JP2015004772A - 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】第１の封止膜７２ａの膜厚を小さくし、電気光学装置用基板５や、当該電気光学装置用基板５を搭載した液晶装置１００の光の利用効率を高めること。
【解決手段】本発明に係る電気光学装置用基板５の製造方法は、基板本体２１の表面２１ａに溝７１を形成する工程（ステップＳ１）と、溝７１の内部に犠牲膜７９を形成する工程（ステップＳ２）と、表面２１ａ及び犠牲膜７９を覆う第１の封止膜７２ａを形成する工程（ステップＳ３）と、犠牲膜７９を覆う部分の第１の封止膜７２ａに孔７３を形成し犠牲膜７９の一部を露出させる工程（ステップＳ４）と、孔７３を介して犠牲膜７９を除去する工程（ステップＳ５）と、第１の封止膜７２ａを薄くする薄膜化処理を施す工程（ステップＳ６）と、第１の封止膜７２ａを覆う第２の封止膜７２ｂを形成し孔７３を塞ぐ工程（ステップＳ７）と、を有することを特徴とする。
【選択図】図６

Description

本発明は、電気光学装置用基板の製造方法、当該製造方法で製造された電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、及び当該電気光学装置を備えた電子機器に関する。

電気光学装置として、例えば液晶プロジェクターの光変調素子（ライトバルブ）に用いられる透過型のアクティブ液晶装置が知られている。当該液晶装置は、画素電極が設けられた素子基板、対向電極が設けられた対向基板、及び素子基板と対向基板とで挟持された液晶層などを有している。当該液晶装置では、光が透過する開口領域と光が遮られる非開口領域とを有し、開口領域を透過する光が変調され表示光として射出される。

例えば、液晶プロジェクターのライトバルブに好適な液晶装置として、特許文献１に記載の液晶装置が提案されている。特許文献１に記載の液晶装置１では、対向基板の基材である石英基板に光軸方向（深さ方向）に長くなった断面Ｖ字形状の溝を形成し、溝の開口部分を封止部材で塞ぎ、溝の内部に石英基板よりも低屈折の材料（空気層）を密封することで、溝の斜面を光の反射面としたプリズムが形成されている。

図１１は、特許文献１に記載の液晶装置に入射する光の振る舞いを示す模式図である。同図では、光の振る舞いを分かりやすくするために、対向電極、画素電極、配向膜、及び薄膜トランジスターなどの図示が省略されている。図中で、符号Ｄ３は光が変調される開口領域（透過領域）を示し、符号Ｄ４は非開口領域（遮光領域）を示し、符号Ｌ３は開口領域に入射する光を示し、符号Ｌ４，Ｌ５は非開口領域（プリズム）に入射する光を示している。

図１１に示すように、液晶装置１は、素子基板８０、対向基板９０、及び素子基板８０と対向基板９０とで挟持された液晶層８５を有している。素子基板８０には遮光層８１が設けられ、遮光層８１が設けられた領域が非開口領域Ｄ４となる。遮光層８１は、素子基板８０に設けられた遮光材料で構成されている。対向基板９０の非開口領域Ｄ４には、光反射部としてのプリズム９６が設けられている。プリズム９６は、対向基板本体９１に設けられた断面がＶ字形状の溝９２と、溝９２の開口部を塞ぐ封止層（第１の封止膜９４、第２の封止膜９５）と、溝９２内に密封された空気層９３とで構成されている。溝９２は、斜面９２ａと先端９２ｂとを有し、斜面９２ａが光の反射面となる。
プリズム９６は、溝９２の内部に予め犠牲膜を埋め込んだ状態で第１の封止膜９４を堆積し、第１の封止膜９４にエッチング用の孔９７を形成し、孔９７を介して犠牲膜をエッチング除去して溝９２の内部を空洞とした後、第２の封止膜９５を堆積して孔９７を塞ぐことで、形成されている。

光源（図示省略）から発した光は、対向基板９０から素子基板８０に向かう方向（光軸）に沿って進行する。光源から発した光の進行方向は、液晶プロジェクターの光学系のＦナンバーで決まる。例えばＦナンバーが１．８であると、光源から発した光と光軸とがなす角度は、０度〜１５．５度である。つまり、液晶装置１には、光軸に対して０度〜１５．５度の光が入射する。

開口領域Ｄ３に入射する光Ｌ３は、液晶層８５で変調され、対向基板９０から素子基板８０に向かって射出され、表示光になる。非開口領域Ｄ４に入射する光のうち溝９２の斜面９２ａに入射する光Ｌ４は、溝９２の斜面９２ａで開口領域Ｄ３に向けて反射され、液晶層８５で変調され、表示光の一部になる。非開口領域Ｄ４に入射する光のうち封止層（第１の封止膜９４、第２の封止膜９５）に入射する光Ｌ５は、例えば遮光層８１で反射、吸収され、表示光として利用されない。
このように、特許文献１に記載の液晶装置１では、非開口領域Ｄ４に入射する光Ｌ４が、表示光として利用されるので、光の利用効率が向上し、明るい表示が提供される。

特開２０１３−２５０７１号公報

上述したように、光源から発した光は、開口領域Ｄ３に入射する光Ｌ３、溝９２の斜面９２ａに入射する光Ｌ４、及び封止層（第１の封止膜９４、第２の封止膜９５）に入射する光Ｌ５に区分される。開口領域Ｄ３に入射する光Ｌ３、及び溝９２の斜面９２ａに入射する光Ｌ４は、表示に利用される光（表示光）となる。封止層（第１の封止膜９４、第２の封止膜９５）に入射する光Ｌ５は、表示に利用されない光となる。光源から発した光における光Ｌ５の占有率を小さくすると、光源から発した光における光Ｌ３及び光Ｌ４の占有率を大きくすることができる。換言すれば、表示に利用されない光（光Ｌ５）の輝度を小さくすると、表示に利用される光（光Ｌ３、光Ｌ４）の輝度が大きくなり、より明るい表示が実現される。光Ｌ５の輝度は、封止層（第１の封止膜９４、第２の封止膜９５）の膜厚に依存し、第１の封止膜９４及び第２の封止膜９５の膜厚を小さくすると、光Ｌ５の輝度が小さくなる。よって、第１の封止膜９４及び第２の封止膜９５の膜厚を小さくすると、光Ｌ５の輝度が小さく、光Ｌ３及び光Ｌ４の輝度が大きくなるため、液晶装置の光の利用効率をさらに高め、より明るい表示を提供することができる。

特許文献１では、溝９２の内部に予め犠牲膜を埋め込んだ状態で第１の封止膜９４を堆積し、第１の封止膜９４にエッチング用の孔９７を形成し、孔９７を介して犠牲膜をエッチング除去して、溝９２の内部を空洞にしている。このとき、第１の封止膜９４は、溝９２の開口部で宙に浮いた状態となり脆弱なため、第１の封止膜９４の膜厚を小さくすると、犠牲膜をエッチング除去する工程で破壊される恐れがあった。つまり、第１の封止膜９４の膜厚を小さくすることが難しかった。さらに、第２の封止膜９５は、孔９７を塞ぐことができる程度の膜厚が必要であるため、第２の封止膜９５の膜厚も小さくすることが難しかった。
すなわち、特許文献１では、溝９２の開口部を塞ぐ封止層（第１の封止膜９４、第２の封止膜９５）の膜厚をさらに小さくし、液晶装置の光利用効率をさらに向上させることが難しいという課題があった。

本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る電気光学装置用基板の製造方法は、基板の第１面に溝を形成する工程と、前記溝の内部に犠牲膜を形成する工程と、前記第１面及び前記犠牲膜を覆う第１の封止膜を形成する工程と、前記犠牲膜を覆う部分の前記第１の封止膜に孔を形成し、前記犠牲膜の一部を露出させる工程と、前記孔を介して前記犠牲膜を除去する工程と、前記第１の封止膜を薄くする薄膜化処理を施す工程と、前記第１の封止膜を覆う第２の封止膜を形成し、前記孔を塞ぐ工程と、を有することを特徴とする。

基板の第１面に形成された溝の開口部は、第１の封止膜及び第２の封止膜で密閉され、溝の内部に空洞が形成される。空洞となった溝の内部の屈折率は、基板の屈折率よりも小さくなる。溝の側面は、これら異なる屈折率の材料で構成された界面となり、基板を透過して該界面に入射した光は該界面において反射する。すなわち、第１の封止膜と第２の封止膜とで溝の内部を空洞とすることで、溝の側面を光の反射面とした光の反射部が形成される。また、光の反射に寄与する溝の側面は大きい（広い）方が好ましく、光の反射に寄与しない第１の封止膜及び第２の封止膜の膜厚は小さい方が好ましい。すなわち、溝の内部に空洞を形成できる範囲で、第１の封止膜及び第２の封止膜の膜厚は小さい方が好ましい。

本適用例に係る電気光学装置用基板の製造方法では、溝の内部に犠牲膜を充填した状態で第１の封止膜を堆積するので、溝の側面は犠牲膜で保護され、光の反射面としての溝の側面への第１の封止膜の付着が抑制される。すなわち、溝の側面に第１の封止膜が付着し、溝の側面の反射性能が低下することが抑制される。第１の封止膜に設けられた孔を介して犠牲膜を除去した後に、孔を塞ぐ第２の封止膜を形成し、溝の内部に空洞を形成する。第１の封止膜の孔で溝の開口部分を小さくし、溝の開口部分（第１の封止膜の孔）を塞ぐ第２の封止膜を堆積するので、溝の側面に第２の封止膜が付着し、溝の側面の反射性能が低下することが抑制される。

さらに、犠牲膜を除去する工程では、エッチング残渣を除去する洗浄が施されている。当該洗浄によって第１の封止膜が破壊されないように、第１の封止膜は所定の膜厚で形成されている。犠牲膜を除去した後に第１の封止膜を上記所定の膜厚よりも薄くする薄膜化処理を施すことで、上述した洗浄の影響を回避し、第１の封止膜の膜厚を小さくする。すなわち、光の反射に寄与しない部分の膜厚を上記所定の膜厚よりも小さくすることで、光の利用効率を高めることができる。つまり、基板に入射する光の利用効率が改善された電気光学装置用基板を製造することができる。

［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置用基板の製造方法において、前記薄膜化処理を施す工程は、異方性ドライエッチングによって前記第１の封止膜を薄くする工程であることが好ましい。

第１の封止膜を薄くする薄膜化処理で、第１の封止膜に形成された孔が大きくなると、第２の封止膜の膜厚も大きくしないと孔を塞ぐことが難しくなる。すなわち、第１の封止膜は薄くなるが、第２の封止膜が厚くなるので、第１の封止膜及び第２の封止膜の合計膜厚を小さくすることが難しいという不具合が生じる。よって、第１の封止膜を薄くする薄膜化処理によって、第１の封止膜に形成された孔が大きくならないことが好ましい。
第１の封止膜を薄くする薄膜化処理を施す工程では、異方性エッチングによって第１の封止膜に薄膜化処理を施しているので、孔が大きくなることが抑制される。詳しくは、基板の第１面の法線方向のエッチングを促進し、基板の第１面に沿った方向のエッチング（孔を大きくする方向のエッチング）を抑制する異方性エッチングによって、第１の封止膜の孔が大きくなることを抑制しつつ、第１の封止膜を薄くすることができる。

［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置用基板の製造方法において、前記薄膜化処理を施す工程は、前記第１の封止膜を０．２μｍ〜０．６μｍの膜厚にする工程であることが好ましい。

光の反射性能を高めるには、光の反射に寄与しない第１の封止膜は薄い方が好ましい。犠牲膜を除去した工程の以降では、犠牲膜のエッチング残渣を除去する洗浄の影響を受けないので、第１の封止膜は溝の開口部を塞ぐことができる範囲で薄い方が好ましい。具体的には、第１の封止膜の膜厚は、０．２μｍ〜０．６μｍであることが好ましい。従って、第１の封止膜を薄くする薄膜化処理を施す工程では、第１の封止膜の膜厚が０．２μｍ〜０．６μｍとなるように、第１の封止膜を薄膜化することが好ましい。

