CN104209854B - 柔软且可修整的化学机械抛光垫层叠体 - Google Patents

柔软且可修整的化学机械抛光垫层叠体 Download PDF

Info

Publication number
CN104209854B
CN104209854B CN201410238719.9A CN201410238719A CN104209854B CN 104209854 B CN104209854 B CN 104209854B CN 201410238719 A CN201410238719 A CN 201410238719A CN 104209854 B CN104209854 B CN 104209854B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
molecular weight
chemical mechanical
firming agent
duplexer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410238719.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104209854A (zh
Inventor
J·穆奈恩
B·钱
J·G·诺兰
M·K·詹森
J·J·亨道恩
M·W·迪格鲁特
D·B·詹姆斯
叶逢蓟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Global Technologies LLC
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Dow Global Technologies LLC
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Global Technologies LLC, Rohm and Haas Electronic Materials LLC filed Critical Dow Global Technologies LLC
Publication of CN104209854A publication Critical patent/CN104209854A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104209854B publication Critical patent/CN104209854B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B24B37/245Pads with fixed abrasives
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/205Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/22Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/30Low-molecular-weight compounds
    • C08G18/32Polyhydroxy compounds; Polyamines; Hydroxyamines
    • C08G18/3271Hydroxyamines
    • C08G18/3278Hydroxyamines containing at least three hydroxy groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/65Low-molecular-weight compounds having active hydrogen with high-molecular-weight compounds having active hydrogen
    • C08G18/66Compounds of groups C08G18/42, C08G18/48, or C08G18/52
    • C08G18/6633Compounds of group C08G18/42
    • C08G18/6637Compounds of group C08G18/42 with compounds of group C08G18/32 or polyamines of C08G18/38
    • C08G18/664Compounds of group C08G18/42 with compounds of group C08G18/32 or polyamines of C08G18/38 with compounds of group C08G18/3203
    • C08G18/6644Compounds of group C08G18/42 with compounds of group C08G18/32 or polyamines of C08G18/38 with compounds of group C08G18/3203 having at least three hydroxy groups

Abstract

柔软且可修整的化学机械抛光垫层叠体。本发明提供了一种化学机械抛光垫层叠体,其包括:抛光层、刚性层、将所述抛光层与刚性层粘结的热熔粘合剂,其中所述抛光层包含以下组分的反应产物,所述组分包括:多官能异氰酸酯和固化剂包装,所述固化剂包装包含胺引发的多元醇固化剂和高分子量多元醇固化剂,其中,所述抛光层的密度大于0.6克/厘米3,肖氏D硬度为5‑40,断裂伸长率为100‑450%,切割速率为25‑150微米/小时;以及其中所述抛光层具有适合用来对基材进行抛光的抛光表面。

Description

柔软且可修整的化学机械抛光垫层叠体
技术领域
本发明涉及化学机械抛光垫及其制备和使用方法。更具体而言,本发明涉及包括抛光层、刚性层以及使抛光层与刚性层粘结的热熔粘合剂的化学机械抛光垫层叠体;其中所述抛光层包含以下组分的反应产物,所述组分包括:多官能异氰酸酯和固化剂包装(curative package);其中所述固化剂包装包含胺引发的多元醇固化剂和高分子量多元醇固化剂;其中所述抛光层的密度大于0.6克/厘米3,肖氏D硬度为5-40,断裂伸长率为100-450%,切割速率为25-150微米/小时;以及其中所述抛光层具有适合用来对基材进行抛光的抛光表面。
背景技术
在集成电路和其它电子器件的制造中,需要在半导体晶片的表面上沉积多层的导电材料、半导体材料和介电材料,以及将这些材料层从半导体晶片的表面除去。可以使用许多种沉积技术沉积导电材料、半导体材料和介电材料的薄层。现代晶片加工中常规的沉积技术包括物理气相沉积(PVD)(也称为溅射)、化学气相沉积(CVD)、等离子促进的化学气相沉积(PECVD)和电化学镀覆等。现代去除技术包括湿法和干法各向同性和各向异性蚀刻等。
当材料层被依次沉积和除去时,晶片的最上层表面变得不平。因为随后的半导体加工(例如金属化)需要晶片具有平坦的表面,所以所述晶片需要被平面化。平面化可用来除去不希望出现的表面形貌和表面缺陷,例如粗糙表面,团聚材料,晶格破坏,划痕和污染的层或材料。
化学机械平面化,或化学机械抛光(CMP),是一种用来对工件(例如半导体晶片)进行平面化或抛光的常规技术。在常规的CMP中,将晶片支架或抛光头安装在支架组件上。所述抛光头固定着所述晶片,将所述晶片置于与抛光垫的抛光层接触的位置,所述抛光垫安装在CMP设备中的台子或台面上。所述支架组件在晶片和抛光垫之间提供可以控制的压力。同时,将抛光介质(例如浆液)分配在抛光垫上,并引入晶片和抛光层之间的间隙内。为了进行抛光,所述抛光垫和晶片通常相对彼此发生旋转。当抛光垫在晶片下面旋转的同时,所述晶片扫出一个通常为环形的抛光痕迹(polishing track),或抛光区域,其中所述晶片的表面直接面对所述抛光层。通过抛光层和抛光介质在晶片表面上的化学和机械作用,晶片表面被抛光并且变得平坦。
抛光垫表面的“修整(conditioning)”或“打磨(dressing)”对于获得稳定抛光性能所需的稳定抛光表面来说是很重要的。随着时间的流逝,抛光垫的抛光表面被磨损,磨平了抛光表面的微织构(microtexture),这是被称为“磨钝(glazing)”的现象。抛光垫修整通常是通过使用修整盘对抛光表面进行机械研磨而完成的。所述修整盘具有粗糙的修整表面,该粗糙修整表面通常包括嵌入的金刚石颗粒点。在CMP工艺中,当抛光暂停时,在间歇的间断时间段内使修整盘与抛光表面接触(“外部”),或者在CMP工艺进行过程中使修整盘与抛光表面接触(“原位”)。通常所述修整盘在相对于抛光垫旋转轴固定的位置旋转,随着抛光垫的旋转扫出一个环形的修整区域。所述的修整工艺在抛光垫表面内切割出微型的沟道,对抛光垫的材料进行研磨和刨刮,重新恢复抛光垫的织构结构。
半导体器件正变得越来越复杂,具有较精细的特征以及较多的金属化层。这种趋势需要抛光耗材改善性能,以保持平整度并限制抛光缺陷。后者能够导致导线电路断路或短路,这将导致半导体器件不工作。众所周知,一种减少抛光缺陷(例如微-划痕或震痕)的方法是使用较软的抛光垫。
James等人在美国专利第7,074,115号中公开了一类柔软的聚氨酯抛光层。James等人公开了一种包含异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物和芳族二胺或多胺固化剂的反应产物的抛光垫,其中,所述反应产物的孔隙率至少为0.1体积%,在40℃和1弧度/秒条件下的KEL能量损耗因子为385-750l/Pa,以及在40℃和1弧度/秒条件下的模量E’为100-400MPa。
如上所述,为了获得最佳的抛光性能,需要对化学机械抛光垫的表面进行金刚石修整,从而形成有利的微织构。然而,在常规抛光层材料(例如James等人所述的材料)中难以形成这类织构,这是因为这些材料具有高的延展性,所述延展性是通过断裂拉伸伸长值来测定的。因此,当用金刚石修整盘对这些材料进行修整,而不是在该垫的表面切割沟道时,修整盘中的金刚石仅仅将垫材料推开,而没有进行切割。因此,用金刚石修整盘进行修整的结果是,在这些常规材料的表面上形成极少的织构。
在用来在垫表面中形成宏观凹槽图案的机械加工过程中,产生了另一个与这类常规化学机械抛光垫材料相关的问题。常规的化学机械抛光垫通常具有切割至其抛光表面内的凹槽图案,从而促进浆液流动以及从垫-晶片界面去除抛光碎片。通常使用车床或通过CNC研磨机将这些凹槽切入抛光垫的抛光表面。然而,对于软垫材料来说,存在与金刚石修整相似的问题,从而导致在钻头通过后,垫材料仅仅回弹并且所形成的凹槽自我封闭。因此,凹槽质量较差,并且成功地用这类软材料制造出商业上可接受的垫较为困难。随着垫材料硬度降低,这种问题越来越严重。
因此,本领域一直需要具有能与低缺陷制剂相关的物理性质很好地相关联的物理性质的化学机械抛光垫,并且其还可使所述抛光层具有增强的可修整性(conditionability)(即具有25-150微米/小时的切割速率)。
发明内容
本发明提供了一种化学机械抛光垫层叠体,其包括:抛光层,所述抛光层具有抛光表面、底表面和平均厚度TP-avg,该厚度是在垂直于抛光表面的方向上从所述抛光表面测量到所述底表面得到的;具有上表面和下表面的刚性层;介于所述抛光层的底表面和所述刚性层的上表面之间的热熔粘合剂;其中,所述热熔粘合剂将所述抛光层与所述刚性层粘结;任选地,压敏平台(platen)粘合剂;其中,所述压敏平台粘合剂设置在所述刚性层的下表面上;任选地,剥离衬垫;其中所述压敏平台粘合剂介于所述刚性层的下表面和任选的剥离衬垫之间;以及,任选地,结合到所述化学机械抛光垫层叠体中的终点检测窗口;其中所述抛光层包含以下组分的反应产物,所述组分包括:多官能异氰酸酯和固化剂包装,所述固化剂包装包含至少5重量%的胺引发的多元醇固化剂、25-95重量%的高分子量多元醇固化剂以及0-70重量%的双官能固化剂;其中所述胺引发的多元醇固化剂每个分子至少包含一个氮原子;其中所述胺引发的固化剂每个分子平均具有至少三个羟基;其中所述高分子量多元醇固化剂的数均分子量MN为2,500-100,000;其中所述高分子量多元醇固化剂每个分子平均具有3-10个羟基;其中,所述抛光层的密度大于0.6克/厘米3,肖氏D硬度为5-40,断裂伸长率为100-450%,切割速率为25-150微米/小时;以及其中所述抛光层具有适合用来对基材进行抛光的抛光表面。
本发明提供了一种化学机械抛光垫层叠体,其包括:抛光层,所述抛光层具有抛光表面、底表面和平均厚度TP-avg,该厚度是在垂直于抛光表面的方向上从所述抛光表面测量到所述底表面得到的;具有上表面和下表面的刚性层;介于所述抛光层的底表面和所述刚性层的上表面之间的热熔粘合剂;其中,所述热熔粘合剂将所述抛光层与所述刚性层粘结;任选地,压敏平台粘合剂;其中,所述压敏平台粘合剂设置在所述刚性层的下表面上;任选地,剥离衬垫;其中所述压敏平台粘合剂介于所述刚性层的下表面和所述任选的剥离衬垫之间;以及,任选地,结合到所述化学机械抛光垫层叠体中的终点检测窗口;其中所述抛光层包含以下组分的反应产物,所述组分包括:多官能异氰酸酯和固化剂包装,所述固化剂包装包含至少5重量%的胺引发的多元醇固化剂、25-95重量%的高分子量多元醇固化剂以及0-70重量%的双官能固化剂;其中所述胺引发的多元醇固化剂每个分子至少包含一个氮原子;其中所述胺引发的固化剂每个分子平均具有至少三个羟基;其中所述高分子量多元醇固化剂的数均分子量MN为2,500-100,000;其中所述高分子量多元醇固化剂每个分子平均具有3-10个羟基;其中所述多官能异氰酸酯是具有2-12重量%未反应的NCO基团的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物;以及,其中所述固化剂包装由以下组分组成:5-20重量%的所述胺引发的多元醇固化剂、50-75重量%的所述高分子量多元醇固化剂、10-30重量%的所述双官能固化剂;其中,所述胺引发的多元醇固化剂每个分子包含两个氮原子;其中所述胺引发的多元醇固化剂每个分子平均具有4个羟基;其中所述胺引发的多元醇固化剂的数均分子量MN为200-400;其中所述高分子量多元醇固化剂的数均分子量MN为10,000-12,000;其中所述高分子量多元醇固化剂每个分子平均具有6个羟基;其中所述双官能固化剂是选自下组的二胺固化剂:4,4'-亚甲基-二-(2-氯苯胺)(MBOCA)、4,4'-亚甲基-二-(3-氯-2,6-二乙基苯胺)(MCDEA)及其异构体;其中所述固化剂包装中的反应性氢基团与所述多官能异氰酸酯中的未反应的异氰酸酯基团的化学计量比为0.95-1.05;其中,所述抛光层的密度为0.75-1.0克/厘米3,肖氏D硬度为5-20,断裂伸长率为150-300%,切割速率为30-60微米/小时;以及其中所述抛光层具有适合用来对基材进行抛光的抛光表面。
本发明提供了一种化学机械抛光垫层叠体,其由以下组件组成:抛光层,所述抛光层具有抛光表面、底表面和平均厚度TP-avg,该厚度是在垂直于抛光表面的方向上从所述抛光表面测量到所述底表面得到的;具有上表面和下表面的刚性层;介于所述抛光层的底表面和所述刚性层的上表面之间的热熔粘合剂;其中,所述热熔粘合剂将所述抛光层与所述刚性层粘结;压敏平台粘合剂;其中,所述压敏平台粘合剂设置在所述刚性层的下表面上;剥离衬垫;其中所述压敏平台粘合剂介于所述刚性层的下表面和所述剥离衬垫之间;以及,任选地,结合到所述化学机械抛光垫层叠体中的终点检测窗口;其中所述抛光层包含以下组分的反应产物,所述组分包括:多官能异氰酸酯和固化剂包装,所述固化剂包装包含至少5重量%的胺引发的多元醇固化剂、25-95重量%的高分子量多元醇固化剂以及0-70重量%的双官能固化剂;其中所述胺引发的多元醇固化剂每个分子至少包含一个氮原子;其中所述胺引发的固化剂每个分子平均具有至少三个羟基;其中所述高分子量多元醇固化剂具有2,500-100,000的数均分子量MN;其中所述高分子量多元醇固化剂每个分子平均具有3-10个羟基;其中,所述抛光层的密度大于0.6克/厘米3,肖氏D硬度为5-40,断裂伸长率为100-450%,切割速率为25-150微米/小时;以及其中所述抛光层具有适合用来对基材进行抛光的抛光表面。
本发明提供了一种化学机械抛光垫层叠体,其由以下组件组成:抛光层,所述抛光层具有抛光表面、底表面和平均厚度TP-avg,该厚度是在垂直于抛光表面的方向上从所述抛光表面测量到所述底表面得到的;具有上表面和下表面的刚性层;介于所述抛光层的底表面和所述刚性层的上表面之间的热熔粘合剂;其中,所述热熔粘合剂将所述抛光层与所述刚性层粘结;压敏平台粘合剂;其中,所述压敏平台粘合剂设置在所述刚性层的下表面上;剥离衬垫;其中所述压敏平台粘合剂介于所述刚性层的下表面和所述剥离衬垫之间;以及,结合到所述化学机械抛光垫层叠体中的终点检测窗口;其中所述抛光层包含以下组分的反应产物,所述组分包括:多官能异氰酸酯和固化剂包装,所述固化剂包装包含至少5重量%的胺引发的多元醇固化剂、25-95重量%的高分子量多元醇固化剂以及0-70重量%的双官能固化剂;其中所述胺引发的多元醇固化剂每个分子至少包含一个氮原子;其中所述胺引发的固化剂每个分子平均具有至少三个羟基;其中所述高分子量多元醇固化剂具有2,500-100,000的数均分子量MN;其中所述高分子量多元醇固化剂每个分子平均具有3-10个羟基;其中,所述抛光层的密度大于0.6克/厘米3,肖氏D硬度为5-40,断裂伸长率为100-450%,切割速率为25-150微米/小时;其中所述终点检测窗口是塞入性(plug in place)终点检测窗口块体;其中所述化学机械抛光垫层叠体具有贯穿开口,所述贯穿开口从所述抛光表面延伸穿过整个抛光层厚度TP、所述热熔粘合剂和从所述上表面到所述下表面的整个刚性层厚度TR;其中所述塞入性终点检测窗口块体设置在所述贯穿开口内;其中所述塞入性终点检测窗口块体固定在所述压敏平台粘合剂上;以及其中所述抛光层具有适合用来对基材进行抛光的抛光表面。
附图简要说明
图1是本发明的化学机械抛光垫层叠体的立体图。
图2是本发明的化学机械抛光垫层叠体的截面剖视图。
图3是本发明的化学机械抛光垫层叠体的俯视平面图。
图4是本发明的抛光层的侧视透视图。
图5是本发明的化学机械抛光垫层叠体的侧视图。
图6是本发明的塞入性终点检测窗口块体的侧视图。
图7是本发明的化学机械抛光垫层叠体的截面剖视图。
具体实施方式
本文和所附权利要求中用术语“平均总厚度TT-avg”描述具有抛光表面(14)的化学机械抛光垫层叠体(10)的时候,该术语表示在垂直于抛光表面(14)的方向上从抛光表面(14)测量到所述刚性层(25)的下表面(27)得到的化学机械抛光垫层叠体的平均厚度TT。(参见图1、2、5和7)。
本文和所附权利要求中用术语“基本圆形的截面”描述化学机械抛光垫层叠体(10)的时候,该术语表示从中心轴(12)到抛光层(20)的抛光表面(14)的外周(15)的截面的最长半径r比从中心轴(12)到抛光表面(14)的外周(15)的截面的最长半径r长≤20%。(见图1)。
较佳的是,本发明的化学机械抛光垫层叠体(10)适于围绕中心轴(12)旋转。(见图1)。较佳的是,抛光层(20)的抛光表面(14)在垂直于中心轴(12)的平面(28)内。所述化学机械抛光垫层叠体(10)任选地适于在平面(28)中旋转,平面(28)相对于中心轴(12)呈85-95°的角度γ,优选相对于中心轴(12)呈90°的角度γ。较佳的是,抛光层(20)具有抛光表面(14),所述抛光表面(14)具有垂直于中心轴(12)的基本圆形的截面。较佳的是,垂直于中心轴(12)的抛光表面(14)的截面的半径r在该截面上的变化≤20%,更优选在该截面上的变化≤10%。
本发明的化学机械抛光垫层叠体(10)特别设计用来有利于对选自下组的基材进行抛光:磁性基材、光学基材和半导体基材中的至少一种基材。
所述化学机械抛光垫层叠体(10)具有抛光层(20),该抛光层(20)具有低硬度(即,肖氏D≤40)和低拉伸伸长率(即,断裂伸长率≤450%)的独特组合,所述低硬度能够提供低缺陷抛光性能,这种独特的组合能够提供机械加工性从而有利于在抛光层中形成凹槽,还能够提供可修整性从而有利于使用金刚石修整盘形成微织构。此外,本发明的抛光层所实现的这些性质的平衡能够提供以下能力,例如对半导体晶片进行抛光,并且与此同时不会形成可能损害半导体器件的电学性能整体性的微划痕缺陷而对晶片表面造成破坏。
本发明的化学机械抛光垫层叠体(10)包括(较好的是,由以下组件组成):抛光层(20),所述抛光层(20)具有抛光表面(14)、底表面(17)和平均厚度TP-avg,该厚度是在垂直于抛光表面(14)的方向上从所述抛光表面(14)测量到所述底表面(17)得到的;具有上表面(26)和下表面(27)的刚性层(25);介于所述抛光层(20)的底表面(17)和所述刚性层(25)的上表面(26)之间的热熔粘合剂(23);其中,所述热熔粘合剂(23)将所述抛光层(20)与所述刚性层(25)粘结;任选地,压敏平台粘合剂(70);其中,所述压敏平台粘合剂(70)设置在所述刚性层(25)的下表面(27)上(较好的是,其中所述任选的压敏平台粘合剂有利于将所述化学机械抛光垫层叠体安装在抛光机上);任选地,剥离衬垫(75);其中所述压敏平台粘合剂(70)介于所述刚性层(25)的下表面(27)和所述任选的剥离衬垫(75)之间;以及,任选地,结合到所述化学机械抛光垫层叠体(10)中的终点检测窗口(30)(较好的是,其中所述终点检测窗口有利于原位抛光终点检测);其中所述抛光层(20)包含以下组分的反应产物,所述组分包括:多官能异氰酸酯和固化剂包装,所述固化剂包装包含至少5重量%(优选5-30重量%,更优选5-25重量%,最优选5-20重量%)的胺引发的多元醇固化剂、25-95重量%(优选35-90重量%;更优选50-75重量%;最优选60-75重量%)的高分子量多元醇固化剂以及0-70重量%(优选5-60重量%,更优选10-50重量%,更优选10-30重量%,最优选10-20重量%)的双官能固化剂;其中所述胺引发的多元醇固化剂每个分子至少包含一个氮原子(优选地,其中所述胺引发的多元醇固化剂每个分子包含1-4个氮原子;更优选地,其中所述胺引发的多元醇固化剂每个分子包含2-4个氮原子;最优选地,其中所述胺引发的多元醇固化剂每个分子包含两个氮原子);其中所述胺引发的固化剂每个分子平均具有至少三个羟基(优选3-6个羟基;更优选3-5个羟基;最优选4个羟基)(较好的是,其中所述胺引发的多元醇固化剂的数均分子量≤700;更优选150-650;更优选200-500;最优选250-300);其中所述高分子量多元醇固化剂的数均分子量MN为2,500-100,000(优选5,000-50,000;更优选7,500-25,000;最优选10,000-12,000);其中所述高分子量多元醇固化剂每个分子平均具有3-10个羟基(优选4-8个羟基;更优选5-7个羟基;最优选6个羟基);其中,所述抛光层的密度≥0.6克/厘米3(优选为0.6-1.2克/厘米3,更优选0.7-1.1克/厘米3,最优选0.75-1.0克/厘米3),肖氏D硬度为5-40(优选为5-30,更优选5-20,最优选5-15),断裂伸长率为150-450%(优选125-425%;更优选150-300%;最优选150-200%),切割速率为25-150微米/小时(优选30-125微米/小时;更优选30-100微米/小时;最优选30-60微米/小时)。(见图1-7)。
较好的是,用于形成抛光层(20)的多官能异氰酸酯包含两个反应性异氰酸酯基团(即NCO)。
较好的是,用于形成抛光层(20)的多官能异氰酸酯选自下组:脂族多官能异氰酸酯、芳族多官能异氰酸酯及其混合物。更好的是,用于形成抛光层(20)的多官能异氰酸酯是选自下组的二异氰酸酯:2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二异氰酸酯、1,5-萘二异氰酸酯、联甲苯胺二异氰酸酯、对苯二异氰酸酯、苯二甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、1,6-己二异氰酸酯、4,4'-二环己基甲烷二异氰酸酯、环己烷二异氰酸酯以及它们的混合物。更好的是,用于形成抛光层(20)的多官能异氰酸酯是通过二异氰酸酯与预聚物多元醇反应形成的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物。
较好的是,用于形成抛光层(20)的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物具有2-12重量%未反应的异氰酸酯(NCO)基团。更好的是,用于形成抛光层(20)的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物具有2-10重量%(更优选4-8重量%;最优选5-7重量%)未反应的异氰酸酯(NCO)基团。
较好的是,用于形成所述多官能异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物的预聚物多元醇选自下组:二醇、多元醇、多元醇二醇、它们的共聚物和它们的混合物。更好的是,所述预聚物多元醇选自下组:聚醚多元醇(例如,聚(氧基四亚甲基)二醇、聚(氧基亚丙基)二醇及其混合物);聚碳酸酯多元醇;聚酯多元醇;聚己内酯多元醇;它们的混合物;以及它们与一种或多种低分子量多元醇的混合物,所述低分子量多元醇选自乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、2-甲基-1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇、1,5-戊二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、1,6-己二醇、二乙二醇、二丙二醇以及三丙二醇。更好的是,所述预聚物多元醇选自下组:聚四亚甲基醚二醇(PTMEG)、基于酯的多元醇(例如己二酸乙二酯、己二酸丁二酯)、聚亚丙基醚二醇(PPG)、聚己内酯多元醇、它们的共聚物和它们的混合物。最好的是,所述预聚物多元醇选自PTMEG和PPG。
优选地,当所述预聚物多元醇是PTMEG时,所述异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物包含的未反应异氰酸酯(NCO)的浓度为2-10重量%(更优选4-8重量%;最优选6-7重量%)。市售的基于PTMEG的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物的例子包括预聚物(购自COIM USA公司(COIM USA,Inc.),例如PET-80A、PET-85A、PET-90A、PET-93A、PET-95A、PET-60D、PET-70D、PET-75D);预聚物(购自驰姆特公司(Chemtura),例如LF800A、LF900A、LF910A、LF930A、LF931A、LF939A、LF950A、LF952A、LF600D、LF601D、LF650D、LF667、LF700D、LF750D、LF751D、LF752D、LF753D和L325);预聚物(购自安德森发展公司(Anderson Development Company),例如70APLF、80APLF、85APLF、90APLF、95APLF、60DPLF、70APLF、75APLF)。
优选地,当所述预聚物多元醇是PPG时,所述异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物包含的未反应异氰酸酯(NCO)的浓度为3-9重量%(更优选4-8重量%;最优选5-6重量%)。市售的基于PPG的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物的例子包括预聚物(购自COIM USA公司,例如PPT-80A、PPT-90A、PPT-95A、PPT-65D、PPT-75D);预聚物(购自驰姆特公司,例如LFG963A、LFG964A、LFG740D);以及预聚物(购自安德森发展公司,例如8000APLF、9500APLF、6500DPLF、7501DPLF)。
