JP5948777B2 - 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents
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Description
<液晶装置の構成>
図1は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図2は、図1に示す液晶装置のH−H’線に沿う模式断面図である。図3は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構造を、図1〜図3を参照しながら説明する。
図8は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図9及び図10は、液晶装置の製造方法の一部を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図8〜図10を参照しながら説明する。なお、素子基板上に設けられた各層を含めて素子基板と称する場合がある。また、対向基板上に設けられた各層を含めて対向基板と称する場合がある。
図11は、上記した液晶装置を備えた電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。以下、液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を、図11を参照しながら説明する。
<液晶装置の構成>
図12は、第2実施形態の液晶装置の一部の構造を示す模式断面図である。以下、第2実施形態の液晶装置の構造について、図12を参照しながら説明する。
上記した第1実施形態のように、窪み55の上は、絶縁部11f1を介して誘電体層16bを成膜する構造に限定されず、例えば、図13に示すようにしてもよい。図13は、画素P間における容量素子の構造を示す拡大断面図である。図13に示す液晶装置500のように、窪み55の中に成膜された容量電極16aの上には、容量電極16aを覆うように、誘電体層516bが設けられている。誘電体層516b上における窪み55の上方には、絶縁部11f1が設けられている。
上記した第2実施形態のように、窪み55の上は、絶縁部211f1を介して誘電体層216bを成膜する構造に限定されず、例えば、図14に示すようにしてもよい。図14は、画素P間における容量素子の構造を示す拡大断面図である。図14に示す液晶装置600のように、窪み55の中に成膜された容量電極16aの上には、容量電極16aを覆うように、誘電体層616bが設けられている。誘電体層616b上における窪み55の上方には、絶縁部211f1が設けられている。
上記したように、窪み55の形状は、画素P間において十字形状に形成することに限定されず、例えば、画素P間において平面的に走査線3aに沿う方向に延在して設けるようにしてもよい。また、画素P間において平面的にデータ線6aに沿う方向に延在して設けるようにしてもよい。
上記したように、第4層間絶縁層11eに形成した窪み55の上に容量電極16aを成膜することに限定されず、例えば、窪み55の上に吸湿性を有するBSG膜を成膜し、その上に容量電極16aを成膜するようにしてもよい。具体的には、BSG膜の厚みは、例えば、50nm〜75nmである。
上記したように、電子機器として投射型表示装置1000(プロジェクター)を例に説明してきたが、これに限定されず、例えば、ビューワー、ビューファインダー、ヘッドマウントディスプレイなどに適用するようにしてもよい。また、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、モバイル型のパーソナルコンピューター、テレビ電話、POS端末、ページャー、電卓、タッチパネルなどの各種電子機器、また、電子ペーパーなどの電気泳動装置、カーナビゲーション装置等に適用するようにしてもよい。
Claims (8)
- 一対の基板と、
前記一対の基板に挟持された液晶層と、
前記一対の基板のうち一方の基板に設けられたトランジスターと、
前記トランジスターと電気的に接続された画素電極と、容量電極と、前記画素電極と前記容量電極とに挟持された誘電体層と、を有する容量素子と、
を備え、
前記容量電極は、平面的に隣り合う画素電極間の領域に窪みを有し、
前記窪みの部分の前記容量電極と前記画素電極の外縁との厚さ方向の距離は、前記窪みのない部分の前記容量電極と前記画素電極との厚さ方向の距離より離れていることを特徴とする液晶装置。 - 一対の基板と、
前記一対の基板に挟持された液晶層と、
前記一対の基板のうち一方の基板に設けられたトランジスターと、
前記トランジスターと電気的に接続された画素電極と、容量電極と、前記画素電極と前記容量電極とに挟持された誘電体層と、を有する容量素子と、
を備え、
前記容量電極は、平面的に隣り合う画素電極間の領域に絶縁膜が形成された窪みを有し、
前記絶縁膜は、前記隣り合う画素電極の外縁と平面的に重なると共に、前記窪みの部分の前記画素電極を平坦または盛り上げるように形成されていることを特徴とする液晶装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の液晶装置であって、
前記窪みは、平面的にデータ線及び走査線のうち少なくとも一方に沿って配置されていることを特徴とする液晶装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記窪みは、前記画素電極間の隙間より、前記窪みにおける底部の幅の方が広いことを特徴とする液晶装置。 - 請求項2に記載の液晶装置であって、
前記画素電極間の隙間は、前記画素電極の厚みに前記絶縁膜の厚みを加えた長さ以下の長さであることを特徴とする液晶装置。 - 一対の基板と、
前記一対の基板に挟持された液晶層と、
前記一対の基板のうち一方の基板に設けられたトランジスターと、
前記トランジスターに接続された、画素電極と、容量電極と、前記画素電極と前記容量電極とに挟持された誘電体層と、を有する容量素子と、
を備えた液晶装置の製造方法であって、
平面的に前記画素電極間の領域と重なる領域に窪みを有するように前記容量電極を形成する容量電極形成工程と、
少なくとも前記窪みの部分を埋め、前記窪みの部分の前記画素電極を平坦または盛り上げるように絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜及び前記容量電極を覆うように前記誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、
前記誘電体層を覆うように前記画素電極を形成する画素電極形成工程と、
を有すること
を特徴とする液晶装置の製造方法。 - 請求項6に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記絶縁膜形成工程は、前記容量電極を覆うように前記絶縁膜となる絶縁膜前駆体を成膜し、その後、エッチバック処理法、CMP処理法、エッチング処理法のいずれかの方法によって、前記少なくとも前記窪みの中に前記絶縁膜を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
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