JP2014215135A - 放射線撮像装置、その製造方法、及び放射線検査装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】アライメントずれに対して許容範囲の大きい放射線撮像装置を提供する。【解決手段】放射線撮像装置は、複数のセンサが配列されたセンサアレイと、前記センサアレイの上に配され、部材によって複数の領域に区画されたシンチレータと、を備え、前記センサアレイにおける前記複数のセンサの配列のピッチをP1とし、前記複数の領域のそれぞれを挟んで隣接する前記部材における2つの部分の一方の中心から他方の中心までの距離をP2としたときに、nを2以上の整数として、P2=P1?1/nの関係が成立する。【選択図】図2
Description
本発明は、放射線撮像装置、その製造方法、及び放射線検査装置に関する。
放射線撮像装置には、放射線を光に変換するシンチレータと、シンチレータからの光を検出するセンサと、を備える間接変換型の放射線撮像装置が用いられうる。
特許文献1には、シンチレータが、各センサに対応するように部材によって区画された構造が開示されている。特許文献1によると、部材によって区画されたシンチレータで生じた光は、対応するセンサに向かって当該部材によって反射され、当該センサによって検出されるため、光感度が向上する。
シンチレータを区画するための部材を形成する際にアライメントずれが生じた場合には、区画されたシンチレータが、隣接する2つのセンサにまたがって形成される。このことは、当該区画されたシンチレータで生じた光の一部が、対応するセンサに隣接する他のセンサによって検出されることになってしまい、放射線画像の鮮鋭度の低下をもたらしうる。よって、放射線撮像装置は、アライメントずれによる影響を受けにくい構造で設けられることが望ましい。
本発明の目的は、アライメントずれに対して許容範囲の大きい放射線撮像装置を提供することにある。
本発明の一つの側面は放射線撮像装置にかかり、前記放射線撮像装置は、複数のセンサが配列されたセンサアレイと、前記センサアレイの上に配され、部材によって複数の領域に区画されたシンチレータと、を備え、前記センサアレイにおける前記複数のセンサの配列のピッチをP1とし、前記複数の領域のそれぞれを挟んで隣接する前記部材における2つの部分の一方の中心から他方の中心までの距離をP2としたときに、nを2以上の整数として、P2=P1×1/nの関係が成立することを特徴とする。
本発明によれば、アライメントずれに対して許容範囲の大きい放射線撮像装置を提供することができる。
図1は、放射線撮像装置100(以下、「撮像装置100」)の構成例を分解して示した模式図である。撮像装置100は、センサ基板110と、シンチレータ基板120と、センサ基板110とシンチレータ基板120とを接続する接続部材130と、を備えうる。センサ基板110は、例えばセンサ(光電変換素子)が配列されたセンサアレイを有する。図1において矢印で示されているように、放射線140が撮像装置100に向かって入射し、当該放射線140はシンチレータ基板120において光に変換される。シンチレータ基板120からの光は、センサ基板110において光電変換され、これによって電気信号が得られる。撮像装置100は、センサ基板110により得られた電気信号に基づいて、例えば信号処理部(不図示)によって放射線画像データを生成しうる。なお、放射線の代表的な例としてX線が挙げられるが、放射線はX線の他、α線、β線、γ線等も含みうる。
(第1実施形態)
図2および図3を参照しながら、第1実施形態の撮像装置1001を説明する。図2は、撮像装置1001の断面構造を模式的に示している。センサ基板110の上に、接続部材130を介して、シンチレータ基板120が配されている。センサ基板110は、ガラス等で構成された基板112の上に、センサ111が配列されたセンサアレイが設けられて構成されうる。センサ111は光電変換素子であり、例えば、結晶シリコンを用いたCMOSセンサや非晶質シリコンを用いたPIN型センサやMIS型センサが用いられうる。
図2および図3を参照しながら、第1実施形態の撮像装置1001を説明する。図2は、撮像装置1001の断面構造を模式的に示している。センサ基板110の上に、接続部材130を介して、シンチレータ基板120が配されている。センサ基板110は、ガラス等で構成された基板112の上に、センサ111が配列されたセンサアレイが設けられて構成されうる。センサ111は光電変換素子であり、例えば、結晶シリコンを用いたCMOSセンサや非晶質シリコンを用いたPIN型センサやMIS型センサが用いられうる。
シンチレータ基板120は、部材121によって複数の領域に区画されたシンチレータ122を含む。部材121には、例えば、金属等の遮光性の部材が用いられてもよいし、ガラスやシリコン等が用いられてもよい。シンチレータ122には、例えばTl(タリウム)をドープしたCsI(ヨウ化セシウム)や、GOS(酸硫化ガドリニウム)が用いられうる。