优选地,用于形成所述抛光层(20)的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物是包含小于0.1重量%游离甲苯二异氰酸酯(TDI)单体的低含量游离异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物。
还可以使用基于非TDI的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物。例如,异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物包括通过4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯(MDI)和多元醇(例如聚四亚甲基二醇(PTMEG))与可选的二醇(例如1,4-丁二醇(BDO))反应形成的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物,它们是可以接受的。当使用这类异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物时,未反应的异氰酸酯(NCO)的浓度优选为4-10重量%(更优选4-8重量%;最优选5-7重量%)。这种类型的市售异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物的例子包括预聚物(购自COIMUSA公司,例如27-85A、27-90A、27-95A);预聚物(来自于安德森发展公司,例如IE75AP、IE80AP、IE85AP、IE90AP、IE95AP、IE98AP);以及预聚物(购自驰姆特公司,例如B625、B635、B821)。
较好的是,用于形成所述抛光层(20)的固化剂包装包含:至少5重量%(优选5-30重量%;更优选5-25重量%;最优选5-20重量%)的胺引发的多元醇固化剂;25-95重量%(优选35-90重量%;更优选50-75重量%;最优选60-75重量%)的高分子量多元醇固化剂;以及0-70重量%(优选5-60重量%;更优选10-15重量%;更优选10-30重量%;最优选10-20重量%)的双官能固化剂。
较好的是,用于形成所述抛光层(20)的胺引发的多元醇固化剂每个分子至少包含一个氮原子。更好的是,所用的胺引发的多元醇固化剂每个分子包含1-4个(更优选2-4个,最优选2个)氮原子。
较好的是,用于形成所述抛光层(20)的胺引发的多元醇固化剂每个分子平均至少包含3个羟基。更好的是,所用的胺引发的多元醇固化剂每个分子平均包含3-6个(更优选3-5个,最优选4个)羟基。
较好的是,用于形成所述抛光层(20)的胺引发的多元醇固化剂的数均分子量MN≤700。更好的是,所用的胺引发的多元醇固化剂的数均分子量MN为150-650(更优选200-500;最优选250-300)。
较好的是,用于形成所述抛光层(20)的胺引发的多元醇固化剂的羟值为350-1,200毫克KOH/克(按ASTM测试方法D4274-11测定)。更好的是,所用的胺引发的多元醇固化剂的羟值为400-1,000毫克KOH/克(更优选600-850毫克KOH/克)。
市售的胺引发的多元醇固化剂的例子包括系列胺引发的多元醇(购自陶氏化学公司(The Dow Chemical Company));特制多元醇(N,N,N',N'-四(2-羟丙基乙二胺))(购自巴斯夫公司(BASF));基于胺的多元醇(购自巴斯夫公司);基于胺的多元醇(购自拜尔材料科学公司(Bayer MaterialScienceLLC));三异丙醇胺(TIPA)(购自陶氏化学公司);和三乙醇胺(TEA)(购自MB公司(Mallinckrodt Baker Inc.))。表1中列出了多种优选的胺引发的多元醇固化剂。
表1
不期望受到理论限制,除了促进由此制造的抛光层(20)的物理性能实现所需的平衡之外,我们认为固化剂包装中使用的胺引发的多元醇固化剂的浓度还能够对其反应以及固化剂包装中任意双官能固化剂与多官能二异氰酸酯中存在的未反应异氰酸酯(NCO)基团的反应起到自催化的作用。
较好的是,用于形成所述抛光层(20)的高分子量多元醇固化剂的数均分子量MN为2,500-100,000。更好的是,所用的高分子量多元醇固化剂的数均分子量MN为5,000-50,000(更优选7,500-25,000;最优选10,000-12,000)。
较好的是,用于形成所述抛光层(20)的高分子量多元醇固化剂每个分子平均包含3-10个羟基。更好的是,所用的高分子量多元醇固化剂每个分子平均包含4-8个(更优选5-7个,最优选6个)羟基。
优选地,用于形成所述抛光层(20)的高分子量多元醇固化剂的分子量高于固化剂包装中使用的胺引发的多元醇固化剂的分子量;以及,用于形成所述抛光层(20)的高分子量多元醇固化剂的羟值低于固化剂包装中使用的胺引发的固化剂的羟值。
市售的高分子量多元醇固化剂的例子包括多元醇、多元醇和多元醇(购自陶氏化学公司);特制多元醇和挠性多元醇(购自拜尔材料科学公司);和多元醇(购自巴斯夫公司)。表2中列出了多种优选的高分子量多元醇固化剂。
表2
优选地,用于形成所述抛光层(20)的双官能固化剂选自二醇和二胺。更优选地,所用的双官能固化剂是选自伯胺和仲胺的二胺。更优选地,所用的双官能固化剂选自下组:二乙基甲苯二胺(DETDA);3,5-二甲硫基-2,4-甲苯二胺及其异构体;3,5-二乙基甲苯-2,4-二胺及其异构体(例如,3,5-二乙基甲苯-2,6-二胺);4,4'-双-(仲丁基氨基)-二苯基甲烷;1,4-双-(仲丁基氨基)-苯;4,4'-亚甲基-双-(2-氯苯胺);4,4'-亚甲基-双-(3-氯-2,6-二乙基苯胺)(MCDEA);聚氧化四亚甲基-二-对氨基苯甲酸酯;N,N'-二烷基二氨基二苯甲烷;p,p'-亚甲基双苯胺(MDA);间苯二胺(MPDA);4,4'-亚甲基-双-(2-氯苯胺)(MBOCA);4,4'-亚甲基-二-(2,6-二乙基苯胺)(MDEA);4,4'-亚甲基-二-(2,3-二氯苯胺)(MDCA);4,4'-二氨基-3,3'-二乙基-5,5'-二甲基二苯基甲烷;2,2',3,3'-四氯二氨基二苯甲烷;三亚甲基二醇二对氨基苯甲酸酯以及它们的混合物。最优选地,所用的二胺固化剂选自下组:4,4'-亚甲基-双-(2-氯苯胺)(MBOCA);4,4'-亚甲基-双-(3-氯-2,6-二乙基苯胺)(MCDEA)及其异构体。
优选地,所述固化剂包装的组分中反应性氢基团(即,胺基(NH2)和羟基(OH)的总和)与所述多官能异氰酸酯中未反应的异氰酸酯(NCO)基团的化学计量比为0.85-1.15(更优选0.90-1.10;最优选0.95-1.05)。
所述抛光层(20)还任选地包括大量微型元件。优选地,所述大量微型元件均匀地分散在所述抛光层(20)中。优选地,所述大量微型元件选自:截留的气泡、空心聚合物材料、液体填充的空心聚合物材料、水溶性材料以及不溶相材料(例如,矿物油)。更优选地,所述大量微型元件选自在抛光层(20)中均匀分布的截留的气泡和空心聚合物材料。优选地,所述大量微型元件的重均直径小于150微米(更优选小于50微米;最优选10-50微米)。优选地,所述大量微型元件包括具有聚丙烯腈或聚丙烯腈共聚物(例如,购自阿科诺贝尔公司(Akzo Nobel))的壳壁的聚合物微球体。优选地,所述大量微型元件以0-35体积%的孔隙率(更优选10-25体积%的孔隙率)结合到所述抛光层(20)中。
所述抛光层(20)可以是可以是多孔或无孔(即未填充的)结构。优选地,所述抛光层(20)按照ASTM D1622测定的密度≥0.6克/厘米3。更优选地,所述抛光层(20)按照ASTMD1622测定的密度为0.6-1.2克/厘米3(更优选0.7-1.1克/厘米3;最优选0.75-1.0克/厘米3)。
优选地,所述抛光层(20)按照ASTM D2240测定的肖氏D硬度为5-40。更优选地,所述抛光层(20)按照ASTM D2240测定的肖氏D硬度为5-30(更优选5-20;最优选5-15)。
肖氏D硬度小于40的抛光层通常具有非常高的断裂伸长值(即,>600%)。在进行机械操作时,具有如此高断裂伸长值的材料会可逆地变形,从而形成不能接受的差的凹槽以及形成在金刚石修整过程中不足的纹理。用于形成本发明的化学机械抛光垫层叠体(10)的抛光层(20)的独特的固化剂包装提供了低硬度,同时具有100-450%的断裂伸长率,该值是按照ASTM D412测定的。优选地,所述抛光层(20)的断裂伸长率为125-425%(更优选150-300%;最优选150-200%),该值是按照ASTM D412测定的。
优选地,所述抛光层(20)的切割速率为25-150微米/小时,该值是使用本发明实施例中所述的方法测得的。更优选地,所述抛光层(20)的切割速率为30-125微米/小时(更优选30-100微米/小时;最优选30-60微米/小时),该值是使用本发明实施例中所述的方法测得的。
本领域技术人员应理解,对于指定的抛光操作,选择适用于化学机械抛光垫层叠体(10)的厚度为TP的抛光层(20)。较好的是,抛光层(20)沿着轴(A)具有平均厚度TP-avg,所述轴(A)垂直于抛光表面(25)的平面(28)。更好的是,所述平均厚度TP-avg为20-150密耳(更优选30-125密耳,最优选40-120密耳)。(参见图2、5和7)。
较好的是,所述抛光层(20)的抛光表面(14)适合用于对选自磁性基材、光学基材和半导体基材(更优选半导体基材;最优选半导体晶片)中的至少一种基材进行抛光。所述抛光层(20)的抛光表面(14)具有宏观构造(macrotexture)和微型构造(microtexture)中的至少一种,以促进基材的抛光。优选地,所述抛光表面(14)具有宏观构造,其中设计所述宏观构造用以达到以下目的中的至少一种:(i)缓解至少一种打滑;(ii)影响抛光介质流动;(iii)改变抛光层的坚硬性;(iv)减少边缘效应;(v)促进转移抛光碎片离开抛光表面(14)和待抛光基材间的区域。
较好的是,抛光表面(14)具有选自穿孔和凹槽中的至少一种的宏观构造。较好的是,所述穿孔从抛光表面(14)沿抛光层(20)厚度方向延伸,部分穿过或全部穿透抛光层(20)。较好的是,将凹槽安排在抛光表面(14)上,使得抛光过程中抛光垫(10)一旦转动后至少有一条凹槽掠过基材。较好的是,所述凹槽选自弯曲凹槽、线性凹槽、及其组合。所述凹槽的深度≥10密耳(优选为10-150密耳)。较好的是,所述凹槽形成一种凹槽图案,所述凹槽图案包括至少两条具有以下性质组合的凹槽:深度选自≥10密耳,≥15密耳以及15-150密耳;宽度选自≥10密耳以及10-100密耳;节距选自≥30密耳,≥50密耳,50-200密耳,70-200密耳,以及90-200密耳。
较好的是,所述抛光层(20)中包含有<1ppm的磨粒。
较好的是,所述刚性层(25)由选自下组的材料制成:聚合物、金属、强化聚合物及其组合。更好的是,所述刚性层(25)由聚合物制成。最好的是,所述刚性层(25)由选自下组的聚合物制成:聚酯、尼龙、环氧化物、玻璃纤维加强的环氧树脂以及聚碳酸酯(更优选聚酯;更优选聚对苯二甲酸乙二酯聚酯;最优选双轴取向的聚对苯二甲酸乙二酯聚酯)。
