JP2015029073A5 - - Google Patents

Description

よって、本発明は、被加工基材の上に、光硬化性組成物を配置する配置工程と、
凝縮性ガス雰囲気下で、前記光硬化性組成物とモールドとを接触させる接触工程と、
前記光硬化性組成物と前記モールドとを接触させた状態で前記モールドと前記被加工基材との位置を合わせる位置合わせ工程と、
前記光硬化性組成物に光を照射して、光硬化膜を生成する光照射工程と、
前記光照射工程の後、前記光硬化膜と前記モールドとを引き離す離型工程と、
を有するインプリント方法において、
前記凝縮性ガスは、前記接触工程において凝縮する気体であり、
前記位置合わせ工程における前記光硬化性組成物の膜厚が、前記離型工程後の前記光硬化膜の膜厚よりも２０％以上厚いことを特徴とするインプリント方法を提供する。

Claims (12)

1. 被加工基材の上に、光硬化性組成物を配置する配置工程と、
   凝縮性ガスの雰囲気下で、前記光硬化性組成物とモールドとを接触させる接触工程と、前記光硬化性組成物と前記モールドとを接触させた状態で前記モールドと前記被加工基材との位置を合わせる位置合わせ工程と、
   前記光硬化性組成物に光を照射して光硬化膜を得る光照射工程と、
   前記光照射工程の後、前記光硬化膜と前記モールドとを引き離す離型工程と、
   を有するインプリント方法において、
   前記凝縮性ガスは、前記接触工程において凝縮する気体であり、
   前記位置合わせ工程における前記光硬化性組成物の膜厚が、前記離型工程後の前記光硬化膜の膜厚よりも２０％以上厚いことを特徴とするインプリント方法。
2. 前記離型工程後の前記光硬化膜の膜厚が４０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
3. 前記離型工程後の前記光硬化膜の膜厚が２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント方法。
4. 前記接触工程よりも前に、前記凝縮性ガスを前記光硬化性組成物に溶解させるための溶解工程をさらに有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のインプリント方法。
5. 前記接触工程が、前記凝縮性ガス及び非凝縮性ガスの混合ガス雰囲気下で行われることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のインプリント方法。
6. 前記凝縮性ガスは、ペンタフルオロプロパン、トリクロロフルオロメタン、ペンタフルオロエチルメチルエーテルのいずれかであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のインプリント方法。
7. 前記凝縮性ガスは、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパンであることを特徴とする請求項６に記載のインプリント方法。
8. 前記配置工程において、前記光硬化性組成物は、インクジェット法、ディップコート法、スピンコート法のいずれかにより配置されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のインプリント方法。
9. 前記光硬化性組成物はアクリル樹脂であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のインプリント方法。
10. 前記位置合わせ工程が、１．０秒以下で行われることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のインプリント方法。
11. 凝縮性ガスを導入するガス導入機構と、モールドと被加工基材の位置合わせ機構と、を少なくとも備えたインプリント装置において、
    モールドと被加工基材との間隙を２０ｎｍ以下に制御可能な機構を備えることを特徴とするインプリント装置。
12. 前記凝縮性ガスと接触する面に、前記インプリント装置を構成する部材を保護するための保護層をさらに有することを特徴とする請求項１１に記載のインプリント装置。