［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置用基板の製造方法において、前記基板の構成材料は石英またはガラスのいずれかであり、前記第１の封止膜及び前記第２の封止膜の構成材料はシリコン酸化物であることが好ましい。

基板を石英またはガラスで構成し、第１の封止膜及び第２の封止膜をシリコン酸化物で構成すると、基板と第１の封止膜と第２の封止膜とは同じ屈折率を有するようになる。同じ屈折率の材料で構成された界面は、反射等による光の減衰が発生しないので、光を良好に透過する。よって、基板と第１の封止膜と第２の封止膜とが積層された領域、すなわち溝が形成されていない領域では良好な光の透過性を有し、溝が形成された領域では光の反射性を有するようになる。

［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置用基板の製造方法において、前記基板の第１面に溝を形成する工程は、前記基板の上から見て、複数の画素のうちの一の画素に対応する領域と、前記一の画素に隣り合う画素に対応する領域との境界に重なるように、前記基板の第１面に断面がＶ字形状の溝を形成する工程を含むことが好ましい。

複数の画素のうちの一の画素に対応する領域と、当該一の画素に隣り合う画素に対応する領域との境界は、表示に寄与しない領域に該当する。この表示に寄与しない領域に、断面がＶ字形状の溝（光の反射部としての溝）を形成し、表示に寄与しない領域の側に入射する光を表示に寄与する領域の側に反射し、表示に寄与する光の一部とすることで光の利用効率を高めることができる。

［適用例６］本適用例に係る電気光学装置は、画素電極と前記画素電極を駆動するトランジスターとを有する第１の基板と、前記第１の基板に対向配置された第２の基板とを有し、前記第１の基板及び前記第２の基板の少なくとも一方は、上記適用例に記載の電気光学装置用基板の製造方法で製造された電気光学装置用基板を備えていることを特徴とする。

本適用例によれば、電気光学装置における光の利用効率を高め、より明るい表示を提供することができる。

［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。

本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備え、当該電気光学装置は、光の反射部としての溝を有し、より明るい表示を提供することができる。例えば、投射型表示装置、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）、直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、ＰＯＳなどの情報端末機器、及び電子手帳などの電子機器に、上記適用例に記載の電気光学装置を適用させることで、より明るい表示を提供することができる。

実施形態１に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。 図１のＪ−Ｊ’線で切った概略断面図。 実施形態１に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 画素電極の配置を示す概略平面図。 図４のＡ−Ａ’線で切った液晶装置の概略断面図。 電気光学装置用基板の製造方法を示す工程フロー。 図６に示す各工程を経た後の電気光学装置用基板の状態を示す模式断面図。 図６に示す各工程を経た後の電気光学装置用基板の状態を示す模式断面図。 第１の封止膜の減膜量と液晶装置の効率の変化率との関係を示すグラフ。 実施形態２に係る投射型表示装置の構成を示す概略図。 特許文献１に記載の液晶装置に入射する光の振る舞いを示す模式図。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。

（実施形態１）
「液晶装置の概要」
実施形態１に係る液晶装置１００は、電気光学装置の一例であり、薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと称す）３０を備えた透過型の液晶装置である。本実施形態に係る液晶装置１００は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子として好適に使用することができるものである。

まず、本実施形態に係る液晶装置１００の全体構成について、図１乃至図３を参照して説明する。図１は、液晶装置の構成を示す概略平面図である。図２は、図１のＪ−Ｊ’線で切った概略断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。

図１及び図２に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００は、素子基板１０、対向基板２０、及び素子基板１０と対向基板２０とで挟持された液晶層５０などを有する。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、平面視で額縁状に配置されたシール材５２を介して接着され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０が構成されている。シール材５２は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が使用されている。シール材５２には、素子基板１０及び対向基板２０の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

額縁状に配置されたシール材５２の内側には、同じく額縁状の遮光膜５３が配置されている。遮光膜５３は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜５３で囲まれた領域が、表示領域Ｅとなる。表示領域Ｅには、画素ＰがＸ方向及びＹ方向にマトリックス状に配置されている。

素子基板１０の第１辺は、対向基板２０から大きく張り出している。素子基板１０の大きく張り出した部分には、複数の端子１０２が、該第１辺に沿って配置されている。該第１辺と該第１辺に沿ったシール材５２との間には、データ線駆動回路１０１が設けられている。該第１辺と直交し互いに対向する他の第２辺、第３辺に沿ったシール材５２と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１０４が設けられている。該第１辺と対向する他の第４辺に沿ったシール材５２と表示領域Ｅとの間には、２つの走査線駆動回路１０４を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４に繋がる配線は、上述した複数の端子１０２に接続されている。
以降、該第１辺に沿った方向をＸ方向、該第１辺と直交し互いに対向する他の２辺（第２辺、第３辺）に沿った方向をＹ方向、素子基板１０から対向基板２０に向かう方向をＺ方向として説明する。

図２に示すように、素子基板１０は、素子基板本体１１、並びに素子基板本体１１の液晶層５０側の面に形成されたＴＦＴ３０や画素電極１７、及び画素電極１７を覆う配向膜１８などを有している。素子基板本体１１は、例えば石英基板やガラス基板などの透明基板で構成されている。
素子基板１０の詳細は後述する。

対向基板２０は、電気光学装置用基板５、電気光学装置用基板５の液晶層５０側の面に順に積層された遮光膜５３、平坦化膜２２、対向電極２３、及び配向膜２４などを有している。

電気光学装置用基板５は、基板本体２１、基板本体２１の液晶層５０側の面２１ａに設けられた溝７１、及び溝７１を覆う封止層７２などを有している。基板本体２１には、例えば石英基板が使用されている。基板本体は、酸化シリコンを主成分とする透光性の絶縁基板であればよく、石英基板の他にガラス基板などを使用することができる。封止層７２は、酸化シリコンで構成され、透光性を有している。
なお、基板本体２１は、本発明における「基板」の一例である。基板本体２１の液晶層５０側の面２１ａは、本発明における「第１面」の一例である。以降、基板本体２１の液晶層５０側の面２１ａを、表面２１ａと称す。
電気光学装置用基板５の詳細は、後述する。

遮光膜５３は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などで構成される。図１に示すように、遮光膜５３は、平面的に走査線駆動回路１０４と重なる位置に額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から素子基板１０側に入射する光を遮光して、走査線駆動回路１０４の光による誤動作を防止している。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮光して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

平坦化膜２２は、透光性の無機絶縁材料で構成され、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて形成された酸化シリコンを使用することができる。平坦化膜２２の膜厚は、概略０．５μｍ〜１μｍである。電気光学装置用基板５の上に遮光膜５３を形成することで生じる表面凹凸の影響を緩和するために、平坦化膜２２には、例えば化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing、以下ＣＭＰと称す）によって平坦化処理が施されている。

対向電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、表示領域Ｅに亘って形成される。図１に示すように、対向電極２３は、対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６によって、素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。

画素電極１７を覆う配向膜１８及び対向電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて設定されており、本実施形態では、酸化シリコンなどの無機材料の斜め蒸着膜（無機配向膜）が使用されている。また、配向膜１８，２４には、ポリイミドなどの有機配向膜を用いてもよい。

図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線１２及び複数のデータ線１６や、データ線１６に対して平行に延在する容量線４１などを有する。なお、容量線４１の配置はこれに限定されず、走査線１２に対して平行に延在するように配置してもよい。

走査線１２、データ線１６、及び容量線４１などの信号線は、遮光性の導電材料で構成され、素子基板１０側に設けられ、画素Ｐの構成要素となる。走査線１２とデータ線１６とで区分された領域には、画素電極１７、ＴＦＴ３０、及び蓄積容量４０などが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線１２は、ＴＦＴ３０のゲート電極に電気的に接続されている。データ線１６は、ＴＦＴ３０のソース電極に電気的に接続されている。画素電極１７は、ＴＦＴ３０のドレイン電極に電気的に接続されている。

データ線１６はデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを各画素Ｐに供給する。走査線１２は走査線駆動回路１０４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍを各画素Ｐに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線１６に供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線１６同士に対してグループごとに供給してもよい。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍの入力によりオン状態とされた期間に同期して、データ線１６から供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，ＳｎがＴＦＴ３０を介して画素電極１７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１７に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極１７と対向電極として機能する対向電極２３との間で一定期間保持される。

保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリーク（劣化）するのを防止するために、画素電極１７と対向電極２３との間に形成される液晶容量と並列に、蓄積容量４０が接続されている。蓄積容量４０は、ＴＦＴ３０のドレイン電極と容量線４１との間に設けられている。

このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きくて明表示となるノーマリーホワイトモードや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さくて暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子（図示省略）が配置されて用いられる。

「素子基板の概要」
図４は、画素電極の配置を示す概略平面図である。図５は、図４のＡ−Ａ’線で切った液晶装置の概略断面図である。図４及び図５における二点鎖線は、複数の画素Ｐのうちの一の画素Ｐと、当該一の画素Ｐに隣り合う画素Ｐとの境界Ｂを示している。
以下、図４及び図５を参照して、素子基板１０の概要を説明する。

図４に示すように、画素Ｐは、Ｘ方向及びＹ方向にマトリックス状に配置されている。同図では、二点鎖線（画素Ｐの境界Ｂ）で囲まれた領域が、画素Ｐが配置された領域となる。
非開口領域Ｄ２は、素子基板１０の側に設けられた信号線（データ線１６、走査線１２、容量線４１）や、対向基板２０の側に設けられた遮光膜５３などで構成された遮光領域である。非開口領域Ｄ２は、Ｘ方向及びＹ方向に延在し、格子状に設けられている。Ｘ方向及びＹ方向における非開口領域Ｄ２の巾は同じに設定され、当該非開口領域Ｄ２の巾の中心が、画素Ｐの境界Ｂとなる。換言すれば、非開口領域Ｄ２は、複数の画素Ｐのうちの一の画素Ｐと、当該一の画素Ｐに隣り合う画素Ｐとの境界Ｂに重なるように配置されている。
非開口領域Ｄ２で囲まれた領域が、光が透過する（光が変調される）開口領域Ｄ１となる。開口領域Ｄ１は、非開口領域Ｄ２によって四角形（略正方形）に区画されている。

画素電極１７は、画素Ｐ毎に設けられ、四角形（略正方形）の形状を有している。Ｚ方向から見て、画素電極１７の外縁部は、遮光性の非開口領域Ｄ２に重なるように配置されている。図４では図示を省略したが、非開口領域Ｄ２には、ＴＦＴ３０、蓄積容量４０、及び後述するプリズム７０（図５参照）などが配置されている。

図５に示すように、素子基板１０は、素子基板本体１１、並びに素子基板本体１１の液晶層５０側の面に順に積層された走査線１２、第１絶縁層１３、ＴＦＴ３０、第２絶縁層１４、データ線１６、第３絶縁層１５、画素電極１７、及び配向膜１８などを有している。

走査線１２は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、Ｔａ（タンタル）、Ｃｒ（クロム）などの金属、これら金属の少なくとも一つを含む合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらを積層したものからなり、遮光性を有している。

第１絶縁層１３は、素子基板本体１１と走査線１２とを覆うように設けられている。第１絶縁層１３は、例えば酸化シリコンで構成され、透光性を有している。ＴＦＴ３０は、第１絶縁層１３上に設けられている。ＴＦＴ３０は、画素電極１７を駆動するスイッチング素子である。図示を省略するが、ＴＦＴ３０は、半導体層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極等で構成されている。

半導体層は、例えば多結晶シリコン膜からなり、島状に形成されている。半導体層には、不純物イオンが注入されて、ソース領域、チャネル領域、及びドレイン領域が形成されている。チャネル領域とソース領域、または、チャネル領域とドレイン領域との間には、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域が形成されていてもよい。

ゲート電極は、Ｚ方向から見て半導体層のチャネル領域と重なる領域に第２絶縁層１４の一部（ゲート絶縁膜）を介して配置されている。図示を省略するが、ゲート電極は、下層側に配置された走査線１２にコンタクトホールを介して電気的に接続されている。

