JP2014228026A - 軸受用ころ、ころ軸受、および軸受用ころの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願発明者らは、軸受用ころにおける焼付けの発生を防止するべく、優れた低摩擦性および摺動性を有するDLC−Si被膜(Siを含むDLC(Diamond Like Carbon)被膜)で、軸受用ころの外表面を被覆することを検討している。
この構成によれば、Si(ケイ素)が添加されたDLC被膜(DLC−Siの被膜。以下、「DLC−Si被膜」という。)によって、軸受用ころの転動面および端面が被覆されており、これらの転動面および端面が内輪や外輪と摺動する。DLC−Si被膜は、優れた低摩擦性および摺動性を有している。そのため、低摩擦性および摺動性の優れた転動面および端面を有する軸受用ころを提供することができる。これにより、軸受用ころの外表面における焼付きの発生を抑制または防止できる。
前記の目的を達成するための請求項2に記載の発明は、内輪(22)と、外輪(23)と、これら内外輪間に配置された請求項1に記載の軸受用ころとを含むことを特徴とする、ころ軸受(21;121)である。
請求項1に記載の軸受用ころは、たとえば請求項3記載の製造方法により製造することができる。
請求項3に記載の発明は、軸受用ころ(24;124)の製造方法であって、少なくとも炭素系化合物およびケイ素系化合物を含む原料ガスを処理室(3)内に導入しながら、鋼を用いて形成されるころ基材(240)に直流パルス電圧を印加し前記処理室内にプラズマを発生させる直流パルスプラズマCVD法を用いて、前記ころ基材の外表面に、Siが添加されたDLC被膜(26)を形成する被膜形成工程を含むことを特徴とする、軸受用ころの製造方法である。
請求項5に記載の発明は、前記被膜形成工程に先立って実行され、前記処理室内において、前記ころ基材の小径側端面(24C)の外周側領域(24CA)を除く領域(24CB)に、当該小径側端面よりも小径の電極部材(31)の支持面(31A)を接触させつつ、当該支持面で前記ころ基材を支持するころ基材支持工程をさらに含み、前記被膜形成工程は、前記電極部材を介して前記ころ基材に直流パルス電圧を印加する工程を含むことを特徴とする、請求項3に記載の軸受用ころの製造方法である。
図1は、本発明の一実施形態に係るころ軸受21の構成を模式的に示す断面図である。
ころ軸受21は、リング状の外輪23と、外輪23の内周側に配置されるリング状の内輪22と、外輪23および内輪22間に配置されるリング状の保持器(図示しない)と、保持器によって円周方向に間隔を空けて配置される複数の円すいころ(軸受用ころ)24とを含む。ころ軸受21は、いわゆる円すいころ軸受である。外輪23、内輪22および円すいころ24は、いずれも鋼を用いて形成される。円すいころ24では、その直径(大径側の直径)が10mm以上の大きさに設定されている。
内輪22の外周には、内輪22の中心軸線(中心軸線C1と同一)に対し傾斜する内輪側軌道面22Aが形成されている。内輪側軌道面22Aは外輪側軌道面23Aに対向する面であり、一方(図1の右方)に向かうに従って大径になる平坦テーパ状をなしている。内輪22の外周には、軸方向小径側(図1の左方)の端部に、径方向外方に向けて突出する小径側鍔部27が形成されている。外輪23の外周には、また、内輪側軌道面22Aを挟んで、軸方向大径側(図1の右方)の端部に、径方向外方に向けて突出する大径側鍔部28が形成されている。小径側鍔部27の円すいころ24側の端面には、円すいころ24の次に述べる小径側端面24Cに接触する小径側内側端面27Aが形成されている。大径側鍔部28の円すいころ24側の端面には、円すいころ24の次に述べる大径側端面24Bに接触する大径側内側端面28Aが形成されている。
図3に示すように、円すいころ24の外表面において、転動面24Aおよび大径側端面24Bは、それぞれ、その全域が、DLC−Si被膜(Si(ケイ素)が添加されたDLC被膜)26によって被覆されている。DLC−Si被膜26は、10GPa以上のナノインデンター硬さを有している。DLC−Si被膜26の膜厚はたとえば約3μmである。DLC−Si被膜26は、DLCを含むために、優れた摺動性を有している。
図4は、DLC−Si被膜26におけるSi添加比率(wt%)と、当該被膜26の(表面の)摩擦係数との関係を表すグラフである。図4では、ボールオンプレート往復動摩擦係数試験機を用いて、鋼製(たとえばSUJ2製)の相手材に、DLC−Si被膜26が表面に配置された基材を試験片としてセットし、速度2Hzおよび荷重10Nの試験条件で摩擦摩耗試験を行った場合を示している。Siの添加比率が25wt%を超えると、DLC−Si被膜26を上手く製膜できないから、当該摩擦摩耗試験では、Siの添加比率を、0〜25wt%の範囲で変化させている。
そのため、5〜25wt%のSi添加比率を有するDLC−Si被膜26は、優れた低摩擦性を有する。したがって、軌道面22A,23Aおよび大径側内側端面28Aにそれぞれ摺動する転動面24Aおよび大径側端面24Bの表面が、優れた低摩擦性および摺動性を呈する。なお、図1〜図3の実施形態では、円すいころ24の小径側端面24CにDLC−Si被膜は配置されていない。
このような円すいころ24は、プラズマCVD装置1における直流パルスプラズマCVD法の実施により、ころ基材240の転動面24Aおよび大径側端面24BにDLC−Si被膜26が配置されることにより、製造される。なお、この明細書において、ころ基材240とは、ころ基材240の外表面にDLC−Si被膜26を配置する前の状態の円すいころ24のことをいう。ころ基材240は、鋼(たとえば軸受鋼)を用いて形成され、かつ焼入れ処理および焼戻し処理が施されている。
プラズマCVD装置1は、隔壁2で取り囲まれた処理室3と、基台5と、処理室3内に原料ガスを導入するためのガス導入管6と、処理室3内を真空排気するための排気系7と、処理室3内に導入されたガスをプラズマ化させるための直流パルス電圧を発生させるプラズマ電源8とを備えている。プラズマCVD装置1は、直流パルスプラズマCVD法を実施するための装置である。
ガス導入管6には、成分ガスである原料ガスが供給される。ガス導入管6には、成分ガスの供給源(ガスボンベや液体を収容する容器等)からそれぞれの成分ガスを処理室3に導くための複数の分岐導入管(図示しない)が接続されている。各分岐導入管には、各供給源からの成分ガスの流量を調節するための流量調節バルブ(図示しない)等が設けられている。また供給源のうち液体を収容する容器には、必要に応じて、液体を加熱するための加熱手段(図示しない)が設けられている。
第1排気管13の途中部には、第1開閉バルブ15および第1ポンプ17が、処理室3側からこの順で介装されている。第1ポンプ17としては、たとえば油回転真空ポンプ(ロータリポンプ)やダイヤフラム真空ポンプなどの低真空ポンプが採用される。油回転真空ポンプは、油によってロータ、ステータおよび摺動翼板などの部品の間の気密空間および無効空間の減少を図る容積移送式真空ポンプである。第1ポンプ17として採用される油回転真空ポンプとしては、回転翼型油回転真空ポンプや揺動ピストン型真空ポンプが挙げられる。
次いで第1、第2および第3開閉バルブ15,16,19を閉じた状態で第1ポンプ17を駆動させた後、第1開閉バルブ15を開くことにより処理室3内を真空排気する。処理室3内が第1ポンプ17によって所定の真空度まで真空排気された時点で第1開閉バルブ15を閉じるとともに第3開閉バルブ19を開いて第2ポンプ18を駆動させた後、第2開閉バルブ16を開くことにより、第1および第2ポンプ17,18によって処理室3内をさらに真空排気する。
原料ガスとしては、たとえば炭素系化合物、水素ガス、アルゴンガスおよび有機ケイ素化合物等を加えたものを用いる。炭素系化合物としては、たとえばメタン(CH4)、アセチレン(C2H2)、ベンゼン(C6H6)等の、常温、常圧下で気体ないし低沸点の液体である炭化水素化合物の1種または2種以上が挙げられる。水素ガスおよびアルゴンガスはプラズマを安定化させる作用をする。またアルゴンガスは、ころ基材240の外周面24Bに堆積したCを押し固めてDLC−Si被膜26を硬膜化させる作用も有する。有機ケイ素化合物としては、TMS(テトラメチルシラン(Si(CH3)4))やシロキサンなどを例示できる。
次いでプラズマ電源8をオンして、隔壁2と基台5との間に電位差を生じさせることにより、処理室3内にプラズマを発生させる(DLC被覆処理。被膜形成工程)。
図7は、プラズマCVD装置1のプラズマ電源8からころ基材240に印加される直流パルス電圧の波形の一例を示すグラフである。プラズマ電源8から複数のころ基材240に印加される直流パルス電圧の波形の一例を示すグラフである。直流パルス電圧の設定電圧値は、たとえば1000V程度の値に設定される。すなわちプラズマ電源8がオンされると、隔壁2と基台5との間に1000Vの電位差が生じる。言い換えれば1000Vの負極性の直流パルス電圧が、プレート9で水平面9A上に配置された複数のころ基材240にそれぞれ印加される。波形がパルス状であるので、このような高電圧が印加されても処理室3内に異常放電は生じず、ころ基材240の温度上昇を抑制して、処理温度をたとえば200℃以下(たとえば180℃)に抑制することができる。
デューティー比=τ×f ・・・(1)
図6に示すように、たとえば直流パルスプラズマCVD法では、このプラズマの発生により、処理室3内において原料ガスからイオンやラジカルが生成される。そして、隔壁2ところ基材240との間の電位差に基づいて、負極性の複数のころ基材240の外表面に引き付けられる。そして、ころ基材240の転動面24Aおよび大径側端面24Bにおいて、当該転動面24Aおよび大径側端面24Bの表面の周囲に、イオンシース(図示しない)が形成される。このイオンシースの電位差でプラズマ中のイオンが加速され、イオンビームとなって、ころ基材240の転動面24Aおよび大径側端面24Bに、それぞれほぼ垂直に衝突する。イオンが繰り返し衝突することにより、ころ基材240の転動面24Aおよび大径側端面24BにDLC−Si被膜26が堆積される。
その後、予め定める被膜形成時間(被膜形成工程の処理時間)が終了した時点で、プラズマ電源8をオフするとともに、原料ガスの導入を停止した後、第1ポンプ17による排気を続けながら常温まで冷却する。次いで第1開閉バルブ15を閉じ、代わってリークバルブ(図示しない)を開いて処理室3内に外気を導入して処理室3内を常圧に戻した後、処理室3から円すいころ24を取り出す。これにより、転動面24Aおよび大径側端面24Bの全域がDLC−Si被膜26によって被覆された円すいころ24が製造される。
また、ころ基材240が、その大径側端面24Bを上方に向けた姿勢で、すなわち小径側端面24Cを下方に向けた姿勢で水平面9A上に載置される。そのため、小径側端面24Cを除くころ基材240の外表面の全域(転動面24Aおよび大径側端面24Bを含む)にDLC−Si被膜26を形成できる。これにより、転動面24Aおよび大径側端面24Bのそれぞれに、DLC−Si被膜26を、同時に、かつ比較的簡単に配置できる。
図8は、本発明の他の実施形態に係る円すいころ124の断面図である。
図8において、前述した実施形態に示された各部に対応する部分には、前述した実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。図8に示すころ軸受121では、円すいころ24に代えて円すいころ124が採用されている点で、ころ軸受21(図1参照)と相違しており、それ以外の構成はころ軸受21と同等である。
図9は、円すいころ124の製造方法を模式的に示す図である。この製造方法は、図6に示すプラズマCVD装置1とほぼ同等のCVD装置を用いて行われる。図9では、各プレート9には、水平面9Aから、導電材料を用いて形成された第1支持部材(電極部材)31が鉛直上方に向けて立設されている。図9では、各第1支持部材31は断面円形の棒材であり、その上端面には、水平平坦面からなる支持面31Aが形成されている。第1支持部材31を設ける点で、円すいころ124の製造方法に採用されるCVD装置はプラズマCVD装置1と相違しており、それ以外の点において、プラズマCVD装置1の構成と共通している。
また、ころ基材240の小径側端面24Cの内周側領域24CBに、第1支持部材31の支持面31Aを接触させた状態で、当該支持面31Aにころ基材240が支持される。そのため、小径側端面24Cの内周側領域24CBを除く、ころ基材240の外表面の全域に、DLC−Si被膜26を形成できる。これにより、ころ基材240において転動面24A、大径側端面24B、および小径側端面24Cの外周側領域のそれぞれに、DLC−Si被膜26を、同時に、かつ比較的簡単に配置できる。
たとえば、前述の図9に示す実施形態において、図10に示すように、CVD装置を用いた処理時に各ころ基材240が、第1支持部材31および第2支持部材32によって上下に挟まれつつ支持されていてもよい。第2支持部材32は、導電材料を用いて形成され、第1支持部材31が鉛直下方に向けて垂下する棒材である。図10では、各第2支持部材32は断面円形の棒材である。その下端面32Aは水平平坦面からなる。この支持状態において、ころ基材240の大径側端面24Bの凹部29に第2支持部材32が差し込まれ、凹部29の底面、下端面32Aが接触している。
また、軸受用ころが円すいころ24,124であるとして説明したが、本発明は、円柱状を有する円柱ころにも適用することができる。
Claims (5)
- 鋼を用いて形成されて、ころ軸受に用いられる軸受用ころであって、
前記軸受用ころの転動面および端面に、当該軸受用ころに直流パルス電圧を印加し当該軸受用ころの周囲にプラズマを発生させる直流パルスプラズマCVD法を用いて形成されたDLC被膜を含み、
前記DLC被膜には、5〜25wt%の比率でSiが添加されていることを特徴とする、軸受用ころ。 - 内輪と、
外輪と、
これら内外輪間に配置された請求項1に記載の軸受用ころとを含むことを特徴とする、ころ軸受。 - 軸受用ころの製造方法であって、
少なくとも炭素系化合物およびケイ素系化合物を含む原料ガスを処理室内に導入しながら、鋼を用いて形成されるころ基材に直流パルス電圧を印加し前記処理室内にプラズマを発生させる直流パルスプラズマCVD法を用いて、前記ころ基材の外表面に、Siが添加されたDLC被膜を形成する被膜形成工程を含むことを特徴とする、軸受用ころの製造方法。 - 前記ころ基材は円すい形をなしており、
前記被膜形成工程に先立って実行され、前記処理室内において、導電性の電極部材の水平面上に前記ころ基材を、その大径側端面を上方に向けた姿勢で載置するころ基材載置工程をさらに含み、
前記被膜形成工程は、前記電極部材を介して前記ころ基材に直流パルス電圧を印加する工程を含むことを特徴とする、請求項3に記載の軸受用ころの製造方法。 - 前記被膜形成工程に先立って実行され、前記処理室内において、前記ころ基材の小径側端面の外周側領域を除く領域に、当該小径側端面よりも小径の電極部材の支持面を接触させつつ、当該支持面で前記ころ基材を支持するころ基材支持工程をさらに含み、
前記被膜形成工程は、前記電極部材を介して前記ころ基材に直流パルス電圧を印加する工程を含むことを特徴とする、請求項3に記載の軸受用ころの製造方法。
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