JP2015046612A - 有機電界発光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
する有機EL素子に関する。
子輸送層、電子注入層などのさまざまな層から構成される。有機EL素子は、使用する材
料によって、高分子と低分子とに分けられるが、低分子有機ELディバイスの場合には、
真空蒸着によって各層が形成され、高分子有機ELディバイスの場合には、スピンコーテ
ィング工程を利用して発光素子が設けられる。
孔抑制層、電子注入層などの多層の有機膜を蒸着工程により積層し、最後にカソード電極
を蒸着して素子を完成する。
した後、シャドーマスクにより、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の領域をそれぞれ
蒸着してパターニングした後、さらに共通層として正孔抑制層と電子注入層とを順に蒸着
してカソードを蒸着する。
光素子が設けられるが、フルカラー素子を設ける場合、マスクを利用して各層を蒸着する
ため、量産に不利であるという点がある。これに関わる特許としては、特許文献1〜3が
ある。
ニングせねばならないが、インクジェット技術やレーザ転写法を利用するとき、効率や寿
命のような発光特性が悪くなるという問題点がある。
せねばならないため、どのような発光層の形成工程を行っても、工程上の制約が生じる。
まず基板10上にアノード電極12を蒸着してパターニングする。前記アノード電極12
は、画素領域を定義する。その後、絶縁膜14で画素領域を定義し、有機膜で正孔注入層
16及び/または正孔輸送層18を真空蒸着のような方法で基板全面に塗布する。かかる
正孔注入層16及び/または正孔輸送層18は、共通層として、赤色、緑色、青色の全領
域にわたって塗布される。塗布された正孔注入層16及び/または正孔輸送層18の上部
に、真空蒸着、スピンコーティングまたはレーザ熱転写法を使用し、赤色領域100、緑
色領域200、青色領域300を形成する。真空蒸着法を利用する場合には、シャドーマ
スクを使用して赤色領域、緑色領域、青色領域をパターン化し、レーザ熱転写法を使用す
る場合には、レーザのスキャニングにより所望の部分だけ転写するので、特にシャドーマ
スクを使用する必要はない。
22を塗布し、最後に上部電極としてカソード電極24を積層する。
域300を形成するとき、少なくとも三回の蒸着または転写によるパターニング工程が必
要となり、画素領域に赤色領域、緑色領域、青色領域をパターンするときには、微細なパ
ターンを形成せねばならないので、ミスアラインが発生する余地があるという問題点があ
る。また、前記画素領域で、正孔の移動が電子の移動より速くなり、発光層の上部に正孔
の移動を防止する正孔抑制層を必ず必要とするため、1工程が追加されるという問題点が
ある。
このために正孔輸送型ホストに電子輸送型ホスト物質を添加した新しい構造の有機EL素
子を提供することを目的とする。
ドーパントを含む有機EL素子において、前記発光層は、ホストであり、正孔輸送物質及
び電子輸送物質が混合されており、前記発光層の上部に青色発光層が共通に積層されてい
ることを特徴とする有機EL素子を提供する。
む有機電界発光素子において、前記発光層はホストとして正孔輸送物質及び電子輸送物質
が混合されており、赤色及び緑色画素上にそれぞれ赤色及び緑色発光層が積層され、前記
赤色及び緑色発光層の上部に青色共通層が積層されており、また、青色画素上に青色共通
層だけが積層されてなることを特徴とする有機電界発光(EL)素子を提供する。
青色発光層の共通層を形成することによって、下記のような効果を得ることができる。
抑制層を形成しなくともよいので、発光層の蒸着工程を減らすことができる。
を減らすことができる。
との混色現象を防止できる。
00%向上する。
質として使われる正孔輸送物質は、カルバゾール系化合物であることが望ましい。
スカルバゾリルビフェニル、ポリビニルカルバゾール、m−ビスカルバゾリルフェニル、
4,4’−ビスカルバゾリル−2,2’−ジメチルビフェニル、4,4’,4”−トリ(
N−カルバゾリル)トリフェニルアミン、1,3,5−トリ(2−カルバゾリルフェニル
)ベンゼン、1,3,5−トリス(2−カルバゾリル−5−メトキシフェニル)ベンゼン
及びビス(4−カルバゾリルフェニル)シランよりなる群から選択された一つ以上であり
うる。
質として使われる電子輸送物質は、有機金属錯体、オキサジアゾール系化合物、フェナン
トロリン系化合物、トリアジン系化合物、トリアゾール系化合物、及びスピロフルオレン
系化合物よりなる群から選択された一つ以上の化合物であることが望ましい。
ヒドロキシキノラト)フェノキシ金属、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノラト)ビ
フェノキシ金属、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノラト)フェノキシ金属)、ビス
(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−フェニル−フェノラト)金属、及びビス(2
−(2−ヒドロキシフェニル)キノラト)金属よりなる群から選択された一つ以上であり
、前記金属は、Al、Zn、Be、またはGaであることが望ましい。
ス(8−ヒドロキシキノラト)フェノキシアルミニウム、ビス(2−メチル−8−ヒドロ
キシキノラト)ビフェノキシアルミニウム、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノラト
)フェノキシアルミニウム、ビス(2−(2−ヒドロキシフェニル)キノラト)亜鉛、ま
たはビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−フェニル−フェノラト)アルミニウ
ムであることがさらに望ましい。
チルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾールで、前記フェナントロリン系化合物は、
2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−9,10−フェナントロリンであり、前記トリ
アジン系化合物は、2,4,6−トリス(ジアリールアミノ)−1,3,5−トリアジン
、2,4,6−トリス(ジフェニルアミノ)−1,3,5−トリアジン、2,4,6−ト
リカルバゾロ−1,3,5−トリアジン、2,4,6−トリス(N−フェニル−2−ナフ
チルアミノ)−1,3,5−トリアジン、2,4,6−トリス(N−フェニル−1−ナフ
チルアミノ)−1,3,5−トリアジン、または2,4,6−トリスビフェニル−1,3
,5−トリアジンであり、前記トリアゾール系化合物は、3−フェニル−4−(1’−ナ
フチル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾールであることが望ましい。
数1ないし22個のアルキル基、アルコキシ基、CN基、NO2基、及び−O−Arのう
ちから選択され、ここで、前記Arは、フェニル、ビフェニル、1−ナフチル、及び2−
ナフチルのうちから選択され、Xは、O、CR2、NR、S、またはN=Nである。
ルスピロフルオレン、及びメチルスピロフルオレンなどよりなる群から選択された一つ以
上でありうる。
ビスチエニルピリジンアセチルアセトネートイリジウム、ビス(ベンゾチエニルピリジン
)アセチルアセトネートイリジウム、ビス(2−フェニルベンゾチアゾール)アセチルア
セトネートイリジウム、ビス(1−フェニルイソキノリン)イリジウムアセチルアセトネ
ート、トリス(1−フェニルイソキノリン)イリジウム、及びトリス(2−フェニルピリ
ジン)イリジウムよりなる群から選択された一つ以上であることが望ましい。
9ないし9:1であることが望ましい。さらに望ましくは、2.5:7.5ないし7.5
:2.5である。前記範囲を外れる場合には、青色共通層と発光層との混色現象が発生し
て望ましくない。
あることが望ましい。もし発光層の厚さが100Å未満ならば、励起子の再結合領域が十
分でなくて効率が落ち、800Åを超えれば、駆動電圧が上昇して望ましくない。しかし
、これは現在知られている発光層のケースに該当し、電荷輸送能力にさらにすぐれる材料
である場合には、駆動電圧の上昇が大きくならず、さらに厚い範囲も使用可能である。
ザ熱転写法よりなる群から選択される1種の方法で形成可能である。一方、赤色及び緑色
