、本実施形態による膜形成用マスク１は前述の図８に示した実施形態と大部分が同一であるが、吸光部Ｐ及び反射部Ｒの形状が異なっていてもよい。
本実施形態によれば吸光部Ｐ及び反射部Ｒは一単位領域ＴＡの中心から外側に交互に配置された帯形状を有してもよい。例えば、図２１に示したように単位領域ＴＡの中心には多角形形状、特に凸多角形の反射部Ｒが位置し、その周囲を四角ドーナツ形状の吸光部Ｐが囲み、再びその周囲を四角ドーナツ形状の反射部Ｒが囲み、このような形式で繰り返されてもよい。単位領域ＴＡの中心から繰り返される吸光部Ｐ及び反射部Ｒの数はほぼ１以上１０以下であってもよく、さらに好ましくは１以上３以下であってもよい。図２１は単位領域ＴＡの中心から繰り返される吸光部Ｐ及び反射部Ｒの数が４である例を示す。
単位領域ＴＡの中心に位置する反射部Ｒはほぼ正四角形であってもよい。
図２１で吸光部Ｐと反射部Ｒの位置は互いに変わってもよい。
吸光部Ｐ及び反射部Ｒの形状は図に示されたものに限定されず、変更可能である。例えば単位領域ＴＡが円または楕円形である場合、吸光部Ｐ及び反射部Ｒの形状は円または楕円形であるか円ンまたは楕円形のドーナツ形状であってもよい。
吸光部Ｐの幅（ａ）と反射部Ｒの幅（ｂ）は一定であってもよく、位置によって異なっていてもよい。また吸光部Ｐの幅（ａ）と反射部Ｒの幅（ｂ）は互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
単位領域ＴＡの最外側には吸光部Ｐまたは反射部Ｒが配置されてもよい。図２１は単位領域ＴＡの最外側に吸光部Ｐが配置された例を示す。単位領域ＴＡの最外側に配置された吸光部Ｐまたは反射部Ｒの幅はその内側の吸光部Ｐの幅（ａ）または反射部Ｒの幅（ｂ）より大きくてもよい。
図２１に示すように、単位領域ＴＡの端に位置する傾斜領域Ａ２の少なくとも一部に位置する吸光部Ｐを成す吸光層または反射部Ｒを成す反射層は基板（図示せず）の面に対して所定の傾斜角を有し上側に傾いていてもよい。このために前述の実施形態のように基板と吸光層及び反射層の間には挿入層（図示せず）が配置されてもよい。挿入層は単位領域ＴＡの端に位置する傾斜領域Ａ２から外側に延在して単位領域ＴＡの外側領域に配置されてもよい。
単位領域ＴＡの端に位置する傾斜領域Ａ２は図２１に示したように中心領域Ａ１を囲んでいてもよい。
挿入層、周辺反射層などに対するこの他の特徴は前述の実施形態と同一であるので、ここで詳細な説明は省略する。
傾斜領域Ａ２の幅ｄは対応する吸光部Ｐまたは反射部Ｒの幅より小さいかまたは同一であってもよい。単位領域ＴＡの端に位置する吸光部Ｐまたは反射部Ｒは傾斜領域Ａ２に位置する部分と中心領域Ａ１に位置する部分に分けられてもよい。この時、単位領域ＴＡの端に位置する吸光部Ｐまたは反射部Ｒの中心領域Ａ１に位置する部分の幅ｃは傾斜領域Ａ２の幅ｄと同一であってもよく、異なっていてもよい。
本発明の他の実施形態によれば、吸光部Ｐまたは反射部Ｒの傾斜のための挿入層は省略されてもよい。この場合、単位領域ＴＡの吸光部Ｐ及び反射部Ｒは傾斜しておらず、平坦であってもよい。
図２１に示した実施形態による膜形成用マスク１を用いた膜形成方法は前述の実施形態と大部分が同一であるので、ここで詳細な説明は省略する。
図２２は対象基板上に図２１に示した実施形態による膜形成用マスク１を用いて蒸着された膜の目標厚さに関する蒸着率の２次元位置によるシミュレーション結果を示す図である。図２２に示すように、単位領域ＴＡに対応して形成された膜の厚さは大部分が目標厚さのほぼ９０％以上であり、目標蒸着領域である単位領域ＴＡの全体に亘って横方向及び縦方向の両方において膜の厚さが均一であることが分かる。これによる効果は前述したものと同一である。
以下、前述の図面と共に図２３及び図２４を参照して本発明の一実施形態による膜形成用マスクについて説明する。
