JP2014214058A - 炭化珪素顆粒及びその製造方法 - Google Patents
炭化珪素顆粒及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014214058A JP2014214058A JP2013093306A JP2013093306A JP2014214058A JP 2014214058 A JP2014214058 A JP 2014214058A JP 2013093306 A JP2013093306 A JP 2013093306A JP 2013093306 A JP2013093306 A JP 2013093306A JP 2014214058 A JP2014214058 A JP 2014214058A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- surface area
- specific surface
- carbon
- granule
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C01B31/36—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
【解決手段】 比表面積が2〜15m2/gであることを特徴とする炭化珪素顆粒であり、粒径が0.5〜10mm程度であることが好ましく、上記炭化珪素顆粒は、比表面積が50〜1500m2/gである顆粒状炭素を、非酸化性雰囲気下、1600〜2100℃の温度において珪素化合物ガスを供給し、該顆粒状炭素中の炭素を珪化させて得ることができる。
【選択図】 なし
Description
一方、アチソン法は、珪石とコークスの混合物を炉の両端に固定したグラファイトなどの炭素ヒーターで加熱して反応させる炭化珪素の製造方法である。該手法で製造された炭化珪素は粉末状ではなく塊として得られ、これを粉砕することで数百μmから数mmの炭化珪素粉末を得ることができる。このサイズの粉末であれば、単結晶製造工程におけるガス流通により粉末が飛散することはないが、比表面積が小さいため昇華速度が小さい。また、粉砕工程において不純物が混入するため、該粉末は一般的に純度が低く、単結晶製造用原料として使用するためには精製する必要がある。
即ち、高比表面積でありながら、単結晶製造時に飛散することのない単結晶製造用炭化珪素原料はなかった。また、単結晶用原料としては、その純度が高いことも重要な要素であり、これらの特性を有する原料の開発が望まれている。
ここで、σ:顆粒の圧壊強度(Pa)、P:圧壊時の荷重(N)、D:顆粒の粒子径(m)である。
比表面積250m2/g、不純物濃度4.5ppm、平均粒子径2.0mmの顆粒状カーボンブラックを黒鉛製ルツボに充填し、高周波誘導加熱炉を用いてアルゴンガス雰囲気下で加熱し、黒鉛製ルツボ内の顆粒状カーボンに接触するようにテトラクロロシラン(SiCl4)ガスを流通させた。
比表面積600m2/g、不純物濃度1.6ppm、平均粒子径3.0mmの顆粒状カーボンブラックを用いた以外、実施例1と同様にした。
加熱処理温度を1650℃、加熱時間を8時間とし、珪素化合物ガスとしてモノメチルシラン(CH3SiH3)を用いた以外、実施例1と同様にした。
加熱処理温度を1800℃、加熱時間を1時間とした以外、実施例1と同様にした。
加熱処理温度を2000℃、加熱時間を1時間とした以外、実施例1と同様にした。
比表面積80m2/g、不純物濃度0.4ppm、平均粒子径4.2mmの顆粒状カーボンブラックを用いた以外、実施例1と同様にした。
ヒュームドシリカとカーボンブラックとを重量比で5:1となるようにボールミルで混合した粉末を黒鉛製ルツボの下部に充填した。
該ヒュームドシリカ/カーボンブラック混合粉末の上部に、比表面積250m2/g、不純物濃度4.5ppm、平均粒子径2.0mmの顆粒状カーボンブラックを充填し、黒鉛製タンマン炉を用いてアルゴンガス雰囲気下で加熱した。
比表面積1400m2/g、不純物濃度3.5ppm、平均粒子径3.0mmの顆粒状カーボンブラックを用いた以外、実施例7と同様にした。
比表面積120m2/g、不純物濃度4.8ppm、平均粒子径7.0mmの顆粒状カーボンブラックを用いた以外、実施例7と同様にした。
比表面積320m2/g、不純物濃度6.0ppmの粉末状カーボンブラックを用いた以外、実施例1と同様にした。
Claims (7)
- 比表面積が2〜15m2/gであることを特徴とする炭化珪素顆粒。
- 金属不純物濃度が1ppm以下であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素顆粒。
- 圧壊強度が50〜1000kPaであることを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の炭化珪素顆粒。
- 平均粒子径が0.5〜10mmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の炭化珪素顆粒。
- 比表面積が50〜1500m2/gである顆粒状炭素に珪素化合物ガスを供給し、1600〜2100℃の非酸化性雰囲気下で該顆粒状炭素中の炭素を珪化させることを特徴とする炭化珪素顆粒の製造方法。
- 金属不純物濃度が5ppm以下である顆粒状炭素を用いることを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素顆粒の製造方法。
- 平均粒子径が0.5〜10mmである顆粒状炭素を用いることを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素顆粒の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013093306A JP6184732B2 (ja) | 2013-04-26 | 2013-04-26 | 炭化珪素顆粒及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013093306A JP6184732B2 (ja) | 2013-04-26 | 2013-04-26 | 炭化珪素顆粒及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014214058A true JP2014214058A (ja) | 2014-11-17 |
JP6184732B2 JP6184732B2 (ja) | 2017-08-23 |
Family
ID=51940182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013093306A Expired - Fee Related JP6184732B2 (ja) | 2013-04-26 | 2013-04-26 | 炭化珪素顆粒及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6184732B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017052665A (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 太平洋セメント株式会社 | 炭化珪素の製造方法 |
JP2017057118A (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 新日鐵住金株式会社 | SiC単結晶基板の前処理方法及びエピタキシャルSiCウェハの製造方法 |
WO2024122174A1 (ja) * | 2022-12-09 | 2024-06-13 | 株式会社トクヤマ | 炭化ケイ素粉末及びその製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS589807A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-20 | Showa Denko Kk | 高純度SiCの製造法 |
JPS5939709A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-05 | Ibiden Co Ltd | 超微細炭化珪素粉末の製造方法 |
JPS6131311A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-13 | Ube Ind Ltd | 炭化珪素粉末の製法 |
JPS61111909A (ja) * | 1985-11-01 | 1986-05-30 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 金属炭化物の新規な製造法 |
JPH02137713A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-28 | Ibiden Co Ltd | β型炭化ケイ素微粉末の製造方法およびその製造装置 |
JPH08506312A (ja) * | 1989-01-11 | 1996-07-09 | ザ・ダウ・ケミカル・カンパニー | 炭化ケイ素を製造する方法 |
JPH0948605A (ja) * | 1995-05-31 | 1997-02-18 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法及び単結晶 |
JP2006256941A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Toda Kogyo Corp | 炭化ケイ素粉末の製造法 |
JP2009173501A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法及び炭化ケイ素単結晶 |
-
2013
- 2013-04-26 JP JP2013093306A patent/JP6184732B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS589807A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-20 | Showa Denko Kk | 高純度SiCの製造法 |
JPS5939709A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-05 | Ibiden Co Ltd | 超微細炭化珪素粉末の製造方法 |
JPS6131311A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-13 | Ube Ind Ltd | 炭化珪素粉末の製法 |
JPS61111909A (ja) * | 1985-11-01 | 1986-05-30 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 金属炭化物の新規な製造法 |
JPH02137713A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-28 | Ibiden Co Ltd | β型炭化ケイ素微粉末の製造方法およびその製造装置 |
JPH08506312A (ja) * | 1989-01-11 | 1996-07-09 | ザ・ダウ・ケミカル・カンパニー | 炭化ケイ素を製造する方法 |
JPH0948605A (ja) * | 1995-05-31 | 1997-02-18 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法及び単結晶 |
JP2006256941A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Toda Kogyo Corp | 炭化ケイ素粉末の製造法 |
JP2009173501A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法及び炭化ケイ素単結晶 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017052665A (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 太平洋セメント株式会社 | 炭化珪素の製造方法 |
JP2017057118A (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 新日鐵住金株式会社 | SiC単結晶基板の前処理方法及びエピタキシャルSiCウェハの製造方法 |
WO2024122174A1 (ja) * | 2022-12-09 | 2024-06-13 | 株式会社トクヤマ | 炭化ケイ素粉末及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6184732B2 (ja) | 2017-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6230106B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
US9534316B2 (en) | Silicon carbide powder and method for manufacturing the same | |
KR102017689B1 (ko) | 탄화규소 분말의 제조 방법 | |
AU2009299921A1 (en) | Production of solar-grade silicon from silicon dioxide | |
JPH03503883A (ja) | 炭化ホウ素の製造方法 | |
JP6184732B2 (ja) | 炭化珪素顆粒及びその製造方法 | |
JP6809912B2 (ja) | 炭化珪素粉末、その製造方法、及び炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP2014015339A (ja) | 炭化珪素粉末の製造方法 | |
KR101084711B1 (ko) | 고순도 베타상 탄화규소 미세 분말의 저온 제조 방법 | |
CN1289391C (zh) | 碳化钨、其制备方法和由其制得的硬质材料 | |
JP6757688B2 (ja) | 炭化ケイ素粉末、その製造方法、及び炭化ケイ素単結晶の製造方法 | |
JP6354367B2 (ja) | 多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型の離型剤用窒化ケイ素粉末及びその製造方法、多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型の離型剤用窒化ケイ素粉末含有スラリー、ならびに多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型及びその製造方法 | |
KR101916270B1 (ko) | 실리콘 카바이드 파우더의 제조방법 | |
US20140209838A1 (en) | Method of fabricating silicon carbide | |
JP6990136B2 (ja) | 炭化ケイ素粉末 | |
US9399583B2 (en) | Silicon carbide powder production method | |
KR102272431B1 (ko) | 탄화규소 분말, 이의 제조방법 및 탄화규소 단결정 | |
JP2911207B2 (ja) | 炭化ホウ素微粉末の製造方法 | |
KR101525694B1 (ko) | 탄화규소 분말 및 탄화규소 제조 방법 | |
KR101897037B1 (ko) | 실리콘 카바이드 파우더의 제조방법 | |
KR102413929B1 (ko) | 탄화규소 분말, 이의 제조방법 및 탄화규소 단결정 | |
JP2536849B2 (ja) | 焼結用β晶炭化ケイ素粉末 | |
KR102491236B1 (ko) | 탄화규소 분말 및 이의 제조방법 | |
KR102491237B1 (ko) | 탄화규소 분말 및 이의 제조방법 | |
KR102355080B1 (ko) | 탄화규소 분말 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160823 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160825 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161018 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170104 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170302 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170718 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170726 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6184732 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |