JP2015093338A - パッケージ基板の加工方法 - Google Patents

パッケージ基板の加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015093338A
JP2015093338A JP2013233028A JP2013233028A JP2015093338A JP 2015093338 A JP2015093338 A JP 2015093338A JP 2013233028 A JP2013233028 A JP 2013233028A JP 2013233028 A JP2013233028 A JP 2013233028A JP 2015093338 A JP2015093338 A JP 2015093338A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package substrate
substrate
resin
grinding
mold resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013233028A
Other languages
English (en)
Inventor
吉輝 西田
Yoshiteru Nishida
吉輝 西田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2013233028A priority Critical patent/JP2015093338A/ja
Publication of JP2015093338A publication Critical patent/JP2015093338A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】表面が分割予定ラインによって区画されデバイスの電極に対応した電極が形成された樹脂基板の裏面にデバイスが配設されるとともに裏面がモールド樹脂で被覆されたパッケージ基板を所定の厚みに研削することができるパッケージ基板の加工方法を提供する。【解決手段】表面が分割予定ラインによって区画されデバイスの電極に対応した電極が形成された樹脂基板の裏面にデバイスが配設されるとともに裏面がモールド樹脂で被覆されたパッケージ基板の裏面を研削するパッケージ基板の加工方法であって、パッケージ基板を水に浸しモールド樹脂を湿潤によって軟化させるパッケージ基板軟化工程と、パッケージ基板軟化工程が実施されたパッケージ基板を構成する樹脂基板の表面側をチャックテーブルの保持面に保持し、パッケージ基板を構成するモールド樹脂の裏面を研削して所定の厚みに形成する研削工程とを含む。【選択図】図２