発光層は、真空蒸着法を使用する場合には、シャドーマスクを使用して微細パターン化し
、スピンコーティングまたはレーザ熱転写法を使用する場合には、シャドーマスクを使用
してパターン化する必要はない。
青色発光物質を塗布して青色発光層300を形成する。
示されうる:
誘導体、ナフチル誘導体、アリール誘導体から選択される置換体であり、Xは、ナフチル
誘導体、ビフェニル誘導体、フェニルナフタレン誘導体、フェニルアントラセン誘導体か
ら選択される単位体である。
ジビフェニル、アントラセンナフタレンビフェニル、及びアントラセンジフェニルのうち
から選択された一つ以上であることが望ましい。
て、80ないし99質量部の範囲にあることが望ましい。青色発光層ホスト物質の含有量
が99質量部を超える場合には、エネルギー伝達がなされず、発光効率が低下して望まし
くなく、一方、80質量部未満である場合には、消光現象により発光効率が低下して望ま
しくない。
−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)、スピロ−DPVBi、
スピロ−6P、ジスチルベンゼン(DSB)、及びジスチリルアリーレン(DSA)より
なる群から選択される1種の物質であるか、またはDPVBi、スピロ−DPVBi、ス
ピロ−6P、DSB、DSA系、及びDSA系三価アミンよりなる群から選択されるホス
ト/ドーパントの2種以上からなる低分子であり、高分子としては、PFO(perfl
uorooctanoate)系高分子またはPPV(poly(p−phenylen
evinylene))系高分子のうちいずれか1つであることが望ましい。
リジウムピコリネート、ジフルオロフェニルピリジンイリジウムピコリネート、またはジ
フルオロシアノフェニルピリジンイリジウムピコリネートなどである。
記青色発光層の厚さが100Å未満の場合には、安定性が低下して望ましくなく、300
Åを超える場合には、駆動電圧が上昇して望ましくない。
ーバンドダイヤグラムを表す図面である。図4は、本発明により、緑色発光物質として燐
光発光物質を使用し、青色発光物質を共通層として使用した場合のエネルギーバンドダイ
ヤグラムを表す図面である。
Occupied Molecular Orbital)値(5.80eV)が電子輸
送層22のHOMO値(5.78eV)より大きいため、正孔が電子輸送層22に伝達さ
れる場合が発生する。従って、発光層で電子と正孔とが結合し、励起子を発生させずに、
正孔が電子輸送層に伝えられることにより、色純度が悪くなるという現象が発生する。
した後すぐに電子輸送層22を導入できるが、燐光発光素子の場合、発光層200のHO
MOより大きいHOMO値を有する正孔抑制層が必要になる。これを改善するために、従
来技術では、正孔抑制層20を発光層と電子輸送層22との間に導入し、HOMO値が5
.92eVである正孔抑制層20は、正孔が電子輸送層22に伝達されることを抑制して
色純度を高めようとした。
することを防止するために、赤色発光層100及び緑色発光層200の上部に青色発光層
300を共通層として使用する。それ以外に、正孔注入層16、正孔輸送層18は同一に
使用する。
通層として導入され、青色発光層300のHOMO値が5.85eVであり、緑色発光層
200のHOMO値が5.80eVであるものより高いため、正孔の移動を抑制できるの
で、図3に示された正孔抑制層20を導入したものとほぼ同じ効果を得ることができると
いうことが分かる。前記は、緑色発光層200を例に説明したが、赤色発光層100の場
合にも同じ効果が示される。また、電子輸送物質と正孔輸送物質との混合層を使用するこ
とによって、発光領域が正孔輸送層領域に移動するようになり、青色共通層での発光が抑
制される。
すれば、まず下部基板10の上部に第1電極12のアノード用物質をコーティングしてア
ノードを形成する。
滑性、取扱い容易性及び防水性にすぐれるガラス、有機基板、または透明プラスチック基
板が望ましい。
し、背面発光構造の場合には、透明であって伝導性にすぐれる酸化インジウム錫(ITO
)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化錫(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)などを使
