JP2014212353A - 放射検出器 - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 221
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 41
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- 208000025174 PANDAS Diseases 0.000 description 1
- 208000021155 Paediatric autoimmune neuropsychiatric disorders associated with streptococcal infection Diseases 0.000 description 1
- 240000000220 Panda oleosa Species 0.000 description 1
- 235000016496 Panda oleosa Nutrition 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J40/00—Photoelectric discharge tubes not involving the ionisation of a gas
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一静的露光)。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。
2.スキャンモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅(非スキャン方向)が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ(スキャン方向)が決まる。
3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
結論
Claims (14)
- 放射を検出する放射検出器であって、前記放射検出器は、
(a)複数のファラデーカップと、
(b)カバーが設けられた各ファラデーカップであって、各カバーは、前記放射が前記ファラデーカップへと通り抜けることができる窓構成を含み、前記各カバーの前記窓構成は、各ファラデーカップに対して異なる、各ファラデーカップと、
(c)前記放射がターゲットに入射した場合に光電子を放出する前記ターゲットを収容する各ファラデーカップと
を含む、放射検出器。 - 前記複数のファラデーカップに渡って延在する単一のカバーは、各ファラデーカップのカバーを提供する、請求項1に記載の放射検出器。
- 前記カバーまたは単一のカバーは膜である、請求項1または2に記載の放射検出器。
- 前記カバーまたは単一のカバーはシリコンから形成される、請求項1〜3のうちのいずれかに記載の放射検出器。
- 各窓構成は、異なる数、異なる形状、異なるサイズまたは異なる向きの1つ以上の窓を含むということにおいて異なる、請求項1〜4のうちのいずれかに記載の放射検出器。
- 各窓構成は、
窓、
複数の窓、
第1の方向に延在する複数のスロット窓、および/または
前記第1の方向と垂直である第2の異なる方向に延在する複数のスロット窓
のうちの1つ以上である、請求項1〜5のうちのいずれかに記載の放射検出器。 - ファラデーカップのうちの少なくとも1つは、前記ターゲットに対して一定のバイアス電圧で維持される、請求項1〜6のうちのいずれかに記載の放射検出器。
- 前記ターゲットに対する前記一定のバイアス電圧は、前記放射が前記ターゲットに入射した場合に前記ターゲットによって放出される光電子の電子ボルトにおける予想エネルギーとほぼ同等またはそれより大きい、請求項7に記載の放射検出器。
- 前記ファラデーカップによって収容された前記ターゲットは、前記ファラデーカップから電気的に絶縁される、請求項1〜8のいずれかに記載の放射検出器。
- 前記放射は、前記電磁スペクトルの前記EUVまたはDUV部分における波長を有する、請求項1〜9のうちのいずれかに記載の放射検出器。
- 前記窓構成または複数の窓構成は、前記カバー内の1つ以上のアパーチャである、請求項1〜10のうちのいずれかに記載の放射検出器。
- 請求項1〜11のうちのいずれかに記載の前記放射検出器が設けられた基板ホルダ。
- 請求項1〜12のうちのいずれかに記載の前記放射検出器または基板ホルダを含むリソグラフィ装置。
- 前記放射検出器、または前記放射検出器が設けられた前記基板ホルダは移動可能である、請求項13に記載のリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US24539809P | 2009-09-24 | 2009-09-24 | |
US61/245,398 | 2009-09-24 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010208656A Division JP5600276B2 (ja) | 2009-09-24 | 2010-09-17 | 放射検出器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014212353A true JP2014212353A (ja) | 2014-11-13 |
JP5813190B2 JP5813190B2 (ja) | 2015-11-17 |
Family
ID=44016169
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010208656A Expired - Fee Related JP5600276B2 (ja) | 2009-09-24 | 2010-09-17 | 放射検出器 |
JP2014165443A Expired - Fee Related JP5813190B2 (ja) | 2009-09-24 | 2014-08-15 | 放射検出器 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010208656A Expired - Fee Related JP5600276B2 (ja) | 2009-09-24 | 2010-09-17 | 放射検出器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8124939B2 (ja) |
JP (2) | JP5600276B2 (ja) |
NL (1) | NL2005249A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8124939B2 (en) * | 2009-09-24 | 2012-02-28 | Asml Netherlands B.V. | Radiation detector |
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US11846738B2 (en) | 2019-04-23 | 2023-12-19 | Cerium Laboratories Llc | Radiation detection systems and methods |
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-
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- 2010-08-19 US US12/859,583 patent/US8124939B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-19 NL NL2005249A patent/NL2005249A/en not_active Application Discontinuation
- 2010-09-17 JP JP2010208656A patent/JP5600276B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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- 2011-12-20 US US13/331,140 patent/US8269186B2/en not_active Expired - Fee Related
-
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- 2014-08-15 JP JP2014165443A patent/JP5813190B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP5600276B2 (ja) | 2014-10-01 |
US20110220806A1 (en) | 2011-09-15 |
JP5813190B2 (ja) | 2015-11-17 |
US8124939B2 (en) | 2012-02-28 |
JP2011071116A (ja) | 2011-04-07 |
US20120091357A1 (en) | 2012-04-19 |
NL2005249A (en) | 2011-03-28 |
US8269186B2 (en) | 2012-09-18 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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