JP2011071116A - 放射検出器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】放射検出器は放射を検出する。放射検出器は複数のファラデーカップを含む。各ファラデーカップにはカバーが設けられている。各カバーは、放射がファラデーカップへと通り抜けることができる窓構成を含む。各カバーの窓構成は各ファラデーカップに対して異なる。各ファラデーカップは、放射がターゲットに入射した場合に光電子を放出するように構成されたターゲットを収容する。
【選択図】図3
Description
1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一静的露光)。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。
2.スキャンモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅(非スキャン方向)が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ(スキャン方向)が決まる。
3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
として表される。
結論
Claims (14)
- 放射を検出する放射検出器であって、前記放射検出器は、
(a)複数のファラデーカップと、
(b)カバーが設けられた各ファラデーカップであって、各カバーは、前記放射が前記ファラデーカップへと通り抜けることができる窓構成を含み、前記各カバーの前記窓構成は、各ファラデーカップに対して異なる、各ファラデーカップと、
(c)前記放射がターゲットに入射した場合に光電子を放出する前記ターゲットを収容する各ファラデーカップと
を含む、放射検出器。 - 前記複数のファラデーカップに渡って延在する単一のカバーは、各ファラデーカップのカバーを提供する、請求項1に記載の放射検出器。
- 前記カバーまたは単一のカバーは膜である、請求項1または2に記載の放射検出器。
- 前記カバーまたは単一のカバーはシリコンから形成される、請求項1〜3のうちのいずれかに記載の放射検出器。
- 各窓構成は、異なる数、異なる形状、異なるサイズまたは異なる向きの1つ以上の窓を含むということにおいて異なる、請求項1〜4のうちのいずれかに記載の放射検出器。
- 各窓構成は、
窓、
複数の窓、
第1の方向に延在する複数のスロット窓、および/または
前記第1の方向と垂直である第2の異なる方向に延在する複数のスロット窓
のうちの1つ以上である、請求項1〜5のうちのいずれかに記載の放射検出器。 - ファラデーカップのうちの少なくとも1つは、前記ターゲットに対して一定のバイアス電圧で維持される、請求項1〜6のうちのいずれかに記載の放射検出器。
- 前記ターゲットに対する前記一定のバイアス電圧は、前記放射が前記ターゲットに入射した場合に前記ターゲットによって放出される光電子の電子ボルトにおける予想エネルギーとほぼ同等またはそれより大きい、請求項7に記載の放射検出器。
- 前記ファラデーカップによって収容された前記ターゲットは、前記ファラデーカップから電気的に絶縁される、請求項1〜8のいずれかに記載の放射検出器。
- 前記放射は、前記電磁スペクトルの前記EUVまたはDUV部分における波長を有する、請求項1〜9のうちのいずれかに記載の放射検出器。
- 前記窓構成または複数の窓構成は、前記カバー内の1つ以上のアパーチャである、請求項1〜10のうちのいずれかに記載の放射検出器。
- 請求項1〜11のうちのいずれかに記載の前記放射検出器が設けられた基板ホルダ。
- 請求項1〜12のうちのいずれかに記載の前記放射検出器または基板ホルダを含むリソグラフィ装置。
- 前記放射検出器、または前記放射検出器が設けられた前記基板ホルダは移動可能である、請求項13に記載のリソグラフィ装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8124939B2 (en) * | 2009-09-24 | 2012-02-28 | Asml Netherlands B.V. | Radiation detector |
WO2024045789A1 (zh) * | 2022-08-29 | 2024-03-07 | 华为技术有限公司 | 一种法拉第杯和带电粒子束测量方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3146557A1 (en) * | 2014-05-20 | 2017-03-29 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | A radiation sensor device for high energy photons |
US11846738B2 (en) | 2019-04-23 | 2023-12-19 | Cerium Laboratories Llc | Radiation detection systems and methods |
CN111031651B (zh) * | 2019-12-20 | 2022-02-08 | 北京工业大学 | 一种等离子体束流密度分布的测量方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0541349A (ja) * | 1991-08-07 | 1993-02-19 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子露光装置とその調整方法 |
JP2005328061A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Asml Netherlands Bv | アラインメントシステムおよび方法およびそれにより製造したデバイス |
JP2009500624A (ja) * | 2005-07-08 | 2009-01-08 | サイマー インコーポレイテッド | Euv光源測定のためのシステム及び方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2870924B2 (ja) * | 1990-02-02 | 1999-03-17 | 日新電機株式会社 | イオンビームのモニタ方法およびその装置 |
JPH0517910U (ja) * | 1991-08-20 | 1993-03-05 | 日新電機株式会社 | フアラデーケージ |
US5583427A (en) * | 1992-12-28 | 1996-12-10 | Regents Of The University Of California | Tomographic determination of the power distribution in electron beams |
US5653811A (en) * | 1995-07-19 | 1997-08-05 | Chan; Chung | System for the plasma treatment of large area substrates |
KR100219411B1 (ko) * | 1995-11-24 | 1999-09-01 | 윤종용 | 반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리 |
JP3713862B2 (ja) * | 1996-12-17 | 2005-11-09 | 日新電機株式会社 | 多点ファラデー装置 |
US6300643B1 (en) * | 1998-08-03 | 2001-10-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Dose monitor for plasma doping system |
EP1073894B1 (en) * | 1998-10-06 | 2010-10-06 | The University Of Washington | Charged particle beam detection system |
KR100407579B1 (ko) * | 2001-11-22 | 2003-11-28 | 삼성전자주식회사 | 이온 주입 시스템의 웨이퍼 홀딩 장치 |
KR100444201B1 (ko) * | 2002-04-18 | 2004-08-16 | 삼성전자주식회사 | 이온빔 경사각 측정방법 및 장치 |
JP4090303B2 (ja) * | 2002-08-08 | 2008-05-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子ビーム計測用センサー及び電子ビーム計測方法 |
JP4274017B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2009-06-03 | 株式会社島津製作所 | 成膜装置 |
US7338683B2 (en) * | 2004-05-10 | 2008-03-04 | Superpower, Inc. | Superconductor fabrication processes |
US7005656B1 (en) * | 2005-02-01 | 2006-02-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion implanter with vacuum-maintaining circuit board providing connections to internal faraday cups |
KR100642641B1 (ko) * | 2005-03-11 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 중성빔 각도분포 측정 장치 |
US7385208B2 (en) * | 2005-07-07 | 2008-06-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for implant dosage control |
US8049168B2 (en) * | 2008-12-18 | 2011-11-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Time-of-flight segmented Faraday |
NL2003584A (en) * | 2009-01-08 | 2010-07-12 | Asml Netherlands Bv | Gas contamination sensor, lithographic apparatus, method of determining a level of contaminant gas and device manufacturing method. |
US8124939B2 (en) * | 2009-09-24 | 2012-02-28 | Asml Netherlands B.V. | Radiation detector |
US8760625B2 (en) * | 2010-07-30 | 2014-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, aberration detector and device manufacturing method |
-
2010
- 2010-08-19 US US12/859,583 patent/US8124939B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-19 NL NL2005249A patent/NL2005249A/en not_active Application Discontinuation
- 2010-09-17 JP JP2010208656A patent/JP5600276B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-12-20 US US13/331,140 patent/US8269186B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-08-15 JP JP2014165443A patent/JP5813190B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0541349A (ja) * | 1991-08-07 | 1993-02-19 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子露光装置とその調整方法 |
JP2005328061A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Asml Netherlands Bv | アラインメントシステムおよび方法およびそれにより製造したデバイス |
JP2009500624A (ja) * | 2005-07-08 | 2009-01-08 | サイマー インコーポレイテッド | Euv光源測定のためのシステム及び方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8124939B2 (en) * | 2009-09-24 | 2012-02-28 | Asml Netherlands B.V. | Radiation detector |
US8269186B2 (en) | 2009-09-24 | 2012-09-18 | Asml Netherlands B.V. | Radiation detector |
WO2024045789A1 (zh) * | 2022-08-29 | 2024-03-07 | 华为技术有限公司 | 一种法拉第杯和带电粒子束测量方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5600276B2 (ja) | 2014-10-01 |
JP2014212353A (ja) | 2014-11-13 |
US20110220806A1 (en) | 2011-09-15 |
JP5813190B2 (ja) | 2015-11-17 |
US8124939B2 (en) | 2012-02-28 |
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US8269186B2 (en) | 2012-09-18 |
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