较好的是,所述刚性层(25)的平均厚度为>5至60密耳(更优选6-30密耳;更优选6-15密耳;最优选6-10密耳)。
较好的是,所述刚性层(25)的上表面(26)和下表面(27)都是无凹槽的。更好的是,所述上表面(26)和下表面(27)都是平滑的。最好的是,所述上表面(26)和下表面(27)的粗糙度Ra为1-500纳米(优选1-100纳米;更优选10-50纳米;最优选20-40纳米),该值是使用光学轮廓测量仪测得的。
较好的是,所述刚性层(25)的杨氏模量(Young's Modulus)为≥100MPa(更优选1,000-10,000MPa;更优选2,500-7,500MPa;最优选3,000-7,000MPa),该值是根据ASTM D882-12测定的。
较好的是,所述刚性层(25)的空穴分数为<0.1体积%(更优选<0.01体积%)。
较好的是,所述刚性层(25)由双轴取向的聚对苯二甲酸乙二酯制成,其平均厚度为>5至60密耳(更优选6-30密耳;更优选6-15密耳;最优选6-10密耳);并且其杨氏模量为≥100MPa(更优选1,000-10,000MPa;更优选2,500-7,500MPa;最优选3,000-7,000MPa),该值是根据ASTM D882-12测定的。
本领域技术人员应知道如何选择用于所述化学机械抛光垫层叠体(10)的合适热熔粘合剂(23)。较好的是,所述热熔粘合剂(23)是固化的反应性热熔粘合剂。更好的是,所述热熔粘合剂(23)是具有以下特征的固化的反应性热熔粘合剂:其在未固化的状态下的熔融温度为50-150℃,优选115-135℃,其在熔化后的适用期≤90分钟。最好的是,处于未固化状态的热熔粘合剂(23)包含聚氨酯数值(例如Mor-MeltTMR5003,购自罗门哈斯公司(Rohmand Haas))。
所述化学机械抛光垫层叠体(10)适合与抛光机的平台邻接。较佳的是,所述化学机械抛光垫层叠体(10)适合固定在抛光机的平台上。可以使用压敏粘合剂和真空这两种方式中的至少一种方式将所述化学机械抛光垫层叠体(10)固定在抛光机的平台上。
较好的是,所述化学机械抛光垫层叠体(10)包括施涂在所述刚性层(25)的下表面(27)上的压敏平台粘合剂(70)。本领域技术人员应知道如何选择用作压敏平台粘合剂(70)的合适压敏粘合剂。较好的是,所述化学机械抛光垫层叠体(10)还包括施涂在所述压敏平台粘合剂(70)上的剥离衬垫(75),其中述压敏平台粘合剂(70)介于所述刚性层(25)的下表面(27)和剥离衬垫(75)之间。(参见图2和7)。
基材抛光操作中的一个重要步骤是确定这一过程的终点。一种流行的用于终点检测的原位方法包括提供具有窗口的抛光垫,该窗口对于选择的光波长是透射性的。在抛光过程中,光束穿过该窗口导到晶片表面上,其在晶片表面上反射并通过窗口回到检测器(例如分光光度计)。根据返回信号,可检测出基材表面的性质(例如其上膜的厚度)用于终点检测。为了有利于此类基于光的终点方法,本发明的化学机械抛光垫层叠体(10)任选地还包括终点检测窗口。较好的是,所述终点检测窗口选自结合至抛光层(20)中的整体性窗口和结合至所述化学机械抛光垫层叠体(10)的塞入性终点检测窗口块体。本领域技术人员应知道如何选择用来构建用于预期抛光工艺的终点检测窗口的合适材料。
较好的是,用于本发明的化学机械抛光垫层叠体(10)中的终点检测窗口是塞入性终点检测窗口块体(30)。较好的是,包含塞入性终点检测窗口块体(30)的化学机械抛光垫层叠体(10)包括(基本上由以下组件组成):抛光层(20),所述抛光层(20)具有抛光表面(14)、底表面(17)和平均厚度TP-avg,该厚度是在垂直于抛光表面(14)的方向上从所述抛光表面(14)测量到所述底表面(17)得到的;具有上表面(26)和下表面(27)的刚性层(25);介于所述抛光层(20)的底表面(17)和所述刚性层(25)的上表面(26)之间的热熔粘合剂(23);其中,所述热熔粘合剂(23)将所述抛光层(20)与所述刚性层(25)粘结;压敏平台粘合剂(70);剥离衬垫(75);其中,所述压敏平台粘合剂(70)介于所述刚性层(25)的下表面(27)和剥离衬垫(75)之间;以及,结合到所述化学机械抛光垫层叠体(10)中的塞入性终点检测窗口(30);其中所述抛光层(20)包含以下组分的反应产物,所述组分包括:多官能异氰酸酯和固化剂包装,所述固化剂包装包含至少5重量%的胺引发的多元醇固化剂、25-95重量%的高分子量多元醇固化剂以及0-70重量%的双官能固化剂;其中所述胺引发的多元醇固化剂每个分子至少包含一个氮原子;其中所述胺引发的固化剂每个分子平均具有至少三个羟基;其中所述高分子量多元醇固化剂的数均分子量MN为2,500-100,000;其中所述高分子量多元醇固化剂每个分子平均具有3-10个羟基;其中,所述抛光层(20)的密度大于0.6克/厘米3,肖氏D硬度为5-40,断裂伸长率为100-450%,切割速率为25-150微米/小时;以及其中所述抛光层(20)具有适合用来对基材进行抛光的抛光表面(14);其中所述化学机械抛光垫层叠体(10)具有贯穿开口(35),所述贯穿开口(35)延伸穿过所述化学机械抛光垫层叠体(10)从所述抛光层(20)的抛光表面(14)至所述刚性层(25)的下表面(27);其中所述塞入性终点检测窗口块体(30)设置在所述贯穿开口(35)内;其中所述塞入性终点检测窗口块体(30)固定在所述压敏平台粘合剂(70)上。所述塞入性终点检测窗口块体(30)具有厚度TW,该厚度是在垂直于所述抛光表面(14)的平面(28)的方向上沿着轴B测得的。较好的是,所述塞入性终点检测窗口块体(30)具有平均窗口块体厚度TW-avg,该厚度是在垂直于所述抛光表面(25)的平面(28)的方向上沿着轴(B)得到的,其中所述平均窗口块体厚度TW-avg为5密耳至所述化学机械抛光垫层叠体(10)的平均总厚度TT-avg。更好的是,其中所述塞入性终点检测窗口块体(30)的平均窗口块体厚度TW-avg为5密耳至<TT-avg。更好的是,其中所述塞入性终点检测窗口块体(30)的平均窗口块体厚度TW-avg为5密耳至75密耳。(参见图1和3-7)。
现在将在以下实施例中详细描述本发明的一些实施方式。
比较例A-B以及实施例1-19
根据表3中所述的制剂详情制备抛光层。具体而言,在51℃条件下通过对异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物(即,用于比较例A和实施例1-9中的LF667;和用于比较例B和实施例10-19中的LFG963A;两者均购自驰姆特公司)与固化剂包装的组分进行受控混合来制备聚氨酯饼。将胺引发的多元醇固化剂(即,购自陶氏化学公司的800)和高分子量多元醇固化剂(即,购自陶氏化学公司的HF505)进行预混合,然后再与其它原料进行掺混。除了MBOCA之外,将所有原料保持在51℃的预混合温度下。将MBOCA保持在116℃的预混合温度下。设定异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物与固化剂包装的比例,从而使化学计量比如表3所记载,所述化学计量比是通过固化剂中活性氢基团(即,-OH基团和-NH2基团的总和)与异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物中未反应的异氰酸酯(NCO)基团的比值来确定的。
在与固化剂包装合并之前,通过向异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物中加入微球来向抛光层中引入孔隙率,从而实现所需的孔隙率和垫密度。
使用高剪切混合头将包含有任意纳入的微球的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物和固化剂包装混合在一起。在离开混合头之后,在5分钟内将上述混合物分配到直径86.4厘米(34英寸)的圆形模具中,得到大约为10厘米(4英寸)的总浇注厚度。在将模具置入固化炉之前,使分配的混合物胶凝15分钟。然后使用以下循环使模具在固化炉中固化:在30分钟内从环境温度升温至104℃的设定点,然后在104℃下保持15.5小时,然后在2小时内从104℃降温到21℃。
然后,从模具中移出固化的聚氨酯饼,在30-80℃的温度下切成(使用移动刀片切割)大约40份单独的2.0毫米(80密耳)厚的片材。从每个饼的顶部开始切割。丢弃任何不完整的片材。
需要注意的是,实施例中所使用的LF667是基于PTMEG的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物,其包含购自驰姆特公司的LF950A和LF600D的50/50重量%掺混物。还要注意的是,LFG963A是基于PPG的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物,其购自驰姆特公司。
表3
对比较例A-B和实施例1-19中得到的每种无凹槽的抛光层材料进行分析,从而测定它们的物理性能,记录在表4中。需要注意的是,所报导的密度数据是根据ASTM D1622测定的;所报导的肖氏D硬度数据是根据ASTM D2240测定的;所报导的肖氏A硬度数据是根据ASTM D2240测定的;所报导的断裂伸长率数据是根据ASTMD412测定的。
表4所报导的切割速率数据是使用购自应用材料公司(Applied Materials)的200毫米抛光工具测定的。抛光工具被设计用来容纳标称直径为51厘米(20英寸)的圆形化学机械抛光垫层叠体。如实施例所述制备具有圆形横截面的抛光层。然后,对这些抛光层进行机器刻槽,以在抛光表面上提供凹槽图案,所述抛光表面包括大量以下尺寸的同心圆凹槽:间距为120密耳(3.05毫米)、宽度为20密耳(0.51毫米)、深度为30密耳(0.76毫米)。然后,将所述抛光层层压到泡沫子垫层(购自罗门哈斯电子材料CMP有限公司(Rohm andHass Electronic Materials CMP Inc.)的SP2310)上。
按照以下工艺条件,使用金刚石修整盘(克尼可公司(Kinik Company)制造的AD3CL-150840-3垫修整器)对刻槽的抛光层的抛光表面进行研磨:在以下条件下,由金刚石修整盘对所述抛光层的抛光表面进行连续研磨2小时:板速为100rpm,去离子水流量为150厘米3/分钟,修整盘向下作用力为48.3kPa(7psi)。切割速率是通过测量平均凹槽深度随时间的变化来确定的。所述凹槽深度(以微米/小时计)是使用安装在Zaber科技机动化滑块(Zaber Technologies Motorized Slide)上的MTI仪器Microtrack II激光三角测量传感器(MTI Instruments Microtrack II Laser Triangulation Sensor)从中心至外边缘对各抛光层的抛光表面绘制曲线进行测量的。滑块(slide)上的传感器的扫描速度为0.732毫米/秒,传感器的采样速率(测量次数/毫米扫描距离)为6.34个点/毫米。表4中所报导的切割速率是凹槽深度随时间的算术平均降低量,基于在所述抛光层的抛光表面收集的>2,000点的厚度测量次数。
表4

Claims (10)

1.一种化学机械抛光垫层叠体,其包括:
抛光层,所述抛光层具有抛光表面、底表面和平均厚度TP-avg,该厚度是在垂直于所述抛光表面的方向上从所述抛光表面测量到所述底表面得到的;
具有上表面和下表面的刚性层;
介于所述抛光层的底表面和所述刚性层的上表面之间的热熔粘合剂;其中,所述热熔粘合剂将所述抛光层与所述刚性层粘结;
任选地,压敏平台粘合剂;其中,所述压敏平台粘合剂设置在所述刚性层的下表面上;
任选地,剥离衬垫;其中所述压敏平台粘合剂介于所述刚性层的下表面和任选的剥离衬垫之间;以及
任选地,结合到所述化学机械抛光垫层叠体中的终点检测窗口;
其中所述抛光层包含以下组分的反应产物,所述组分包括:
多官能异氰酸酯;和
固化剂包装,所述固化剂包装包含:
至少5重量%的胺引发的多元醇固化剂,其中所述胺引发的多元醇固化剂每个分子至少包含一个氮原子;其中所述胺引发的固化剂每个分子平均具有至少三个羟基;
25-95重量%的高分子量多元醇固化剂,其中所述高分子量多元醇固化剂的数均分子量MN为2,500-100,000;以及其中所述高分子量多元醇固化剂每个分子平均具有5-7个羟基;以及
0-70重量%的双官能固化剂;以及
其中,所述抛光层的密度大于0.6克/厘米3,肖氏D硬度为5-40,断裂伸长率为100-450%,切割速率为25-150微米/小时;以及其中所述抛光层具有适合用来对基材进行抛光的抛光表面。
2.如权利要求1所述的化学机械抛光垫层叠体,其特征在于,所述刚性层的上表面是无凹槽的;以及所述刚性层的下表面是无凹槽的。
3.如权利要求1所述的化学机械抛光垫层叠体,其特征在于,所述刚性层的上表面和下表面的粗糙度Ra为1-500纳米。
4.如权利要求1所述的化学机械抛光垫层叠体,其特征在于,所述刚性层的杨氏模量为2,500-7,500MPa。
5.如权利要求1所述的化学机械抛光垫层叠体,其特征在于,所述刚性层由双轴取向的聚对苯二甲酸乙二酯制成;所述刚性层的平均厚度为6-10密耳;所述刚性层的杨氏模量为3,000-7,000Mpa。
6.如权利要求1所述的化学机械抛光垫层叠体,其特征在于,
所述多官能异氰酸酯是具有2-12重量%未反应的NCO基团的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物;以及
所述固化剂包装由以下组分组成:
5-20重量%的所述胺引发的多元醇固化剂,其中,所述胺引发的多元醇固化剂每个分子包含两个氮原子;其中所述胺引发的多元醇固化剂每个分子平均具有4个羟基;以及其中所述胺引发的多元醇固化剂的数均分子量MN为200-400;
50-75重量%的所述高分子量多元醇固化剂,其中所述高分子量多元醇固化剂的数均分子量MN为10,000-12,000;其中所述高分子量多元醇固化剂每个分子平均具有6个羟基;
10-30重量%的所述双官能固化剂;其中所述双官能固化剂是选自下组的二胺固化剂:4,4'-亚甲基-二-(2-氯苯胺)(MBOCA)、4,4'-亚甲基-二-(3-氯-2,6-二乙基苯胺)(MCDEA)及其异构体;
其中所述固化剂包装中的反应性氢基团与所述多官能异氰酸酯中的未反应的异氰酸酯基团的化学计量比为0.95-1.05;
其中,所述抛光层的密度为0.75-1.0克/厘米3,肖氏D硬度为5-20,断裂伸长率为150-300%,切割速率为30-60微米/小时。
7.如权利要求6所述的化学机械抛光垫层叠体,其特征在于,所述异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物具有5-7重量%未反应的NCO基团;以及所述异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物的数均分子量MN为400-2500。
8.如权利要求1所述的化学机械抛光垫层叠体,其特征在于,所述化学机械抛光垫层叠体由以下组件组成:所述抛光层、所述刚性层、所述介于所述抛光层和刚性层的上表面之间的热熔粘合剂、所述压敏平台粘合剂、所述剥离衬垫,以及任选的终点检测窗口;
其中所述多官能异氰酸酯是具有2-12重量%未反应的NCO基团的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物;以及
其中所述固化剂包装由以下组分组成:
5-20重量%的所述胺引发的多元醇固化剂,其中,所述胺引发的多元醇固化剂每个分子包含两个氮原子;其中所述胺引发的多元醇固化剂每个分子平均具有4个羟基;以及其中所述胺引发的多元醇固化剂的数均分子量MN为200-400;
50-75重量%的所述高分子量多元醇固化剂,其中所述高分子量多元醇固化剂的数均分子量MN为10,000-12,000;其中所述高分子量多元醇固化剂每个分子平均具有6个羟基;
10-30重量%的所述双官能固化剂;其中所述双官能固化剂是选自下组的二胺固化剂:4,4'-亚甲基-二-(2-氯苯胺)(MBOCA)、4,4'-亚甲基-二-(3-氯-2,6-二乙基苯胺)(MCDEA)及其异构体;
其中所述固化剂包装中的反应性氢基团与所述多官能异氰酸酯中的未反应的异氰酸酯基团的化学计量比为0.95-1.05;
其中,所述抛光层的密度为0.75-1.0克/厘米3,肖氏D硬度为5-20,断裂伸长率为150-300%,切割速率为30-60微米/小时。
9.如权利要求8所述的化学机械抛光垫层叠体,其特征在于,所述异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物具有5-7重量%未反应的NCO基团;以及所述异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物的数均分子量MN为400-2500。
10.如权利要求8所述的化学机械抛光垫层叠体,其特征在于,所述终点检测窗口是塞入性终点检测窗口块体;其中所述化学机械抛光垫层叠体具有贯穿开口,所述贯穿开口从所述抛光表面延伸穿过整个抛光层厚度TP、所述热熔粘合剂和从所述上表面到所述下表面的整个刚性层厚度TR;其中所述塞入性终点检测窗口块体设置在所述贯穿开口内;其中所述塞入性终点检测窗口块体固定在所述压敏平台粘合剂上。
CN201410238719.9A 2013-05-31 2014-05-30 柔软且可修整的化学机械抛光垫层叠体 Active CN104209854B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/906,715 2013-05-31
US13/906,715 US9233451B2 (en) 2013-05-31 2013-05-31 Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad stack

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104209854A CN104209854A (zh) 2014-12-17
CN104209854B true CN104209854B (zh) 2017-01-18

Family

ID=51168260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410238719.9A Active CN104209854B (zh) 2013-05-31 2014-05-30 柔软且可修整的化学机械抛光垫层叠体

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9233451B2 (zh)
JP (1) JP6334266B2 (zh)
KR (1) KR102191947B1 (zh)
CN (1) CN104209854B (zh)
DE (1) DE102014007024A1 (zh)
FR (1) FR3006218B1 (zh)
TW (1) TWI574793B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104209874B (zh) * 2013-05-31 2017-09-08 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 具有柔软且可修整的抛光层的多层化学机械抛光垫层叠体

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9216489B2 (en) * 2014-03-28 2015-12-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US9259820B2 (en) * 2014-03-28 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with polishing layer and window
US10092998B2 (en) * 2015-06-26 2018-10-09 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of making composite polishing layer for chemical mechanical polishing pad
US9484212B1 (en) * 2015-10-30 2016-11-01 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method
US10464187B2 (en) * 2017-12-01 2019-11-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High removal rate chemical mechanical polishing pads from amine initiated polyol containing curatives
CN114227531B (zh) * 2020-09-07 2024-04-26 Sk恩普士有限公司 抛光垫及其制备方法以及半导体器件的制备方法
CN112757153B (zh) * 2021-03-09 2022-07-12 万华化学集团电子材料有限公司 一种多结构体化学机械抛光垫、制造方法及其应用

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1606133A (zh) * 2003-09-26 2005-04-13 Cmp罗姆和哈斯电子材料控股公司 用于化学机械抛光的弹性抛光垫板
CN1622289A (zh) * 2003-11-25 2005-06-01 Cmp罗姆和哈斯电子材料控股公司 具有高透光窗口的抛光垫
CN1914241A (zh) * 2004-02-03 2007-02-14 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 聚氨酯抛光垫
CN101583464A (zh) * 2007-01-15 2009-11-18 东洋橡胶工业株式会社 研磨垫及其制造方法
CN101722464A (zh) * 2008-10-17 2010-06-09 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 具有密封窗口的化学机械抛光垫
CN101961854A (zh) * 2009-07-24 2011-02-02 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 多功能抛光垫
CN103072099A (zh) * 2011-09-29 2013-05-01 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 丙烯酸酯聚氨酯化学机械抛光层

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5982633A (ja) * 1982-11-02 1984-05-12 Sumitomo Chem Co Ltd 親油性表面を有する磁気記録用研磨剤
US4584243A (en) * 1982-11-01 1986-04-22 Sumitomo Chemical Company, Limited Abrasive, production thereof and use thereof in magnetic recording medium
US5257478A (en) 1990-03-22 1993-11-02 Rodel, Inc. Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material
US5212910A (en) 1991-07-09 1993-05-25 Intel Corporation Composite polishing pad for semiconductor process
US5287663A (en) 1992-01-21 1994-02-22 National Semiconductor Corporation Polishing pad and method for polishing semiconductor wafers
US5245790A (en) * 1992-02-14 1993-09-21 Lsi Logic Corporation Ultrasonic energy enhanced chemi-mechanical polishing of silicon wafers
MY114512A (en) 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US6069080A (en) 1992-08-19 2000-05-30 Rodel Holdings, Inc. Fixed abrasive polishing system for the manufacture of semiconductor devices, memory disks and the like
US5489233A (en) 1994-04-08 1996-02-06 Rodel, Inc. Polishing pads and methods for their use
JPH08216033A (ja) * 1995-02-16 1996-08-27 Fuji Photo Film Co Ltd 研磨テープ
JPH0954943A (ja) * 1995-08-14 1997-02-25 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気ディスクおよび磁気ディスクの処理方法
EP0779655A3 (en) 1995-12-14 1997-07-16 International Business Machines Corporation A method of chemically-mechanically polishing an electronic component
US5692950A (en) 1996-08-08 1997-12-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive construction for semiconductor wafer modification
US6524164B1 (en) 1999-09-14 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus
JP3925041B2 (ja) 2000-05-31 2007-06-06 Jsr株式会社 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド
JP3826702B2 (ja) 2000-10-24 2006-09-27 Jsr株式会社 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド
KR100877385B1 (ko) 2001-11-13 2009-01-07 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 그 제조 방법
JP2004106174A (ja) * 2002-08-30 2004-04-08 Toray Ind Inc 研磨パッド、定盤ホールカバー及び研磨装置並びに研磨方法及び半導体デバイスの製造方法
EP1475827A4 (en) * 2002-08-30 2006-05-24 Toray Industries POLISHING PIECE, POLISHING PLATE HOLE COVER, POLISHING DEVICE, POLISHING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR CONSTRUCTION ELEMENT
JP4039214B2 (ja) 2002-11-05 2008-01-30 Jsr株式会社 研磨パッド
US7704125B2 (en) 2003-03-24 2010-04-27 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US20040192178A1 (en) 2003-03-28 2004-09-30 Barak Yardeni Diamond conditioning of soft chemical mechanical planarization/polishing (CMP) polishing pads
US20040224622A1 (en) 2003-04-15 2004-11-11 Jsr Corporation Polishing pad and production method thereof
US8066552B2 (en) 2003-10-03 2011-11-29 Applied Materials, Inc. Multi-layer polishing pad for low-pressure polishing
US7074115B2 (en) 2003-10-09 2006-07-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad
US7132033B2 (en) 2004-02-27 2006-11-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of forming a layered polishing pad
JP4393934B2 (ja) * 2004-06-23 2010-01-06 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シート
JP4475404B2 (ja) 2004-10-14 2010-06-09 Jsr株式会社 研磨パッド
CN101704309B (zh) 2005-07-15 2014-12-03 东洋橡胶工业株式会社 层叠片及其制造方法
CN101511537B (zh) 2006-09-08 2011-05-04 东洋橡胶工业株式会社 抛光垫
MY157714A (en) * 2007-01-15 2016-07-15 Rohm & Haas Elect Mat Polishing pad and a method for manufacturing the same
US20090062414A1 (en) 2007-08-28 2009-03-05 David Picheng Huang System and method for producing damping polyurethane CMP pads
US8052507B2 (en) 2007-11-20 2011-11-08 Praxair Technology, Inc. Damping polyurethane CMP pads with microfillers
JP4593643B2 (ja) 2008-03-12 2010-12-08 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP4897082B2 (ja) 2008-04-25 2012-03-14 トーヨーポリマー株式会社 ポリウレタン発泡体及び研磨パッド
JP5393434B2 (ja) 2008-12-26 2014-01-22 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド及びその製造方法
KR101186531B1 (ko) * 2009-03-24 2012-10-08 차윤종 폴리우레탄 다공질체의 제조방법과 그 제조방법에 따른 폴리우레탄 다공질체 및 폴리우레탄 다공질체를 구비한 연마패드
JP5276502B2 (ja) * 2009-04-03 2013-08-28 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド及びその製造方法
TWM367052U (en) 2009-04-24 2009-10-21 Bestac Advanced Material Co Ltd Polishing pad and polishing device
US8157614B2 (en) 2009-04-30 2012-04-17 Applied Materials, Inc. Method of making and apparatus having windowless polishing pad and protected fiber
JP5184448B2 (ja) * 2009-06-23 2013-04-17 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド、その製造方法および研磨加工方法
US8551201B2 (en) 2009-08-07 2013-10-08 Praxair S.T. Technology, Inc. Polyurethane composition for CMP pads and method of manufacturing same
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
JP2012214778A (ja) * 2011-03-30 2012-11-08 Asahi Glass Co Ltd 軟質ポリウレタンフォームの製造方法およびシート
JP5858576B2 (ja) * 2011-04-21 2016-02-10 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッド用ホットメルト接着剤シート、及び積層研磨パッド用接着剤層付き支持層

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1606133A (zh) * 2003-09-26 2005-04-13 Cmp罗姆和哈斯电子材料控股公司 用于化学机械抛光的弹性抛光垫板
CN1622289A (zh) * 2003-11-25 2005-06-01 Cmp罗姆和哈斯电子材料控股公司 具有高透光窗口的抛光垫
CN1914241A (zh) * 2004-02-03 2007-02-14 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 聚氨酯抛光垫
CN101583464A (zh) * 2007-01-15 2009-11-18 东洋橡胶工业株式会社 研磨垫及其制造方法
CN101722464A (zh) * 2008-10-17 2010-06-09 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 具有密封窗口的化学机械抛光垫
CN101961854A (zh) * 2009-07-24 2011-02-02 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 多功能抛光垫
CN103072099A (zh) * 2011-09-29 2013-05-01 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 丙烯酸酯聚氨酯化学机械抛光层

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104209874B (zh) * 2013-05-31 2017-09-08 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 具有柔软且可修整的抛光层的多层化学机械抛光垫层叠体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014233833A (ja) 2014-12-15
FR3006218A1 (fr) 2014-12-05
CN104209854A (zh) 2014-12-17
TWI574793B (zh) 2017-03-21
KR102191947B1 (ko) 2020-12-17
US20140357169A1 (en) 2014-12-04
TW201518038A (zh) 2015-05-16
US9233451B2 (en) 2016-01-12
KR20140141490A (ko) 2014-12-10
DE102014007024A1 (de) 2014-12-04
JP6334266B2 (ja) 2018-05-30
FR3006218B1 (fr) 2016-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104209853B (zh) 柔软且可修整的化学机械窗口抛光垫
CN104209854B (zh) 柔软且可修整的化学机械抛光垫层叠体
CN104209874B (zh) 具有柔软且可修整的抛光层的多层化学机械抛光垫层叠体
CN104942702B (zh) 具有抛光层和窗口的化学机械抛光垫
CN103802018B (zh) 柔软可修整的化学机械抛光垫
CN104942700B (zh) 具有窗口的软性且可修整的化学机械抛光垫
CN104551977B (zh) 用于化学机械抛光硅晶片的方法
KR102513538B1 (ko) 화학적 기계적 연마 패드 복합체 연마층 제형
JP6783562B2 (ja) ケミカルメカニカル研磨パッドのための複合研磨層の製造方法
TWI590919B (zh) 見窗之軟且可調質化學機械硏磨墊及研磨基板之方法
JP6773465B2 (ja) ケミカルメカニカル研磨パッド複合研磨層調合物
KR20210119897A (ko) 엔지니어링된 개방 보이드 공간을 갖는 돌출 구조물이 있는 cmp 폴리싱 패드
KR20210119896A (ko) 지지체 상에 폴리싱 요소를 갖는 cmp 폴리싱 패드

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant