JP2015001467A - 磁気センサ - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、従来のGMR素子の動作原理を説明するための斜視図で、図2は、図1の部分断面図である。図中符号101は反強磁性層、102はピンド層(固定層)、103はCu層(スペーサ層)、104はフリー層(自由回転層)、202はピンド層(固定層)、203はCu層(スペーサ層)、204はフリー層(自由回転層)を示している。磁性材料の磁化の向きで電子のスピン散乱が変わり抵抗が変化する。つまり、ΔR=(RAP−RP)RP(RAP;上下の磁化の向きが反平行のとき、RP;上下の磁化の向きが反平行のとき)で表される。
図3は、従来のGMR素子の積層構造を説明するための構成図で、図中符号301は絶縁膜、302はフリー層(自由回転層)、303は導電層、304はピンド層(固定層)、305は反強磁性層、306は絶縁膜を示している。
また、特許文献2に記載のものは、方位検出に関して高い感度を有し、小型で量産性にも優れた3軸磁気センサに関するもので、基板表面に平行で互いに直交するように設定した2軸(X、Y軸)方向で地磁気成分を検知する2軸磁気センサ部と、2軸磁気センサ部上に配置され前記2軸を含む面に対して垂直方向(Z軸)の磁界を集める磁性部材とを備えており、磁気感知軸の異なる磁気抵抗素子でブリッジを形成することにより従来よりも少ない素子数で3軸検知センサが実現可能であることを提案している。
また、X,Yセンサがそれぞれ独立したブリッジを形成するためチップサイズの増大を招くとともに、X,YセンサとZセンサに共通の磁気抵抗素子を使用するため、各方向の感度調整を独立に行うことが困難である。
また、請求項5に記載の発明は、請求項1乃至4のいずれかに記載の発明において、前記第1の検知部(1a)における前記第1の感磁部(11a)が、平面視したときに、磁気収束部(20)に覆われ、前記第2の感磁部(12a)が、前記基板平面上で前記第1の感磁部(11a)に併設されていることを特徴とする。(図6;実施形態1)
また、請求項6に記載の発明は、請求項5に記載の発明において、前記磁気収束部(20)が、前記第1乃至第5の磁気収束部(21乃至25)のいずれかであることを特徴とする。
また、請求項8に記載の発明は、請求項1乃至4のいずれかに記載の発明において、前記第1の検知部(1c)における前記第3の感磁部(11c)の感磁軸が+X軸方向で、前記第4の感磁部(12c)の感磁軸が−X軸方向であり、各感磁部の感磁軸が反平行であることを特徴とする。(図8;実施形態3)
また、請求項10に記載の発明は、請求項1乃至9のいずれかに記載の発明において、前記第3の検知部(3a)における前記第7及び第8の感磁部(15a,16a)の間隙を覆うように前記第4の磁気収束部(24)が配置されていることを特徴とする。(図10;実施形態5)
また、請求項12に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記第1の検知部(1a)における前記第1の感磁部(11a)が、磁気収束部(20)に覆われ、前記第2の感磁部(12a)が、前記基板平面上で前記第1の感磁部(11a)に併設され(図6;実施形態1)、前記第1の感磁部(11a)と前記第2の感磁部(12a)との間において、前記第2の検知部(2)における前記第1及び第3の磁気収束部(21,23)が、前記第2の磁気収束部(22)の長手方向の仮想中線(L22)に対して線対称となり、かつ、前記第1及び第3の磁気収束部(21,23)の中心(C1,C3)を結んだ仮想線分(L10)が、前記第2の磁気収束部(22)の中心(C2)以外と一部と交差する位置に配置され(図9;実施形態4)、前記第2の感磁部(12a)に隣接して前記第3の検知部(3)における前記第7及び第8の感磁部(15a,16a)の間隙を覆うように前記第4の磁気収束部(24)が配置されている(図10;実施形態5)ことを特徴とする。(図12=図6+図9+図10;実施例1=実施形態1+実施形態4+実施形態5)
また、請求項14に記載の発明は、請求項12に記載の発明において、前記第1の検知部(1b)における前記第1の感磁部(11b)と前記第2の感磁部(12b)との短手方向の幅が異なることを特徴とする。(図14;実施例3)
また、請求項15に記載の発明は、請求項12に記載の発明において、前記第3の検知部(3b)における前記第7及び第8の感磁部(15a,16a)の外側を覆うように前記前記第4及び第5の磁気収束部(24,25)が配置されていることを特徴とする。(図15;実施例4)
また、請求項17に記載の発明は、請求項1乃至16のいずれかに記載の発明において、前記第1及び第2又は第3及び第4の感磁部(11a,12a/11b,12b/11c,12c)の出力信号の差分と、前記第5及び第6の感磁部(13a,14a/13b,14b)の出力信号の差分と、第7及び第8の感磁部(15a,16a/15b,16b)の出力信号の差分とを出力する演算部を備えていることを特徴とする。
また、請求項19に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記第1及び第2の感磁部(11a,12a)の短手方向の幅と、前記第5及び第6の感磁部(13b,14b)の短手方向の幅と、前記第7及び第8の感磁部(15b,16b)との短手方向の幅とがそれぞれ異なることを特徴とする。(図16;実施例5)
また、請求項20に記載の発明は、請求項1乃至19のいずれかに記載の発明において、前記第1及び第2の感磁部(11a,12a)と第3及び第4の感磁部(11c,12c)と第5及び第6の感磁部(13a,13b,14a,14b)と第7及び第8の感磁部(15a,15b,16a,16b)の各組の感磁部の無磁場下での電気抵抗が等しいことを特徴とする。
<磁気センサ>
本発明の磁気センサは、基板平面に対して平行な第1の軸方向の磁場を検知する第1の検知部と、基板平面に対して平行かつ第1の軸方向に垂直な第2の軸方向の磁場を検知する第2の検知部と、基板平面に対して垂直な第3の軸方向の磁場を検知する第3の検知部とを備える磁気センサである。
また、第3の検知部は、第1の軸方向に感磁軸を有する感磁部を有し、第1の軸方向の磁場に対する感度が等しい第7及び第8の感磁部と、第4の磁気収束部又は第4及び第5の磁気収束部からなり、この第7及び第8の感磁部の出力の差分に基づき第3の軸方向の磁場に応じた信号を出力する。
また、第2の軸方向の磁場を精度よく検出する観点から、磁気センサを平面視したときに、第1の磁気収束部と第2の磁気収束部間の第1仮想中線から、第5の感磁部の長手方向の中線までの中線間距離、及び、第2の磁気収束部と第3の磁気収束部間の第2仮想中線から、第6の感磁部の長手方向の中線までの中線間距離が互いに略等しいことが好ましい。
各感磁部の出力は、素子を構成する材料に依存する(外部磁場には依存しない)抵抗Rと、外部磁場に応答して変化する抵抗変化量ΔRに基づいた信号を出力する。例えば、感磁部を定電圧駆動(VCONST)する場合は、出力される電流IOUTから前記抵抗R+抵抗変化率ΔRを導出することが出来る。
IOUT=VCONST/(R+ΔR)
∝(R+ΔR)
各組の感磁部の無磁場下での電気抵抗を等しくする方法は、特に制限されないが、例えば、それぞれの感磁部の形状を適当な値に設計することで実現可能である。
本発明の磁気センサにおける感磁部の具体例としては、GMR(巨大磁気抵抗),TMR(トンネル磁気抵抗),AMR(異方性磁気抵抗),CMR(超巨大磁気抵抗),ホール素子が挙げられるがこの限りではない。温度特性の観点からGMRやTMRが好ましく、GMRがより好ましい。また、感磁部の感度軸方向の幅は特に制限されないが、0.1〜20ミクロンであることが好ましい。
例えば、各感磁部の厚みが等しく、磁気センサを平面視した時に、感磁部が矩形である場合、各感磁部の長手方向(電流方向)の長さLと、短手方向(電流方向に垂直方向)の幅Wの比が等しければ、無磁場下での抵抗Rを容易に等しくすることができる。
また、各感磁部の感磁軸方向を一致させる方法も特に制限されないが、例えば、感磁部の構成を同じ構成にすることで実現可能である。感磁部がGMRの場合、ピンド層の固定磁化の方向をそれぞれ同一方向にする方法が挙げられる。なお、本発明の磁気センサにおいて、各感磁部の感磁軸方向が一致している状態とは、平行の他に、本発明の効果を害さない程度に異なっている状態を含んでいる。
図5(a),(b)は、本発明の磁気センサに用いられる演算回路としての差動増幅回路を示す図である。なお、図中符号11乃至16は感磁部を示している。
演算回路としては、各感磁部の出力の差分に基づく信号を出力することが可能なものであれば特に制限されず、図5(a)に示す様な各感磁部の出力が入力され、2つの入力の差分値を所定の割合で増幅して出力する差動増幅回路や、各感磁部の出力をデジタル信号に変換し、差分演算を行うデジタルIC回路等が挙げられるがこの限りではない。本発明の磁気センサは、複数の組の感磁部の差分を演算するため、図5(b)に示す様なマルチプレクサを用いた差動増幅回路によれば、1つのオペアンプにより演算が可能であるため、小型化の観点から好ましい。
本発明の磁気センサは、基板平面に対して任意の軸方向の磁場を検知できるようにした磁気センサである。以下に、各検知部の構成について順次説明する。
図6(a),(b)において、実施形態1における第1の検知部1aは、基板平面に対して平行な第1の軸方向の磁場を検知するために、第1の軸方向に感磁軸を有し、第1の軸方向の磁場に対する感度が異なる第1及び第2の感磁部11a,12aを備えている。なお、第1の感磁部11aと第2の感磁部12aの短手方向の幅をそれぞれW1,W2で示し、W1=W2の関係にある。
S2−S1=(R+αh1BX)/VCONST−R/VCONST
=αh1BX/VCONST
となり、第1及び第2の感磁部11a,12aの出力信号の差分に基づき、X軸方向の外部磁場BXを導出することが可能になる。
S2−S1=(R+αBX)/VCONST−(R+βBX)/VCONST
=(α−β)BX/VCONST
となり、第1及び第2の感磁部11b,12bの出力信号の差分に基づき、X軸方向の外部磁場BXを導出することが可能になる。
S3−S4=(R+αBX)/VCONST−(R−αBX)/VCONST
=2αBX/VCONST
となり、第3及び第4の感磁部11c,12cの出力信号の差分に基づき、X軸方向の外部磁場BXを導出することが可能になる。
図9(a),(b)は、本発明に係る磁気センサの実施形態4における第2の検知部を説明するための構成図で、図中符号13aは第5の感磁部、14aは第6の感磁部、21は第1の磁気収束部、22は第2の磁気収束部、23は第3の磁気収束部を示している。
また、第5及び第6の感磁部13a,14aは、X軸方向に感磁軸を有している。第2の検知部2は、第5及び第6の感磁部13a,14aの出力信号S5,S6の差分に基づき、基板平面に対して平行かつ第1の軸方向に垂直な第2の軸方向の磁場として、Y軸方向の磁場BYを検知する。
第1乃至第3の磁気収束部21乃至23が、第2の磁気収束部22の長手方向に磁気を入力したときに、第2の磁気収束部22から第1の磁気収束部21及び第2の磁気収束部22から第3の磁気収束部23にそれぞれ磁束成分の磁路が形成されるように配置されている。
また、図9(a),(b)に示した第2の検知部2の例においては、X軸方向の磁場成分BXは、第1乃至第3磁気収束部21乃至23によって収束され、第5及び第6の感磁部13a,14aに対して等しく入力される。入力されるX軸方向の磁場成分の収束率をh2とすると、第5及び第6の感磁部13a,14aに対してはX軸方向の磁場成分としてh2BXが入力される。
S6−S5=(R+κh2BX−κk2BY−κl2BZ)/VCONST
−(R+κh2BX+κk2BY−κl2BZ)/VCONST
=−2κh2BY/VCONST
となり、第5及び第6の感磁部13a,14aの出力信号の差分に基づき、Y軸方向の外部磁場BYを導出することが可能になる。
図10(a),(b)は、本発明に係る磁気センサの実施形態5における第3の検知部の構成図で、図11(a),(b)は、本発明に係る磁気センサの実施形態6における第3の検知部を説明するための構成図を示している。図中符号15aは第7の感磁部、16aは第8の感磁部、24は第4の磁気収束部、25は第5の磁気収束部を示している。
また、図11(a),(b)において、本実施形態6における第3の検知部3bは、基板平面に対して垂直な第3の軸方向の磁場を検知するために、第1の軸方向に感磁軸を有し、第1の軸方向の磁場に対する感度が等しい第7及び第8の感磁部15a,16aと、この第7及び第8の感磁部15a,16aの近傍に配置されて磁路を形成する第4及び第5の磁気収束部24,25から構成されている。なお、第7の感磁部15aと第8の感磁部16aの短手方向の幅をそれぞれW7,W8で示し、W7=W8の関係にある。
また、第3の検知部3a,3bにおける第7及び第8の感磁部15a,16aは、平面視したときに、前記第7及び第8の感磁部15a,16aの中心同士を結ぶ仮想線分L56が、第4の磁気収束部24の長手方向の仮想中線L40と垂直である。また、第3の検知部3bにおいては、第4及び第5の磁気収束部24,25の中心同士を結ぶ仮想線分L50と平行である。
また、図10(a),(b)に示す本実施形態5の磁気センサにおける第3の検知部3aの第7及び第8の感磁部15a,16aは、X軸方向に感磁軸を有している。この第3の検知部3aは、第7及び第8の感磁部15a,16aの出力信号S7,S8の差分に基づき、基板平面に対して垂直な第3の軸方向の磁場として、Z軸方向の磁場BZを検知する。
S7−S8=(R+τh3BX+τl3BZ)/VCONST
−(R+τh3BX−τl3BZ)/VCONST
=2τl3BZ/VCONST
となり、第7及び第8の感磁部15a,16aの出力信号の差分に基づき、Z軸方向の外部磁場BZを導出することが可能になる。
S8−S7=(R+τh3BX+τl3BZ)/VCONST
−(R+τh3BX−τl3BZ)/VCONST
=2τl3BZ/VCONST
となり、第7及び第8の感磁部15a,16aの出力信号の差分に基づき、Z軸方向の外部磁場BZを導出することが可能になる。
また、第1及び第2の感磁部11a,12aと第3及び第4の感磁部11c,12cと第5及び第6の感磁部13a,13b,14a,14bと第7及び第8の感磁部15a,15b,16a,16bの各組の感磁部の無磁場下での電気抵抗が等しくなるように構成するのが良い。
本発明の磁気センサは、第1及び第2又は第3及び第4の感磁部11a,12a/11b,12b/11c,12cの出力信号の差分と、第5及び第6の出力信号の差分13a,14a/13b,14b、第7及び第8の感磁部15a,16a/15b,16bの出力信号の差分とを出力することが可能な演算部を備えていることが好ましい。
次に、本発明の磁気センサのより具体的な各実施例について説明する。
感磁部11a,12a乃至15a,16aとしては、スピンバルブ型のピンド層、伝導層、フリー層を積層してなるGMR素子を用いている。
また、図12(a)から分かるように、第1の感磁部11aと第2の感磁部12aとの間において、第2の検知部2における第1及び第3の磁気収束部21,23が、第2の磁気収束部22の長手方向の仮想中線L22に対して線対称となり、かつ、第1及び第3の磁気収束部21,23の中心C1,C3を結んだ仮想線分L10が、第2の磁気収束部22の中心C2以外と一部と交差する位置に配置されている。
また、感磁部11a,12a乃至15a,16aは、X軸方向に対して感磁軸を持っており、それぞれの感磁軸がお互いに平行になるように配置されている。
また、感磁部11aは、基板上に設置された磁気収束部21に磁気遮蔽されており、かつ磁気センサを平面視した時、感磁部11a,12aの感磁軸方向長さWと、基板面に対して平行かつ感磁軸方向に垂直な方向の長さLの比(W1:L1及びW2:L2)は等しくなるように配置されている。すなわち、第1及び第2の感磁部の無磁場時での抵抗Rは等しくなっている。なお、第1の感磁部は、磁気収束部に覆われていればよく、特に制限されてないが、チップ面積を小さくする観点から、第1乃至第4のいずれかに覆われていることが好ましい。
また、第5の感磁部13aは、磁気収束部21及び22の間に配置され、第6の感磁部14aは磁気収束部22及び23の間に配置され、第5の感磁部13aと第6の感磁部14aの感磁軸方向は一致しており、また、第5の感磁部13aと第6の感磁部14aの短手方向の中線は一致しており、その中線と磁気収束部21と磁気収束部23の中心を結ぶ仮想線分は平行になるように配置されている。
また、第7及び第8の感磁部15,16は、磁気収束部24の両側に、磁気収束部の長手方向の中線と、第7及び第8の感磁部15,16の長手方向の中線との距離がそれぞれ等しくなるように配置されている。また、磁気センサを平面視した時、第7及び第8の感磁部15,16の感磁軸方向長さW、基板面に対して平行かつ感磁軸方向に垂直な方向の長さLの比(W7:L7及びW8:L8)は等しくなるように配置されている。すなわち、第15及び第16の感磁部の無磁場時での抵抗Rは等しくなっている。なお、各感磁部の短手方向の幅は、W1=W2=W5=W6=W7=W8の関係にある。
第1の検知部は、
S2−S1(S4−S3)=αh1BX/VCONST
を出力し、第2の検知部は、
S6−S5=2κk2BY/VCONST
を出力し、第3の検知部は、
S7−S8=2τl3BZ/VCONST
を出力する。
このように、第3の検知部として図11(a)に示したもの適用したことにより、第2の感磁部が他の感磁部から独立するため、第2の感磁部の配置設計が容易となる。
このように、第7及び第8の感磁部の幅が広くしたことにより、磁気センサとしてZ軸方向の磁場成分に対する感度が向上し、第5及び第6の感磁部の幅を狭くしたことにより、Y軸方向の磁場成分に対する検知可能なレンジが向上する。すなわち、実施例5に係る磁気センサより、第1,第2及び第5乃至第8の感磁部として同じ構造のGMR素子を用いた場合であっても、各感磁部の幅を所望のものにすることにより、各軸方向の感度とレンジが所望の値となる磁気センサを容易に設計することが可能であることが理解される。
11乃至16 感磁部
11a,11b 第1の感磁部
12a,12b 第2の感磁部
11c 第3の感磁部
12c 第4の感磁部
13a,13b 第5の感磁部
14a,14b 第6の感磁部
15a,15b 第7の感磁部
16a,16b 第8の感磁部
20 磁気収束部
21 第1の磁気収束部
22 第2の磁気収束部
23 第3の磁気収束部
24 第4の磁気収束部
25 第5の磁気収束部
31 基板
32,301,306 絶縁膜
101,305 反強磁性層
102,202,304 ピンド層(固定層)
103,203 Cu層(スペーサ層)
104,204,302 フリー層(自由回転層)
303 導電層
Claims (20)
- 基板平面に対して任意の軸方向の磁場を検知できるようにした磁気センサにおいて、
前記基板平面に対して平行な第1の軸方向の磁場を検知するために、前記第1の軸方向に感磁軸を有し、前記第1の軸方向の磁場に対する感度が異なる第1及び第2の感磁部又は前記第1の軸方向の磁場に対する感磁軸が反平行である第3及び第4の感磁部からなる第1の検知部と、
前記基板平面に対して平行かつ前記第1の軸方向に垂直な第2の軸方向の磁場を検知するために、前記第1の軸方向に感磁軸を有し、前記第1の軸方向の磁場に対する感度が等しい第5及び第6の感磁部と、該第5及び第6の感磁部の近傍に配置されて磁路を形成する第1乃至第3の磁気収束部からなる第2の検知部と、
前記基板平面に対して垂直な第3の軸方向の磁場を検知するために、前記第1の軸方向に感磁軸を有し、前記第1の軸方向の磁場に対する感度が等しい第7及び第8の感磁部と、該第7及び第8の感磁部の近傍に配置されて磁路を形成する第4の磁気収束部又は前記第4及び第5の磁気収束部からなる第3の検知部と
を備えていることを特徴とする磁気センサ。 - 前記第1の検知部は、前記第1及び第2の感磁部の出力信号の差分又は第3及び第4の感磁部の出力信号に基づき前記第1の軸方向の磁場に応じた信号を出力し、
前記第2の検知部は、前記第5及び第6の感磁部の出力信号の差分に基づき前記第2の軸方向の磁場に応じた信号を出力し、
前記第3の検知部は、前記第7及び第8の感磁部の出力の差分に基づき前記第3の軸方向の磁場に応じた信号を出力することを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ。 - 前記第2の検知部における前記第1乃至第3の磁気収束部が、前記第2の磁気収束部の長手方向に磁気を入力したときに、該第2の磁気収束部から前記第1の磁気収束部及び前記第2の磁気収束部から前記第3の磁気収束部にそれぞれ磁束成分の磁路が形成されるように配置され、
平面視したときに、前記第1の磁気収束部と前記第2の磁気収束部間の第1の仮想中線から前記第5の感磁部の長手方向の中線までの中線間距離、及び前記第2の磁気収束部と前記第3の磁気収束部間の第2仮想中線から前記第6の感磁部の長手方向の中線までの中線間距離が互いに等しいことを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気センサ。 - 前記第3の検知部における前記第7及び第8の感磁部は、平面視したときに、前記第7及び第8の感磁部の中心同士を結ぶ仮想線分が、前記第4の磁気収束部の長手方向の仮想中線と垂直又は前記第4及び第5の磁気収束部の中心同士を結ぶ仮想線分と平行であることを特徴とする請求項1,2又は3に記載の磁気センサ。
- 前記第1の検知部における前記第1の感磁部が、平面視したときに、磁気収束部に覆われ、前記第2の感磁部が、前記基板平面上で前記第1の感磁部に併設されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の磁気センサ。
- 前記磁気収束部が、前記第1乃至第5の磁気収束部のいずれかであることを特徴とする請求項5に記載の磁気センサ。
- 前記第1の検知部における前記第1の感磁部と前記第2の感磁部との短手方向の幅が異なることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の磁気センサ。
- 前記第1の検知部における前記第3の感磁部の感磁軸が+X軸方向で、前記第4の感磁部の感磁軸が−X軸方向であり、各感磁部の感磁軸が反平行であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の磁気センサ。
- 前記第2の検知部における前記第1及び第3の磁気収束部は、平面視したときに、前記第2の磁気収束部の長手方向の仮想中線に対して線対称となり、かつ、前記第1及び第3の磁気収束部の中心を結んだ仮想線分が、前記第2の磁気収束部の中心以外と一部と交差する位置に配置されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の磁気センサ。
- 前記第3の検知部における前記第7及び第8の感磁部の間隙を覆うように前記第4の磁気収束部が配置されていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の磁気センサ。
- 前記第3の検知部における前記第7及び第8の感磁部の外側を覆うように前記第4及び第5の磁気収束部が配置されていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の磁気センサ。
- 前記第1の検知部における前記第1の感磁部が、磁気収束部に覆われ、前記第2の感磁部が、前記基板平面上で前記第1の感磁部に併設され、
前記第1の感磁部と前記第2の感磁部との間において、前記第2の検知部における前記第1及び第3の磁気収束部が、前記第2の磁気収束部の長手方向の仮想中線に対して線対称となり、かつ、前記第1及び第3の磁気収束部の中心を結んだ仮想線分が、前記第2の磁気収束部の中心以外と一部と交差する位置に配置され、
前記第2の感磁部に隣接して前記第3の検知部における前記第7及び第8の感磁部の間隙を覆うように前記第4の磁気収束部が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ。 - 前記第7及び第8の感磁部の短手方向の幅が、前記第1乃至第6の感磁部の短手方向の幅よりも広くしたことを特徴とする請求項12に記載の磁気センサ。
- 前記第1の検知部における前記第1の感磁部と前記第2の感磁部との短手方向の幅が異なることを特徴とする請求項12に記載の磁気センサ。
- 前記第3の検知部における前記第7及び第8の感磁部の外側を覆うように前記前記第4及び第5の磁気収束部が配置されていることを特徴とする請求項12に記載の磁気センサ。
- 前記第2の検知部における第5及び第6の感磁部の短手方向の幅が、前記第1及び第2,前記第5乃至第8の感磁部の短手方向の幅よりも狭くしたことを特徴とする請求項13に記載の磁気センサ。
- 前記第1及び第2又は第3及び第4の感磁部の出力信号の差分と、前記第5及び第6の感磁部の出力信号の差分と、第7及び第8の感磁部の出力信号の差分とを出力する演算部を備えていることを特徴とする請求項1乃至16のいずれかに記載の磁気センサ。
- 前記第1乃至第4の感磁部の短手方向の幅が、前記第5乃至第8の感磁部の短手方向の幅よりも狭くしたことを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記第1及び第2の感磁部の短手方向の幅と、前記第5及び第6の感磁部の短手方向の幅と、前記第7及び第8の感磁部との短手方向の幅とがそれぞれ異なることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記第1及び第2の感磁部と第3及び第4の感磁部と第5及び第6の感磁部と第7及び第8の感磁部の各組の感磁部の無磁場下での電気抵抗が等しいことを特徴とする請求項1乃至19のいずれかに記載の磁気センサ。
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