JP2014209529A - 撮像装置および撮像表示システム - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 113
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 140
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 140
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 109
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 62
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 43
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 36
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 20
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 281
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 53
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 53
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 101150105133 RRAD gene Proteins 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- SXAMGRAIZSSWIH-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,2,4-oxadiazol-5-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical class C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NOC(=N1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 SXAMGRAIZSSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N cadmium telluride Chemical compound [Te]=[Cd] RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- JVKRKMWZYMKVTQ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-N-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)acetamide Chemical class C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C=NN(C=1)CC(=O)NC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 JVKRKMWZYMKVTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100040862 Dual specificity protein kinase CLK1 Human genes 0.000 description 1
- 102100040844 Dual specificity protein kinase CLK2 Human genes 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000749294 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK1 Proteins 0.000 description 1
- 101000749291 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK2 Proteins 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100313728 Vitis vinifera VINST1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 1
- 230000005250 beta ray Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005524 hole trap Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
- H01L29/78648—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate arranged on opposing sides of the channel
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1237—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a different composition, shape, layout or thickness of the gate insulator in different devices
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42384—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
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- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Abstract
Description
1.実施の形態(第2ゲート絶縁膜の半導体層側のシリコン酸化物膜の厚みを、第1ゲート絶縁膜のシリコン酸化物膜よりも小さくした撮像装置の例)
2.変形例1(他の積層構造の第2ゲート絶縁膜を有するトランジスタの例)
3.変形例2(他の積層構造の第2ゲート絶縁膜を有するトランジスタの例)
4.変形例3(トップゲート型トランジスタの例)
5.変形例4(ボトムゲート型トランジスタの例)
6.変形例5(パッシブ型の他の画素回路の例)
7.変形例6(パッシブ型の他の画素回路の例)
8.変形例7−1,5−2(アクティブ型の画素回路の例)
9.変形例8−1,6−2(間接変換型および直接変換型の放射線撮像装置の例)
10.適用例(撮像表示システムの例)
[撮像装置1の全体構成]
図1は、本開示の一実施の形態に係る撮像装置(撮像装置1)の全体のブロック構成を表すものである。撮像装置1は、例えば入射する放射線に基づいて被写体の情報を読み取る(被写体を撮像する)ものである。この撮像装置1は、画素部11を備えると共に、この画素部11の駆動回路として、行走査部13、A/D変換部14、列走査部15およびシステム制御部16を備えている。
画素部11は、放射線に基づいて信号電荷を発生させるものである。この画素部11では、画素(撮像画素,単位画素)20が、行列状(マトリクス状)に2次元配置されており、各画素20は、例えば入射光の光量(受光量)に応じた電荷量の光電荷(信号電荷)を発生する光電変換素子(後述の光電変換素子21)を有している。尚、図1中に示したように、以下、画素部11内における水平方向(行方向)を「H」方向とし、垂直方向(列方向)を「V」方向として説明する。尚、この画素部11の光入射側には、例えば後述する波長変換層(変形例8−1の波長変換層112)が形成されており、この波長変換層において放射線が例えば可視光に変換され、この可視光が画素部20へ入射するようになっている。
第1ゲート絶縁膜129および第2ゲート絶縁膜130はそれぞれ、例えば酸化シリコン(SiOx)または酸窒化シリコン(SiON)等のシリコン酸化物膜(酸素を含むシリコン化合物膜)を含んで構成されている。具体的には、第1ゲート絶縁膜129および第2ゲート絶縁膜130はそれぞれ、例えば酸化シリコンまたは酸窒化シリコン等からなる単層膜であるか、あるいはこのようなシリコン酸化物膜と、窒化シリコン(SiNx)膜等のシリコン窒化物膜とを含む積層膜である。これらの第1ゲート絶縁膜129および第2ゲート絶縁膜130のいずれにおいても、上記シリコン酸化物膜が、半導体層126側に(半導体層126に隣接して)設けられている。半導体層126が例えば上述したような材料(非晶質シリコン、微結晶シリコン,多結晶シリコンおよび酸化物半導体)からなる場合には、製造プロセス上の理由から、半導体層126に隣接して、シリコン酸化物膜が形成される。
行走査部13は、後述のシフトレジスタ回路や所定の論理回路等を含んで構成されており、画素部11内の複数の画素20に対して行単位(水平ライン単位)での駆動(線順次走査)を行う画素駆動部(行走査回路)である。具体的には、各画素20の読み出し動作やリセット動作等の撮像動作を例えば線順次走査により行う。尚、この線順次走査は、読み出し制御線Lreadを介して前述した行走査信号を各画素20へ供給することによって行われる。
A/D変換部14は、複数(ここでは4つ)の信号線Lsigごとに1つ設けられた複数の列選択部17を有しており、信号線Lsigを介して入力された信号電圧(信号電荷に応じた電圧)に基づいてA/D変換(アナログ/デジタル変換)を行うものである。これにより、デジタル信号からなる出力データDout(撮像信号)が生成され、外部へ出力される。
列走査部15は、例えば図示しないシフトレジスタやアドレスデコーダ等を含んで構成されており、上記した列選択部17内の各スイッチSW2を走査しつつ順番に駆動するものである。このような列走査部15による選択走査によって、信号線Lsigの各々を介して読み出された各画素20の信号(上記出力データDout)が、順番に外部へ出力されるようになっている。
システム制御部16は、行走査部13、A/D変換部14および列走査部15の各動作を制御するものである。具体的には、システム制御部16は、前述した各種のタイミング信号(制御信号)を生成するタイミングジェネレータを有しており、このタイミングジェネレータにおいて生成される各種のタイミング信号を基に、行走査部13、A/D変換部14、列走査部15およびバイアス電圧補正部18の駆動制御を行う。このシステム制御部16の制御に基づいて、行走査部13、A/D変換部14および列走査部15がそれぞれ画素部11内の複数の画素20に対する撮像駆動(線順次撮像駆動)を行うことにより、画素部11から出力データDoutが取得されるようになっている。
