JP2015015299A - 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル - Google Patents
電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015015299A JP2015015299A JP2013139914A JP2013139914A JP2015015299A JP 2015015299 A JP2015015299 A JP 2015015299A JP 2013139914 A JP2013139914 A JP 2013139914A JP 2013139914 A JP2013139914 A JP 2013139914A JP 2015015299 A JP2015015299 A JP 2015015299A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electromagnetic wave
- alloy
- alloy layer
- metal foil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 95
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 95
- 229910020938 Sn-Ni Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- 229910008937 Sn—Ni Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 76
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 27
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 27
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 17
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 16
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 36
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 138
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 15
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 11
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011104 metalized film Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 210000003491 skin Anatomy 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910018100 Ni-Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018532 Ni—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHOZNOZYMBRCBL-OUKQBFOZSA-N (2E)-2-Tetradecenal Chemical compound CCCCCCCCCCC\C=C\C=O WHOZNOZYMBRCBL-OUKQBFOZSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001200 Ferrotitanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N copper(i) cyanide Chemical compound [Cu+].N#[C-] DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J diphosphate(4-) Chemical compound [O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 210000002615 epidermis Anatomy 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229940044654 phenolsulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C13/00—Alloys based on tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/03—Alloys based on nickel or cobalt based on nickel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5846—Reactive treatment
- C23C14/5853—Oxidation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/32—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer
- C23C28/321—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer with at least one metal alloy layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/34—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates
- C23C28/345—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates with at least one oxide layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
- C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
- C25D5/50—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment
- C25D5/505—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment of electroplated tin coatings, e.g. by melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/625—Discontinuous layers, e.g. microcracked layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/06—Wires; Strips; Foils
- C25D7/0614—Strips or foils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0073—Shielding materials
- H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
- H05K9/0084—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single continuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal foil, film, plating coating, electro-deposition, vapour-deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0073—Shielding materials
- H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
- H05K9/0088—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a plurality of shielding layers; combining different shielding material structure
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0073—Shielding materials
- H05K9/0098—Shielding materials for shielding electrical cables
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
- B32B2307/212—Electromagnetic interference shielding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/70—Other properties
- B32B2307/714—Inert, i.e. inert to chemical degradation, corrosion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/562—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of iron or nickel or cobalt
Abstract
Description
上記の複合材料としては、銅又は銅合金箔からなる基材の一方の面に樹脂層又はフィルムを積層し、他の面にSnめっき被膜を形成した構造が用いられている(特許文献1参照)。
又、アルミニウム又はアルミニウム合金箔の表面に亜鉛置換めっき層、電気ニッケルめっき層、又は電気スズめっき層を形成することで、耐湿性、耐食性を改善した多層めっきアルミニウム(合金)箔が開発されている(特許文献2参照)。
しかしながら、Snは拡散層を形成しやすいため、長期にわたって使用するとSnめっき中のSnがすべて合金となって純Snが残存しなくなり、耐食性が低下する。このため、長期の耐食性を確保するにはSnめっきの厚みを厚くする必要があり、コストアップに繋がる。
前記Sn−Ni合金層は、前記基材の構成元素を10質量%以下含むことが好ましい。
前記Sn−Ni合金層と前記基材との間に、Niからなる金属層、又はNiと、P、W、Fe、Co若しくはZnとからなる合金層によって構成される下地層が形成されていることが好ましい。
前記基材が金、銀、白金、ステンレス、鉄、ニッケル、亜鉛、銅、銅合金、アルミニウム、又はアルミニウム合金からなることが好ましい。
前記基材がアルミニウムまたはアルミニウム合金であって、前記基材と前記下地層の間に、Zn層が形成されていることが好ましい。
前記樹脂層は樹脂フィルムであることが好ましい。
基材1は、電磁波シールド効果を発揮する導電性の高い金属であればなんでもよい。基材1としては金、銀、白金、ステンレス、鉄、ニッケル、亜鉛、銅、銅合金、アルミニウム、又はアルミニウム合金などの箔が挙げられるが、銅又はアルミニウムの箔が一般的である。
基材1の形成方法は特に限定されず、例えば圧延して製造してもよく、電気めっきで箔を形成してもよい。又、後述する電磁波シールド材の樹脂層又は樹脂フィルムの表面に、乾式めっきして基材1を成膜してもよい。
基材1の厚みは、電磁波シールドの対象とする周波数と表皮効果を考慮して決定するのがよい。具体的には、基材1を構成する元素の導電率と、対象となる周波数を下式(1)に代入して得られる表皮深さ以上とするのが好ましい。例えば、基材1として銅箔を使用し、対象となる周波数が100MHzの場合、表皮深さは6.61μmであるので、基材1の厚みを約7μm以上とするのがよい。基材1の厚みが厚くなると、柔軟性や加工性に劣り、原料コストも増加することから100μm以下とする。基材1の厚みは4〜50μmがより好ましく、5〜25μmがさらに好ましい。
d={2/(2π×f×σ×μ)}1/2 (1)
d:表皮深さ(μm)
f:周波数(GHz)
σ:導体の導電率(S/m)
μ:導体の透磁率(H/m)
圧延銅箔としては、純度99.9%以上の無酸素銅(JIS-H3100(C1020))又はタフピッチ銅(JIS-H3100(C1100))を用いることができる。又、銅合金箔としては要求される強度や導電性に応じて公知の銅合金を用いることができる。公知の銅合金としては、例えば、0.01〜0.3%の錫入り銅合金や0.01〜0.05%の銀入り銅合金が挙げられ、特に、導電性に優れたものとしてCu-0.12%Sn、Cu-0.02%Agがよく用いられる。例えば、圧延銅箔として導電率が5%以上のものを用いることができる。電解銅箔としては、公知のものを用いることができる。
又、アルミニウム箔としては、純度99.0%以上のアルミニウム箔を用いることができる。又、アルミニウム合金箔としては、要求される強度や導電率に応じて公知のアルミニウム合金を用いることができる。公知のアルミニウム合金としては、例えば、0.01〜0.15%のSiと0.01〜1.0%のFe入りのアルミニウム合金、1.0〜1.5%のMn入りアルミニウム合金が挙げられる。
Sn−Ni合金層2はSnを20〜80質量%含む。Sn−Ni合金層2は、他のSn合金(例えば、Sn−Cu合金)層に比べて、NOX、SOXに対する耐食性が高く、かつ比較的安価である。
Sn−Ni合金層中のSnの割合が20質量%未満であると、合金層の耐食性が低下する。一方、Snの割合が80質量%を超えると、加熱によって合金層表面に酸化物の形成が過度に進み、酸化物が厚くなりやすく、酸化物中のNiの割合が高くなりやすい。
Sn−Ni合金層2はNi3Sn、Ni3Sn2またはNi3Sn4の金属間化合物であることが好ましい。これらの金属間化合物は非平衡合金層と比較して耐食性が良好である。
図4に示すように、Snを5wt%以上含み、かつNiを5wt%以上含む層をSn−Ni合金層とし、その厚みを図4上(線分析の走査距離に対応)で求める。Sn合金層よりも下層側に位置し、Snが5wt%未満であり、Niを5wt%以上含む層を下地層とし、その厚みを図上で求める。
STEMの測定を3視野で行い、3視野×5カ所の平均値を各層の厚さとする。
なお、C元素群は、Sn−Ni合金層を形成する際にSn−Ni合金層自体に含有させてもよい。又、C元素群を下地層に含ませておく一方、C元素群を含まないSn−Ni合金層を形成し、所望の熱処理によってSn−Ni合金層中にC元素群を拡散させてもよい。又、C元素群を下地層に含ませておく一方、C元素群を含まないSn−Ni合金層を形成したままとしてもよく、この場合、電磁波シールド用金属箔を高温で使用した際にSn−Ni合金層中にC元素群が拡散する。
Sn−Ni合金層2の表面には酸化物3が形成されている。酸化物はSn−Ni合金層2よりもNOX、SOXに対する耐食性が高いので、耐食性が向上する。
但し、酸化物が厚くなり過ぎると、電磁波シールド用金属箔の初期の接触抵抗が増加する。又、酸化物は必ずしも層状とは限らないので、酸化物の厚みを以下のように規定した。
すなわち、図5に示すように、最表面からの深さをXnmとしてXPS(X線光電子分光分析法)により深さ方向分析を行い、Snの原子濃度(%)をASn(X)、Niの原子濃度(%)をANi(X)、酸素の原子濃度(%)をA0(X)とし、A0(X)=0になるときのXをX0とする。X0は最表面から深さ方向に酸素濃度が0となった時の深さであるから、酸化物の厚みを表し、30nm≧X0≧0.5nmであれば、酸化物の厚みが適切である。X0<0.5nmであると、酸化物の厚みが薄くなって上述のように耐食性が低下する。一方、X0>30nmの場合、初期の接触抵抗が増加する。
そこで、図5のXPSにより、区間[0、X0]において、∫ANi(X)dx/∫ASn(X)dxを求め、この値を酸化物中のSnに対するNiの原子割合(以下、「Ni比」という)とする。そして、0.4≧∫ANi(X)dx/∫ASn(X)dx≧0.05であれば、酸化物中のSnに対するNiの割合が適切である。Ni比が0.05未満であると耐食性が低下し、Ni比が0.4を超えると接触抵抗が増加する。