用する。その後、画素領域を定義する絶縁膜14を形成する。絶縁膜を形成した後、正孔
注入層16及び/または正孔輸送層18を基板全面にわたって有機膜で積層する。
ングして正孔注入層を選択的に形成する。前記正孔注入層16用の物質は、特に制限され
ず、銅フタロシアニン(CuPc)またはスターバスト型アミン類であるTCTA(下記
の化学式3参照)、m−MTDATA(下記の化学式4参照)、IDE 406(出光社
製)などを使用できる。
。もし正孔注入層の厚さが50Å未満である場合には、正孔注入特性が低下し、1500
Åを超える場合には、駆動電圧上昇のために望ましくない。
熱蒸着またはスピンコーティングし、正孔輸送層を選択的に形成する。前記正孔輸送層1
6用の物質は、特に制限されず、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジ
フェニル−[1,1−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(TPD(下記の化学式5参照
))、またはN,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニルベンジジン
(下記の化学式6参照)、IDE 320(出光社製)などが使われる。
。もし正孔輸送層18の厚さが50Å未満である場合には、正孔伝達特性が低下し、15
00Åを超える場合には、駆動電圧上昇のために望ましくない。
領域100、緑色領域200領域には赤色発光物質と緑色発光物質とをパターン化して画
素領域の発光層を形成する。
トとして正孔輸送物質及び電子輸送物質を使用し、蛍光または燐光ドーパントを使用して
発光層を形成する。前記発光層の形成方法は、特に制限されないが、真空蒸着、インクジ
ェットプリンティング、レーザ転写法、フォトリソグラフィなどの方法を利用できる。
は300ないし400Åの範囲にある。もし発光層の厚さが100Å未満ならば、効率及
び寿命が低下し、800Åを超えれば、駆動電圧が上昇して望ましくない。
を前記発光層の上部に塗布し、青色発光層300を形成する。このように、青色発光物質
が発光層の上部に塗布されるので、青色発光領域を別途に微細パターン化する必要がない
ので、パターン化工程が減り、また青色発光物質が基板全面に塗布されることにより、発
光物質の劣化が少なくなるので、安定性が既存の有機EL素子に比べて優れている。
よって最適化が必要であるが、100ないし300Åの範囲にあることが望ましい。10
0Å未満である場合には、青色発光層効果が得られず、300Åを超える場合には、赤色
及び緑色画素の駆動電圧上昇と色座標に変化が生じるので望ましくない。
子輸送層を形成する。電子輸送層20の物質は、特に制限されず、トリス−(8−ヒドロ
キシキノリン)アルミニウム(Alq3)を利用できる。前記電子輸送層20の厚さは、
50ないし600Åであることが望ましい。もし電子輸送層20の厚さが50Å未満であ
る場合には、寿命特性が低下し、600Åを超える場合には、駆動電圧上昇のために望ま
しくない。
2の物質は、特に制限されず、LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、またはL
iq(下記の化学式7参照)のような物質を利用できる。前記電子注入層22の厚さは、
1ないし100Åであることが望ましい。もし電子注入層の厚さが1Å未満である場合に
は、効果的な電子注入層として役割を果たせずに駆動電圧が高く、100Åを超える場合
には、絶縁層として作用して駆動電圧が高くて望ましくない。
2電極のカソード24を基板全面にわたって塗布して封止すると、有機EL素子が完成す
る。前記カソード金属としては、Li、Mg、Al、Al−Li、Ca、Mg−In、M
g−Agなどが利用される。
解するために提示されるのみであり、本発明が実施例に限定されるものではない。
パターニングされているテストセルに、正孔注入層(IDE 406,出光社製)30
nmと正孔輸送層(IDE320,出光社製)とを30nm以下に積層し、まず燐光発光
層のホストとして、CBP(UDC社製造)90質量部とBAlq(Bis(2−met