第２絶縁層１４は、第１絶縁層１３とＴＦＴ３０とを覆うように設けられている。第２絶縁層１４は、例えば酸化シリコンで構成され、透光性を有している。第２絶縁層１４は、ＴＦＴ３０の半導体層とゲート電極との間を絶縁するゲート絶縁膜を含む。第２絶縁層１４により、ＴＦＴ３０によって生じる凹凸が緩和される。

第２絶縁層１４上には、データ線１６が設けられている。データ線１６は、走査線１２と同様の材料で形成され、遮光性を有している。ＴＦＴ３０は、遮光性を有する走査線１２及びデータ線１６との間に挟まれるように配置されている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層に光が入射することによるリーク電流の増加（ＴＦＴ３０の誤動作）が抑制される。

図示を省略するが、第２絶縁層１４上には、データ線１６と配線層を異ならせて容量線４１が設けられている。第２絶縁層１４とデータ線１６と容量線４１とを覆うように、第３絶縁層１５が設けられている。第３絶縁層１５は、例えば酸化シリコンで構成され、透光性を有している。

画素電極１７は、第３絶縁層１５上に設けられている。画素電極１７は、第２絶縁層１４や第３絶縁層１５に設けられたコンタクトホール（図示省略）を介して、ＴＦＴ３０の半導体層におけるドレイン領域に電気的に接続されている。配向膜１８は、画素電極１７を覆うように設けられている。

「電気光学装置用基板の概要」
次に、図５を参照して電気光学装置用基板５の概要を説明する。
図５に示すように、電気光学装置用基板５は、基板本体２１、基板本体２１の表面２１ａを覆う封止層７２で構成されている。

基板本体２１の表面２１ａには、溝７１が形成されている。溝７１は、非開口領域Ｄ２に形成され、Ｚ方向から見ると格子形状を有している。溝７１は、Ｘ方向（及びＹ方向）から見るとＺ方向に狭くなったＶ字形状の断面を有している。溝７１のＹ方向（及びＸ方向）寸法（開口寸法）と、非開口領域Ｄ２のＹ方向（及びＸ方向）寸法（巾）とは略同じである。

溝７１は、Ｚ方向に対して傾斜した斜面７１ａ，７１ｃを有している。斜面７１ａと斜面７１ｃとはＺ方向で繋がり、Ｘ方向に沿った辺（先端７１ｂ）を形成する。先端７１ｂは、複数の画素Ｐのうちの一の画素Ｐと、当該一の画素Ｐに隣り合う画素Ｐとの境界Ｂに配置されている。換言すれば、溝７１は、複数の画素Ｐのうちの一の画素Ｐと、当該一の画素Ｐに隣り合う画素Ｐとの境界Ｂに重なるように配置され、Ｖ字形状の断面を有している。

封止層７２は、第１の封止膜７２ａと第２の封止膜７２ｂとで構成されている。第１の封止膜７２ａは、酸化シリコンで構成され、基板本体２１の表面２１ａを覆うように配置されている。溝７１が形成された部分の第１の封止膜７２ａには、溝７１の開口寸法より小さな孔７３が形成されている。第２の封止膜７２ｂは、酸化シリコンで構成され、第１の封止膜７２ａを覆うように配置されている。第１の封止膜７２ａに形成された孔７３は、第２の封止膜７２ｂで塞がれている。

このように、溝７１の開口部は、封止層７２（第１の封止膜７２ａ、第２の封止膜７２ｂ）で塞がれ、溝７１の内部に基板本体２１（石英）よりも低屈折率の空気層７７が密封されている。その結果、溝７１と、封止層７２と、空気層７７とで、光の反射部としてのプリズム７０が形成されている。すなわち、電気光学装置用基板５は、非開口領域Ｄ２に形成された光反射部としてのプリズム７０を有している。

上述したように基板本体２１は石英で構成され、第１の封止膜７２ａ及び第２の封止膜７２ｂは酸化シリコンで構成されている。すなわち、基板本体２１、第１の封止膜７２ａ及び第２の封止膜７２ｂは、略同じ屈折率の材料で構成されている。

電気光学装置用基板５のプリズム７０が形成されていない領域では、基板本体２１と第１の封止膜７２ａと第２の封止膜７２ｂとが積層されており、基板本体２１と第１の封止膜７２ａと第２の封止膜７２ｂとは略同じ屈折率の材料で構成されているので、これら材料の界面（境界）では反射等による光の減衰が殆ど発生しないので、光を良好に透過する。

電気光学装置用基板５のプリズム７０が形成された領域では、基板本体２１と空気層７７と第１の封止膜７２ａと第２の封止膜７２ｂとが積層されており、空気層７７の屈折率が基板本体２１の屈折率よりも小さくなっているので、基板本体２１と空気層７７との界面で光の反射が生じる。すなわち、溝７１の斜面７１ａ，７１ｃは、基板本体２１と空気層７７との界面であり、光の反射性を有し、プリズム７０における光の反射面となる。

図５において符号Ｌ１，Ｌ２が付された矢印は、光源から発せられ対向基板２０の側から素子基板１０の側に入射する光（以降、入射光と称す）を示している。実線で示された入射光Ｌ１は、開口領域Ｄ１に向けて入射する（進行する）光であり、破線で示された入射光Ｌ２は、非開口領域Ｄ２に向けて入射する（進行する）光である。

図５に示すように、開口領域Ｄ１に向けて進行する入射光Ｌ１は、開口領域Ｄ１を通過し、液晶層５０で変調され、表示光として対向基板２０から素子基板１０に向かう方向に射出される。非開口領域Ｄ２に向けて進行する入射光Ｌ２は、溝７１の斜面７１ａ，７１ｃで開口領域Ｄ１の側に反射され、液晶層５０で変調され、表示光として対向基板２０から素子基板１０に向かう方向に射出される。

このように、電気光学装置用基板５にプリズム７０を形成することによって、開口領域Ｄ１に向けて進行する入射光Ｌ１以外に、非開口領域Ｄ２に向けて進行する入射光Ｌ２も表示光として利用できるので、プリズム７０を形成していない場合と比べて光の利用効率を高めることができる。すなわち、液晶装置１００では、プリズム７０を有する電気光学装置用基板５を使用することによって、より明るい表示が提供される。

「電気光学装置用基板の製造方法」
図６は、電気光学装置用基板の製造方法を示す工程フローである。図７及び図８は、図５に対応しており、図６に示す各工程を経た後の電気光学装置用基板の状態を示す模式断面図である。なお、図面を見やすくするために、図７及び図８における基板本体２１の表面２１ａの位置が、図５における基板本体２１の表面２１ａの位置と異なっている（逆になっている）。具体的には、基板本体２１の表面２１ａは、図５では基板本体２１の下側に配置されているが、図７及び図８では基板本体２１の上側に配置されている。
以下、図６乃至図８を参照して、電気光学装置用基板５の製造方法を説明する。
プリズム７０は、基板本体２１の表面２１ａに形成した溝７１の内部に予め犠牲膜７９を埋め込んだ状態で第１の封止膜７２ａを堆積し、第１の封止膜７２ａに孔７３を形成し、孔７３を介して犠牲膜７９をエッチング除去して溝７１の内部を空洞とした後、第２の封止膜７２ｂを堆積して孔７３を塞ぐことで、形成されている。

図６のステップＳ１では、基板本体２１の表面２１ａに、例えばタングステンシリサイドからなるハードマスクを形成し、当該ハードマスクをエッチングマスクとして、ドライエッチングなどの公知技術で基板本体２１をＺ方向にエッチングし、溝７１を形成する。ハードマスクは、基板本体２１の表面２１ａに溝７１を形成した後にエッチング除去される。

図７（ａ）は、ステップＳ１を経た後の状態を示している。同図に示すように、基板本体２１の表面２１ａに溝７１が形成される。基板本体２１の表面２１ａの側における溝７１のＹ方向寸法（開口寸法）は、概略１０００ｎｍ〜２０００ｎｍである。溝７１のＺ方向寸法（深さ）は、概略３００００ｎｍ〜３５０００ｎｍである。

図６のステップＳ２では、例えばＣＶＤ法などの公知技術を用いて、基板本体２１の表面２１ａにシリコンを堆積した後、例えばＣＭＰによって減膜処理（平坦化処理）を施し、溝７１の斜面７１ａ，７１ｃより上の部分のシリコンを除去し、溝７１の内部に犠牲膜７９を形成する（充填する）。なお、犠牲膜７９を構成する材料は、金属や樹脂などであってもよく、例えばスピンコート法などによって樹脂材料を塗布して溝７１の内部に犠牲膜７９を形成してもよい。

図７（ｂ）は、ステップＳ２を経た後の状態を示している。同図に示すように、溝７１の内部に犠牲膜７９が充填される。犠牲膜７９によって、溝７１の開口部が塞がれると共に、溝７１の側面（斜面７１ａ，７１ｃ）が保護される。さらに、犠牲膜７９には平坦化処理が施される。これにより溝７１の開口部での段差は緩和され、基板本体２１の表面２１ａには平坦な面が形成されている。なお、溝７１に対する犠牲膜７９の充填の仕方によっては、犠牲膜７９の平坦化処理を行わなくてもよい。

図６のステップＳ３では、例えばプラズマＣＶＤ法などの公知技術を用いて、酸化シリコンを堆積し、基板本体２１の表面２１ａ及び犠牲膜７９を覆う第１の封止膜７２ａを形成する。第１の封止膜７２ａの膜厚は、概略１０００ｎｍ〜２０００ｎｍである。

図７（ｃ）は、ステップＳ３を経た後の状態を示している。基板本体２１の表面２１ａ及び溝７１の開口部は、第１の封止膜７２ａで覆われる。基板本体２１の表面２１ａ及び溝７１の開口部は平坦となっているので、第１の封止膜７２ａにはステップカバレッジ不良などの欠陥が発生しにくくなっている。また、溝７１の側面（斜面７１ａ，７１ｃ）は犠牲膜７９で覆われているので、溝７１の側面に第１の封止膜７２ａが付着することはない。

図６のステップＳ４では、公知技術、例えばフルオロカーボン（八フッ化シクロブタン（Ｃ₄Ｆ₈）など）や酸素などの混合ガスを用いたドライエッチングによって、犠牲膜７９を覆う部分の第１の封止膜７２ａに孔７３を形成する。孔７３の形状は略円形である。孔７３の開口寸法（径）は、概略６００ｎｍ〜８００ｎｍであり、溝７１の開口寸法（概略１０００ｎｍ〜２０００ｎｍ）よりも小さくなっている。

図７（ｄ）は、ステップＳ４を経た後の状態を示している。同図に示すように、孔７３によって犠牲膜７９の一部が露出される。孔７３は、後述する犠牲膜７９をエッチング除去する工程（ステップＳ５）において、犠牲膜７９をエッチングする活性種を供給したり、犠牲膜７９と活性種との反応生成物を排出するための給排気孔となる。

図６のステップＳ５では、公知技術、例えば三フッ化塩素などの反応ガスを用いたドライエッチングによって、孔７３を介して溝７１の内部に充填された犠牲膜７９をエッチング除去する。

図８（ａ）は、ステップＳ５を経た後の状態を示している。第１の封止膜７２ａに設けられた孔７３を介して、犠牲膜７９をエッチングするための活性種が犠牲膜７９に供給される。犠牲膜７９と活性種との反応生成物は、孔７３を介して排出される。その結果、同図に示すように、溝７１の内部に充填された犠牲膜７９はエッチング除去され、溝７１の内部に空洞が形成される。
犠牲膜７９と活性種との反応生成物は、エッチング残渣となって第１の封止膜７２ａの表面に付着するので、ステップＳ５では犠牲膜７９をエッチングした後に、第１の封止膜７２ａの表面を純水で洗浄し、エッチング残渣を除去している。第１の封止膜７２ａの膜厚が小さいと、第１の封止膜７２ａの表面を純水で洗浄する際に第１の封止膜７２ａが純水によって押圧され、溝７１の表面を覆う部分の第１の封止膜７２ａが破壊される。例えば、第１の封止膜７２ａの膜厚が１０００ｎｍよりも小さくなると、犠牲膜７９のエッチング残渣を除去するための純水洗浄で、溝７１の表面を覆う部分の第１の封止膜７２ａが破壊される恐れがある。このため、上述したステップＳ３では、膜厚が１０００ｎｍ以上（概略１０００ｎｍ〜２０００ｎｍ）の第１の封止膜７２ａを形成している。

図６のステップＳ６では、異方性エッチングによって、第１の封止膜７２ａを薄くする薄膜化処理を施す。具体的には、第１の封止膜７２ａの膜厚が概略２００ｎｍ〜６００ｎｍとなるように、異方性エッチングによって第１の封止膜７２ａを薄膜化する。
孔７３は、後述するステップＳ７で第２の封止膜７２ｂによって塞がれる。仮に、孔７３が大きくなると、第２の封止膜７２ｂの膜厚を大きくしないと孔７３を塞ぐことが難しくなる。本発明は、封止層７２（第１の封止膜７２ａ、第２の封止膜７２ｂ）の膜厚を小さくし、光の利用効率を高めることを目的としているので、孔７３の径が大きくならないように（第２の封止膜７２ｂが厚くならないように）、第１の封止膜７２ａの膜厚を小さくすることが重要である。このため、第１の封止膜７２ａのＸ方向及びＹ方向のエッチングを抑制しつつ、第１の封止膜７２ａをＺ方向に選択的にエッチングする（薄膜化する）必要がある。このように、ステップＳ６では、第１の封止膜７２ａの孔７３の径が大きくならないように、第１の封止膜７２ａにＺ方向の異方性エッチング（薄膜化処理）を施している。

このような異方性エッチングは、例えばフルオロカーボン（八フッ化シクロブタン（Ｃ₄Ｆ₈）など）や酸素などの混合ガスをエッチングガスとして、容量結合型ドライエッチング装置を用いて実施することができる。容量結合型ドライエッチング装置では、励起された電子と上記エッチングガスとが反応し、Ｆラジカル、フルオロカーボンラジカル（ＣＦｘラジカル）などを含むプラズマが発生する。Ｆラジカルは、酸化シリコン（第１の封止膜７２ａ）と反応し、第１の封止膜７２ａをエッチングする。ＣＦｘラジカルは、エッチング面に炭素系ポリマーなどの保護膜を形成し、エッチング反応（ＳｉＦｘの生成）を抑制する。ステップＳ６では、第１の封止膜７２ａの孔７３の側面に上記保護膜を形成し、Ｘ方向及びＹ方向のエッチングを抑制しつつ、第１の封止膜７２ａの表面をＺ方向にエッチングしている。
なお、上述した容量結合型ドライエッチング装置の他に、誘電結合型ドライエッチング装置（例えば、Inductive Coupled Plasmaドライエッチング装置）や電磁波入射型ドライエッチング装置（例えば、電子サイクロトロン共鳴式ドライエッチング装置）によっても、第１の封止膜７２ａに異方性エッチングを施すことができる。

図８（ｂ）は、ステップＳ６を経た後の状態を示している。上記異方性エッチングによって、孔７３の形状（径）を変化させずに、第１の封止膜７２ａが薄膜化されている。第１の封止膜７２ａは、溝７１の開口部で宙に浮いた状態にあり、機械的衝撃に弱くなっている。第１の封止膜７２ａの膜厚が、例えば２００ｎｍよりも小さくなると、溝７１の開口部に配置されている第１の封止膜７２ａが壊れる場合がある。このため、第１の封止膜７２ａの膜厚は、概略２００ｎｍ〜６００ｎｍであることが好ましい。

図６のステップＳ７では、例えばプラズマＣＶＤ法などの公知技術を用いて、第１の封止膜７２ａの上に酸化シリコンを堆積し、第１の封止膜７２ａを覆い、孔７３を塞ぐ第２の封止膜７２ｂを形成する。第２の封止膜７２ｂの膜厚は、概略１５００ｎｍ〜２０００ｎｍである。

図８（ｃ）は、ステップＳ７を経た後の状態を示している。第１の封止膜７２ａに設けられた孔７３は、第２の封止膜７２ｂによって塞がれる。このとき溝７１内は、酸化シリコンを堆積する際の雰囲気の状態で密封される。具体的には、酸化シリコンを堆積する際に使用したガスが溝７１の内部に密封され、空気層７７が形成される。すなわち、溝７１の内部には、基板本体２１（石英）よりも低屈折率の材料（空気層７７）が密封される。
また、溝７１の開口部は第１の封止膜７２ａによって小さくなっているので、ステップＳ７における溝７１の側面（斜面７１ａ，７１ｃ）への第２の封止膜７２ｂの付着が抑制される。

「液晶装置の効率」
図９は、第１の封止膜の減膜量と液晶装置の効率の変化率との関係を示すグラフである。
同図の横軸は、ステップＳ６（図６）の異方性エッチングで薄膜化された第１の封止膜７２ａの減膜量を示している。また、横軸の括弧内は、薄膜化された後の封止層７２の膜厚を示している。例えば、横軸に示す０．５（３．５μｍ）は、ステップＳ６で第１の封止膜７２ａを０．５μｍ減膜し、薄膜化後の封止層７２の膜厚が３．５μｍであることを示している。

同図の縦軸は、液晶装置１００の効率の変化率を示している。
上述したように、液晶装置１００では、光源から発した光が、対向基板２０の側に入射し、液晶層５０を通過し、素子基板１０の側に射出される。効率とは、液晶装置１００に入射する光の輝度に対する、液晶装置１００から射出される光の輝度の割合である。すなわち、対向基板２０の側に入射する光の輝度に対する、素子基板１０の側から射出される光の輝度の割合が効率となる。当該効率は、光学シミュレーションによって求められている。
効率の変化率とは、減膜量０μｍ（封止層７２の膜厚４μｍ）の効率に対して、どの程度効率が変化したのかを示す指標である。例えば、効率の変化率０．５％とは、減膜量０μｍ（封止層７２膜厚４μｍ）の効率に対して、効率が０．５％向上したことを示している。

また、当該光学シミュレーションでは、光学条件Ａ及び光学条件Ｂの２条件で、効率の変化率が求められている。光学条件Ａでは、入射側のＦナンバーが１．７５であり、光の入射側において光源から発した光と光軸（Ｚ方向）とがなす角度が、０度〜１６．６度である。光学条件Ｂでは、入射側のＦナンバーが１．８５であり、光の入射側において光源から発した光と光軸（Ｚ方向）とがなす角度が、０度〜１５．７度である。
なお、実際に試作品を作製し、光学シミュレーションで求めた効率と、試作品から実測した効率とが一致すること、すなわち光学シミュレーションで得られた結果の妥当性は確認されている。

図９に示すように、光学条件Ａでは、ステップＳ６の異方性エッチングで第１の封止膜７２ａを０．５μｍ減膜し、封止層７２の膜厚を３．５μｍにすると効率が０．４２％向上し、第１の封止膜７２ａを１μｍ減膜し、封止層７２の膜厚を３μｍにすると効率が０．７３％向上する。光学条件Ｂでは、ステップＳ６の異方性エッチングで第１の封止膜７２ａを０．５μｍ減膜し、封止層７２の膜厚を３．５μｍにすると効率が０．３２％向上し、第１の封止膜７２ａを１μｍ減膜し、封止層７２の膜厚を３μｍにすると効率が０．６１％向上する。このように、ステップＳ６の異方性エッチングによって、第１の封止膜７２ａ（封止層７２）を減膜（薄膜化）すると、液晶装置１００の効率、すなわち液晶装置１００の光の利用効率が向上する。

なお、光学条件Ａと光学条件Ｂとでは、光学条件Ｂに比べて光学条件Ａのほうが光軸に対して交差する光、すなわち図１１における光Ｌ２及び光Ｌ３の割合が大きくなるため、封止層７２を薄膜化すると光Ｌ３の影響がより小さくなり、効率の変化率が大きくなるものと考えられる。

このように、本実施形態では、ステップＳ６の異方性エッチングによる第１の封止膜７２ａの薄膜化処理で、封止層７２が薄膜化されているので、液晶装置１００の光の利用効率をさらに高め、より明るい表示を実現することができる。

（実施形態２）
「電子機器」
図１０は電子機器としての投射型表示装置（液晶プロジェクター）の構成を示す概略図である。図１０に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０には、上述した実施形態１の液晶装置１００が適用されている。液晶装置１００では、電気光学装置用基板５のプリズム７０によって光の利用効率が高くなり、より明るい表示を提供することができる。従って、液晶装置１００を搭載した投射型表示装置１０００においても、より明るい表示を提供することができる。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置が適用された電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）液晶装置１００に適用させることに限定されず、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子を有する発光装置に適用させることができる。すなわち、プリズム７０を有する電気光学装置用基板５を当該発光装置に適用させることによって、光の利用効率を高め、より明るい表示を提供することができる。

（変形例２）電気光学装置用基板５は、対向基板２０の基材に適用させることに限定されず、素子基板１０の基材（素子基板本体１１）に適用させてもよく、素子基板１０の基材及び対向基板２０の基材の両方に適用させてもよい。すなわち、電気光学装置用基板５を、素子基板１０側及び対向基板２０側の少なくとも一方に適用させる構成であればよい。

（変形例３）上記液晶装置１００が適用される電子機器は、実施形態２の投射型表示装置１０００に限定されない。投射型表示装置１０００の他に、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、ＰＯＳなどの情報端末機器、及び電子手帳などの電子機器に、液晶装置１００を適用させることができる。

１０…素子基板、１１…素子基板本体、１２…走査線、１３…第１絶縁層、１４…第２絶縁層、１５…第３絶縁層、１６…データ線、１７…画素電極、１８，２４…配向膜、２０…対向基板、２１…対向基板本体、２１ａ…表面、２２…平坦化膜、２３…対向電極、３０…ＴＦＴ、４０…蓄積容量、４１…容量線、５０…液晶層、５２…シール材、５３…遮光膜、７０…プリズム、７１…溝、７１ａ，７１ｃ…斜面、７１ｂ…先端、７２…封止層、７２ａ…第１の封止膜、７２ｂ…第２の封止膜、７３…孔、７７…空気層、７９…犠牲膜、１００…液晶装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…端子、１０４…走査線駆動回路、１０５…配線、１０６…上下導通部、１０００…投射型表示装置。

Claims (7)

1. 基板の第１面に溝を形成する工程と、
   前記溝の内部に犠牲膜を形成する工程と、
   前記第１面及び前記犠牲膜を覆う第１の封止膜を形成する工程と、
   前記犠牲膜を覆う部分の前記第１の封止膜に孔を形成し、前記犠牲膜の一部を露出させる工程と、
   前記孔を介して前記犠牲膜を除去する工程と、
   前記第１の封止膜を薄くする薄膜化処理を施す工程と、
   前記第１の封止膜を覆う第２の封止膜を形成し、前記孔を塞ぐ工程と、
   を有することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
2. 前記薄膜化処理を施す工程は、異方性ドライエッチングによって前記第１の封止膜を薄くする工程であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
3. 前記薄膜化処理を施す工程は、前記第１の封止膜を０．２μｍ〜０．６μｍの膜厚にする工程であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
4. 前記基板の構成材料は、石英またはガラスのいずれかであり、
   前記第１の封止膜及び前記第２の封止膜の構成材料は、シリコン酸化物であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
5. 前記基板の第１面に溝を形成する工程は、前記基板の上から見て、複数の画素のうちの一の画素に対応する領域と、前記一の画素に隣り合う画素に対応する領域との境界に重なるように、前記基板の第１面に断面がＶ字形状の溝を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
6. 画素電極と前記画素電極を駆動するトランジスターとを有する第１の基板と、
   前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、
   を有する電気光学装置であって、
   前記第１の基板及び前記第２の基板の少なくとも一方は、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板の製造方法で製造された電気光学装置用基板を備えていることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項６に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。

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