なお、∫ANi(X)dxは、図5において区間[0、X0]におけるANi(X)(図5の破線で表される曲線)と横軸との間の面積であり、酸化物中のNiの量に比例する。同様に、∫ASn(X)dxは、区間[0、X0]におけるASn(X)(図5の太線で表される曲線)と横軸との間の面積であり、酸化物中のSnの量に比例する。
Sn−Ni合金層は、合金めっき(湿式めっき)、合金層を構成する合金のターゲットを用いたスパッタ、合金層を構成する成分を用いた蒸着等によって形成することができる。
又、図1(a)に示すように、例えば、基材1の片面にまずNiからなる第1層21を形成し、第1層21の表面にSnからなる第2層31を形成した後、熱処理して第1層21と第2層31の元素を合金化させて、図1(b)に示すSn−Ni合金層2を形成することもできる。その場合、熱処理後も第1層21がNi下地層として残存するように各層の厚みをコントロールするとよい。熱処理の条件は特に限定されないが、例えば、120〜500℃で2秒〜10時間程度とすることができる。
又、基材としてアルミニウムやアルミニウム合金箔を使用する場合、下地層をNiめっきするための下地めっきとして、下地層と基材1との間に亜鉛置換めっき層を形成してもよい。
Sn−Ni合金層を図1(a)に示す熱処理によって得る場合、熱処理の際に酸化物も同時に形成することができる。ただし、熱処理雰囲気中の酸素濃度が2%を超えると、酸化物が成長し過ぎてX0>30nmとなることがある。一方、熱処理雰囲気中の酸素濃度が0.1%未満であると酸化物層が十分に形成されずX0<0.5nmとなることがあるので、熱処理雰囲気中の酸素濃度を0.1〜2%以下とすることが好ましい。熱処理の温度及び時間は特に限定されないが、例えば、80〜230℃で1〜15時間程度とすることができる。加熱温度が230℃を超えるとSnが溶融して液相となり、急激に合金化が進行するため酸化物が十分に形成されず、X0が0.5nm未満となる。また、加熱温度が230℃を超えると、Sn−Ni合金層が形成された後も高温の状態となるため、Niの酸化が進行し、酸化物のNi比が0.4を超える場合がある。
Sn−Ni合金層を、合金めっき(湿式めっき)、合金のターゲットを用いたスパッタ、合金層を構成する成分を用いた蒸着等によって形成する場合は、Sn−Ni合金層を形成した後に、上述の雰囲気、温度及び時間で熱処理を行うことにより酸化物を形成することができる。
樹脂層としては例えばポリイミド等の樹脂を用いることができ、樹脂フィルムとしては例えばPET(ポリエチレンテレフタラート)、PEN(ポリエチレンナフタレート)のフィルムを用いることができる。樹脂層や樹脂フィルムは、接着剤により金属箔に接着されてもよいが、接着剤を用いずに溶融樹脂を金属箔上にキャスティングしたり、フィルムを金属箔に熱圧着させてもよい。又、樹脂フィルムにPVDやCVDで直接銅やアルミニウムの層を基材として形成したフィルムや、樹脂フィルムにPVDやCVDで銅やアルミニウムの薄い層を導電層として形成した後、この導電層上に湿式めっきで金属層を厚く形成したメタライズドフィルムを用いてもよい。
樹脂層や樹脂フィルムとしては公知のものを用いることができる。樹脂層や樹脂フィルムの厚みは特に制限されないが、例えば1〜100μm、より好ましくは3〜50μmのものを好適に用いることができる。又、接着剤を用いた場合、接着層の厚みは例えば10μm以下とすることができる。
材料の軽薄化の観点から、電磁波シールド材100の厚みは1.0mm以下、より好ましくは0.01〜0.5mmであることが好ましい。
そして、電磁波シールド材100をケーブルの外側に巻くことで、シールドケーブルが得られる。
(基材)
圧延銅箔としては、厚さ8μmの圧延銅箔(JX日鉱日石金属製の型番C1100)を用いた。
電解銅箔としては、厚さ8μmの無粗化処理の電解銅箔(JX日鉱日石金属製の型番JTC箔)を用いた。
Cuメタライズドフィルムとしては、厚さ8μmのメタライジングCCL(日鉱金属製の製品名「マキナス」)を用いた。
アルミニウム箔としては、厚さ12μmのアルミニウム箔(サン・アルミニウム工業社製)を用いた。
Alメタライズドフィルムとしては、厚さ12μmのPETフィルム(東洋紡績社製)に真空蒸着でアルミニウムを6μm形成したものを用いた。
上記基材の片面に下地層及びSn−Ni合金層を形成した。表1、表2に、各層の形成方法を示す。なお、以下の熱処理を行った場合も含め、下地層、Sn−Ni合金層及び酸化物の組成や厚みは、熱処理等を行った後の最終状態での値である。
表1、表2において「めっき」とは、図1(a)に示す方法で第1層(Ni層)21、第2層(Sn層)31をこの順でめっきした後、表1、表2に示す条件で熱処理したものである。なお、熱処理はすべて窒素雰囲気下で行った。このときの熱処理炉の酸素濃度は表1、表2に示す値であった。表1、表2において「合金めっき」は、合金めっきによりSn−Ni合金層を形成したものである。
又、実施例13、14はアルミニウムからなる基材に置換めっきによってZn層を形成した後、Zn層の上にNiの下地層、Snめっきを順に施し、さらに熱処理によりSn−Ni合金層を形成した。
又、比較例8はアルミニウム箔に置換めっきによってZn層を形成した後、Zn層の上にNiの下地層をめっきし、下地層の上にSnめっきを施したが、熱処理をしなかった。
なお、各めっきは、以下の条件で形成した。
Niめっき:硫酸Ni浴(Ni濃度:20g/L、電流密度:2〜10A/dm2)
Snめっき:フェノールスルホン酸Sn浴(Sn濃度:40g/L、電流密度:2〜10A/dm2)
Zn置換めっき:ジンケート浴(Zn濃度:15g/L)
Ni−Sn:ピロリン酸塩浴(Ni濃度10g/L、Sn濃度10g/L、電流密度:0.1〜2A/dm2)
