JP2014233833A5 - - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 30
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 16
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N [N-]=C=O Chemical compound [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 6
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 claims 6
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 claims 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 5
- 230000001070 adhesive Effects 0.000 claims 5
- IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Methylenebis(2-chloroaniline) Chemical compound C1=C(Cl)C(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C(Cl)=C1 IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- VIOMIGLBMQVNLY-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-amino-2-chloro-3,5-diethylphenyl)methyl]-3-chloro-2,6-diethylaniline Chemical compound CCC1=C(N)C(CC)=CC(CC=2C(=C(CC)C(N)=C(CC)C=2)Cl)=C1Cl VIOMIGLBMQVNLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229920001730 Moisture cure polyurethane Polymers 0.000 claims 4
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 claims 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 3
- 230000001588 bifunctional Effects 0.000 claims 3
- 125000004433 nitrogen atoms Chemical group N* 0.000 claims 3
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims 2
- 125000004435 hydrogen atoms Chemical group [H]* 0.000 claims 2
- 238000005296 abrasive Methods 0.000 claims 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Claims (13)
- 研磨面、ベース面及び前記研磨面に対して垂直な方向に前記研磨面から前記ベース面までで計測される平均厚さＴP-avgを有する研磨層、
上面及び下面を有する硬質層、並びに
前記研磨層の前記ベース面と前記硬質層の前記上面との間に挿入されたホットメルト接着剤であって、前記研磨層を前記硬質層に接着するホットメルト接着剤
を含み、
前記研磨層が、
多官能イソシアネートと、
１分子あたり少なくとも１個の窒素原子を含み、１分子あたり平均少なくとも３個のヒドロキシル基を有するアミン開始ポリオール硬化剤少なくとも５重量％、
２，５００〜１００，０００の数平均分子量ＭNを有し、１分子あたり平均５〜７個のヒドロキシル基を有する高分子量ポリオール硬化剤２５〜９５重量％、及び
二官能硬化剤０〜７０重量％
を含む硬化剤パッケージと
を含む成分の反応生成物を含み、
前記研磨層が、０．６g/cm3よりも高い密度、５〜４０のショアＤ硬さ、１００〜４５０％の破断点伸び及び２５〜１５０μm/hrの切削速度を示し、前記研磨層が、基材を研磨するように適合された研磨面を有する、化学機械研磨パッドスタック。 - さらに、前記硬質層の前記下面に配置される感圧プラテン接着剤を含む、請求項１記載の化学機械研磨パッドスタック。
- さらに、剥離ライナ（前記感圧プラテン接着剤が前記硬質層の前記下面とこの任意の剥離ライナとの間に挿入される）を含む、請求項２記載の化学機械研磨パッドスタック。
- さらに、化学機械研磨パッドスタックに組み込まれた終点検出ウィンドウを含む、請求項１記載の化学機械研磨パッドスタック。
- 前記硬質層の前記上面が溝を有さず、前記硬質層の前記下面が溝を有しない、請求項１記載の化学機械研磨パッドスタック。
- 前記硬質層の前記上面及び前記下面がそれぞれ１〜５００nmの粗さＲａを有する、請求項１記載の化学機械研磨パッドスタック。
- 前記硬質層が２，５００〜７，５００MPaのヤング率を有する、請求項１記載の化学機械研磨パッドスタック。
- 前記硬質層が二軸延伸ポリエチレンテレフタレート製であり、前記硬質層が６〜１０ミルの平均厚さを有し、前記硬質層が３，０００〜７，０００MPaのヤング率を示す、請求項１記載の化学機械研磨パッドスタック。
- 前記多官能イソシアネートが、２〜１２重量％の未反応ＮＣＯ基を有するイソシアネート末端ウレタンプレポリマーであり、
前記硬化剤パッケージが、
１分子あたり２個の窒素原子を含み、１分子あたり平均４個のヒドロキシル基を有し、２００〜４００の数平均分子量ＭNを有するアミン開始ポリオール硬化剤５〜２０重量％、
１０，０００〜１２，０００の数平均分子量ＭNを有し、１分子あたり平均６個のヒドロキシル基を有する高分子量ポリオール硬化剤５０〜７５重量％、並びに
４，４’−メチレン−ビス−（２−クロロアニリン）（ＭＢＯＣＡ）、４，４’−メチレン−ビス−（３−クロロ−２，６−ジエチルアニリン）（ＭＣＤＥＡ）及びそれらの異性体からなる群より選択されるジアミン硬化剤である二官能硬化剤１０〜３０重量％
からなり、
前記多官能イソシアネート中の未反応イソシアネート基に対する前記硬化剤パッケージ中の反応性水素基の化学量論比が０．９５〜１．０５であり、
前記研磨層が、０．７５〜１．０g/cm3の密度、５〜２０のショアＤ硬さ、１５０〜３００％の破断点伸び及び３０〜６０μm/hrの切削速度を示す、請求項１記載の化学機械研磨パッドスタック。 - 前記イソシアネート末端ウレタンプレポリマーが、５〜７重量％の未反応ＮＣＯ基を有し、４００〜２，５００の数平均分子量ＭNを示す、請求項９記載の化学機械研磨パッドスタック。
- 前記化学機械研磨パッドスタックが、前記研磨層、前記硬質層、前記研磨層と前記硬質層の前記上面との間に挿入されたホットメルト接着剤、前記感圧プラテン接着剤、前記剥離ライナ、及び場合によっては終点検出ウィンドウからなり、
前記多官能イソシアネートが、２〜１２重量％の未反応ＮＣＯ基を有するイソシアネート末端ウレタンプレポリマーであり、
前記硬化剤パッケージが、
１分子あたり２個の窒素原子を含み、１分子あたり平均４個のヒドロキシル基を有し、２００〜４００の数平均分子量ＭNを有するアミン開始ポリオール硬化剤５〜２０重量％、
１０，０００〜１２，０００の数平均分子量ＭNを有し、１分子あたり平均６個のヒドロキシル基を有する高分子量ポリオール硬化剤５０〜７５重量％、並びに
４，４’−メチレン−ビス−（２−クロロアニリン）（ＭＢＯＣＡ）、４，４’−メチレン−ビス−（３−クロロ−２，６−ジエチルアニリン）（ＭＣＤＥＡ）及びそれらの異性体からなる群より選択されるジアミン硬化剤である二官能硬化剤１０〜３０重量％
からなり、
前記多官能イソシアネート中の未反応イソシアネート基に対する前記硬化剤パッケージ中の反応性水素基の化学量論比が０．９５〜１．０５であり、
前記研磨層が、０．７５〜１．０g/cm3の密度、５〜２０のショアＤ硬さ、１５０〜３００％の破断点伸び及び３０〜６０μm/hrの切削速度を示す、請求項１記載の化学機械研磨パッドスタック。 - 前記イソシアネート末端ウレタンプレポリマーが、５〜７重量％の未反応ＮＣＯ基を有し、４００〜２，５００の数平均分子量ＭNを示す、請求項１１記載の化学機械研磨パッドスタック。
- 前記終点検出ウィンドウがプラグ配置終点検出ウィンドウブロックであり、前記化学機械研磨パッドスタックが、前記研磨面から前記研磨層の全厚さＴP、前記ホットメルト接着剤及び前記硬質層の前記上面から前記下面までの全厚さＴRを通して延びる貫通孔を有し、前記プラグ配置終点検出ウィンドウブロックが前記貫通孔の中に配置され、前記プラグ配置終点検出ウィンドウブロックが前記感圧プラテン接着剤に固着されている、請求項１１記載の化学機械研磨パッドスタック。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/906,715 | 2013-05-31 | ||
| US13/906,715 US9233451B2 (en) | 2013-05-31 | 2013-05-31 | Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad stack |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014233833A JP2014233833A (ja) | 2014-12-15 |
| JP2014233833A5 true JP2014233833A5 (ja) | 2017-06-29 |
| JP6334266B2 JP6334266B2 (ja) | 2018-05-30 |
Family
ID=51168260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014112280A Active JP6334266B2 (ja) | 2013-05-31 | 2014-05-30 | 軟質かつコンディショニング可能な化学機械研磨パッドスタック |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9233451B2 (ja) |
| JP (1) | JP6334266B2 (ja) |
| KR (1) | KR102191947B1 (ja) |
| CN (1) | CN104209854B (ja) |
| DE (1) | DE102014007024A1 (ja) |
| FR (1) | FR3006218B1 (ja) |
| TW (1) | TWI574793B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9238296B2 (en) * | 2013-05-31 | 2016-01-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Multilayer chemical mechanical polishing pad stack with soft and conditionable polishing layer |
| US9259820B2 (en) * | 2014-03-28 | 2016-02-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with polishing layer and window |
| US9216489B2 (en) * | 2014-03-28 | 2015-12-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window |
| US10092998B2 (en) * | 2015-06-26 | 2018-10-09 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of making composite polishing layer for chemical mechanical polishing pad |
| US9484212B1 (en) * | 2015-10-30 | 2016-11-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
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| CN112757153B (zh) * | 2021-03-09 | 2022-07-12 | 万华化学集团电子材料有限公司 | 一种多结构体化学机械抛光垫、制造方法及其应用 |
Family Cites Families (52)
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| JP3826702B2 (ja) | 2000-10-24 | 2006-09-27 | Ｊｓｒ株式会社 | 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド |
| KR100845481B1 (ko) | 2001-11-13 | 2008-07-10 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드 및 그 제조 방법 |
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-
2013
- 2013-05-31 US US13/906,715 patent/US9233451B2/en active Active
-
2014
- 2014-05-13 DE DE102014007024.7A patent/DE102014007024A1/de active Pending
- 2014-05-28 KR KR1020140064220A patent/KR102191947B1/ko active IP Right Grant
- 2014-05-30 TW TW103118949A patent/TWI574793B/zh active
- 2014-05-30 CN CN201410238719.9A patent/CN104209854B/zh active Active
- 2014-05-30 JP JP2014112280A patent/JP6334266B2/ja active Active
- 2014-05-30 FR FR1454941A patent/FR3006218B1/fr active Active
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| JP2015047692A5 (ja) | ||
| JP2015189003A5 (ja) | ||
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