P1は、センサ111の配列のピッチである。P2は、部材121のうち、区画された1つ領域のシンチレータ122を挟んで隣接する2つの部分の中心間距離(一方の中心から他方の中心までの距離)であり、ここでは、シンチレータ122の区画のピッチである。このとき、nを2以上の整数として、P2=P1×1/nの関係が成立するように、センサ基板110およびシンチレータ基板120が設けられる。
図2では、n=2として示されている。例えば、160μm×160μmサイズの各センサ111を有するセンサアレイにおいて、ピッチP1を200μmとしたときに、例えば、ピッチP2は100μm、部材121の幅は20μm、区画の大きさ(1領域あたりの幅)は80μmである。
シンチレータ基板120は、例えば、部材121を形成すべき板材をエッチングして、シンチレータ122を区画するための開口(ないし溝)を形成し、当該開口にシンチレータ122を形成して得られうる。
具体的には、まず、部材121を形成すべき板材を用意して、区画の形状に対応したフォトレジストパターンを当該板材の上に形成し、当該板材をエッチングする。エッチングの深さは、シンチレータ122を区画する部材121の高さに対応し、例えば200μmである。このようにして、シンチレータ122を区画するための開口が板材に形成され、即ち、シンチレータ基板120における部材121が得られる。
次に、板材に設けられた開口にシンチレータ122を形成する。まず、蛍光体材料と溶剤又は液状の接着剤とを混合して蛍光体溶液を得る。なお、この混合工程において蛍光体溶液に気泡が混入する場合には、混合した後に遠心脱泡機などによって脱泡処理を行うとよい。次に、上述の部材121(開口が設けられた板材)の上に蛍光体溶液を塗布して開口を充填する。塗布は、スピン塗布、スリット塗布、また印刷塗布によって為されうる。なお、この塗布工程において、部材121と蛍光体溶液との間に気泡が混入することを防止するため、真空容器内で塗布するとよい。これにより、シンチレータ基板120が得られうる。なお、必要に応じて、シンチレータ基板120は加熱処理されてもよい。これにより、蛍光体溶液中の不要な溶剤成分が除去され、又は、接着部材が硬化されうる。また、上述の混合工程や塗布工程において混入した気泡は、当該加熱処理によっても除去されうる。
センサ基板110とシンチレータ基板120とは、接続部材130によって接着されうる。接続部材130には、例えば、シリコーン、アクリル、エポキシ等の接着材や粘着材が用いられうる。
図3は、撮像装置1001の上面図を模式的に示しており、特に、センサ111とシンチレータ122との位置関係を示している。図3(a)は、シンチレータ基板120が適切に配置された場合(アライメント良好の場合)を示している。図3(b)は、シンチレータ基板120の位置が所望の位置から、X方向及びY方向にずれて配置された場合(アライメントずれが生じた場合)を示している。
例えば、シンチレータ122の区画のピッチと、センサ111の配列のピッチとが等しい場合(P2=P1の場合)は、アライメントずれによって、区画された各領域のシンチレータが、隣接するセンサの上にまたがって位置する。そうすると、当該シンチレータで生じた光のうちの一部は、当該光を検出すべきセンサに隣接するセンサで検出されることになり、その結果、鮮鋭度が低下してしまう。
一方、本実施形態(P2=P1×1/nの場合)によると、図3に示されるように、アライメントずれによって、各領域のシンチレータ122が、対応するセンサ111の直上からずれた結果、隣接する2つのセンサの上にまたがって位置することを防ぐ。又は、本実施形態によると、当該アライメントずれによって、隣接する2つのセンサの上にまたがって位置するシンチレータ122の総面積が低減される。よって、本実施形態によると、アライメントずれによる鮮鋭度の低下が抑制され、即ち、アライメントずれに対する許容範囲が大きく、製造面においてに有利である。
また、前述のP2=P1×1/nの関係が成立するようにセンサ基板110とシンチレータ基板120とを設けることにより、シンチレータ122は各センサ111に対して一様に区画されている。よって、撮像装置1001は、各センサ111におけるシンチレータ122からの入射光量が等しくなるように設けられており、撮像装置1001により得られる画像データにおいて歪み(モワレ)が低減されうる。
なお、センサ基板110とシンチレータ基板120とを貼り合わせは、センサ基板110およびシンチレータ基板120のそれぞれにアライメント用のマークを付して為されてもよい。当該マークを基準に位置を調整してセンサ基板110とシンチレータ基板120とを貼り合わせることによって、アライメントずれが軽減されうる。
また、センサ基板110とシンチレータ基板120とを個別に製造して、センサ基板110及びシンチレータ基板120の品質を個別に評価ないし試験を行うことができる。即ち、センサ基板110とシンチレータ基板120とを貼り合わせた後に評価ないし試験を行う場合に比べて、製造面において有利である。
(第2実施形態)
図4を参照しながら、第2実施形態の撮像装置1002を説明する。図4は、撮像装置1002の断面構造を模式的に示している。撮像装置1002は、シンチレータ基板120の上部に基材123、反射層124、及び接続部材125を有する。本実施形態は、基材123を基台として、その上にシンチレータ122を区画するための部材121を形成することによってシンチレータ基板120を得る、という点で第1実施形態とは製造方法が異なる。
図4を参照しながら、第2実施形態の撮像装置1002を説明する。図4は、撮像装置1002の断面構造を模式的に示している。撮像装置1002は、シンチレータ基板120の上部に基材123、反射層124、及び接続部材125を有する。本実施形態は、基材123を基台として、その上にシンチレータ122を区画するための部材121を形成することによってシンチレータ基板120を得る、という点で第1実施形態とは製造方法が異なる。
まず、カーボン樹脂等の有機樹脂で構成された基材123に、金属等で構成された反射膜124が設けられうる。反射膜124は、例えば、蒸着法やスパッタリング等によって形成されうる。なお、白色のポリエステル樹脂等、反射機能を有する基材123が用いられる場合には、上述の反射膜124の形成工程は省略されてもよい。
一方で、部材121の材料としてシリコンウエハを用意し、所望の厚さ(例えば400μm)になるように研磨する。続いて、研磨されたシリコンウエハの上に、区画の形状に対応したフォトレジストパターンを形成し、当該シリコンウエハをエッチングする。これにより、シンチレータ122を区画するための開口(ないし溝)を有するシリコン、即ち、シンチレータ基板120における部材121が得られる。なお、当該エッチング工程は、ドライエッチングによって為されるとよく、これによって第1実施形態の場合よりも厚さの大きい部材121が得られうる。その後、必要に応じて、金属等で構成された反射部材(不図示)が、部材121の表面(側面)に形成されてもよい。
次に、反射膜124が形成された基材123と、部材121とは、接続部材125によって接着されうる。接続部材125には、前述の接続部材130と同様の材料が用いられうる。その後、第1実施形態と同様にして、上述の手順で設けられた開口にシンチレータ122が設けられうる。これにより、シンチレータ基板120が得られうる。
以上、本実施形態によると、厚さの大きい部材121を形成することができ、即ち、厚さの大きいシンチレータ122を形成することができるため、シンチレータ122での発光量が大きくなる。よって、本実施形態によると、第1実施形態の効果の他、光感度が向上する点でも有利である。
また、部材121の側面に反射部材が設けられた場合には、シンチレータ122の区画された領域で生じた光が、当該区画された領域に対応するセンサ111に向けて反射され、光感度がさらに向上しうる。また、部材121に、シンチレータ122よりも屈折率が小さい材料を用いることによっても、部材121とシンチレータ122との界面において光が効果的に全反射されうるため、光感度が向上しうる。
(第3実施形態)
図5および図6を参照しながら、第3実施形態の撮像装置1003を説明する。図5は、撮像装置1003の断面構造を模式的に示している。第1及び第2実施形態では、部材121による区画の大きさ、即ち、各領域の幅がいずれも等しいものであった。しかし、本発明はこの構成に限られるものではなく、本実施形態で例示されるように、異なる大きさで区画された領域を有する構成であってもよい。
図5および図6を参照しながら、第3実施形態の撮像装置1003を説明する。図5は、撮像装置1003の断面構造を模式的に示している。第1及び第2実施形態では、部材121による区画の大きさ、即ち、各領域の幅がいずれも等しいものであった。しかし、本発明はこの構成に限られるものではなく、本実施形態で例示されるように、異なる大きさで区画された領域を有する構成であってもよい。
図6は、図3と同様にして、撮像装置1003の上面図を模式的に示している。撮像装置1003では、シンチレータ基板120において、区画の大きさが大きい第1領域のシンチレータ1221と、区画の大きさが小さい第2領域のシンチレータ1222とが設けられている。
P1は、センサ111の配列のピッチである。P2は、部材121のうち第1領域のシンチレータ1221を挟んで隣接する2つの部分の中心間距離である。P3は、部材121のうち第2領域のシンチレータ1222を挟んで隣接する2つの部分の中心間距離である。
第1領域のシンチレータ1221は、各センサ111に対応するようにピッチP1で配列され、P2=P1×1/2の関係が成立するように設けられうる。また、第2領域のシンチレータ1222は、mを3以上の整数として、P3=P1×1/mの関係が成立するように設けられうる(ここでは、m=4)。例えば、ピッチP1は200μm、ピッチP2は100μm、ピッチP3は50μm、部材121の幅は20μmである。
区画の大きさを小さくすることによって、アライメントずれによって生じうる鮮鋭度の低下は効果的に抑制されるが、部材121の総面積が大きくなるため光感度が低下しうる。本実施形態では、区画の大きさが大きい第1領域のシンチレータ1221を各センサ111に対応するように配置することによって、光感度の低下を抑制しつつ鮮鋭度の低下を抑制することができる。
この構成によると、例えば、シンチレータ基板120がセンサ基板110に対して、X方向またはY方向に20μmずれて配置されたとしても、第1領域のシンチレータ1221は、対応するセンサ111の上に位置する。よって、当該第1領域のシンチレータ1221で生じた光は、当該対応するセンサ111で検知される。また、第1領域のシンチレータ1221の周辺に配された第2領域のシンチレータ1222の一部は、当該対応するセンサ111の上に位置している、又は、当該センサ111に隣接するセンサの上には位置していない。よって、当該第2領域のシンチレータ1222で生じた光は、当該対応するセンサ111で検知される、又は、当該隣接するセンサでは検知されない。よって、本実施形態によると、鮮鋭度の低下が抑制されうる。
本実施形態のシンチレータ基板120は、部材121となるべき材料を基材123の上に塗布し、シンチレータ1221及び1222を区画すべき部材121を、第1又は第2実施形態と同様にエッチング等によって形成して得られうる。基材123にはカーボン樹脂等の有機樹脂やガラス基板が用いられうるが、基材123は、放射線が通過する程度の厚さで設けられる。また、部材121には、ガラスペーストや有機材料が用いられうる。
本実施形態では、区画の大きさが大きい第1領域のシンチレータ1221を各センサ111に対応するように配置している。これによって、光感度の低下を抑制しつつ鮮鋭度の低下を抑制することができる。よって、本実施形態によると、第1実施形態と同様の効果が得られる。
本実施形態では、第1領域のシンチレータ1221および第2領域のシンチレータ1222は、いずれも正方形の形状で示されたが、本発明はこの構成に限られるものではない。例えば、第2領域のシンチレータ1222の少なくとも一部が、例えば、長方形の形状で形成された構成でもよい。
以上の3つの実施形態を述べたが、本発明はこれらに限られるものではなく、目的、状態、用途及び機能その他の仕様に応じて、適宜、変更することが可能であり、他の実施形態によっても為されうる。
(撮像システム)
上述の各実施形態の撮像装置100(1001〜1003)は、放射線検査装置等に代表される撮像システムに適用されうる。撮像システムは、例えば、撮像装置100と、イメージプロセッサ等を含む信号処理部と、ディスプレイ等を含む表示部と、放射線を発生させるための放射線源と、を備える。例えば、図7に示されるように、X線チューブ210で発生したX線211は、患者等の被検者220の胸部221を透過し、撮像装置100に入射する。この入射したX線には被検者220の体内部の情報が含まれている。撮像装置100では、入射したX線211に応じた電気的情報が得られる。その後、この情報はデジタル変換され、イメージプロセッサ230(信号処理部)により画像処理され、コントロールルーム(制御室)のディスプレイ240(表示部)により表示されうる。また、この情報は電話、LAN、インターネット等のネットワーク250(伝送処理手段)により遠隔地へ転送されうる。これにより、ドクタールーム等の別の場所におけるディスプレイ241に表示して、遠隔地の医師が診断することが可能である。また、この情報は、例えば、光ディスク等に保存することもできるし、フィルムプロセッサ260によってフィルム261等の記録部に記録することもできる。
上述の各実施形態の撮像装置100(1001〜1003)は、放射線検査装置等に代表される撮像システムに適用されうる。撮像システムは、例えば、撮像装置100と、イメージプロセッサ等を含む信号処理部と、ディスプレイ等を含む表示部と、放射線を発生させるための放射線源と、を備える。例えば、図7に示されるように、X線チューブ210で発生したX線211は、患者等の被検者220の胸部221を透過し、撮像装置100に入射する。この入射したX線には被検者220の体内部の情報が含まれている。撮像装置100では、入射したX線211に応じた電気的情報が得られる。その後、この情報はデジタル変換され、イメージプロセッサ230(信号処理部)により画像処理され、コントロールルーム(制御室)のディスプレイ240(表示部)により表示されうる。また、この情報は電話、LAN、インターネット等のネットワーク250(伝送処理手段)により遠隔地へ転送されうる。これにより、ドクタールーム等の別の場所におけるディスプレイ241に表示して、遠隔地の医師が診断することが可能である。また、この情報は、例えば、光ディスク等に保存することもできるし、フィルムプロセッサ260によってフィルム261等の記録部に記録することもできる。