図２３は本発明の一実施形態による膜形成用マスクの平面図であり、図２４は図２３に示した膜形成用マスクを用いて形成した膜の厚さを示すシミュレーション結果を示す図である。
図２３に示すように、本実施形態による膜形成用マスク１は前述の図８に示した実施形態と大部分が同一であるが、吸光部Ｐ及び反射部Ｒの形状が異なっていてもよい。本実施形態によれば、単位領域ＴＡの全体に亘って吸光部Ｐまたは反射部Ｒが位置し、一部領域に反射部Ｒまたは吸光部Ｐが形成されていてもよい。
図２３は単位領域ＴＡ全体的に吸光部Ｐが位置し、一部領域に反射部Ｒが形成されている例を示す。例えば、単位領域ＴＡの中心には多角形、特に凸多角形の反射部Ｒが位置し、その周囲には中心の反射部Ｒと離隔している複数の反射部Ｒが配置されてもよい。単位領域ＴＡの中心に位置する反射部Ｒはほぼ正四角形であってもよく、単位領域ＴＡの中心周囲に位置する反射部Ｒはほぼ長方形であってもよいが、これに限定されるものではない。
例えば、単位領域ＴＡの中心周囲に位置する反射部Ｒの短辺の長さａ２は単位領域ＴＡの中心に位置する反射部Ｒの幅ａ１より小さくてもよく、単位領域ＴＡの中心周囲に位置する反射部Ｒの長辺の長さａ３は単位領域ＴＡの中心に位置する反射部Ｒの幅ａ１より大きくてもよいが、これに限定されるものではない。
単位領域ＴＡの中心周囲に位置する複数の反射部Ｒは２つずつ対を成して単位領域ＴＡの各角付近に配置されてもよい。単位領域ＴＡの各角付近に位置する一対の反射部Ｒは少なくとも一つの頂点を共有してもよく、それぞれ横方向及び縦方向に長く延びていてもよい。
反射部Ｒの形状及び面積は多様に変更可能である。
図２３に示すように、単位領域ＴＡの端に位置する傾斜領域Ａ２の少なくとも一部に位置する吸光部Ｐを成す吸光層または反射部Ｒを成す反射層は基板（図示せず）の面に対して所定の傾斜角を有し上側に傾いていてもよい。このために前述の実施形態のように基板と吸光層及び反射層の間には挿入層（図示せず）が配置されてもよい。挿入層は単位領域ＴＡの端に位置する傾斜領域Ａ２から外側に延在して単位領域ＴＡの外側領域に配置されてもよい。
単位領域ＴＡの端に位置する傾斜領域Ａ２は図２３に示したように中心領域Ａ１を囲んでいてもよい。特に単位領域ＴＡの中心周囲に位置する吸光部Ｐの外側端は中心領域Ａ１と傾斜領域Ａ２の間の境界線にほぼ整列されていてもよい。
図２３で反射部Ｒと吸光部Ｐの位置が互いに換わってもよい。
本発明の他の実施形態によれば、吸光部Ｐまたは反射部Ｒの傾斜のための挿入層は省略してもよい。この場合、単位領域ＴＡの吸光部Ｐ及び反射部Ｒは傾斜しておらず、平坦であってもよい。
図２３に示した実施形態による膜形成用マスク１を用いた膜形成方法は前述の実施形態と大部分が同一であるので、ここで詳細な説明は省略する。
図２４は対象基板上に図２３に示した実施形態による膜形成用マスク１を用いて蒸着された膜の目標厚さに関する蒸着率の２次元位置によるシミュレーション結果を示す図である。図２４に示すように、単位領域ＴＡに対応して形成された膜の厚さは大部分が目標厚さのほぼ９０％以上であり、目標蒸着領域である単位領域ＴＡの全体に亘って横方向及び縦方向の両方において膜の厚さが均一であることが分かる。これによる効果は前述のものと同一である。
最後に、図２５を参照して本発明の一実施形態による膜形成用マスクについて説明する。
図２５は本発明の一実施形態による膜形成用マスクの平面図である。
図２５に示すように、本発明の一実施形態による膜形成用マスク１は前述の図１または図２に示した実施形態と大部分が同一であるが、単位領域ＴＡの端、特に左右端に位置する傾斜領域Ａ２に位置する吸光部Ｐを成す吸光層または反射部Ｒを成す反射層が基板（図示せず）の面に対して所定の傾斜角を有し上側に傾いていてもよい。このために前述の実施形態のように基板と吸光層及び反射層の間には挿入層（図示せず）が配置されてもよい。
これにより、単位領域ＴＡの端に形成された膜の厚さが薄くなるのを防止して単位領域ＴＡに対してさらに均一な厚さの膜を形成することができる。
以上で本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を用いた当業者の様々な変形形態及び改良形態も本発明の権利範囲に属する。
１ 膜形成用マスク
１０ 基板
３０ 吸光層
４０ 反射層
４２ 周辺反射層
５０ 挿入層
９０ 光源
１００ 積層物質
１１０ 対象基板
１８０ 保護膜
１８５ 接触孔
１９１ 画素電極
２７０ 対向電極
３００ 表示板
３６０ 画素定義膜
３７０ 発光部材
３７１ 下部有機共通層
１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ 発光層
３７５ 上部有機共通層
Ｐ 吸光部
Ｒ 反射部
ＴＡ 単位領域
Ａ１ 中心領域
Ａ２ 傾斜領域
Ａ３ 内側領域
ＰＸ 画素
Ｑｄ 駆動トランジスタ

Claims (26)

  1. 連続的な膜を形成しようとする領域に対応する単位領域であって、に位置する少なくとも一つの吸光部及び少なくとも一つの反射部を含む単位領域を備え、
    前記単位領域に位置する前記吸光部と前記反射部は互いに異なる領域に位置することを特徴とする膜形成用マスク。
  2. 前記単位領域で前記吸光部と前記反射部は第１方向及び前記第１方向と異なる第２方向のうちの少なくとも一方向において交互に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の膜形成用マスク。
  3. 基板と、
    前記基板上に位置し、前記吸光部を形成する少なくとも一つの吸光層と、
    前記基板上に位置し、前記反射部を形成する少なくとも一つの反射層とを含むことを特徴とする請求項２に記載の膜形成用マスク。
  4. 前記単位領域の端に傾斜領域を備え、
    前記傾斜領域に位置する前記吸光層または前記反射層は前記基板の面に対して上向きに傾斜を成すことを特徴とする請求項３に記載の膜形成用マスク。
  5. 前記傾斜領域で前記吸光層または前記反射層が前記基板の面に対して成す傾斜角はほぼ４０度乃至ほぼ５０度であることを特徴とする請求項４に記載の膜形成用マスク。
  6. 前記傾斜領域の幅は、前記吸光部または前記反射部の幅より小さいか同一であることを特徴とする請求項４に記載の膜形成用マスク。
  7. 前記傾斜領域の前記反射層及び前記吸光層と前記基板の間に位置する挿入層をさらに含み、
    前記挿入層の上面は傾斜面を成すことを特徴とする請求項４に記載の膜形成用マスク。
  8. 前記反射層と前記吸光層は同一層に位置し、互いに重畳しないことを特徴とする請求項３に記載の膜形成用マスク。
  9. 前記反射層と前記吸光層は互いに異なる層に位置し、
    前記吸光層は前記反射層と重畳する部分を含むことを特徴とする請求項３に記載の膜形成用マスク。
  10. 前記吸光部及び前記反射部のうちの少なくとも一つは四角形であることを特徴とする請求項１に記載の膜形成用マスク。
  11. 前記単位領域の端に位置する縁領域と、
    前記縁領域で囲まれた中心領域と、を備え、
    前記縁領域に位置する前記吸光部及び前記反射部のうちの少なくとも一つは短辺及び長辺を含むほぼ長方形であり、
    前記中心領域に位置する前記吸光部及び前記反射部のうちの少なくとも一つはほぼ正四角形であることを特徴とする請求項１０に記載の膜形成用マスク。
  12. 基板と、
    前記基板上に位置し、前記吸光部を形成する少なくとも一つの吸光層と、
    前記基板上に位置し、前記反射部を形成する少なくとも一つの反射層とを含み、
    前記単位領域の端に位置する傾斜領域を備え、
    前記傾斜領域に位置する前記吸光層または前記反射層は前記基板の面に対して上向きに傾斜を成し、
    前記縁領域に位置する前記吸光部または前記反射部の前記短辺の長さは前記傾斜領域の幅とほぼ同一であることを特徴とする請求項１１に記載の膜形成用マスク。
  13. 前記吸光部及び前記反射部のうちの少なくとも一つは前記単位領域の中心を囲む帯形状を有することを特徴とする請求項１に記載の膜形成用マスク。
  14. 前記吸光部及び前記反射部のうちの一つは前記単位領域の中心に位置し、前記単位領域の中心に位置する前記吸光部または前記反射部は多角形であることを特徴とする請求項１３に記載の膜形成用マスク。
  15. 前記単位領域の最も外側に位置する前記吸光部または前記反射部の幅はその内側に位置する前記吸光部または前記反射部の幅より大きいことを特徴とする請求項１３に記載の膜形成用マスク。
  16. 前記反射部は、前記単位領域の中心に位置する第１反射部及び前記第１反射部と離隔されている第２反射部を含むことを特徴とする請求項１に記載の膜形成用マスク。
  17. 前記第２反射部は、前記単位領域の角付近に位置することを特徴とする請求項１６に記載の膜形成用マスク。
  18. 基板と、
    前記基板上に位置し、前記吸光部を形成する少なくとも一つの吸光層と、
    前記基板上に位置し、前記反射部を形成する少なくとも一つの反射層とを含み、
    前記単位領域の端に位置する傾斜領域を備え、
    前記傾斜領域に位置する前記吸光層または前記反射層は前記基板の面に対して上側に傾斜を成し、
    前記傾斜領域の内側境界は前記第２反射部の端境界とほぼ整列していることを特徴とする請求項１６に記載の膜形成用マスク。
  19. 連続的な膜を形成しようとする領域に対応する単位領域であって、少なくとも一つの吸光部及び少なくとも一つの反射部を含む単位領域を備え、前記単位領域に位置する前記吸光部と前記反射部は互いに異なる領域に位置する膜形成用マスクの上に積層物質を塗布する段階と、
    前記膜形成用マスクと対象基板を互いに整列する段階と、
    前記膜形成用マスクの背面に光を照射して前記吸光部を加熱させる段階とを含むことを特徴とする膜形成方法。
  20. 前記単位領域で前記吸光部と前記反射部は第１方向及び前記第１方向と異なる第２方向のうちの少なくとも一方向において交互に配置されていることを特徴とする請求項１９に記載の膜形成方法。
  21. 前記単位領域の端に位置する傾斜領域を備え、
    前記傾斜領域に位置する前記吸光層または前記反射部は前記基板の面に対して上向きに傾斜を成すことを特徴とする請求項２０に記載の膜形成方法。
  22. 前記吸光部及び前記反射部のうちの少なくとも一つは四角形であることを特徴とする請求項１９に記載の膜形成方法。
  23. 前記吸光部及び前記反射部のうちの少なくとも一つは前記単位領域の中心を囲む帯形状を有することを特徴とする請求項１９に記載の膜形成方法。
  24. 前記反射部は、前記単位領域の中心に位置する第１反射部及び前記第１反射部と離隔しており、前記単位領域の中心周囲に位置する第２反射部を含むことを特徴とする請求項１９に記載の膜形成方法。
  25. 前記積層物質は有機発光物質を含むことを特徴とする請求項１９に記載の膜形成方法。
  26. マスクの単位領域の第１領域に位置する複数の吸光部と、前記単位領域の第２領域に位置する複数の反射部とを含み、
    前記反射部は前記吸光部と交互に配置されており、
    前記単位領域は連続的な層が位置する領域に対応することを特徴とする膜形成用マスク。
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