Ni−P:硫酸浴(Ni濃度:20g/L、P濃度:20g/L、電流密度:2〜4A/dm2)
Ni−W:硫酸浴(Ni濃度:20g/L、W濃度:20g/L、電流密度:0.1〜2A/dm2)
Ni−Fe:硫酸浴(Ni濃度:20g/L、Fe濃度:10g/L、電流密度:0.1〜2A/dm2)
Ni−Co:硫酸浴(Ni濃度:20g/L、Co濃度:10g/L、電流密度:0.1〜2A/dm2)
表1、表2において「合金スパッタ」は、Niをスパッタして下地層を形成した後、Sn−Ni合金のターゲット材を用いてスパッタしてSn−Ni合金層を形成したものである
なお、合金スパッタで成膜される層は合金層そのものの組成であるが、酸化物を形成するために熱処理を行った。
なお、スパッタ、合金スパッタは以下の条件で行った。
スパッタ装置:バッチ式スパッタリング装置(アルバック社、型式MNS−6000)
スパッタ条件:到達真空度1.0×10-5Pa、スパッタリング圧0.2Pa、スパッタリング電力50W
ターゲット:Ni(純度3N)、Sn(純度3N)、Ni−Sn(それぞれ(質量%で)Ni:Sn=85:15、75:25、60:40、27:73、15:85)
得られた電磁波シールド用金属箔の断面試料について、STEM(走査透過型電子顕微鏡、日本電子株式会社製JEM−2100F)による線分析を行い、層構成を判定した。分析した指定元素は、Sn、Ni、C元素群(P、W、Fe、Co)、Zn、C、S、Oおよび基材に含まれる元素である。また、上記した指定元素の合計を100%として、各層における各元素の割合(wt%)を分析した(加速電圧:200kV、測定間隔:2nm)。
図4に示すように、Snを5wt%以上含み、かつNiを5wt%以上含む層をSn−Ni合金層とし、その厚みを図4上(線分析の走査距離に対応)で求めた。Sn合金層よりも下層側に位置し、Snが5wt%未満であり、Niを5wt%以上含む層を下地層とし、その厚みを図上で求めた。STEMの測定を3視野で行い、3視野×5箇所の平均値を各層の厚さとした。
得られた電磁波シールド用金属箔の断面試料について、XPS(アルバック・ファイ社製5600MC)により表面をイオンビームで削りながら、Sn、Ni、O(酸素)の原子濃度を分析した(加速電圧3kV、スパッタリングレート1.8nm/min)。図5に示すXPSチャートから、上述の方法により酸化物の厚みX0及びNi比を求めた。
又、得られた電磁波シールド用金属箔のSn−Ni合金層側の面について、それぞれガス腐食試験の前後のSn−Ni合金層側の最表面の接触抵抗を測定した。
接触抵抗の測定は山崎精機株式会社製の電気接点シミュレーターCRS−1を使用して四端子法で測定した。プローブ:金プローブ、接触荷重:20gf、バイアス電流:10mA、摺動距離:1mm
接触抵抗は以下の基準で評価した。
◎:接触抵抗が10mΩ未満
○:接触抵抗が10mΩ以上100mΩ未満
×:接触抵抗が100mΩ以上
なお、ガス腐食試験前の接触抵抗は初期の接触抵抗を表し、ガス腐食試験後の接触抵抗は耐食性を表す。ガス腐食試験前後の接触抵抗の評価が共に○であれば実用上、問題はない。
又、各実施例及び比較例において、各層の厚みと組成からSn、Ni、P、W、Fe、Co、Cuの1m2当たりの付着重量を算出し、金属価格から試料のコストを見積もった。コストが所定の閾値以下のものを評価○とし、閾値を超えたものを×とした。
なお、図3、4は、それぞれ実施例1の試料のSTEMによる断面像、及びSTEMによる線分析の結果である。断面像におけるX層、Y層は、線分析の結果から、それぞれSn−Ni合金層、Ni層であることがわかる。
また、図5は実施例1の試料のXPSによる分析の結果である。
酸素濃度が0.1%未満の雰囲気で熱処理した比較例2の場合、X0が0.5nm未満となり、酸化物が薄くなったために耐食性が劣った。
Sn−Ni合金中のSn濃度が80質量%を超えた比較例3の場合、酸化物のNi比が0.05未満となり、耐食性が劣った。
Sn−Ni合金中のSn濃度が20%質量未満である比較例4の場合、酸化物のNi比が0.4を超え、初期の接触抵抗が高くなった。
Sn−Ni合金層の厚みが30nm未満である比較例5の場合、耐食性が劣った。
Sn−Ni合金層の厚みが500nmを超えた比較例6の場合、表面にクラックが発生し、耐食性が劣ると共に、コストアップとなった。
Sn−Ni合金の代わりにSn−Cu合金を形成した比較例7の場合、耐食性が劣った。
Sn−Ni合金の代わりに純Sn層を形成した比較例8、10の場合、コストアップとなった。
熱処理の温度が230℃を超えた比較例9の場合、Snの融点以上の温度で合金化が進んだため、酸化物のNi比が0.4を超え、初期の接触抵抗が高くなった。
2 Sn−Ni合金層
3 酸化物
4 樹脂層又は樹脂フィルム
10 電磁波シールド用金属箔
100 電磁波シールド材
Claims (9)
- 金属箔からなる基材の片面又は両面に、Sn−Ni合金層が形成され、該Sn−Ni合金層の表面に酸化物が形成され、
前記Sn−Ni合金層は、Snを20〜80質量%含み、厚さが30〜500nmであり
最表面からの深さをXnmとしてXPSにより深さ方向分析を行い、
Snの原子濃度(%)をASn(X)、Niの原子濃度(%)をANi(X)、酸素の原子濃度(%)をA0(X)とし、A0(X)=0になるときのXをX0としたとき、
30nm≧X0≧0.5nmであり、かつ区間[0、X0]において、0.4≧∫ANi(X)dx/∫ASn(X)dx≧0.05を満たす電磁波シールド用金属箔。 - 前記Sn−Ni合金層がさらに、P、W、Fe及びCoの群から選ばれる1種以上の元素を含む請求項1に記載の電磁波シールド用銅箔。
- 前記Sn−Ni合金層は、前記基材の構成元素を10質量%以下含む請求項1又は2に記載の電磁波シールド用銅箔。
- 前記Sn−Ni合金層と前記基材との間に、Niからなる金属層、又はNiと、P、W、Fe、Co又はZnとからなる合金層によって構成される下地層が形成されている請求項1〜3のいずれかに記載の電磁波シールド用金属箔。
- 前記基材が金、銀、白金、ステンレス、鉄、ニッケル、亜鉛、銅、銅合金、アルミニウム、又はアルミニウム合金からなる請求項1〜4のいずれかに記載の電磁波シールド用金属箔。
- 前記基材がアルミニウムまたはアルミニウム合金であって、前記基材と前記下地層の間に、Zn層が形成されている請求項1〜5のいずれかに記載の電磁波シールド用金属箔。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の電磁波シールド用金属箔の片面に、樹脂層が積層されている電磁波シールド材。
- 前記樹脂層は樹脂フィルムであることを特徴とする請求項7に記載の電磁波シールド材。
- 請求項7又は8に記載の電磁波シールド材でシールドされたシールドケーブル。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013139914A JP5497949B1 (ja) | 2013-07-03 | 2013-07-03 | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル |
PCT/JP2014/053976 WO2015001817A1 (ja) | 2013-07-03 | 2014-02-20 | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル |
EP14820189.0A EP3018986B1 (en) | 2013-07-03 | 2014-02-20 | Electromagnetic wave shield-use metal foil, electromagnetic wave shield material and shield cable |
CN201480037280.1A CN105340376B (zh) | 2013-07-03 | 2014-02-20 | 电磁波屏蔽用金属箔、电磁波屏蔽材料和屏蔽电缆 |
US14/902,188 US9485894B2 (en) | 2013-07-03 | 2014-02-20 | Metal foil for electromagnetic shielding, electromagnetic shielding material, and shielding cable |
KR20140074089A KR101508099B1 (ko) | 2013-07-03 | 2014-06-18 | 전자파 실드용 금속박, 전자파 실드재 및 실드 케이블 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013139914A JP5497949B1 (ja) | 2013-07-03 | 2013-07-03 | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5497949B1 JP5497949B1 (ja) | 2014-05-21 |
JP2015015299A true JP2015015299A (ja) | 2015-01-22 |
Family
ID=50941681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013139914A Active JP5497949B1 (ja) | 2013-07-03 | 2013-07-03 | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9485894B2 (ja) |
EP (1) | EP3018986B1 (ja) |
JP (1) | JP5497949B1 (ja) |
KR (1) | KR101508099B1 (ja) |
CN (1) | CN105340376B (ja) |
WO (1) | WO2015001817A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016204208A1 (ja) * | 2015-06-19 | 2016-12-22 | 株式会社村田製作所 | モジュールおよびその製造方法 |
JP2017055070A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
WO2018181399A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 古河電気工業株式会社 | めっき線棒材及びその製造方法、並びにこれを用いて形成されたケーブル、電線、コイル及びばね部材 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5887305B2 (ja) | 2013-07-04 | 2016-03-16 | Jx金属株式会社 | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材、及びシールドケーブル |
WO2015181969A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル |
EP3150746A4 (en) * | 2014-05-30 | 2018-07-04 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Metal foil for electromagnetic wave shielding, electromagnetic wave shielding member, and shielded cable |
JP6278922B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2018-02-14 | Jx金属株式会社 | 電磁波シールド材 |
JP6341948B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2018-06-13 | Jx金属株式会社 | 電磁波シールド材 |
CN107018648A (zh) * | 2017-06-02 | 2017-08-04 | 深圳天珑无线科技有限公司 | 屏蔽罩及其制备方法、电子装置 |
JP2019061766A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | 矢崎総業株式会社 | 2芯シールドケーブル及びワイヤーハーネス |
CN113544795A (zh) * | 2019-03-01 | 2021-10-22 | 密歇根大学董事会 | 基于超薄导体的半透明电磁干扰屏蔽 |
JP7160024B2 (ja) * | 2019-12-20 | 2022-10-25 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
WO2022176121A1 (ja) * | 2021-02-18 | 2022-08-25 | 住友電気工業株式会社 | 差動信号伝送用ケーブル |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4033611B2 (ja) * | 2000-07-28 | 2008-01-16 | メック株式会社 | 銅または銅合金のマイクロエッチング剤およびそれを用いるマイクロエッチング法 |
JP4483372B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-06-16 | Jfeスチール株式会社 | 樹脂被覆錫合金めっき鋼板 |
US6943288B1 (en) * | 2004-06-04 | 2005-09-13 | Schlegel Systems, Inc. | EMI foil laminate gasket |
JP2008274417A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-11-13 | Nikko Kinzoku Kk | 積層銅箔及びその製造方法 |
KR101245911B1 (ko) * | 2008-05-30 | 2013-03-20 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | Sn 또는 Sn 합금 도금 피막, 그것을 갖는 복합 재료, 및 복합 재료의 제조 방법 |
JP5268748B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-08-21 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Sn又はSn合金めっき被膜、及びそれを有する複合材料 |
JP5356968B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2013-12-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Snめっき被膜、及びそれを有する複合材料 |
EP2542043B1 (en) * | 2010-03-30 | 2015-12-23 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Composite for electromagnetic shielding |
JP5325175B2 (ja) * | 2010-07-15 | 2013-10-23 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 銅箔複合体、及び成形体の製造方法 |
JP5977488B2 (ja) * | 2011-06-24 | 2016-08-24 | 福田金属箔粉工業株式会社 | 多層めっきアルミニウム又はアルミニウム合金箔の製造方法 |
KR101626691B1 (ko) * | 2012-01-13 | 2016-06-01 | 제이엑스금속주식회사 | 동박 복합체, 그리고 성형체 및 그 제조 방법 |
JP5966874B2 (ja) * | 2012-01-27 | 2016-08-10 | Tdk株式会社 | 構造体、及びそれを含む電子部品、プリント配線板 |
-
2013
- 2013-07-03 JP JP2013139914A patent/JP5497949B1/ja active Active
-
2014
- 2014-02-20 CN CN201480037280.1A patent/CN105340376B/zh active Active
- 2014-02-20 WO PCT/JP2014/053976 patent/WO2015001817A1/ja active Application Filing