hyl−8−quinolinolato−N1,O8)−(1,1’−Bipheny
l−4−olato)aluminum)10質量部とを、ドーパントとしてIr(pi
q)2(acac)を10質量%のドーピング濃度でドーピングした物質を、35nm厚
さに積層した後にパターニングした。その上部に、青色蛍光発光物質としてIDE 10
5(出光社製)をドーピングしたIDE 140(出光社製)を10nmの厚さにテスト
セルの全面にわたって積層した。前記燐光発光層は、レーザ熱転写法により積層してパタ
ーニングした。その後、20nm厚さにAlq3(新日鉄化学社製)を電子輸送層として
積層し、カソードを蒸着した後にガラスで封止してテストセルを完成した。
発光層の形成時にCBPの含有量が75質量部であり、BAlqの含有量が25質量部
であることを除いては、実施例1と同じ方法によって実施し、有機EL素子を製造した。
発光層の形成時にCBPの含有量が50質量部であり、BAlqの含有量が50質量部
であることを除いては、実施例1と同じ方法によって実施して有機EL素子を製造した。
発光層の形成時にCBPの含有量が25質量部であり、BAlqの含有量が75質量部
であることを除いては、実施例1と同じ方法によって実施して有機EL素子を製造した。
発光層の形成時にCBPの含有量が10質量部であり、BAlqの含有量が90質量部
であることを除いては、実施例1と同じ方法によって実施して有機EL素子を製造した。
パターニングされているテストセルに、正孔注入層(IDE 406,出光社製)30
nmと正孔輸送層(IDE 320,出光社製)とを30nmに積層し、発光層のホスト
としてCBP(UDC社製)100質量部を、ドーパントとしてIr(piq)2(ac
ac)を10質量%のドーピング濃度にドーピングした物質を35nm厚さに積層した後
にパターニングした。前記発光層は、レーザ熱転写法により積層してパターニングした。
その後、正孔抑制層としてBalq(UDC社製)を共通層で基板全面にわたって5nm
厚さに形成し、その上に20nm厚さにAlq3(新日鉄化学社製)を電子輸送層として
積層してカソードを蒸着した後にガラスで封止してテストセルを完成した。
発光層のホスト物質としてBAlq 100質量部だけを使用したことを除いては、比
較例1と同じ方法で実施した。
パターニングされているテストセルに正孔注入層(IDE 406,出光社製)30n
mと正孔輸送層(IDE 320,出光社製)とを30nmに積層し、まず赤色及び緑色
発光層のホスト物質としてCBP(UDC社製)100質量部を、ドーパントとしてIr
(ppy)3を10質量%のドーピング濃度にドーピングした物質を35nm厚さに積層
した後にパターニングし、その上部に青色蛍光発光物質としてIDE 105(出光社製
)をドーピングしたIDE 140(出光社製)を10nmの厚さにテストセル全面にわ
たって積層した。前記燐光発光層は、レーザ熱転写法により積層してパターニングした。
その後、20nm厚さにAlq3(新日鉄化学社製)を電子輸送層として積層し、カソー
ドを蒸着した後にガラスで封止してテストセルを完成した。
赤色及び緑色発光層のホスト物質としてBAlqだけを使用したことを除いては、実施
例3と同じ方法で実施した。
において、発光効率、色座標及び寿命特性を調べた。発光効率は、スペクトルメータを利
用して測定し、寿命は、フォトダイオードを利用して評価し、その結果を表1に示す。
し4.8cd/Aであり、実施例1ないし実施例5の有機EL素子は、発光効率は5.1
cd/Aないし5.9cd/Aであり、比較例の場合に比べて効率が30%ほど改善され
ることを確認することができた。
には、色純度が若干低いが、燐光発光物質と正孔抑制層とを使用して発光の色純度を表す
比較例1、比較例2と、単一ホスト物質と共に共通層を使用した比較例4と比較すると、
実施例は、色純度の差がほとんど無いことが分かる。
る。実施例1ないし実施例5の有機EL素子は、1,000cd/m2で400ないし6
00時間であり、比較例1ないし比較例4の有機EL素子は、それぞれ1,000cd/
m2で80時間ないし150時間と示された。実施例は、比較例の場合に比べて、寿命特
性が200%ほど改善されることを確認することができた。
12 アノード、
14 絶縁層、
16 正孔注入層、
18 正孔輸送層、
20 電子輸送層、
22 電子注入層、
24 カソード、
100 赤色発光層、
200 緑色発光層、
300 青色発光層。
Claims (19)
- 第1及び第2電極間の発光層に一つ以上の燐光ドーパントを含む有機電界発光素子にお
いて、
前記発光層は、ホスト物質として正孔輸送物質及び電子輸送物質の混合物を含み、かつ
、前記発光層の上部に青色発光層が共通に積層されてなることを特徴とする有機電界発光
素子。 - 前記発光層は、赤色発光層または緑色発光層であり、前記正孔輸送物質は、カルバゾー
ル系化合物を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。 - 前記カルバゾール系化合物は、1,3,5−トリカルバゾリルベンゼン、4,4’−ビ
スカルバゾリルビフェニル、ポリビニルカルバゾール、m−ビスカルバゾリルフェニル、
4,4’−ビスカルバゾリル−2,2’−ジメチルビフェニル、4,4’,4”−トリ(
N−カルバゾリル)トリフェニルアミン、1,3,5−トリ(2−カルバゾリルフェニル
)ベンゼン、1,3,5−トリス(2−カルバゾリル−5−メトキシフェニル)ベンゼン
及びビス(4−カルバゾリルフェニル)シランよりなる群から選択された一つ以上である
ことを特徴とする請求項2に記載の有機電界発光素子。 - 前記発光層は、赤色発光層または緑色発光層であり、前記電子輸送物質は、有機金属錯
体、オキサジアゾール系化合物、フェナントロリン系化合物、トリアジン系化合物、トリ
アゾール系化合物、及びスピロフルオレン系化合物よりなる群から選択された一つ以上の
化合物であることを特徴とする請求項2に記載の有機電界発光素子。 - 前記有機金属錯体は、ビス(8−ヒドロキシキノラト)ビフェノキシ金属、ビス(8−
ヒドロキシキノラト)フェノキシ金属、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノラト)ビ
フェノキシ金属、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノラト)フェノキシ金属)、ビス
(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−フェニル−フェノラト)金属、及びビス(2
−(2−ヒドロキシフェニル)キノラト)金属よりなる群から選択された一つ以上であり
、前記金属は、Al、Zn、Be、またはGaであることを特徴とする請求項4に記載の
有機電界発光素子。 - 前記有機金属錯体は、ビス(8−ヒドロキシキノラト)ビフェノキシアルミニウム、ビ
ス(8−ヒドロキシキノラト)フェノキシアルミニウム、ビス(2−メチル−8−ヒドロ
キシキノラト)ビフェノキシアルミニウム、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノラト
)フェノキシアルミニウム、ビス(2−(2−ヒドロキシフェニル)キノラト)亜鉛、ま
たはビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−フェニル−フェノラト)アルミニウ
ムであることを特徴とする請求項4に記載の有機電界発光素子。 - 前記オキサジアゾール系化合物は、(4−ビフェニルイル)−5−(4−tert−ブ
チルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾールであり、前記フェナントロリン系化合物
は、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−9,10−フェナントロリンであることを
特徴とする請求項4に記載の有機電界発光素子。 - 前記トリアジン系化合物は、2,4,6−トリス(ジアリールアミノ)−1,3,5−
トリアジン、2,4,6−トリス(ジフェニルアミノ)−1,3,5−トリアジン、2,
4,6−トリカルバゾロ−1,3,5−トリアジン、2,4,6−トリス(N−フェニル
−2−ナフチルアミノ)−1,3,5−トリアジン、2,4,6−トリス(N−フェニル
−1−ナフチルアミノ)−1,3,5−トリアジン、または2,4,6−トリスビフェニ
ル−1,3,5−トリアジンであり、前記トリアゾール系化合物は、3−フェニル−4−
(1’−ナフチル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾールであることを特徴とする
請求項4に記載の有機電界発光素子。 - 前記スピロフルオレン系化合物は、フェニルスピロフルオレン、ビフェニルスピロフル
オレン及びメチルスピロフルオレンよりなる群から選択された一つ以上であることを特徴
とする請求項4に記載の有機電界発光素子。 - 前記発光層で燐光ドーパントは、ビスチエニルピリジンアセチルアセトネートイリジウ
ム、ビス(ベンゾチエニルピリジン)アセチルアセトネートイリジウム、ビス(2−フェ
ニルベンゾチアゾール)アセチルアセトネートイリジウム、ビス(1−フェニルイソキノ
リン)イリジウムアセチルアセトネート、トリス(1−フェニルイソキノリン)イリジウ
ム、及びトリス(2−フェニルピリジン)イリジウムよりなる群から選択された一つ以上
であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。 - 前記正孔輸送物質及び電子輸送物質の混合比が、1:9ないし9:1であることを特徴
とする請求項1に記載の有機電界発光素子。 - 前記赤色及び緑色燐光発光層の厚さは、100ないし800Åの範囲にあることを特徴
とする請求項2に記載の有機電界発光素子。 - 前記赤色及び緑色燐光発光物質は、真空蒸着、湿式コーティング、インクジェット及び
レーザ熱転写法よりなる群から選択される1種の方法で形成されるものであることを特徴
とする請求項2に記載の有機電界発光素子。 - 前記青色発光層に使われるホストは、下記の化学式1で示される化合物であることを特
徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子:
体、ナフチル誘導体、及びアリール誘導体から選択される少なくとも一つであり、Xは、
ナフチル誘導体、ビフェニル誘導体、フェニルナフタレン誘導体、及びフェニルアントラ
セン誘導体から選択される少なくとも一つである。 - 前記青色発光層のホスト物質の含有量は、青色発光層の総質量100質量部を基準とし
て、80ないし99質量部の範囲にあることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光
素子。 - 前記青色発光層に発光物質として使われる蛍光ドーパントは、低分子としては、DPV
Bi、スピロ−DPVBi、スピロ−6P、ジスチルベンゼン(DSB)、及びジスチリ
ルアリーレン(DSA)よりなる群から選択される1種の物質であるか、またはDPVB
i、スピロ−DPVBi、スピロ−6P、ジスチルベンゼン(DSB)、ジスチリルアリ
ーレン(DSA)系、及びジスチリルアリーレン系三価アミンよりなる群から選択される
ホスト/ドーパントの2種以上からなる低分子、または高分子としては、PFO系高分子
またはPPV系高分子のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項1に記載の有機
電界発光素子。 - 前記青色発光層に使われる燐光ドーパントは、フルオロフェニルピリジンイリジウムピ
コリネート、ジフルオロフェニルピリジンイリジウムピコリネート、及びジフルオロシア
ノフェニルピリジンイリジウムピコリネートよりなる群から選択された一つ以上であるこ
とを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。 - 前記青色発光層の厚さは、100ないし300Åの範囲にあることを特徴とする請求項
1に記載の有機電界発光素子。 - 第1電極及び第2電極の間の発行層に一つ以上の燐光ドーパントを含む有機電界発光素
子において、
前記発光層はホストとして正孔輸送物質及び電子輸送物質が混合されており、赤色及び
緑色画素上にそれぞれ赤色及び緑色発光層が積層され、前記赤色及び緑色発光層の上部に
青色共通層が積層されており、また、青色画素上に青色共通層だけが積層されてなること
を特徴とする有機電界発光素子。
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