Claims (13)
- 複数のセンサが配列されたセンサアレイと、
前記センサアレイの上に配され、部材によって複数の領域に区画されたシンチレータと、を備え、
前記センサアレイにおける前記複数のセンサの配列のピッチをP1とし、
前記複数の領域のそれぞれを挟んで隣接する前記部材における2つの部分の一方の中心から他方の中心までの距離をP2としたときに、
nを2以上の整数として、P2=P1×1/nの関係が成立する、
ことを特徴とする放射線撮像装置。 - 前記複数の領域は、P1×1/2のピッチで配列された複数の第1領域を含んでおり、
前記複数の第1領域のそれぞれを挟んで隣接する前記部材における2つの部分の一方の中心から他方の中心までの距離はP1×1/2である、
ことを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置。 - 前記複数の領域は、P1のピッチで配列された複数の第1領域と、前記複数の第1領域のそれぞれの周辺に配された複数の第2領域と、を含んでおり、
前記複数の第1領域のそれぞれが、前記複数のセンサに1対1で対応するように配置されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置。 - 前記複数の第1領域のそれぞれを挟んで隣接する前記部材における2つの部分の一方の中心から他方の中心までの距離はP1×1/2であり、前記複数の第2領域のそれぞれを挟んで隣接する前記部材における2つの部分の一方の中心から他方の中心までの距離は、mを3以上の整数として、P1×1/mである、
ことを特徴とする請求項3に記載の放射線撮像装置。 - 前記シンチレータを前記複数の領域に区画する前記部材は、前記シンチレータよりも屈折率が小さい、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。 - 前記シンチレータを前記複数の領域に区画する前記部材は、当該区画された領域で生じた光を、当該区画された領域に対応する前記センサに向けて反射する反射部材を含む、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の放射線撮像装置と、
放射線を発生する放射線源と、を備える、
ことを特徴とする放射線検査装置。 - 複数のセンサが配列されたセンサアレイを形成する第1工程と、
前記センサアレイの上に、部材によって複数の領域に区画されたシンチレータを形成する第2工程と、を含み、
前記センサアレイにおける前記複数のセンサの配列のピッチをP1とし、
前記複数の領域のそれぞれを挟んで隣接する前記部材における2つの部分の一方の中心から他方の中心までの距離をP2としたときに、
nを2以上の整数として、P2=P1×1/nの関係が成立する、
ことを特徴とする放射線撮像装置の製造方法。 - 前記第2工程では、
前記複数の領域が、P1×1/2のピッチで配列された複数の第1領域を含み、
前記複数の第1領域のそれぞれを挟んで隣接する前記部材における2つの部分の一方の中心から他方の中心までの距離がP1×1/2になるように、前記シンチレータを形成する、
ことを特徴とする請求項8に記載の放射線撮像装置の製造方法。 - 前記第2工程では、
前記複数の領域が、P1のピッチで配列された複数の第1領域と、前記複数の第1領域のそれぞれの周辺に配された複数の第2領域と、を含み、
前記複数の第1領域のそれぞれが、前記複数のセンサのそれぞれにそれぞれ対応するように、前記シンチレータを形成する、
ことを特徴とする請求項8に記載の放射線撮像装置の製造方法。 - 前記複数の第1領域のそれぞれを挟んで隣接する前記部材における2つの部分の一方の中心から他方の中心までの距離はP1×1/2であり、
前記複数の第2領域のそれぞれを挟んで隣接する前記部材における2つの部分の一方の中心から他方の中心までの距離は、mを3以上の整数として、P1×1/mである、
ことを特徴とする請求項10に記載の放射線撮像装置の製造方法。 - 前記第2工程において、前記部材に前記シンチレータよりも屈折率の小さい材料を用いる、
ことを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1項に記載の放射線撮像装置の製造方法。 - 前記第2工程において、前記部材に反射部材を用いる、
ことを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1項に記載の放射線撮像装置の製造方法。
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