Description

表面が分割予定ラインによって区画され半導体デバイスの電極に対応した電極が形成された樹脂基板の裏面に半導体デバイスが配設されるとともに裏面がモールド樹脂で被覆されたパッケージ基板を所定の厚みに形成するパッケージ基板の加工方法に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体デバイスを製造している。このようにして分割されるウエーハは、分割予定ラインに沿って切断する前に研削装置によって裏面が研削され、所定の厚みに加工される。
また、表面が分割予定ラインによって区画され半導体デバイスの電極に対応した電極が形成された樹脂基板の裏面に半導体デバイスが配設されるとともに裏面がモールド樹脂で被覆されたパッケージ基板においても、モールド樹脂が被覆された裏面が研削装置によって研削され所定の厚みに形成された後に、ダイシング装置によって個々のパッケージデバイスに分割される（例えば特許文献１参照）。
特開２００１−２４００３号公報
而して、例えばガラスエポキシ樹脂によって形成された樹脂基板の裏面にデバイスが配設され、樹脂基板の裏面にエポキシ樹脂からなるモールド樹脂を被覆してパッケージ基板を構成すると、表裏面の材質の違いによってパッケージ基板に反りが生じて、研削装置によりパッケージ基板の裏面を研削する際に研削精度が不安定となり、パッケージデバイスの品質にバラツキが生じるという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、表面が分割予定ラインによって区画されデバイスの電極に対応した電極が形成された樹脂基板の裏面にデバイスが配設されるとともに裏面がモールド樹脂で被覆されたパッケージ基板を所定の厚みに研削することができるパッケージ基板の加工方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面が分割予定ラインによって区画されデバイスの電極に対応した電極が形成された樹脂基板の裏面にデバイスが配設されるとともに裏面がモールド樹脂で被覆されたパッケージ基板の裏面を研削するパッケージ基板の加工方法であって、
パッケージ基板を水に浸しモールド樹脂を湿潤によって軟化させるパッケージ基板軟化工程と、
該パッケージ基板軟化工程が実施されたパッケージ基板を構成する樹脂基板の表面側をチャックテーブルの保持面に保持し、パッケージ基板を構成するモールド樹脂の裏面を研削して所定の厚みに形成する研削工程と、を含む、
ことを特徴とするパッケージ基板の加工方法が提供される。
上記パッケージ基板軟化工程は、パッケージ基板を純水に１５分〜２時間浸漬する。
また、パッケージ基板を構成する樹脂基板の表面を環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着してパッケージ基板を保護テープを介した環状のフレームで支持するフレーム支持工程が、上記パッケージ基板軟化工程を実施した後、上記研削工程を実施する前に実施される。
本発明によるパッケージ基板の加工方法においては、パッケージ基板を水に浸しモールド樹脂を湿潤によって軟化させるパッケージ基板軟化工程と、該パッケージ基板軟化工程が実施されたパッケージ基板を構成する樹脂基板の表面側をチャックテーブルの保持面に保持し、パッケージ基板を構成するモールド樹脂の裏面を研削して所定の厚みに形成する研削工程とを含んでいるので、研削工程を実施するためにチャックテーブルの保持面に保持される樹脂基板はチャックテーブルの保持面に沿って確実に吸引保持される。従って、パッケージ基板を構成するモールド樹脂の裏面を均一に研削することが可能となり、研削精度が安定してパッケージデバイスの品質にバラツキが生ずるという問題が解消する。
本発明によるパッケージ基板の加工方法によって加工されるパッケージ基板の斜視図および要部拡大断面図。 本発明によるパッケージ基板の加工方法におけるパッケージ基板軟化工程の説明図。 本発明によるパッケージ基板の加工方法における研削工程を実施するための研削装置の要部斜視図。 本発明によるパッケージ基板の加工方法におけるフレーム支持工程の説明図。 本発明によるパッケージ基板の加工方法における研削工程の説明図。
以下、本発明によるパッケージ基板の加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
図１の(a)および(b)には、被加工物としてのパッケージ基板の斜視図および断面図が示されている。図１の(a)および(b)に示すパッケージ基板２は、ガラスエポキシ樹脂によって形成された厚みが例えば５０μmの樹脂基板２１を具備している。樹脂基板２１の表面２１aには格子状に形成された複数の分割予定ライン２１１が設けられており、分割予定ライン２１１によって区画された領域に後述するデバイスの電極に対応した電極２１２が設けられている。このように構成された樹脂基板２１の裏面２１bにおける分割予定ライン２１１によって区画された領域と対応する領域に上記電極２１２と接続する電極２２１を備えたデバイス２２が接合して配設される。このようにしてデバイス２２が配設された樹脂基板２１の裏面２１bには、エポキシ樹脂からなるモールド樹脂２３によって例えば１mmの厚みでモールディングされる。
上述したように構成されたパッケージ基板２は、ガラスエポキシ樹脂によって形成された樹脂基板２１とエポキシ樹脂からなるモールド樹脂２３との材質の違いにより反りが生じる。このため、研削装置によりパッケージ基板２を構成する樹脂基板２１の表面２１a側を研削装置のチャックテーブルの保持面に保持し、パッケージ基板２を構成するモールド樹脂２３の裏面２３bを研削する際に研削精度が不安定となり、パッケージデバイスの品質にバラツキが生じるという問題がある。以下、パッケージ基板２をバラツキが生ずることなく所定の厚みに研削することができるパッケージ基板の加工方法について、説明する。
本発明によるパッケージ基板の加工方法においては、先ずパッケージ基板２を水に浸しモールド樹脂２３を湿潤によって軟化させるパッケージ基板軟化工程を実施する。このパッケージ基板軟化工程は、図２に示すように水槽３の底壁に配設された支持テーブル３１上にパッケージ基板２を載置し、水槽３に供給された純水３２に１５分〜２時間浸す。この結果、パッケージ基板２を構成するモールド樹脂２３は湿潤によって軟化せしめられる。
上述したパッケージ基板軟化工程を実施したならば、パッケージ基板２を構成する樹脂基板２１の表面側をチャックテーブルの保持面に保持し、パッケージ基板２を構成するモールド樹脂２３の裏面を研削して所定の厚みに形成する研削工程を実施する。この研削工程は、図３に示す研削装置４を用いて実施する。図３に示す研削装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１に保持された被加工物を研削する研削手段４２を具備している。チャックテーブル４１は、ステンレス鋼等の金属材によって形成されたテーブル本体４１１と、該テーブル本体４１１の上面に配設された吸着チャック４１２とからなっている。チャックテーブル４１を構成するテーブル本体４１１の外周部上面４１１aには、複数の永久磁石４１３が配設されている。吸着チャック４１２は多孔性材料によって形成されており、外周部がテーブル本体４１１の外周部上面４１１aの位置からテーパー状に形成され、上面に被加工物を保持するための保持面４１２aが形成されている。なお、多孔性材料によって形成された吸着チャック４１２の保持面４１２aは、図示しない吸引手段に連通されている。このように構成されたテーブル本体４１１は、図示しない回転駆動機構によって図３において矢印４１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段４２は、スピンドルハウジング４２１と、該スピンドルハウジング４２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル４２２と、該回転スピンドル４２２の下端に装着されたマウンター４２３と、該マウンター４２３の下面に取り付けられた研削ホイール４２４とを具備している。この研削ホイール４２４は、円環状の基台４２５と、該基台４２５の下面に環状に装着された研削砥石４２６とからなっており、基台４２５がマウンター４２３の下面に締結ボルト４２７によって取り付けられている。
上述した研削装置４を用いて上記研削工程を実施するには、先ず図４の(a)および(b)に示すように上述したパッケージ基板軟化工程が実施されたパッケージ基板２を構成する樹脂基板２１の表面２１aをステンレス鋼等の金属材によって形成された環状のフレーム５に装着された保護テープ６の表面に貼着する。この結果、パッケージ基板２は、環状のフレーム５に装着された保護テープ６の表面にモールド樹脂２３の裏面２３bを上側にして支持される(フレーム支持工程)。
上述したフレーム支持工程を実施したならば、図５に示すようにチャックテーブル４１の上面に上記フレーム支持工程が実施されたパッケージ基板２の保護テープ６側を載置する。このとき、環状のフレーム５がテーブル本体４１１の外周部上面４１１a上に載置される。従って、ステンレス鋼等の金属材によって形成された環状のフレーム５は、テーブル本体４１１の外周部上面４１１aに配設された複数の永久磁石４１３によって吸引保持される（パッケージ基板保持工程）。また、保護テープ６に貼着されたパッケージ基板２は吸着チャック４１２の保持面４１２a上に樹脂基板２１側が保護テープ６を介して載置されており、図示しない吸引手段を作動することにより保護テープ６を介して保持面４１２a上に吸引保持される。このようにして吸着チャック４１２の保持面４１２a上に吸引保持されたパッケージ基板２は、モールド樹脂２３の裏面２３bが上側となる。以上のようにして、吸着チャック４１２の保持面４１２a上に樹脂基板２１側が吸引保持されたパッケージ基板２は、上記パッケージ基板軟化工程が実施されることによりモールド樹脂２３が軟化せしめられているので、樹脂基板２１側が吸着チャック４１２の保持面４１２aに沿って確実に吸引保持される。
上述したようにパッケージ基板保持工程を実施したならば、チャックテーブル４１を図５において矢印４１aで示す方向に例えば１５０ｒｐｍで回転しつつ、研削手段４２の研削ホイール４２４を図５において矢印４２４aで示す方向に例えば４０００ｒｐｍで回転せしめて、図５に示すように研削砥石４２６を被加工面であるモールド樹脂２３の裏面２３bに接触せしめ、研削ホイール４２４を図５において矢印４２４bで示すように例えば２μm／秒の研削送り速度で下方（チャックテーブル４１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研削送りする(研削)工程)。この研削工程においては、研削ホイール４２４の研削砥石４２６による研削加工部に研削水が１０リットル／分の割合で供給される。この結果、パッケージ基板２を構成するモールド樹脂２３の裏面２３bが研削されて、パッケージ基板２は所定の厚みに形成される。このようにして形成されるパッケージ基板２は、上述したようにパッケージ基板２を構成する樹脂基板２１が吸着チャック４１２の保持面４１２aに沿って確実に吸引保持されているので、パッケージ基板２を構成するモールド樹脂２３の裏面２３bを均一に研削することが可能となり、研削精度が安定してパッケージデバイスの品質にバラツキが生ずるという問題が解消する。
以上のようにして研削工程は実施され所定の厚みに形成されたパッケージ基板２は、次工程である分割工程に搬送され、分割予定ライン２１１に沿って切断され個々のパッケージデバイスに分割される。
２：パッケージ基板
２１：樹脂基板
２１１：分割予定ライン
２１２：電極
２２：デバイス
２２１：電極
２３：モールド樹脂
３：水槽
３１：支持テーブル
３２：純水
４：研削装置
４１：チャックテーブル
４２：研削手段
４２４：研削ホイール
５：環状のフレーム
６：保護テープ

Claims (3)

  1. 表面が分割予定ラインによって区画されデバイスの電極に対応した電極が形成された樹脂基板の裏面にデバイスが配設されるとともに裏面がモールド樹脂で被覆されたパッケージ基板の裏面を研削するパッケージ基板の加工方法であって、
    パッケージ基板を水に浸しモールド樹脂を湿潤によって軟化させるパッケージ基板軟化工程と、
    該パッケージ基板軟化工程が実施されたパッケージ基板を構成する樹脂基板の表面側をチャックテーブルの保持面に保持し、パッケージ基板を構成するモールド樹脂の裏面を研削して所定の厚みに形成する研削工程と、を含む、
    ことを特徴とするパッケージ基板の加工方法。
  2. 該パッケージ基板軟化工程は、パッケージ基板を純水に１５分〜２時間浸漬する、請求項１記載のパッケージ基板の加工方法。
  3. パッケージ基板を構成する樹脂基板の表面を環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着してパッケージ基板を保護テープを介した環状のフレームで支持するフレーム支持工程が、該パッケージ基板軟化工程を実施した後、該研削工程を実施する前に実施される、請求項１又は２記載のパッケージ基板の加工方法。
JP2013233028A 2013-11-11 2013-11-11 パッケージ基板の加工方法 Pending JP2015093338A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013233028A JP2015093338A (ja) 2013-11-11 2013-11-11 パッケージ基板の加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013233028A JP2015093338A (ja) 2013-11-11 2013-11-11 パッケージ基板の加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015093338A true JP2015093338A (ja) 2015-05-18

Family

ID=53196103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013233028A Pending JP2015093338A (ja) 2013-11-11 2013-11-11 パッケージ基板の加工方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2015093338A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017112226A (ja) * 2015-12-16 2017-06-22 株式会社ディスコ 積層基板の加工方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS624716A (ja) * 1985-06-29 1987-01-10 バスフ　アクチェン　ゲゼルシャフト 硬化可能のエポキシ樹脂混合物
JP2002076580A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd プリント樹脂基板の反り矯正方法及び装置
JP2005342969A (ja) * 2004-06-02 2005-12-15 Mitsubishi Engineering Plastics Corp ヒンジ構造部を有するポリアミド樹脂成形品
JP2011181641A (ja) * 2010-03-01 2011-09-15 Disco Corp パッケージ基板の加工方法
JP2011192781A (ja) * 2010-03-15 2011-09-29 Disco Corp パッケージ基板の加工方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS624716A (ja) * 1985-06-29 1987-01-10 バスフ　アクチェン　ゲゼルシャフト 硬化可能のエポキシ樹脂混合物
JP2002076580A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd プリント樹脂基板の反り矯正方法及び装置
JP2005342969A (ja) * 2004-06-02 2005-12-15 Mitsubishi Engineering Plastics Corp ヒンジ構造部を有するポリアミド樹脂成形品
JP2011181641A (ja) * 2010-03-01 2011-09-15 Disco Corp パッケージ基板の加工方法
JP2011192781A (ja) * 2010-03-15 2011-09-29 Disco Corp パッケージ基板の加工方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017112226A (ja) * 2015-12-16 2017-06-22 株式会社ディスコ 積層基板の加工方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6305212B2 (ja) 研削装置及び矩形基板の研削方法
US11511374B2 (en) Silicon wafer forming method
JP7071782B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP5068705B2 (ja) 加工装置のチャックテーブル
JP2013098248A (ja) 保持テーブル
JP2017112226A (ja) 積層基板の加工方法
JP2019150929A (ja) チャックテーブル、切削装置、及び、切削装置のチャックテーブル修正方法
JP2007294748A (ja) ウェーハ搬送方法
JP2015223667A (ja) 研削装置及び矩形基板の研削方法
JP2011040631A (ja) 硬質ウエーハの研削方法
JP2015223665A (ja) 研削装置及び矩形基板の研削方法
JP6066672B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2012146889A (ja) ウエーハの研削方法
JP2015093338A (ja) パッケージ基板の加工方法
JP5528202B2 (ja) 支持トレイ
JP2019115962A (ja) チャックテーブル修正方法及び切削装置
JP2015199153A (ja) 保持テーブル、該保持テーブルを用いた研削方法及び切削方法
TW202220039A (zh) 載板之除去方法
JP2011044473A (ja) ウエーハの研削装置
JP2017079284A (ja) レーザー加工装置
JP2017004989A (ja) ウエーハの製造方法及びウエーハ製造装置
JP5362479B2 (ja) ウエーハの研削装置
JP2007229831A (ja) ダイシングブレードによる切断方法
JP2015015421A (ja) ウエーハの加工方法
JP2014203992A (ja) ウェーハの転写方法および表面保護部材

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160916

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170614

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170627

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20171226