- 2014-02-20 EP EP14820189.0A patent/EP3018986B1/en active Active
- 2014-02-20 US US14/902,188 patent/US9485894B2/en active Active
- 2014-06-18 KR KR20140074089A patent/KR101508099B1/ko active IP Right Grant
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016204208A1 (ja) * | 2015-06-19 | 2016-12-22 | 株式会社村田製作所 | モジュールおよびその製造方法 |
US10256195B2 (en) | 2015-06-19 | 2019-04-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Module and method for manufacturing same |
JP2017055070A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
WO2018181399A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 古河電気工業株式会社 | めっき線棒材及びその製造方法、並びにこれを用いて形成されたケーブル、電線、コイル及びばね部材 |
JP6452912B1 (ja) * | 2017-03-31 | 2019-01-16 | 古河電気工業株式会社 | めっき線棒材及びその製造方法、並びにこれを用いて形成されたケーブル、電線、コイル及びばね部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015001817A1 (ja) | 2015-01-08 |
EP3018986A1 (en) | 2016-05-11 |
KR101508099B1 (ko) | 2015-04-07 |
CN105340376A (zh) | 2016-02-17 |
US20160165768A1 (en) | 2016-06-09 |
CN105340376B (zh) | 2018-11-02 |
JP5497949B1 (ja) | 2014-05-21 |
EP3018986B1 (en) | 2019-09-11 |
KR20150004735A (ko) | 2015-01-13 |
US9485894B2 (en) | 2016-11-01 |
EP3018986A4 (en) | 2017-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5497949B1 (ja) | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル | |
JP5887305B2 (ja) | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材、及びシールドケーブル | |
US9966163B2 (en) | Electric contact material for connector and method for producing same | |
WO2015108004A1 (ja) | コネクタ用電気接点材料及びその製造方法 | |
JP5774061B2 (ja) | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル | |
JP5956240B2 (ja) | めっき材およびその製造方法 | |
WO2015181970A1 (ja) | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル | |
JP5534627B1 (ja) | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル | |
JP2015105409A (ja) | 銅箔及びその製造方法 | |
WO2018124115A1 (ja) | 表面処理材およびこれを用いて作製した部品 | |
JP5619307B1 (ja) | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル | |
JP5887287B2 (ja) | 電磁波シールド用金属箔及び電磁波シールド材 | |
JP5534626B1 (ja) | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル | |
JP5887283B2 (ja) | 電磁波シールド用金属箔及び電磁波シールド材 | |
WO2015181969A1 (ja) | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル | |
EP4012075A1 (en) | Terminal material for connectors |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140106 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140306 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5497949 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |