JP2015050342A5 - - Google Patents

Description

本発明の一観点によれば、絶縁層と、前記絶縁層の上面に互いに離間して形成された複数の凹部と、前記各凹部の底面上に形成された配線と、前記配線の上面に形成された第１めっき層と、前記第１めっき層の少なくとも一部を接続パッドとして露出する第１開口部を有する反射層と、前記配線の下面に実装され、前記絶縁層内に埋め込まれた電子部品と、を有し、前記絶縁層は、前記配線の側面全面を覆うように形成されている。

Claims (9)

1. 絶縁層と、
   前記絶縁層の上面に互いに離間して形成された複数の凹部と、
   前記各凹部の底面上に形成された配線と、
   前記配線の上面に形成された第１めっき層と、
   前記第１めっき層の少なくとも一部を接続パッドとして露出する第１開口部を有する反射層と、
   前記配線の下面に実装され、前記絶縁層内に埋め込まれた電子部品と、
   を有し、
   前記絶縁層は、前記配線の側面全面を覆うように形成されていることを特徴とする配線基板。
2. 前記配線の下面に形成された第２めっき層を有し、
   前記電子部品は、導電性を有する接合部材を介して前記第２めっき層に接合されるとともに、前記接合部材及び前記第２めっき層を介して前記配線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記反射層は、前記第１めっき層の少なくとも一部を電極端子として露出する第２開口部を有し、
   前記電子部品は、前記電極端子と平面視で重なる位置に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
4. 前記電子部品は、前記接続パッドと平面視で重なる位置に設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板。
5. 前記絶縁層の下面全面を被覆する金属板を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板。
6. 前記反射層は、波長が４５０〜７００ｎｍの間で５０％以上の反射率を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線基板。
7. 請求項１〜６のいずれか１つに記載の配線基板と、
   前記配線基板上に搭載され、前記接続パッドと電気的に接続された発光素子と、
   を有することを特徴とする発光装置。
8. 絶縁層と、前記絶縁層の上面に形成された複数の凹部と、前記各凹部の底面上に形成された配線と、前記配線の上面に形成されためっき層と、を有する配線基板の製造方法であって、
   電解めっき法により、前記めっき層を形成する工程と、
   前記配線の下面に電子部品を実装する工程と、
   前記配線の側面全面及び下面と前記電子部品とを被覆する前記絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層の上面及び前記配線の上面に、前記めっき層の少なくとも一部を接続パッドとして露出する開口部を有する反射層を形成する工程と、
   を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
9. 複数の配線を有する配線基板の製造方法であって、
   電解めっき法により、導電性基板の上面にめっき層を形成する工程と、
   前記導電性基板の上面にテープを貼り付ける工程と、
   前記配線を画定するための開口部を前記導電性基板に形成する工程と、
   前記導電性基板の下面に電子部品を実装する工程と、
   前記開口部を充填するとともに、前記導電性基板の下面及び前記電子部品を被覆する絶縁層を形成する工程と、
   前記テープを剥離し、前記配線の上面及び前記絶縁層の上面を露出する工程と、
   前記配線の上面及び前記絶縁層の上面に、前記めっき層の少なくとも一部を接続パッドとして露出する開口部を有する反射層を形成する工程と、
   を有することを特徴とする配線基板の製造方法。