JP2014209545A

JP2014209545A - 光半導体装置の製造方法

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Publication number: JP2014209545A
Application number: JP2013262495A
Authority: JP
Inventors: 明人二宮; Akihito Ninomiya; 伊藤　久貴; Hisataka Ito; 久貴伊藤; 恭也大薮; Kyoya Oyabu; 栄弘梅谷; Eihiro Umetani; 宗久三谷; Munehisa Mitani
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2013-03-22
Filing date: 2013-12-19
Publication date: 2014-11-06

Abstract

【課題】光半導体素子を封止するためのＣステージ前の状態の封止層を容易に管理することができ、光半導体装置の製造効率を向上させることのできる光半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】封止シート１によってＬＥＤ４を封止して、ＬＥＤ装置５を製造するＬＥＤ装置５の製造方法であり、封止シート１を製造するシート製造工程、および、封止シート１によってＬＥＤ４を封止する封止工程を備え、シート製造工程において封止シート１を製造してから、封止工程において封止シート１によってＬＥＤ４を封止するまでの時間Ｔを、２４時間以内とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、光半導体装置の製造方法に関する。

封止シートによって、光半導体素子を封止して、光半導体装置を製造する方法が知られている。

例えば、光半導体素子を封止可能な封止樹脂層を備える光半導体素子封止用シートを製造し、その後、その光半導体素子封止用シートを、光半導体素子搭載基板に対向するように載置して、プレス機によりプレスすることにより、光半導体装置を製造する方法が提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。

特開２０１１−１５９８７４号公報

しかるに、光半導体素子搭載基板を製造するには、まず、Ｃステージ前の光半導体素子封止用シートを製造し、その後、その光半導体素子封止用シートを出荷して輸送する。そして、出荷先において光半導体素子封止用シートを保存（保管）した後、かかる光半導体素子封止用シートを、光半導体素子搭載基板が載置されたプレス機に設置する。その後、プレスにより、光半導体素子搭載基板に搭載される光半導体素子を光半導体素子封止用シートで埋設するとともに、光半導体素子封止用シートをＣステージとすることにより、光半導体素子を光半導体素子封止用シートで封止している。

そのため、光半導体素子封止用シートが長時間輸送および保存されても、光半導体素子封止用シートを光半導体素子の封止が可能なＣステージ前の状態に維持しておく必要がある。そうすると、光半導体素子封止用シートのＣステージ前の状態が種々の環境下においても長時間維持されるように、光半導体素子封止用シートを設計し、管理する必要が生じ、そのため、製造コスト、さらには、管理コストが増大するという不具合がある。

本発明の目的は、光半導体素子を封止するためのＣステージ前の状態の封止層を容易に管理することができ、光半導体装置の製造効率を向上させることのできる光半導体装置の製造方法を提供することにある。

上記した目的を達成するために、本発明の光半導体装置の製造方法は、封止層によって光半導体素子を封止して、光半導体装置を製造する光半導体装置の製造方法であり、前記封止層を製造する封止層製造工程、および、前記封止層によって前記光半導体素子を封止する封止工程を備え、前記封止層製造工程において前記封止層を製造してから、前記封止工程において前記封止層によって前記光半導体素子を封止するまでの時間が、２４時間以下であることを特徴としている。

この方法によれば、封止層製造工程において封止層を製造してから、封止工程において封止層によって光半導体素子を封止するまでの時間が、短時間であるので、光半導体装置の製造効率を向上させることができる。

また、この方法によれば、封止層のＣステージ前の状態を長時間維持する必要がないため、Ｃステージ前の状態の封止層を容易に設計し、管理することができる。そのため、Ｃステージ前の状態の封止層の設計および管理の自由度を高めることができる。

また、本発明の光半導体装置の製造方法では、前記封止層製造工程で製造された前記封止層を、室温で搬送して、前記封止工程に供給することが好適である。

封止層の搬送および保管に長時間を要する場合には、封止層がＣステージ前の状態からＣステージになることを防止するために、Ｃステージ前の状態の封止層を低温に冷却（冷凍）して搬送および保管する必要がある。

しかし、この方法によれば、Ｃステージ前の状態からＣステージまでの時間が短時間であるので、封止層製造工程で製造された、Ｃステージ前の状態の封止層を、室温で搬送して、封止工程に供給することができる。そのため、上記した冷却のための工数および設備が不要となり、その結果、製造コストを低減することができる。

また、封止層を冷却する場合には、冷却された封止層を室温に戻した後、かかる封止層によって光半導体素子を封止する必要があるところ、冷却された封止層を短時間で室温に戻すと、封止層に結露を生じ、かかる結露した封止層によって光半導体素子を封止すると、ボイドを生じ、光半導体装置の信頼性が低下する場合がある。

一方、封止層の結露を防止するために、冷却された封止層を長時間にわたって室温に戻すようにすると、光半導体装置の製造効率が著しく低下する。

しかし、この方法によれば、上記した冷却が不要となるので、冷却された封止層を室温に戻すことも不要となり、製造時間を短縮することができる。そのため、製造コストを低減することができる。さらに、上記した結露に起因するボイドの発生も防止できるので、信頼性の高い光半導体装置を製造することができる。

また、本発明の光半導体装置の製造方法は、Ｂステージの封止シートによって前記光半導体素子を封止して、前記光半導体装置を製造する光半導体装置の製造方法であり、前記封止層製造工程は、Ｂステージの前記封止シートを製造するシート製造工程であり、前記封止工程では、Ｂステージの前記封止シートによって前記光半導体素子を封止し、前記シート製造工程においてＢステージの前記封止シートを製造してから、前記封止工程においてＢステージの前記封止シートによって前記光半導体素子を封止するまでの時間が、２４時間以下であることが好適である。

この方法によれば、シート製造工程においてＢステージの封止シートを製造してから、封止工程においてＢステージの封止シートによって光半導体素子を封止するまでの時間が、短時間であるので、光半導体装置の製造効率を向上させることができる。

また、この方法によれば、封止シートのＢステージを長時間維持する必要がないため、Ｂステージの封止シートを容易に設計し、管理することができる。そのため、Ｂステージの封止シートの設計および管理の自由度を高めることができる。

さらに、この方法によれば、封止工程では、Ｂステージの封止シートによって光半導体素子を封止するので、Ａステージの封止シートに比べて取扱性に優れるＢステージの封止シートによって、光半導体素子を簡便に封止することができる。

また、本発明の光半導体装置の製造方法では、前記シート製造工程で製造されたＢステージの前記封止シートの２５℃における圧縮弾性率が、０．０４０ＭＰａ以上、０．１４５ＭＰａ以下であることが好適である。

この方法によれば、使用できるＢステージの封止シートの圧縮弾性率の範囲が広いので、Ｂステージの封止シートの設計の自由度をより一層高めることができる。

また、本発明の光半導体装置の製造方法では、前記シート製造工程で製造されたＢステージの前記封止シートを２５℃で２４時間保存したときの、２５℃における圧縮弾性率の増加量が、０．０１５ＭＰａ以上、０．１２０ＭＰａ以下であることが好適である。

この方法によれば、２５℃で２４時間保存したときの、２５℃における圧縮弾性率の増加量が大きいＢステージの封止シートによっても、光半導体素子を封止することができる。つまり、速硬化性のＢステージの封止シートを用いて、Ｃステージ化に要する時間を短縮することができる。そのため、光半導体装置の製造時間を短縮することができ、その結果、製造コストを低減することができる。

また、本発明の光半導体装置の製造方法は、Ａステージの封止層によって前記光半導体素子を封止して、前記光半導体装置を製造する光半導体装置の製造方法であり、前記封止層製造工程では、Ａステージの前記封止層を製造し、前記封止工程では、Ａステージの前記封止層によって前記光半導体素子を封止し、前記封止層製造工程においてＡステージの前記封止層を製造してから、前記封止工程においてＡステージの前記封止層によって前記光半導体素子を封止するまでの時間が、２４時間以下であることが好適である。

この方法によれば、封止層製造工程においてＡステージの封止層を製造してから、封止工程においてＡステージの封止層によって光半導体素子を封止するまでの時間が、短時間であるので、光半導体装置の製造効率を向上させることができる。

また、この方法によれば、封止層のＡステージを長時間維持する必要がないため、Ａステージの封止層を容易に設計し、管理することができる。そのため、Ａステージの封止層の設計および管理の自由度を高めることができる。

さらに、この方法によれば、封止層製造工程では、Ａステージの封止層を製造し、封止工程では、封止層によって光半導体素子を封止するので、Ｂステージの封止層を調製する工数を削減することができる。そのため、工数を低減して、光半導体装置の製造効率を向上させることができる。

本発明によれば、光半導体装置の製造効率を向上させることができる。また、封止層の設計および管理の自由度を高めることができる。

図１は、本発明の光半導体装置の製造方法の第１実施形態であるＬＥＤ装置の製造方法のフローチャートを示す。図２は、図１に示す各工程が実施されるＬＥＤ装置製造工場の概略図を示す。図３は、シート製造工程が実施されるシート製造エリアにおける各装置を示し、図３Ａは、ワニス調製エリアにおける混合容器、図３Ｂは、塗布エリアにおけるディスペンサ、図３Ｃは、Ｂステージ化エリアにおけるオーブンを示す。図４は、搬送工程で用いられるラックを示し、図４Ａは、すべての棚板が跳ね上げられている状態、図４Ｂは、一部の棚板が下げられて、封止シートが載置される状態、図４Ｃは、すべての棚板が下げられて、封止シートが載置される状態を示す。図５は、搬送工程で用いられるマガジンを示す。図６は、搬送工程で用いられる蓋付容器を示す。図７は、搬送工程で用いられ、セパレータを含むロールを示す。図８は、搬送工程で用いられ、スペーサを含むロールを示す。図９は、封止工程で用いられるプレス機を示す。図１０は、ＬＥＤ装置を示す。図１１は、封止シートの表面温度と、蓋付容器をステンレス台に載置してからの経過時間との関係を示す。図１２は、第１実施形態のＬＥＤ装置の製造方法の変形例で用いられる封止シート製造ユニットの概略側面図を示す。図１３は、本発明の光半導体装置の製造方法の第２実施形態であるＬＥＤ装置の製造方法のフローチャートを示す。図１４は、図１３に示す各工程が実施されるＬＥＤ装置製造工場の概略図を示す。図１５は、封止工程で用いられる積層装置を示す。図１６は、ＬＥＤ装置を示す。

＜第１実施形態＞
図１〜図１０を参照して、本発明の光半導体装置の製造方法の第１実施形態であるＬＥＤ装置５の製造方法について説明する。

ＬＥＤ装置５の製造方法は、図１０が参照されるように、封止層としてのＢステージの封止シート１によって光半導体素子としてのＬＥＤ４を封止して、ＬＥＤ装置５を製造する方法である。ＬＥＤ装置５の製造方法は、図１に示すように、封止層としてのＢステージの封止シート１を製造するシート製造工程（封止層製造工程の一例）、および、封止シート１によってＬＥＤ４を封止する封止工程を備える。また、ＬＥＤ装置５の製造方法は、シート製造工程で製造された封止シート１を、封止工程に搬送する搬送工程を備える。ＬＥＤ４の製造方法は、シート製造工程、搬送工程、および、封止工程を順次実施する。

図２に示すように、このＬＥＤ装置５の製造方法は、ＬＥＤ装置製造工場８内で実施される。ＬＥＤ装置製造工場８は、シート製造エリア９、搬送エリア１０および封止エリア１１を備えている。

上記した全てのエリア（シート製造エリア９、搬送エリア１０および封止エリア１１）は、例えば、同一工場の敷地内、つまり、１つの（同一の）ＬＥＤ装置製造工場８内に設けられている。

以下、各工程および各エリアについて詳述する。

＜シート製造工程＞
シート製造工程は、シート製造エリア９において実施される。

シート製造エリア９は、ワニス調製エリア９ａ、塗布エリア９ｂおよびＢステージ化エリア９ｃを備えている。

シート製造工程において、Ｂステージの封止シート１を製造するには、まず、例えば、ワニス調製エリア９ａにおいて、封止樹脂組成物を調製する。

封止樹脂組成物は、２段階硬化型樹脂を含有する。封止樹脂組成物は、好ましくは、２段階硬化型樹脂からなる。

２段階硬化型樹脂は、２段階の反応機構を有しており、１段階目の反応でＢステージ化（半硬化）し、２段階目の反応でＣステージ化（完全硬化）する硬化性樹脂である。

なお、Ｂステージは、２段階硬化型樹脂が、液状であるＡステージと、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージの弾性率よりも小さい状態である。

２段階硬化型樹脂としては、例えば、加熱により硬化する２段階硬化型熱硬化性樹脂、例えば、活性エネルギー線（例えば、紫外線、電子線など）の照射により硬化する２段階硬化型活性エネルギー線硬化性樹脂などが挙げられる。好ましくは、２段階硬化型熱硬化性樹脂が挙げられる。

具体的には、２段階硬化型熱硬化型樹脂として、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。好ましくは、透光性および耐久性の観点から、２段階硬化型シリコーン樹脂が挙げられる。

２段階硬化型シリコーン樹脂としては、例えば、縮合反応と付加反応との２つの反応系を有する縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂などが挙げられる。

このような縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂としては、例えば、シラノール両末端ポリシロキサン、アルケニル基含有トリアルコキシシラン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第１の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、シラノール基両末端ポリシロキサン（後述する式（１）参照）、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物（後述する式（２）参照）、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物（後述する式（３）参照）、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第２の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、両末端シラノール型シリコーンオイル、アルケニル基含有ジアルコキシアルキルシラン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第３の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、１分子中に少なくとも２個のアルケニルシリル基を有するオルガノポリシロキサン、１分子中に少なくとも２個のヒドロシリル基を有するオルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化触媒および硬化遅延剤を含有する第４の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、少なくとも２つのエチレン系不飽和炭化水素基と少なくとも２つのヒドロシリル基とを１分子中に併有する第１オルガノポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基を含まず、少なくとも２つのヒドロシリル基を１分子中に有する第２オルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化触媒およびヒドロシリル化抑制剤を含有する第５の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、少なくとも２つのエチレン系不飽和炭化水素基と少なくとも２つのシラノール基とを１分子中に併有する第１オルガノポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基を含まず、少なくとも２つのヒドロシリル基を１分子中に有する第２オルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化抑制剤、および、ヒドロシリル化触媒を含有する第６の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、ケイ素化合物、および、ホウ素化合物またはアルミニウム化合物を含有する第７の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、ポリアルミノシロキサンおよびシランカップリング剤を含有する第８の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂などが挙げられる。

縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂として、好ましくは、第２の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂が挙げられ、具体的には、特開２０１０−２６５４３６号公報などに詳細に記載され、例えば、シラノール基両末端ポリジメチルシロキサン、ビニルトリメトキシシラン、（３−グリシドキシプロピル）トリメトキシシラン、ジメチルポリシロキサン−ｃｏ−メチルハイドロジェンポリシロキサン、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび白金−カルボニル錯体を含有する。具体的には、第２の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂は、例えば、まず、縮合原料であるエチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物およびエチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物と、縮合触媒とを一度に加え、次いで、付加原料であるオルガノハイドロジェンポリシロキサンを加え、その後、ヒドロシリル化触媒（付加触媒）を加えることによって、調製される。

縮合触媒の含有割合は、縮合原料１００質量部に対して、例えば、１×１０^−５質量部以上、好ましくは、１×１０^−４質量部以上であり、また、例えば、５０質量部以下、好ましくは、１０質量部以下である。

縮合触媒の含有割合を上記した範囲から選択することにより、シート製造工程で製造された封止シート１（図３Ｃ参照）の２５℃における所望の圧縮弾性率Ｍ０（後述）を幅広い範囲から設定することができる。

２段階硬化型樹脂の配合割合は、封止樹脂組成物に対して、例えば、３０質量％以上、好ましくは、４０質量％以上、より好ましくは、５０質量％以上であり、また、例えば、９８質量％以下、好ましくは、９５質量％以下、より好ましくは、９０質量％以下である。

また、封止樹脂組成物には、必要により、蛍光体および／または充填剤を含有させることもできる。

蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。

黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）_２ＳｉＯ_４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ_３Ａｌ_３Ｏ_１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。

赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ_２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。

蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。

蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。

蛍光体は、単独使用または併用することができる。

蛍光体の配合割合は、２段階硬化型樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、例えば、８０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下でもある。

充填剤は、封止シート１（図３Ｃ参照）の靱性を向上させるために封止樹脂組成物に配合され、例えば、シリコーン粒子（具体的には、シリコーンゴム粒子を含む）などの有機微粒子、例えば、シリカ（例えば、煙霧シリカなど）、タルク、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの無機微粒子が挙げられる。また、充填剤の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。充填剤は、単独使用または併用することができる。充填剤の配合割合は、２段階硬化型樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、また、例えば、７０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下でもある。

封止樹脂組成物を調製するには、２段階硬化型樹脂と、必要により配合される蛍光体および／または充填剤とを、配合して混合する。また、上記した成分の他に、溶媒を適宜の割合で配合することもできる。溶媒としては、例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、例えば、キシレンなどの芳香族炭化水素、例えば、ビニルメチル環状シロキサン、両末端ビニルポリジメチルシロキサンなどのシロキサンなどが挙げられる。

封止樹脂組成物を調製するには、具体的には、図３Ａに示すように、ワニス調製エリア９ａにおいて、撹拌機５１を備える混合容器５２内に上記した各成分を配合し、続いて、撹拌機５１を用いてそれらを混合する。

より具体的には、Ａステージの２段階硬化型樹脂と、蛍光体および／または充填剤と、必要により溶媒とを配合して混合する。これによって、Ａステージの封止樹脂組成物をワニスとして調製する。

ワニスの２５℃、１気圧の条件下における粘度は、例えば、１，０００ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは、４，０００ｍＰａ・ｓ以上であり、また、例えば、１，０００，０００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは、１００，０００ｍＰａ・ｓ以下である。なお、粘度は、ワニスを２５℃に温度調節し、Ｅ型コーンを用いて、回転数９９ｓ^−１で測定される。以下の粘度は、上記と同様の方法によって、測定される。

次いで、この方法では、図２に示す塗布エリア９ｂにおいて、Ａステージの封止樹脂組成物（ワニス）を塗布する。

具体的には、図３Ｂに示すように、ワニスを、離型シート２の表面に塗布する。

離型シート２としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。好ましくは、ポリマーフィルムが挙げられる。また、離型シート２の表面には、フッ素処理などの剥離処理を施すこともできる。また、離型シート２の形状は、特に限定されず、例えば、平面視略矩形状（短冊状、長尺状を含む）などに形成されている。

ワニスを離型シート２の表面に塗布するには、例えば、ディスペンサ、アプリケータ、スリットダイコータなどの塗布装置が用いられる。好ましくは、図３Ｂに示すディスペンサ１３が用いられる。

また、次のＢステージ化工程において封止シート１の厚みが、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下となるように、ワニスを離型シート２に塗布する。

ワニスは、平面視において、例えば、略矩形状（短冊状、長尺状を含む）、例えば、円形状など、適宜の形状に塗布される。上記した形状を構成するワニスは、互いに間隔を隔てて形成されていてもよい。

また、ワニスを、例えば、平面視略矩形状（長尺状を除く）の離型シート２に塗布して、次に説明するＢステージ化によって、枚葉式の封止シート１としたり、あるいは、長尺状の離型シート２に連続して塗布して、次に説明するＢステージ化によって、連続式の封止シート１とすることもできる。好ましくは、ワニスを、離型シート２に塗布して枚葉式の封止シート１とする。なお、封止シート１を枚葉式とする場合であって、同一の離型シート２において、複数の封止シート１を製造する場合には、ワニスを断続的に塗布する。

その後、図２に示すＢステージ化エリア９ｃにおいて、塗布されたワニスをＢステージ化（半硬化）する。

ワニスが２段階硬化型熱硬化性樹脂を含有する場合には、例えば、塗布されたワニスを、加熱する。

ワニスを加熱するには、例えば、図３Ｃに示すように、離型シート２の上側および／または下側に対向配置されるヒータ５４を備えるオーブン５５が用いられる。

加熱条件は、加熱温度が、例えば、４０℃以上、好ましくは、８０℃以上、より好ましくは、１００℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１５０℃以下、より好ましくは、１４０℃以下である。加熱時間は、例えば、１分間以上、好ましくは、５分間以上、より好ましくは、１０分間以上であり、また、例えば、２４時間以下、好ましくは、１時間以下、より好ましくは、０．５時間以下である。

加熱条件を上記した範囲から選択することにより、シート製造工程で製造された封止シート１の２５℃における所望の圧縮弾性率Ｍ０（後述）を幅広い範囲から設定することができる。

あるいは、ワニスが２段階硬化型活性エネルギー線硬化性樹脂を含有する場合には、ワニスに活性エネルギー線を照射する。

これによって、ワニスは、Ｂステージ化（半硬化）する一方、Ｃステージ化（完全硬化）せず、すなわち、Ｃステージ化（完全硬化）前の封止シート１、すなわち、Ｂステージの封止シート１が形成される。

なお、Ｃステージ化とは、硬化度が９０％以上である状態をいう。なお、硬化度は、例えば、加熱または活性エネルギー線照射を行うことにより圧縮弾性率の上昇が飽和した状態を硬化度１００％とし、それから圧縮弾性率の比（飽和した圧縮弾性率に対する測定サンプルの圧縮弾性率の比）により、算出される。

これによって、図２のシート製造エリア９において、図３Ｃに示すように、離型シート２の表面に積層されるＢステージの封止シート１を製造する。

このシート製造工程で製造された封止シート１の２５℃における圧縮弾性率Ｍ０は、例えば、０．０４０ＭＰａ以上、好ましくは、０．０５０ＭＰａ以上、より好ましくは、０．０７５ＭＰａ以上、さらに好ましくは、０．１００ＭＰａ以上であり、また、例えば、０．１４５ＭＰａ以下、好ましくは、０．１４０ＭＰａ以下、より好ましくは、０．１３５ＭＰａ以下、さらに好ましくは、０．１２５ＭＰａ以下である。

圧縮弾性率Ｍ０が上記した上限を超えると、封止シート１によってＬＥＤ４を封止する際には、所望の圧縮弾性率（例えば、後述するシート製造工程においてＢステージの封止シート１を製造してから、２４時間後に、封止工程において封止シート１によってＬＥＤ４を封止する際の封止シート１の圧縮弾性率Ｍ２）の上限を超える場合がある。その場合には、ＬＥＤ４が基板６にワイヤボンディング接続されていれば（図９の破線参照）、ワイヤ７が変形する場合がある。

一方、圧縮弾性率Ｍ０が上記した下限に満たないと、封止シート１の形状を確保することが困難となる。つまり、ワニスが封止シート１の形状を成さない場合がある。

詳しくは、２５℃における圧縮弾性率Ｍ０が例えば、０．０４０ＭＰａ以上、０．１００ＭＰａ未満である封止シート１をシート製造工程で製造するには、例えば、２段階硬化型樹脂が縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂（具体的には、第１〜３の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂）である場合において、縮合触媒の含有割合を、縮合原料１００質量部に対して、例えば、１×１０^−５質量部以上、好ましくは、１×１０^−４質量部以上に設定するか、あるいは、加熱温度を、例えば、８０℃以上、さらには、１００℃以上で、また、例えば、１８０℃以下、さらには、１５０℃以下に設定する場合において、加熱時間を、例えば、６０分間以下、好ましくは、４０分間以下、より好ましくは、３０分間以下、また、例えば、５分間以上に設定する。

また、２５℃における圧縮弾性率Ｍ０が例えば、０．１００ＭＰａ以上、０．１４５ＭＰａ未満である封止シート１をシート製造工程で製造するには、例えば、２段階硬化型樹脂が縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂（具体的には、第１〜３の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂）である場合において、縮合触媒の含有割合を、縮合原料１００質量部に対して、例えば、１×１０^−５質量部以上、好ましくは、１×１０^−４質量部以上に設定するか、あるいは、加熱温度を、例えば、８０℃以上、さらには、１００℃以上で、また、例えば、１８０℃以下、さらには、１５０℃以下に設定する場合において、加熱時間を、例えば、９０分間以下、好ましくは、６０分間以下、より好ましくは、４５分間以下、また、例えば、７．５分間以上に設定する。

シート製造工程で製造された封止シート１を２５℃で２４時間保存したときの、２５℃における圧縮弾性率の増加量ΔＭは、例えば、０ＭＰａ以上、また、例えば、０．０１５ＭＰａ以上であり、また、例えば、０．１２０ＭＰａ以下である。

なお、増加量ΔＭは、シート製造工程で製造された封止シート１を２５℃で２４時間保存した後の圧縮弾性率Ｍ２から、シート製造工程で製造された封止シート１を２５℃で２４時間保存する前の圧縮弾性率Ｍ０、すなわち、シート製造工程で製造された封止シート１の２５℃における圧縮弾性率Ｍ０を差し引いた値（Ｍ２−Ｍ０）である。

増加量ΔＭが上記した下限に満たないと、封止シート１のＢステージからＣステージへの状態変化が過度に遅くなる。そのため、封止シート１をＣステージ化する時間が過度に長時間となる場合がある。その結果、ＬＥＤ装置５（図１０参照）の製造効率が低下する場合がある。

一方、増加量ΔＭが上記した上限を超えると、封止シート１のＢステージからＣステージへの状態変化が過度に速くなる。そのため、後述するが、シート製造工程において封止シート１を製造してから、封止工程において封止シート１によってＬＥＤ４を封止するまでの間に、封止シート１がＢステージからＣステージとなり、その結果、ＬＥＤ４が基板６にワイヤボンディング接続されていれば、ワイヤ７が変形したり、あるいは、封止シート１によってＬＥＤ４を確実に封止することができない場合がある。

詳しくは、２５℃で２４時間保存したときの、２５℃における圧縮弾性率の増加量ΔＭが、例えば、０．０５０ＭＰａ以上（さらには、０．０７５ＭＰａ以上、さらには、０．１００ＭＰａ以上）、また、例えば、０．１２０ＭＰａ以下となるように、シート製造工程で製造される封止シート１は、相対的にＣステージとなる時間が短い短時間硬化性（つまり、速硬化性）の封止シート１とされる。このような速硬化性の封止シート１を得るには、例えば、２段階硬化型樹脂が縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂（具体的には、第１〜３の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂）である場合において、ヒドロシリル化触媒の含有割合は、付加原料１００質量部に対して、例えば、５．６×１０^−３質量部以上、好ましくは、０．０１質量部以上である。

一方、２５℃で２４時間保存したときの、２５℃における圧縮弾性率の増加量ΔＭが、例えば、０．０１５ＭＰａ以上、また、例えば、０．０５０ＭＰａ未満となるように、シート製造工程で製造される封止シート１は、相対的にＣステージとなる時間が遅い長時間硬化性（あるいは、遅硬化性）の封止シート１とされる。このような遅硬化性の封止シート１を得るには、例えば、２段階硬化型樹脂が縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂（具体的には、第１〜３の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂）である場合において、ヒドロシリル化触媒の含有割合は、付加原料１００質量部に対して、例えば、１×１０^−３質量部以上、好ましくは、５×１０^−４質量部以上である。

その後、図２のシート製造エリア９において、必要により、連続式のＢステージの封止シート１を、連続する離型シート２とともに、所定形状に切断して、枚葉式の封止シート１とすることもできる。

＜搬送工程＞
搬送工程は、図２に示すように、搬送エリア１０において実施される。搬送エリア１０は、シート製造エリア９と封止エリア１１との間に設けられている。

搬送工程では、シート製造エリア９において、シート製造工程で製造された封止シート１を、室温で搬送して、封止工程が実施される封止エリア１１に供給する。あるいは、封止シート１を、室温未満の低温で搬送する。

室温は、例えば、冷凍庫や冷蔵庫などの、特別の冷却設備によって封止シート１を積極的に冷却するために低温に維持された温度ではない温度である一方、例えば、空調設備によって、作業環境を整えるために適度に冷却された温度を含み、具体的には、例えば、１０℃以上、さらには、２０℃以上、さらには、２３℃以上であり、また、例えば、４０℃以下、さらには、３０℃以下、さらには、２５℃以下である。

室温未満の低温は、特別の冷却設備によって封止シート１を冷却するために低温に維持された温度であって、具体的には、例えば、１０℃未満、さらには、５℃以下で、また、−６０℃以上である。

好ましくは、シート製造工程で製造された封止シート１を、室温で搬送する。封止シート１を室温で搬送すれば、上記した冷却のための冷却設備が不要となり、そのため、ＬＥＤ装置５の製造設備を簡略化することができ、その結果、ＬＥＤ装置５の製造コストを低減することができる。

封止シート１を搬送するには、封止シート１が枚葉式で製造される場合には、例えば、図４に示すラック１５、例えば、図５に示すマガジン１６、例えば、図６に示す蓋付容器１７などの搬送容器に収容し、搬送容器を封止工程におけるプレス機２０（後述、図９参照）に搬送する。

また、封止シート１が連続式で製造される場合には、図７に示すように、離型シート２を長尺状に形成し、封止シート１の表面（離型シート２に対する接触面と反対側面）にセパレータ１８を積層し、離型シート２、封止シート１およびセパレータ１８を巻回してロール２２を形成し、封止シート１をプレス機２０（後述、図９参照）にロール２２として搬送することもできる。

あるいは、封止シート１が連続式で製造される場合には、図８に示すように、長尺状の離型シート２において、封止シート１に対する幅方向（長尺方向および厚み方向に直交する方向）両外側に、長尺状のスペーサ１２を設け、続いて、離型シート２、封止シート１およびスペーサ１２を、封止シート１の表面が離型シート２の裏面に接触しないように巻回して、ロール２２を形成し、封止シート１をプレス機２０（後述、図９参照）にロール２２として搬送することもできる。

さらに、封止シート１が連続式で製造される場合に、封止シート１を封止エリア１１に供給するには、封止シート１を、例えば、図２の仮想線で示すコンベア１４で連続的に封止エリア１１に搬送することもできる。

上記した搬送容器のうち、好ましくは、封止シート１が他の部材に接触することを確実に防止する観点から、図４に示すラック１５、図５に示すマガジン１６、図６に示す蓋付容器１７が用いられる。つまり、枚葉式の封止シート１を搬送する搬送容器が用いられる。

図４に示すように、ラック１５は、側面視略Ｌ字形状のフレーム３０と、フレーム３０に上下方向に回動自在に取り付けられる複数の棚板３１と、フレーム３０に取り付けられるキャスタ３２とを備える。

フレーム３０は、平面視略矩形枠状に形成される底フレーム３３と、底フレーム３３の後端部から上側に延びる背フレーム３４とを一体的に備える。

棚板３１は、上下方向に間隔を隔てて複数設けられている。棚板３１は、網棚状をなし、その後端部が、背フレーム３４に跳ね上げ自在に回動支持されている。また、棚板３１の前端部には、下方に突出する保持片３５が設けられており、具体的には、棚板３１は、棚板３１の前端部が下がるときに、保持片３５が棚板３１の水平姿勢を保持できるように、構成されている。棚板３１は、図４Ａに示すように、封止シート１が載置されていないときには、跳ね上げられ、傾斜状に配置されている。一方、棚板３１は、図４Ｂおよび図４Ｃに示すように、封止シート１が載置されているときには、上下方向に隣接する棚板３１が互いに接触せず、これによって、各棚板３１間に収容空間が形成される。また、各棚板３１は、水平姿勢が保持される。

キャスタ３２は、底フレーム３３の下面に複数設けられている。

封止シート１をラック１５に収容するには、まず、図４Ａに示す、跳ね上げられた棚板３１（例えば、最下部に位置する棚板３１）の前端部を、図４Ｂの矢印で示すように、下げて、水平にし、次いで、かかる棚板３１の上に、封止シート１を載置する。具体的には、離型シート２が棚板３１の上面に接触するように、配置する。

また、複数の封止シート１をラック１５に収容するには、図４Ｂに示すように、封止シート１が載置された最下段の棚板３１の上側に隣接配置される棚板３１を水平にし、かかる棚板３１の上に、封止シート１を載置する。この動作を繰り返す。これによって、図４Ｃに示すように、全ての棚板３１のそれぞれに、封止シート１を載置する。これによって、複数の封止シート１をラック１５に収容する。

その後、ラック１５を、キャスタ３２を利用して、図２に示す封止エリア１１に搬送する。

このようなラック１５は、汎用性があり、さらに、封止シート１を収容しない場合には、ラック１５をコンパクトに保管することができるので、省スペース化を図ることができる。

図５に示すマガジン１６は、前方が開放される略箱形状のケース３６と、ケース３６内に設けられる載置板３７とを備えるラックである。

載置板３７は、封止シート１（離型シート２）の周端部が載置される支持板である。載置板３７は、上下方向に互いに間隔を隔てるように、ケース３６内に整列状に複数取り付けられている。各載置板３７は、仮想線で示すように、略平板形状、あるいは、実線で示すように、前方が開放される平面視略コ字形状（実線、但し、図５においてコ字形状は図示されない）に形成されている。

封止シート１をマガジン１６に収容するには、離型シート２を載置板３７の上面に載置する。

その後、マガジン１６を、図２に示す封止エリア１１に搬送する。

図６に示す蓋付容器１７は、トレイ４０と、カバー（上蓋）４１とを備える。

トレイ４０は、ＰＥＴなどの樹脂から、薄板状に形成されており、トレイ鍔部４２と、トレイ平板部４３と、トレイ枠部４４とを一体的に備えている。

トレイ鍔部４２は、トレイ４０の周縁部分において、平面視略枠形状に形成されている。

トレイ平板部４３は、トレイ４０の内側部分を形成し、トレイ鍔部４２の内周縁よりも、トレイ４０の内側に配置される平板形状に形成されている。

トレイ枠部４４は、トレイ枠部４４の内周縁と、トレイ平板部４３の外周縁とを連結し、上方に向かって突出するように形成されている。

カバー４１は、カバー鍔部４５と、カバー平板部４６とを一体的に備えている。

カバー鍔部４５は、カバー４１の周縁部分において、平面視略枠形状に形成されている。また、カバー鍔部４５には、トレイ４０とカバー４１とを上下方向に重ねたときに、トレイ枠部４４の上端部に嵌合される嵌合溝４７が形成されている。

カバー平板部４６は、下方に向かって開放される断面視略コ字形状をなし、カバー鍔部４５の内側に配置される平板形状に形成されている。カバー平板部４６は、カバー鍔部４５より上側に突出するように形成されている。

封止シート１を蓋付容器１７に収容するには、まず、トレイ４０を用意し、次いで、封止シート１が積層された離型シート２をトレイ４０のトレイ平板部４３に載置する。その後、カバー４１を、トレイ枠部４４の上端部が嵌合溝４７に嵌合するように、トレイ４０に重ねる。これによって、トレイ平板部４３とカバー平板部４６との間に、収容空間が区画される。封止シート１は、カバー４１のカバー平板部４６と間隔を隔てて、蓋付容器１７内の収容空間に収容される。

また、封止シート１を収容した蓋付容器１７を、例えば、アルミニウムなどの金属、または、ポリプロピレン、ポリエチレンなどの樹脂からなる保存袋（パウチ）などに、さらに収容することもできる。これにより、封止シート１の急激な温度を防止すること、具体的には、後述する冷却された封止シート１を室温に戻す際の急激な温度上昇を防止することができる。好ましくは、水蒸気遮断性の観点から、アルミニウム製のパウチを用いる。

この蓋付容器１７によれば、封止シート１が他の部材に接触することを防止することができる。

＜封止工程＞
図２に示すように、封止工程は、封止エリア１１において実施される。封止エリア１１は、ＬＥＤ用意エリア１１ａ、設置／プレスエリア１１ｂおよびＣステージ化エリア１１ｃを備えている。

具体的には、まず、図２のＬＥＤ用意エリア１１ａにおいて、図９に示す、ＬＥＤ４が実装された基板６を用意する。

基板６は、例えば、シリコン基板、セラミック基板、ポリイミド樹脂基板、金属基板に絶縁層が積層された積層基板などの絶縁基板からなる。

また、基板６の表面には、次に説明するＬＥＤ４の端子（図示せず）と電気的に接続するための電極（図示せず）と、それに連続する配線とを備える導体パターン（図示せず）が形成されている。導体パターンは、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体から形成されている。

ＬＥＤ４は、電気エネルギーを光エネルギーに変換する光半導体素子であり、例えば、厚みが面方向長さ（厚み方向に対する直交方向長さ）より短い断面視略矩形状に形成されている。

ＬＥＤ４としては、例えば、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）が挙げられる。ＬＥＤ４の厚みは、例えば、１０〜１０００μｍである。

ＬＥＤ４は、基板６に対して、例えば、ワイヤボンディング接続またはフリップチップ実装されている。好ましくは、図９の破線で示すように、ＬＥＤ４は基板６に実装されるとともに、ＬＥＤ４の端子が基板６の電極とワイヤ７を用いてワイヤボンディング接続されている。

ＬＥＤ４の端子が基板６の電極とワイヤボンディング接続されている場合には、ＬＥＤ４の表面には、図示しない端子が形成されており、かかる端子が、基板６の表面においてＬＥＤ４の実装位置と左右方向に間隔を隔てて設けられる電極（図示せず）と、ワイヤ７を介して、電気的に接続される。

ワイヤ７は、線状に形成され、その一端がＬＥＤ４の端子に電気的に接続され、他端が基板６の電極（図示せず）に電気的に接続されている。

ワイヤ７の材料としては、例えば、金、銀、銅など、ＬＥＤのワイヤボンディング材として用いられる金属材料が挙げられ、耐腐食性の観点から、好ましくは、金が挙げられる。

ワイヤ７の線径（太さ）は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下でもある。

また、ワイヤ７は、ＬＥＤ４の端子と基板６の電極とを接続している状態において、湾曲または屈曲されて、略弧形状（例えば、三角弧形状、四角弧形状、円弧形状など）に形成されている。

次いで、この方法では、図２に示す設置／プレスエリア１１ｂにおいて、ＬＥＤ４が実装された基板６を、図９に示すプレス機２０に設置する。

プレス機２０は、設置／プレスエリア１１ｂおよびＣステージ化エリア１１ｃに連続して（わたって）配置されている。プレス機２０としては、例えば、上下方向に間隔を隔てて対向配置される２枚の平板２１を備える平板プレス機などが採用される。なお、２枚の平板２１は、設置／プレスエリア１１ｂおよびＣステージ化エリア１１ｃの両エリアを移動可能に構成されている。

設置／プレスエリア１１ｂにおいて、具体的には、ＬＥＤ４が実装された基板６を、下側の平板２１に設置する。

続いて、図２に示す搬送エリア１０から供給される封止シート１を、上下反転させて、ＬＥＤ４の上側に対向配置させる。つまり、封止シート１を、ＬＥＤ４に向かうように、配置する。

次いで、図１０に示すように、封止シート１によってＬＥＤ４を埋設する。

具体的には、図９の矢印で示すように、封止シート１を降下させる（押し下げる）。詳しくは、封止シート１をＬＥＤ４が実装される基板６に対してプレスする。具体的には、上側の平板２１を、下側の平板２１に近接させる。

プレス圧は、例えば、０．０５ＭＰａ以上、好ましくは、０．１ＭＰａ以上であり、また、例えば、１ＭＰａ以下、好ましくは、０．５ＭＰａ以下である。

これによって、封止シート１によってＬＥＤ４およびワイヤ７を被覆する。つまり、ＬＥＤ４およびワイヤ７が封止シート１内に埋設される。

これによって、封止シート１によって、ＬＥＤ４およびワイヤ７を封止する。

その後、図２のＣステージ化エリア１１ｃにおいて、封止シート１をＣステージ化する。

Ｃステージ化エリア１１ｃには、オーブンが設けられている。

２段階硬化型樹脂が２段階硬化型熱硬化性樹脂である場合には、封止シート１を加熱する。具体的には、平板２１による封止シート１に対するプレス状態を維持しながら、平板２１をＣステージ化エリア１１ｃに移動させて、オーブン内に投入する。これによって、封止シート１を加熱する。

加熱温度は、例えば、８０℃以上、好ましくは、１００℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下である。また、加熱時間は、例えば、１０分間以上、好ましくは、３０分間以上であり、また、例えば、１０時間以下、好ましくは、５時間以下である。

封止シート１の加熱によって、封止シート１がＣステージ化（完全硬化）する。

なお、２段階硬化型樹脂が２段階硬化型活性エネルギー線硬化性樹脂である場合には、Ｃステージ化エリア１１ｃにおいて、封止シート１に活性エネルギー線を照射することによって、封止シート１をＣステージ化（完全硬化）させる。具体的には、紫外線ランプなどを用いて封止シート１に紫外線を照射する。

そして、この製造方法では、シート製造エリア９（Ｂステージ化エリア９ｃ）のシート製造工程において封止シート１を製造してから（具体的には、ワニスをＢステージ化した時点から）、封止エリア１１（設置／プレスエリア１１ｂ）の封止工程において封止シート１によってＬＥＤ４を封止するまで（具体的には、封止シート１によってＬＥＤ４を埋設した時点まで）の時間Ｔは、２４時間以下、好ましくは、１８時間以下、より好ましくは、１２時間以下、さらに好ましくは、６時間以下、とりわけ好ましくは、３時間以下であり、また、例えば、１秒間以上、好ましくは、１分間以上である。

上記した時間Ｔが上記上限を超えれば、ＬＥＤ装置５の製造効率を向上させることが不十分である。

これによって、封止シート１と、封止シート１によって封止されるＬＥＤ４と、ＬＥＤ４が実装された基板６とを備える、光半導体装置としてのＬＥＤ装置５が製造される。

その後、必要により、離型シート２を、図１０の仮想線で示すように、封止シート１から引き剥がす。

なお、封止シート１が複数のＬＥＤ４を封止する場合には、図示しないが、その後、必要により、各ＬＥＤ４に対応して、封止シート１を切断して個片化する。

そして、この方法によれば、シート製造工程において封止シート１を製造してから、封止工程において封止シート１によってＬＥＤ４を封止するまでの時間Ｔが、短時間であるので、ＬＥＤ装置５の製造効率に向上させることができる。

詳しくは、従来の方法では、封止シート１を、シート製造工場において製造して出荷し、その後、シート製造工場とは異なる場所にある封止工場（具体的には、ＬＥＤ装置製造工場）において、封止シート１によって、ＬＥＤ４を封止している。

しかしながら、この方法は、１つの（同一の）工場、具体的には、ＬＥＤ装置製造工場８に、シート製造エリア９、搬送エリア１０および封止エリア１１を備えて、ＬＥＤ装置製造工場８内の各エリアにおいて上記した各工程を実施する。換言すれば、シート製造工場をＬＥＤ装置製造工場内に設けて、同一工場内において、シート製造工程および封止工程を実施する。このような方法によって、上記した時間Ｔを短時間とすることができる。

さらに、この方法によれば、封止シート１のＣステージ前の状態、具体的には、封止シート１のＢステージを長時間維持する必要がないため、Ｂステージの封止シート１を容易に設計し管理することができる。そのため、Ｂステージの封止シート１の設計および管理の自由度を高めることができる。

また、従来の方法では、封止シート１の搬送および保管に長時間を要するので、封止シート１がＣステージ前の状態、具体的には、ＢステージからＣステージになることを防止するために、Ｂステージの封止シート１を低温に冷却（冷凍）して搬送および保管する必要がある。

しかし、この方法によれば、Ｃステージ前の状態、具体的には、ＢステージからＣステージまでの時間Ｔが短時間であるので、シート製造工程で製造されたＢステージの封止シート１を、室温で搬送して、封止工程に供給することができる。そのため、上記した冷却のための工数および設備が不要となり、その結果、ＬＥＤ装置５の製造コストを低減することができる。

また、封止シート１を冷却する場合には、冷却された封止シート１を室温に戻した後、かかる封止シート１によってＬＥＤ４を封止する必要があるところ、冷却された封止シート１を短時間で室温に戻すと、封止シート１に結露を生じ、かかる結露した封止シート１によってＬＥＤ４を封止すると、ボイドを生じ、ＬＥＤ装置５の信頼性が低下する場合がある。

一方、封止シート１の結露を防止するために、冷却された封止シート１を長時間にわたって室温に戻すようにすると、ＬＥＤ装置５の製造効率が著しく低下する。

しかるに、この方法によれば、上記した冷却が不要となるので、冷却された封止シート１を室温に戻すことも不要となり、製造時間を短縮することができる。そのため、製造コストを低減することができる。さらに、上記した結露に起因するボイドの発生も防止できるので、信頼性の高いＬＥＤ装置５を製造することができる。

さらに、この方法によれば、封止工程では、Ｂステージの封止シート１によってＬＥＤ４を封止するので、液状であるＡステージの封止層６１（後述）に比べて取扱性に優れるＢステージの封止シート１によって、ＬＥＤ４を簡便に封止することができる。

また、シート製造工程で製造された封止シート１の２５℃における圧縮弾性率が、０．０４０ＭＰａ以上、０．１４５ＭＰａ以下であれば、使用できる封止シート１の圧縮弾性率の範囲が広いので、封止シート１の設計の自由度をより一層高めることができる。

また、この方法によれば、２５℃で２４時間保存したときの、２５℃における圧縮弾性率の増加量ΔＭが大きい封止シート１によっても、ＬＥＤ４を封止することができる。つまり、速硬化性の封止シート１を用いて、Ｃステージ化に要する時間を短縮することができる。そのため、ＬＥＤ装置５の製造時間を短縮することができ、その結果、製造コストを低減することができる。

＜変形例＞
なお、第１実施形態では、図９の実線矢印で示すように、上側の平板２１を下側の平板２１に近接させているが、例えば、図９の破線で示すように、下側の平板２１を上側の平板２１に近接させることもできる。つまり、下側の平板２１に配置され、ＬＥＤ４が実装される基板６を、封止シート１に向けてプレスする。

また、上記した図９の第１実施形態では、ＬＥＤ４が実装された基板６を下側の平板２１に配置し、封止シート１が積層された離型シート２を上側の平板２１に配置している。しかし、例えば、図１５が参照されるように、それらを上下逆に配置することもできる。すなわち、ＬＥＤ４が実装された基板６を上側の平板２１に配置し、封止シート１が積層された離型シート２を下側の平板２１に配置することもできる。

また、上記した図２の第１実施形態では、オーブンを備えるＣステージ化エリア１１ｃを封止エリア１１に設けているが、例えば、図示しないが、Ｃステージ化エリア１１ｃを封止エリア１１に設けることなく、封止エリア１１を構成することもできる。その場合には、例えば、図９に示す平板２１にヒータを装備させ、このヒータによって、Ｂステージの封止シート１を加熱することによって、封止シート１をＣステージ化する。

また、図２の第１実施形態では、搬送エリア１０を、シート製造エリア９および封止エリア１１の間に設けているが、これに限定されず、また、特に搬送エリア１０を設けることなく、ＬＥＤ装置製造工場８を構成することもできる。

図１０の第１実施形態では、本発明における光半導体素子および光半導体装置として、それぞれ、ＬＥＤ４およびＬＥＤ装置５を一例として説明しているが、例えば、それぞれ、ＬＤ（レーザーダイオード）４およびレーザーダイオード装置５とすることもできる。

図２の実施形態では、ＬＥＤ装置製造工場８にシート製造エリア９を予め設けているが、例えば、図１２に示すように、移動可能な封止シート製造ユニット９１を、ＬＥＤ装置製造工場８内に設置することもできる。

封止シート製造ユニット９１は、コンテナ９２と、コンテナ９２に収容されるシート製造装置９３とを備える。

コンテナ９２は、筐体９４と、走行装置としての第１車輪９５と、第１連結部材９６と、ランディングギヤ９７とを備える。

シート製造装置９３は、筐体９４内に収容されている。シート製造装置９３は、ワニス調製装置９８と、シート調製装置９９とを備える。

ワニス調製装置９８は、例えば、混合容器５２と、撹拌機５１とを備える。

シート調製装置９９は、ワニス調製装置９８に隣接配置されている。シート調製装置９９は、例えば、塗布装置１３と、加熱装置１１８とを備える。

塗布装置１３としては、例えば、ディスペンサなどが挙げられる。

加熱装置１１８としては、ホットプレートなどが挙げられる。

上記したシート製造装置９３に備えられる各部材（ワニス調製装置９８およびシート調製装置９９）は、筐体９４に固定されている。

（封止シート１の製造）
次に、図１２および図２を参照して、封止シート製造ユニット９１を用いて封止シート１を製造し、その後、封止シート１によって、ＬＥＤ４を封止してＬＥＤ装置５を製造する方法について説明する。

＜封止シート製造ユニット９１の移動＞
この方法では、まず、封止シート製造ユニット９１を、ＬＥＤ装置製造工場８内に移動させる。

具体的には、ＬＥＤ装置製造工場８におけるＬＥＤ装置製造建屋（図示せず）内あるいはＬＥＤ装置製造工場８の敷地内（以下、これらを単に「ＬＥＤ装置製造工場８内」という場合がある。）に、封止シート製造ユニット９１を移動させる。

あるいは、ＬＥＤ装置製造工場８の近傍における所定の設置箇所（具体的には、上記したＬＥＤ装置製造建屋（図示せず）の近傍におけるコンテナ９２の設置箇所）などに移動させる。

まず、図１２に示すように、封止シート製造ユニット９１とトレーラー１５０とを連結する。

トレーラー１５０は、シャシー１４８と、キャブ１４９と、キャブ１４９に収容されるエンジン１５１と、シャシー１４８に設けられる車軸に対して回転可能に構成される第２車輪１５２と、第２連結部材１５３とを備える。

封止シート製造ユニット９１とトレーラー１５０とを連結するには、まず、シャシー１４８の後側部分を、コンテナ９２の下側部分に挿入して、第２連結部材１５３と第１連結部材９６とを上下方向に対向配置して、それらを連結する。次いで、トレーラー１５０のエンジン１５１の駆動力に基づいて、コンテナ９２を牽引する。この際、コンテナ９２は、第１車輪９５の回転によって、トレーラー１５０とともに走行する。その後、トレーラー１５０および封止シート製造ユニット９１を、ＬＥＤ装置製造工場８内あるいは所定の設置箇所に移動させる。次いで、図１２の仮想線および矢印で示すように、ランディングギヤ９７を下側に進出させて、ランディングギヤ９７の下端部を接地させる。続いて、第２連結部材１５３と第１連結部材９６との連結を解除して、キャブ１４９の後側部分を、コンテナ９２の下側部分から脱離させる。これによって、トレーラー１５０をコンテナ９２から切り離す。

＜シート製造装置９３の運転＞
次いで、コンテナ９２内において、シート製造装置９３を運転して、封止シート１を製造する。具体的には、ワニスを、剥離シート２の表面に塗布し、その後、ワニスが２段階硬化型熱硬化性樹脂を含有する場合には、加熱装置１１８でワニスを加熱することによって、ワニスをＢステージ化（半硬化）して、封止シート１を得る。

その後、得られた封止シート１によりＬＥＤ４を封止して、ＬＥＤ装置５を製造する。

具体的には、封止シート製造ユニット９１により製造されたＢステージの封止シート１を、ＬＥＤ装置製造工場の建屋（図示せず）内に設備されたプレス機２０（図９参照）にセットする。

別途、図９に示すように、まず、ＬＥＤ４が実装された基板６を用意して、基板６を上記した熱プレス装置にセットする。

次いで、この方法では、図９に示すように、剥離シート２の上面に積層される封止シート１（図１２）を、上下反転させて、ＬＥＤ４の上側に対向配置させる。つまり、封止シート１を、ＬＥＤ４に向かうように、配置する。具体的には、封止シート１、ＬＥＤ４および基板６を、ＬＥＤ装置製造工場の建屋内に設備されたプレス機２０に配置する。

これによって、封止シート１と、封止シート１によって封止されるＬＥＤ４と、ＬＥＤ４が実装された基板６とを備えるＬＥＤ装置５が製造される。

その後、必要により、図１０に示すように、剥離シート２を封止シート１から剥離する。

（必要数の封止シート１の製造の終了）
封止シート製造ユニット９１によって必要数の封止シート１が製造されるとともに、プレス機２０において必要数のＬＥＤ装置５が製造されれば、次いで、封止シート製造ユニット９１を別のＬＥＤ装置製造工場内や設置箇所、具体的には、最初のＬＥＤ装置製造工場８と離間した地域に設備された次のＬＥＤ装置製造工場内や設置箇所に、封止シート製造ユニット９１を移動させる。その後、トレーラー１５０および封止シート製造ユニット９１を、最初のＬＥＤ装置製造工場８内や設置箇所から、次のＬＥＤ装置製造工場内や設置箇所に移動させる。

（作用効果）
この変形例の封止シート製造ユニット９１によれば、シート製造装置９３をコンテナ９２とともに、Ｂステージの封止シート１によって封止対象であるＬＥＤ４を封止するＬＥＤ装置製造工場内やＬＥＤ装置製造工場の近傍におけるコンテナ９２の設置箇所に移動させることができる。そのため、ＬＥＤ装置製造工場８内や設置箇所においてＢステージの封止シート１を製造することができる。そのため、製造したＢステージの封止シート１を、ＬＥＤ装置製造工場８の建屋（図示せず）内に設備されたプレス機２０に、そのまま、短時間で搬送することができる。その結果、製造後に封止シート１を搬送するための搬送時間を大幅に短縮することができる。

また、ＬＥＤ装置製造工場８内や設置箇所において封止シート１を製造して、その後、ＬＥＤ装置製造工場８において、Ｂステージの封止シート１によってＬＥＤ４を封止することができるので、Ｂステージの封止シート１によってＬＥＤ４を確実に封止することができる。そのため、上記した冷却設備を必要としないので、製造コストを抑制することができる。

＜第２実施形態＞
図１３〜図１６を参照して、本発明の光半導体装置の製造方法の第２実施形態であるＬＥＤ装置５の製造方法について説明する。

第２実施形態において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

第１実施形態では、封止層としてＢステージの封止シート１を製造し、次いで、そのＢステージの封止シート１によって光半導体素子３を封止している。しかし、封止層としてＡステージの封止層６１を製造し、次いで、そのＡステージの封止層６１によって光半導体素子３を封止することもできる。

第２実施形態のＬＥＤ装置５の製造方法は、図１５および図１６に示すように、Ａステージの封止層６１によってＬＥＤ４を封止して、ＬＥＤ装置５を製造する方法である。ＬＥＤ装置５の製造方法は、図１４に示すように、Ａステージの封止層６１を製造する封止層製造工程、および、Ａステージの封止層６１によってＬＥＤ４を封止する封止工程を備える。また、ＬＥＤ装置５の製造方法は、封止層製造工程で製造されたＡステージの封止層６１を、封止工程に搬送する搬送工程を備える。ＬＥＤ４の製造方法は、封止層製造工程、搬送工程、および、封止工程を順次実施する。

＜封止層製造工程＞
封止層製造エリア５９は、Ｂステージ化エリア９ｃ（図２参照）を備えず、ワニス調製エリア９ａおよび塗布エリア９ｂを備えている。

封止層製造工程において、Ａステージの封止層６１を製造するには、まず、例えば、ワニス調製エリア９ａにおいて、封止樹脂組成物を調製する。

封止樹脂組成物は、１段階硬化型樹脂を含有する。封止樹脂組成物は、好ましくは、１段階硬化型樹脂からなる。

１段階硬化型樹脂は、１段階の反応機構を有しており、１段階目の反応で完全硬化する硬化性樹脂である。１段階硬化型樹脂としては、例えば、加熱により硬化する１段階硬化型熱硬化性樹脂、例えば、活性エネルギー線（例えば、紫外線、電子線など）の照射により硬化する１段階硬化型活性エネルギー線硬化性樹脂などが挙げられる。好ましくは、１段階硬化型熱硬化性樹脂が挙げられる。

具体的には、１段階硬化型熱硬化性樹脂として、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。好ましくは、透光性および耐久性の観点から、１段階硬化型シリコーン樹脂が挙げられる。

Ａステージの１段階硬化型樹脂の粘度は、例えば、１，０００ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは、３，０００ｍＰａ・ｓ以上、より好ましくは、５，０００ｍＰａ・ｓ以上であり、また、例えば、１，０００，０００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは、５００，０００ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは、２００，０００ｍＰａ・ｓ以下である。

また、封止樹脂組成物には、必要により、上記した蛍光体および／または充填剤を上記した配合割合で含有させることもできる。

封止樹脂組成物を調製するには、具体的には、図３Ａおよび図１４に示すように、ワニス調製エリア９ａにおいて、撹拌機５１を備える混合容器５２内に上記した各成分を配合し、続いて、撹拌機５１を用いてそれらを混合する。

より具体的には、Ａステージの１段階硬化型樹脂と、蛍光体および／または充填剤と、必要により溶媒とを配合して混合する。これによって、Ａステージの封止樹脂組成物をワニスとして調製する。

ワニスの２５℃、１気圧の条件下における粘度は、ワニスを離型シート２に塗布したとき（後述）に、塗布されたワニスが離型シート２（図１５参照）の上面の周端部からこぼれない程度に設定されており、具体的には、例えば、１，０００ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは、４，０００ｍＰａ・ｓ以上、より好ましくは、８，０００ｍＰａ・ｓ以上であり、また、例えば、１，０００，０００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは、５００，０００ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは、２００，０００ｍＰａ・ｓ以下である。

次いで、この方法では、図１４に示す塗布エリア９ｂにおいて、Ａステージの封止樹脂組成物（ワニス）を離型シート２に塗布する。

ワニスが溶媒を含有する場合には、塗布後の封止層６１を加熱することもできる。具体的には、図１４には示さないが、図３Ｃが参照されるように、２つのヒータ５４を備えるオーブン５５によって、封止層６１を加熱する。なお、加熱条件は、硬化性樹脂の硬化反応が実質的に促進しない条件であって、具体的には、温度が、例えば、４０℃以上、好ましくは、６０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下、好ましくは、１３０℃以下である。また、加熱時間は、例えば、１分間以上、好ましくは、５分間以上であり、また、例えば、６０分間以下、好ましくは、４０分間以下である。

塗布されたＡステージの封止層６１の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。

これによって、Ａステージの封止層６１を製造する。

＜搬送工程＞
搬送工程は、図１４に示すように、搬送エリア１０において実施される。つまり、搬送工程では、第１実施形態と同様に、封止層製造エリア５９において、封止層製造工程で製造された封止層６１を、室温で搬送して、封止工程が実施される封止エリア１１に供給する。あるいは、封止層６１を、室温未満の低温で搬送する。

＜封止工程＞
封止工程は、図１４に示すように、封止エリア１１において実施される。封止エリア１１は、ＬＥＤ用意エリア１１ａ、設置／埋設エリア１１ｄおよびＣステージ化エリア１１ｃを備えている。

具体的には、まず、図１４のＬＥＤ用意エリア１１ａにおいて、図１５に示すように、ＬＥＤ４が実装された基板６を用意する。

次いで、この方法では、図１４に示す設置／埋設エリア１１ｄにおいて、ＬＥＤ４が実装された基板６を、図１５に示す積層装置５５に設置する。

積層装置５５は、設置／埋設エリア１１ｄおよびＣステージ化エリア１１ｃに連続して（わたって）配置されている。積層装置５５は、例えば、上下方向に間隔を隔てて対向配置される２枚の平板２１を備える。なお、２枚の平板２１は、設置／埋設エリア１１ｄおよびＣステージ化エリア１１ｃの両エリアを移動可能に構成されている。

設置／埋設エリア１１ｄにおいて、具体的には、ＬＥＤ４が実装された基板６を、上側の平板２１に設置する。具体的には、ＬＥＤ４が下側に向かうように、基板６を平板２１の下面に設置する。

続いて、図１４に示す搬送エリア１０から供給される封止層６１を、下側の平板２１に設置する。つまり、封止層６１を、ＬＥＤ４に向かうように、配置する。

次いで、図１６に示すように、封止層６１によってＬＥＤ４を埋設する。

具体的には、図１５の矢印で示すように、ＬＥＤ４が実装された基板６が降下するように、上側の平板２１を降下させる（押し下げる）。あるいは、図１５の破線矢印で示すように、離型シート２に積層された封止層６１が上昇するように、下側の平板２１を上昇させる（押し上げる）。

これによって、封止層６１によってＬＥＤ４およびワイヤ７を被覆する。つまり、ＬＥＤ４およびワイヤ７が封止層６１内に埋設される。

これによって、封止層６１によって、ＬＥＤ４およびワイヤ７を封止する。

その後、図１４のＣステージ化エリア１１ｃにおいて、封止層６１をＣステージ化する。

１段階硬化型樹脂が１段階硬化型熱硬化性樹脂である場合には、封止層６１を加熱する。具体的には、平板２１による封止層６１に対する挟持状態を維持しながら、平板２１をＣステージ化エリア１１ｃに移動させて、オーブン内に投入する。これによって、封止層６１を加熱する。

封止層６１の加熱によって、Ａステージの封止層６１がＣステージ化（完全硬化）する。

なお、１段階硬化型樹脂が１段階硬化型活性エネルギー線硬化性樹脂である場合には、Ｃステージ化エリア１１ｃにおいて、封止層６１に活性エネルギー線を照射することによって、Ａステージの封止層６１をＣステージ化（完全硬化）させる。具体的には、紫外線ランプなどを用いてＡステージの封止層６１に紫外線を照射する。

そして、この製造方法では、封止層製造エリア５９（塗布エリア９ｂ）の封止層製造工程において封止シート１を製造してから（具体的には、ワニスを離型シート２に塗布した時点から）、封止エリア１１（設置／埋設エリア１１ｄ）の封止工程において封止シート１によってＬＥＤ４を封止するまで（具体的には、封止シート１によってＬＥＤ４を埋設した時点まで）の時間Ｔは、２４時間以下、好ましくは、１８時間以下、より好ましくは、１２時間以下、さらに好ましくは、６時間以下、とりわけ好ましくは、３時間以下であり、また、例えば、１秒間以上、好ましくは、１分間以上である。

その後、必要により、離型シート２を、図１６の仮想線で示すように、封止シート１から引き剥がす。

そして、この方法によれば、封止層製造工程においてＡステージの封止層６１を製造してから、封止工程においてＡステージの封止層６１によってＬＥＤ４を封止するまでの時間Ｔが、短時間であるので、ＬＥＤ装置５の製造効率に向上させることができる。

詳しくは、この方法は、１つの（同一の）工場、具体的には、ＬＥＤ装置製造工場８に、封止層製造エリア５９、搬送エリア１０および封止エリア１１を備えて、ＬＥＤ装置製造工場８内の各エリアにおいて上記した各工程を実施することができる。換言すれば、封止層製造工場をＬＥＤ装置製造工場内に設けて、同一工場内において、封止層製造工程および封止工程を実施する。このような方法によって、上記した時間Ｔを短時間とすることができる。

さらに、この方法によれば、封止層６１のＡステージを長時間維持する必要がないため、Ａステージの封止層６１を容易に設計し管理することができる。そのため、Ａステージの封止層６１の設計および管理の自由度を高めることができる。

また、この方法によれば、ＡステージからＣステージまでの時間Ｔが短時間であるので、封止層製造工程で製造された封止層６１を、室温で搬送して、封止工程に供給することができる。そのため、上記した冷却のための工数および設備が不要となり、その結果、ＬＥＤ装置５の製造コストを低減することができる。

さらに、この方法によれば、上記した冷却が不要となるので、冷却されたＡステージの封止層６１を室温に戻すことも不要となり、製造時間を短縮することができる。そのため、製造コストを低減することができる。さらに、上記した結露に起因するボイドの発生も防止できるので、信頼性の高いＬＥＤ装置５を製造することができる。

＜変形例＞
図１４の実施形態では、ＬＥＤ装置製造工場８に封止層製造エリア５９を予め設けているが、例えば、図１２が参照されるように、移動可能な封止層製造ユニット１９１を、ＬＥＤ装置製造工場８内に設置することもできる。

封止層製造ユニット１９１は、加熱装置１１８が設けられていない（この形態は、図１２では、図示されていない）点を除き、封止シート製造ユニット９１と同様に構成されている。また、封止シート製造ユニット９１、シート製造装置９３およびシート調製装置９９は、それぞれ、封止層製造ユニット１９１、封止層製造装置１９３および封止層調製装置１９９とされる。

そして、このような封止層製造ユニット１９１によってＡステージの封止層６１を製造することもできる。その後、かかる封止層６１によってＬＥＤ装置５を製造することができる。

以下に示す実施例、製造例、参考例および比較例における数値は、上記の実施形態において記載される対応する数値（すなわち、上限値または下限値）に代替することができる。

＜封止シート製造工程＞
製造例１
シート製造エリア（図２参照）において、封止シートを製造した。具体的には、まず、４０℃に加温したシラノール基両末端ポリジメチルシロキサン［下記式（１）中のＲ^１が全てメチル基、ｎ＝１５５で表される化合物、平均分子量１１，５００］２０３１ｇ（０．１７７ｍｏｌ）に対して、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物として、ビニルトリメトキシシラン［下記式（２）中のＲ^２がビニル基、Ｘ^１が全てメトキシ基で表される化合物］１５．７６ｇ（０．１０６ｍｏｌ）、および、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物として、（３−グリシドキシプロピル）トリメトキシシラン［下記式（３）中のＲ^３が３−グリシドキシプロピル基、Ｘ^２が全てメトキシ基で表される化合物］２．８０ｇ（０．０１１８ｍｏｌ）［シラノール基両末端ポリジメチルシロキサンのＳｉＯＨ基のモル数と、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物のＳｉＸ^１基およびエチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物のＳｉＸ^２基の総モル数との比［ＳｉＯＨ／（ＳｉＸ^１＋ＳｉＸ^２）＝１／１］を攪拌して混合した後、縮合触媒として水酸化テトラメチルアンモニウムメタノール溶液（濃度１０質量％）０．９７ｍＬ（触媒量：０．８８ｍｏｌ、シラノール基両末端ポリジメチルシロキサン１００モルに対して０．５０モル、縮合原料１００ｇに対して４．０ｍｇ）を加え、４０℃で１時間攪拌した。得られたオイルを、４０℃で１時間攪拌しながら減圧（１０ｍｍＨｇ）し、揮発分を除去した。次に、反応液を常圧に戻した後、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（ジメチルポリシロキサン−ｃｏ−メチルハイドロジェンポリシロキサン）を、アルケニル基のヒドロシリル基に対するモル比がＳｉＲ^２／ＳｉＨ＝１／３．０となるように加えて、４０℃で１時間攪拌した。その後、ヒドロシリル化触媒として白金−カルボニル錯体（白金濃度２．０質量％）０．０３８ｍＬ（白金含有量はオルガノポリシロキサンに対して０．３７５ｐｐｍ、つまり、付加原料１００ｇに対して０．３７５×１０^−４ｇ）を加えて、４０℃で１０分間攪拌し、シリコーン樹脂組成物（第２の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂）を調製した。

シリコーン樹脂組成物１００質量部、シリコーンゴム粒子（平均粒子径７μｍ）２０質量部、および、黄色蛍光体であるＹＡＧ粒子（平均粒子経７μｍ）１０質量部を、撹拌機を備える混合容器に投入し、撹拌機を用いてそれらを混合した。これによって、ワニス調製エリア（図２参照）において、ワニスを調製した。ワニスの２５℃、１気圧の条件下における粘度は、２０，０００ｍＰａ・ｓであった。

次いで、塗布エリア（図２参照）において、ワニスを、ＰＥＴからなる離型シートの表面に、ディスペンサ（図３Ｂ参照）で平面視矩形状（サイズ：１０ｍｍ×１００ｍｍ）に塗布し、続いて、Ｂステージ化エリアにおいて、１３５℃のオーブンにて１５分間加熱することにより、離型シートに積層される、厚み６００μｍのＢステージの封止シートを製造した。

製造直後のＢステージの封止シートの２５℃における圧縮弾性率Ｍ０を測定したところ、０．０４０ＭＰａであった（表１参照）。具体的には、アイコーエンジニアリング社製の精密荷重測定機により、２５℃における圧縮弾性率を算出した。なお、後述する圧縮弾性率は、上記した方法と同様に実施した。

製造例２〜製造例１０
製造例１において、塗布エリアでのオーブンの加熱時間を、１５分間以上２５分間以下で適宜調整することにより、製造例２〜１０であって、表１に記載される圧縮弾性率の封止シートを得た。

＜搬送工程および封止工程＞
＜２５℃で搬送した封止シートによって封止／時間Ｔ：１分間＞
実施例１〜１０
封止エリアのＬＥＤ用意エリア（図２参照）において、平面視矩形状のＬＥＤがワイヤボンディング接続された基板を用意した（図９参照）。ＬＥＤおよびワイヤの寸法は、以下の通りであった。

ＬＥＤの厚み：１５０μｍ
ワイヤの線径：３０μｍ
続いて、ＬＥＤがワイヤボンディング接続された基板を封止エリアにおけるプレス機に設置した（図２および図９参照）。

別途、搬送エリアにおいて、製造例１〜１０の製造直後のＢステージの封止シートのそれぞれを、室温（２５℃）で、蓋付容器に収容し、直ちに、封止エリアにおいて、封止シートを蓋付容器から取り出して、設置／プレスエリアにおいて、基板が設置されたプレス機に配置した。

続いて、封止シートによって、ＬＥＤおよびワイヤを封止した。

具体的には、平板プレスによって、室温で、封止シートを押し下げて、圧力０．３ＭＰａで、封止シートによってＬＥＤおよびワイヤを埋設した。これによって、封止シートによって、ＬＥＤおよびワイヤを封止した。

ＬＥＤおよびワイヤを埋設した時点のＢステージの封止シートの２５℃における圧縮弾性率Ｍ１を表１に示す。

また、Ｂステージの封止シートを製造して（Ｂステージ化して）からＬＥＤおよびワイヤを封止（埋設）するまでの時間Ｔは、１分間であった。

その後、熱プレスエリアにおいて、封止シートおよび基板をプレスしている平板をオーブンに投入し、封止シートを１５０℃、２時間加熱して、封止シートをＣステージ化した。

その後、離型シートを封止シートから剥離した。

これによって、ＬＥＤ装置を製造した。

なお、ＬＥＤ装置における封止シートの硬化度は、９０％であり、その圧縮弾性率が０．０４０ＭＰａであった。

＜２５℃で保存した封止シートによって封止／時間Ｔ：２４時間＞
実施例１１〜１７
Ｂステージの封止シートを製造して（Ｂステージ化して）からＬＥＤおよびワイヤを封止（埋設）するまでの時間Ｔを、１分間から２４時間に変更した以外は、実施例１〜５、７および８と同様に処理した。

実施例１１〜１７におけるＬＥＤおよびワイヤを封止（埋設）した時点のＢステージの封止シートの２５℃における圧縮弾性率Ｍ２を表１にそれぞれ示す。

＜２５℃で保存した封止シートによって封止／時間Ｔ：３６時間＞
比較例１〜７
Ｂステージの封止シートを製造して（Ｂステージ化して）からＬＥＤおよびワイヤを封止（埋設）するまでの時間Ｔを、１分間から３６時間に変更した以外は、実施例１〜５、７および８と同様に処理した。

比較例１〜７におけるＬＥＤおよびワイヤを封止（埋設）した時点のＢステージの封止シートの２５℃における圧縮弾性率Ｍ３を表１にそれぞれ示す。

＜４０℃で保存した封止シートによって封止／時間Ｔ：２４時間＞
実施例１８〜２３
Ｂステージの封止シートを製造して（Ｂステージ化して）からＬＥＤおよびワイヤを封止（埋設）するまでの時間Ｔを、１分間から２４時間に変更し、かつ、搬送エリアにおける温度を室温（２５℃）から４０℃に変更した以外は、実施例１〜６と同様に処理した。

実施例１８〜２３におけるＬＥＤおよびワイヤを封止（埋設）した時点のＢステージの封止シートの２５℃における圧縮弾性率Ｍ４を表１にそれぞれ示す。
＜４０℃で保存した封止シートによって封止／時間Ｔ：３６時間＞
比較例８〜１３
Ｂステージの封止シートを製造して（Ｂステージ化して）からＬＥＤおよびワイヤを封止（埋設）するまでの時間Ｔを、１分間から３６時間に変更し、かつ、搬送エリアにおける温度を室温（２５℃）から４０℃に変更した以外は、実施例１〜６と同様に処理した。

比較例８〜１３におけるＬＥＤおよびワイヤを封止（埋設）した時点のＢステージの封止シートの２５℃における圧縮弾性率Ｍ５を表１にそれぞれ示す。

＜−１５℃で保存した封止シートによって封止／時間Ｔ：２４時間＞
実施例２４〜３０
Ｂステージの封止シートを製造して（Ｂステージ化して）からＬＥＤおよびワイヤを封止（埋設）するまでの時間Ｔを、１分間から２４時間に変更し、かつ、搬送エリアにおける温度を室温（２５℃）から−１５℃に変更した以外は、実施例１〜５、７および９と同様に処理した。

実施例２４〜３０におけるＬＥＤおよびワイヤを封止（埋設）した時点のＢステージの封止シートの２５℃における圧縮弾性率Ｍ６を表１にそれぞれ示す。

＜−１５℃で保存した封止シートによって封止／時間Ｔ：３６時間＞
比較例１４〜２０
Ｂステージの封止シートを製造して（Ｂステージ化して）からＬＥＤおよびワイヤを封止（埋設）するまでの時間Ｔを、１分間から３６時間に変更し、かつ、搬送エリアにおける温度を室温（２５℃）から−１５℃に変更した以外は、実施例１〜５、７および９と同様に処理した。

比較例１４〜２０におけるＬＥＤおよびワイヤを封止（埋設）した時点のＢステージの封止シートの２５℃における圧縮弾性率Ｍ７を表１にそれぞれ示す。

＜評価＞
［ワイヤの変形の有無］
実施例１〜３０および比較例１〜２０のワイヤを観察したところ、比較例６、７、１２、１３および２０については、ワイヤの変形が認められた。

一方、実施例１〜３０および比較例１〜５、８〜１１および１４〜１９については、ワイヤの変形が認められなかった。

表１に製造例、実施例および比較例の物性および評価結果を示す。

＜表の説明＞
表１の縦欄は、製造例で製造した封止シートを保存して用いた実施例および／または比較例を示し、左端欄に記載した条件で保存した後の圧縮弾性率を記載する。

＜考察１＞
（１）封止シートの圧縮弾性率とワイヤの変形
（１−１）圧縮弾性率の上限値
実施例１〜３０および比較例１〜２０の評価結果から、ＬＥＤを封止（埋設）した時点のＢステージの封止シートの圧縮弾性率（Ｍ１〜Ｍ７）が０．１６０ＭＰａを超えれば（比較例６、７、１２、１３および２０）、ワイヤに変形を生じ、０．１６０ＭＰａ以下であれば（実施例１〜３０および比較例１〜５、８〜１１および１４〜１９）、ワイヤに変形を生じないことが分かった。

従って、ワイヤに変形を生じさせることなく封止できる、ＬＥＤを封止（埋設）した時点のＢステージの封止シートの圧縮弾性率（Ｍ１〜Ｍ７）の上限は、０．１６０ＭＰａであることが分かった。
（１−２）圧縮弾性率の下限値
製造例１の製造直後のＢステージの封止シートの２５℃における圧縮弾性率Ｍ０が０．０４０ＭＰａであり、この圧縮弾性率Ｍ０より低い圧縮弾性率であれば、封止シートの形状確保ができないことが分かった。そうすると、実施例１であって、具体的には、製造例１の製造直後のＢステージの封止シートを、常温で１分間保存し、その後、ＬＥＤを封止（埋設）した時点の封止シートの２５℃における圧縮弾性率（Ｍ２）の下限値は、０．０４０ＭＰａであることが分かった。
（２）製造直後の封止シートの圧縮弾性率
実施例１１〜１７は、ＬＥＤを封止（埋設）した時点のＢステージの封止シートの圧縮弾性率（Ｍ２）が、０．０５５ＭＰａ〜０．１６０ＭＰａの範囲にあって、これを用いてＬＥＤを封止しても、ワイヤに変形を生じない。

実施例１１〜１７のそれぞれは、製造直後のＢステージの封止シートの圧縮弾性率（Ｍ０）が０．０４０ＭＰａ〜０．１４５ＭＰａの範囲にある製造例１〜８のそれぞれを、２５℃で２４時間保存した後、かかるＢステージの封止シートによって、ＬＥＤを封止している。

従って、製造直後のＢステージの封止シートの圧縮弾性率（Ｍ０）を、０．０４０〜０．１４５ＭＰａの範囲に設定すれば、製造後、常温で２４時間保存され、その後、これによってＬＥＤ４を封止しても、ワイヤの変形を防止することができることが分かった。
（３）（速硬化性の封止シート）
実施例１１の封止（埋設）した時点のＢステージの封止シートの圧縮弾性率（Ｍ２）は、製造例１の製造直後のＢステージの封止シートの圧縮弾性率（Ｍ０）に対して、０．０１５ＭＰａ高い（ΔＭ＝Ｍ２−Ｍ０）。つまり、製造された封止シートは、２５℃で２４時間保存されることによって、圧縮弾性率が０．０１５ＭＰａ（ΔＭ）上昇する。

一方、実施例１７の封止（埋設）した時点のＢステージの封止シートの圧縮弾性率（Ｍ２）０．１６０ＭＰａは、製造例１の製造直後のＢステージの封止シートの圧縮弾性率（Ｍ０）０．０４０ＭＰａに対して、圧縮弾性率が０．１２０ＭＰａ高い。そうすると、ワイヤに変形を生じさせることなく封止できる、ＬＥＤを封止（埋設）した時点のＢステージの封止シートの圧縮弾性率（Ｍ２）の上限が０．１６０ＭＰａであることを考慮すれば、製造直後の圧縮弾性率（Ｍ０）が０．０４０ＭＰａ（製造例１）で、かつ、封止（埋設）した時点の圧縮弾性率（Ｍ２）が０．１６０ＭＰａ（実施例１７）となるような速硬化性の封止シートを選択することもできる。換言すれば、ワイヤに変形を生じさせることなく封止でき、シート製造工程で製造された速硬化性の封止シートを２５℃で２４時間保存したときの、２５℃における圧縮弾性率の増加量ΔＭの上限は、０．１２０ＭＰａであることが分かった。
（４）（速硬化性の封止シートを用いるときのＬＥＤ装置の製造効率）
２５℃における圧縮弾性率の増加量ΔＭが０．１２０ＭＰａである速硬化性の封止シートを用いる場合には、１５０℃の加熱条件でＣステージにするための時間は、下記式によって、１５分間と算出される。

２［時間］×０．０１５［ＭＰａ／２時間］／０．１２０［ＭＰａ／２時間］＝０．２５［時間］（＝１５分間）
そのため、封止シートが速硬化性である場合には、Ｃステージにかかる時間を８倍（＝２［時間］／０．２５［時間］）短縮することができる。つまり、Ｃステージにかかる時間の短縮によって、ＬＥＤ装置の製造効率を大きく向上させることができることが分かった。

［冷却された封止シートの室温への戻し］
参考例１
製造直後の製造例１の封止シートを、図６に示す蓋付容器１７に収容し、かかる蓋付容器１７を上下方向に５段積み重ね、これら蓋付容器１７を、アルミニウム製のパウチ（保存袋）に収容した。その後、かかるパウチを−１５℃の冷凍庫に３．５時間保存した。その後、これを、冷凍庫から取り出し、次いで、２０℃、相対湿度３７％の雰囲気下にあるステンレス台の上に所定時間載置した。つまり、封止シートを室温に戻した。また、このときの、パウチ内の封止シートの表面温度を測定した。

封止シートの表面温度と、蓋付容器をステンレス台に載置してからの経過時間との関係を図１１に示す。

［結果］
図１１から分かるように、冷却されたパウチ内の封止シートの表面温度を、室温に戻すのに要する時間は、３時間であった。

また、表面温度が室温に戻された封止シートの表面には、結露が観察されなかった。

参考例２
冷凍庫から取り出したパウチから、蓋付容器１７を取り出し、かかる収容器をそのまま２０℃、相対湿度３７％の雰囲気下にあるステンレス台の上に３時間載置した以外は、参考例１と同様に処理した。

［結果］
表面温度が室温に戻された封止シートの表面には、結露が観察された。

＜考察２＞
（冷凍状態から室温に戻すまでの時間）
冷凍庫で冷却された封止シートの表面温度を、結露を生じることなく、室温（つまり、封止工程に供給する温度）に戻す際には、「パウチ内に収容したままの状態」で、室温で保存する必要があることが分かった。

さらに、パウチ内に収容した封止シートの表面温度を室温に戻すのに要する時間は、「３時間」であることが分かった。つまり、ＬＥＤ装置の製造効率が著しく低下することが分かった。

１封止シート
４ＬＥＤ
５ＬＥＤ装置
６１封止層

Claims

封止層によって光半導体素子を封止して、光半導体装置を製造する光半導体装置の製造方法であり、
前記封止層を製造する封止層製造工程、および、
前記封止層によって前記光半導体素子を封止する封止工程
を備え、
前記封止層製造工程において前記封止層を製造してから、前記封止工程において前記封止層によって前記光半導体素子を封止するまでの時間が、２４時間以下であることを特徴とする、光半導体装置の製造方法。
前記封止層製造工程で製造された前記封止層を、室温で搬送して、前記封止工程に供給することを特徴とする、請求項１に記載の光半導体装置の製造方法。
Ｂステージの封止シートによって前記光半導体素子を封止して、前記光半導体装置を製造する光半導体装置の製造方法であり、
前記封止層製造工程は、Ｂステージの前記封止シートを製造するシート製造工程であり、
前記封止工程では、Ｂステージの前記封止シートによって前記光半導体素子を封止し、
前記シート製造工程においてＢステージの前記封止シートを製造してから、前記封止工程においてＢステージの前記封止シートによって前記光半導体素子を封止するまでの時間が、２４時間以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の光半導体装置の製造方法。
前記シート製造工程で製造されたＢステージの前記封止シートの２５℃における圧縮弾性率が、０．０４０ＭＰａ以上、０．１４５ＭＰａ以下であることを特徴とする、請求項３に記載の光半導体装置の製造方法。
前記シート製造工程で製造されたＢステージの前記封止シートを２５℃で２４時間保存したときの、２５℃における圧縮弾性率の増加量が、０．０１５ＭＰａ以上、０．１２０ＭＰａ以下であることを特徴とする、請求項３または４に記載の光半導体装置の製造方法。
Ａステージの封止層によって前記光半導体素子を封止して、前記光半導体装置を製造する光半導体装置の製造方法であり、
前記封止層製造工程では、Ａステージの前記封止層を製造し、
前記封止工程では、Ａステージの前記封止層によって前記光半導体素子を封止し、
前記封止層製造工程においてＡステージの前記封止層を製造してから、前記封止工程においてＡステージの前記封止層によって前記光半導体素子を封止するまでの時間が、２４時間以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の光半導体装置の製造方法。