本実施の形態の撮像装置1では、例えば放射線あるいは放射線に基づく光が画素部11へ入射すると、各画素20(ここでは、光電変換素子21)において、入射光に基づく信号電荷が発生する(光電変換がなされる)。このとき、詳細には、蓄積ノードNでは、光電変換により発生した信号電荷の蓄積によって、ノード容量に応じた電圧変化が生じる。このような電圧変化に応じて、トランジスタ22のドレインには入力電圧Vin(信号電荷に対応した電圧)が供給される。この後、読み出し制御線Lreadから供給される行走査信号に応じてトランジスタ22がオン状態になると、上記した信号電荷が信号線Lsigへ読み出される。
図9は、変形例1に係るトランジスタ(トランジスタ22A)の断面構成を表したものである。上記実施の形態(図3の例)では、第2ゲート絶縁膜(第2ゲート絶縁膜130)が、半導体層126の側から順に、酸化シリコン膜130A、窒化シリコン膜130Bおよび酸化シリコン膜130Cを積層した3層積層膜としたが、第2ゲート絶縁膜の積層構造はこれに限定されるものではない。例えば、本変形例のトランジスタ22Aの第2ゲート絶縁膜(第2ゲート絶縁膜230)のように、半導体層126の側から順に酸化シリコン膜130Aおよび窒化シリコン膜130Bを積層した2層構造であってもよい。半導体層126に隣接して形成された酸化シリコン膜130Aが、酸化シリコン膜129Bよりも薄膜化されていれば、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。
図12は、変形例2に係るトランジスタ(トランジスタ22B)の断面構成を表したものである。上記変形例1では、第2ゲート絶縁膜を2層構造としたが、本変形例のように、半導体層126上に、酸化シリコン膜の単層膜からなる第2ゲート絶縁膜230Aが設けられていてもよい。このように、第2ゲート絶縁膜230Aを酸化シリコン膜の単層構造とした場合であっても、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。また、単層構造とすることにより、ゲート容量C2が大きくなることから、ゲート容量C2をゲート容量C1よりも大きくなるように制御し易くなる。
図13は、変形例3に係るトランジスタの断面構成を表したものである。上記実施の形態では、デュアルゲート型の素子構造を例示したが、本開示のトランジスタは、本変形例のようなトップゲート型の素子構造であってもよい。本変形例の素子構造は、例えば基板110側から順に、窒化シリコン膜129A、酸化シリコン膜129B、半導体層126、第1ゲート絶縁膜134および第1ゲート電極120Aを有している。第1ゲート絶縁膜134は、例えば上記実施の形態の第2ゲート絶縁膜130と同様の積層構造を有している。また、第1ゲート絶縁膜134および第1ゲート電極120A上には、第1層間絶縁膜133が形成されており、この第1層間絶縁膜133と第1ゲート絶縁膜134とを貫通するコンタクトホールH1が形成されている。第1層間絶縁膜133上には、コンタクトホールH1を埋め込むようにソース・ドレイン電極128が設けられている。第1層間絶縁膜133は、第1ゲート電極120Aの側から順に、例えば酸化シリコン膜133A、窒化シリコン膜133Bおよび酸化シリコン膜133Cを有する積層膜である。第1層間絶縁膜133およびソース・ドレイン電極128を覆うように、第2層間絶縁膜132が形成されている。
図14は、変形例4に係るトランジスタの断面構成を表したものである。上記実施の形態では、デュアルゲート型の素子構造を例示したが、本開示のトランジスタは、本変形例のようなボトムゲート型の素子構造であってもよい。本変形例の素子構造は、例えば基板110側から順に、第1ゲート電極120A、第1ゲート絶縁膜129、半導体層126および酸化シリコン膜130Aを有している。また、酸化シリコン膜130A上には、例えば窒化シリコン膜135Aおよび酸化シリコン膜135Bが積層されており、これらの酸化シリコン膜130A,窒化シリコン膜135Aおよび酸化シリコン膜135Bが第1層間絶縁膜135を構成している。この第1層間絶縁膜135を貫通してコンタクトホールH1が形成されている。第1層間絶縁膜135上には、コンタクトホールH1を埋め込むようにソース・ドレイン電極128が設けられている。
図15は、変形例5に係る画素(画素20A)の回路構成を、上記実施の形態で説明したチャージアンプ回路171の回路構成例と共に表したものである。本変形例の画素20Aは、実施の形態の画素20と同様にいわゆるパッシブ型の回路構成となっており、1つの光電変換素子21と1つのトランジスタ22とを有している。また、この画素20AにはH方向に沿って延在する読み出し制御線Lread(Lread1,Lread2)と、V方向に沿って延在する信号線Lsigとが接続されている。
図16は、変形例6に係る画素(画素20B)の回路構成を、上記実施の形態で説明したチャージアンプ回路171の回路構成例と共に表したものである。本変形例の画素20Bは、実施の形態の画素20と同様にいわゆるパッシブ型の回路構成を有し、1つの光電変換素子21を有すると共に、H方向に沿って延在する読み出し制御線Lread1,Lread2と、V方向に沿って延在する信号線Lsigとに接続されている。
図17は、変形例7−1に係る画素(画素20C)の回路構成を、以下説明するチャージアンプ回路171Aの回路構成例とともに表したものである。また、図18は、変形例7−2に係る画素(画素20D)の回路構成を、チャージアンプ回路171Aの回路構成例とともに表したものである。これらの変形例7−1,7−2に係る画素20C,20Dはそれぞれ、これまで説明した画素20,20A,20Bとは異なり、いわゆるアクティブ型の画素回路を有している。
図19Aおよび図19Bはそれぞれ、変形例8−1,8−2に係る画素部11の概略構成を模式的に表したものである。上記実施の形態の撮像装置1が、放射線撮像装置である場合には、画素部11は、これらの変形例8−1,8−2のいずれかの構成を有している。
続いて、上記実施の形態および変形例に係る撮像装置は、以下に説明するような撮像表示システムへ適用することも可能である。
(1)
放射線に基づく信号電荷を発生する複数の画素と、
前記複数の画素から前記信号電荷を読み出すための電界効果型のトランジスタとを備え、
前記トランジスタは、
基板側から順に積層された、第1のシリコン酸化物膜、活性層を含む半導体層および第2のシリコン酸化物膜と、
前記第1または第2のシリコン酸化膜を間にして前記半導体層に対向配置された第1のゲート電極とを有し、
前記第2のシリコン酸化物膜の厚みは、前記第1のシリコン酸化物膜の厚みよりも小さい
撮像装置。
(2)
前記トランジスタは、前記基板上に、前記第1のゲート電極と、前記第1のシリコン酸化物膜を含む第1のゲート絶縁膜と、前記半導体層と、前記第2のシリコン酸化物膜を含む第2のゲート絶縁膜と、第2のゲート電極とをこの順に有する
上記(1)に記載の撮像装置。
(3)
前記第1および第2のゲート絶縁膜のうち少なくとも一方が、シリコン窒化膜を含む積層膜である
上記(2)に記載の撮像装置。
(4)
前記第2のゲート絶縁膜は、前記第2のシリコン酸化物膜および前記シリコン窒化膜を含む積層膜である
上記(3)に記載の撮像装置。
(5)
前記第2のゲート絶縁膜は、前記半導体層側から順に、前記第2のシリコン酸化物膜、前記シリコン窒化膜および第3のシリコン酸化物膜を含む
上記(4)に記載の撮像装置。
(6)
前記第2のゲート絶縁膜は、前記半導体層側から順に、前記第2のシリコン酸化物膜および前記シリコン窒化膜を積層したものである
上記(4)に記載の撮像装置。
(7)
前記第2のゲート絶縁膜は、前記第2のシリコン酸化物膜よりなる
上記(2)または(3)に記載の撮像装置。
(8)
前記第2のゲート電極および前記半導体層間の静電容量は、前記第1のゲート電極および前記半導体層間の静電容量と同等かそれ以上に設定されている
上記(2)〜(7)のいずれかに記載の撮像装置。
(9)
前記第2のゲート絶縁膜上に、シリコン酸化物膜を含む層間絶縁膜を更に備えた
上記(2)〜(8)のいずれかに記載の撮像装置。
(10)
前記トランジスタは、前記基板側から順に、前記第1のシリコン酸化物膜、前記半導体層、前記第2のシリコン酸化物膜および前記第1ゲート電極を有する
上記(1)に記載の撮像装置。
(11)
前記トランジスタは、前記基板側から順に、前記第1ゲート電極、前記第1のシリコン酸化物膜、前記半導体層および前記第2のシリコン酸化物膜を有する
上記(1)に記載の撮像装置。
(12)
前記半導体層は、多結晶シリコン、微結晶シリコン、非結晶シリコンまたは酸化物半導体を含む
上記(1)〜(11)のいずれかに記載の撮像装置。
(13)
前記半導体層は、低温多結晶シリコンを含む
上記(1)〜(12)のいずれかに記載の撮像装置。
(14)
前記複数の画素がそれぞれ光電変換素子を有し、
前記複数の画素の光入射側に、前記放射線を前記光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換層を備えた
上記(1)〜(13)のいずれかに記載の撮像装置。
(15)
前記光電変換素子が、PIN型のフォトダイオードまたはMIS型センサからなる
上記(14)に記載の撮像装置。
(16)
前記複数の画素はそれぞれ、前記放射線を吸収して前記信号電荷を発生させるものである
上記(1)〜(13)のいずれかに記載の撮像装置。
(17)
前記放射線はX線である
上記(1)〜(16)のいずれかに記載の撮像装置。
(18)
撮像装置と、この撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
前記撮像装置は、
放射線に基づく信号電荷を発生する複数の画素と、
前記複数の画素から前記信号電荷を読み出すための電界効果型のトランジスタとを備え、
前記トランジスタは、
基板側から順に積層された、第1のシリコン酸化物膜、活性層を含む半導体層および第2のシリコン酸化物膜と、
前記第1または第2のシリコン酸化膜を間にして前記半導体層に対向配置された第1のゲート電極とを有し、
前記第2のシリコン酸化物膜の厚みは、前記第1のシリコン酸化物膜の厚みよりも小さい
撮像表示システム。
Claims (18)
- 放射線に基づく信号電荷を発生する複数の画素と、
前記複数の画素から前記信号電荷を読み出すための電界効果型のトランジスタとを備え、
前記トランジスタは、
基板側から順に積層された、第1のシリコン酸化物膜、活性層を含む半導体層および第2のシリコン酸化物膜と、
前記第1または第2のシリコン酸化膜を間にして前記半導体層に対向配置された第1のゲート電極とを有し、
前記第2のシリコン酸化物膜の厚みは、前記第1のシリコン酸化物膜の厚みよりも小さい
撮像装置。 - 前記トランジスタは、前記基板上に、前記第1のゲート電極と、前記第1のシリコン酸化物膜を含む第1のゲート絶縁膜と、前記半導体層と、前記第2のシリコン酸化物膜を含む第2のゲート絶縁膜と、第2のゲート電極とをこの順に有する
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1および第2のゲート絶縁膜のうち少なくとも一方が、シリコン窒化膜を含む積層膜である
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第2のゲート絶縁膜は、前記第2のシリコン酸化物膜および前記シリコン窒化膜を含む積層膜である
請求項3に記載の撮像装置。 - 前記第2のゲート絶縁膜は、前記半導体層側から順に、前記第2のシリコン酸化物膜、前記シリコン窒化膜および第3のシリコン酸化物膜を含む
請求項4に記載の撮像装置。 - 前記第2のゲート絶縁膜は、前記半導体層側から順に、前記第2のシリコン酸化物膜および前記シリコン窒化膜を積層したものである
請求項4に記載の撮像装置。 - 前記第2のゲート絶縁膜は、前記第2のシリコン酸化物膜よりなる
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記第2のゲート電極および前記半導体層間の静電容量は、前記第1のゲート電極および前記半導体層間の静電容量と同等かそれ以上に設定されている
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記第2のゲート絶縁膜上に、シリコン酸化物膜を含む層間絶縁膜を更に備えた
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記トランジスタは、前記基板側から順に、前記第1のシリコン酸化物膜、前記半導体層、前記第2のシリコン酸化物膜および前記第1ゲート電極を有する
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記トランジスタは、前記基板側から順に、前記第1ゲート電極、前記第1のシリコン酸化物膜、前記半導体層および前記第2のシリコン酸化物膜を有する
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記半導体層は、多結晶シリコン、微結晶シリコン、非結晶シリコンまたは酸化物半導体を含む
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記半導体層は、低温多結晶シリコンを含む
請求項12に記載の撮像装置。 - 前記複数の画素がそれぞれ光電変換素子を有し、
前記複数の画素の光入射側に、前記放射線を前記光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換層を備えた
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記光電変換素子が、PIN型のフォトダイオードまたはMIS型センサからなる
請求項14に記載の撮像装置。 - 前記複数の画素はそれぞれ、前記放射線を吸収して前記信号電荷を発生させるものである
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記放射線はX線である
請求項1に記載の撮像装置。 - 撮像装置と、この撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
前記撮像装置は、
放射線に基づく信号電荷を発生する複数の画素と、
前記複数の画素から前記信号電荷を読み出すための電界効果型のトランジスタとを備え、
前記トランジスタは、
基板側から順に積層された、第1のシリコン酸化物膜、活性層を含む半導体層および第2のシリコン酸化物膜と、
前記第1または第2のシリコン酸化膜を間にして前記半導体層に対向配置された第1のゲート電極とを有し、
前記第2のシリコン酸化物膜の厚みは、前記第1のシリコン酸化物膜の厚みよりも小さい
撮像表示システム。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013148273A JP6152729B2 (ja) | 2013-03-26 | 2013-07-17 | 撮像装置および撮像表示システム |
TW103105154A TWI640087B (zh) | 2013-03-26 | 2014-02-17 | 影像拾取單元及影像拾取顯示系統 |
US14/778,950 US9608120B2 (en) | 2013-03-26 | 2014-02-27 | Image pickup unit and image pickup display system |
PCT/JP2014/001047 WO2014155969A1 (en) | 2013-03-26 | 2014-02-27 | Image pickup unit and image pickup display system |
KR1020157021074A KR20150135214A (ko) | 2013-03-26 | 2014-02-27 | 촬상 장치 및 촬상 표시 시스템 |
CN201480016985.5A CN105074934B (zh) | 2013-03-26 | 2014-02-27 | 图像拾取装置和图像拾取显示*** |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013063729 | 2013-03-26 | ||
JP2013063729 | 2013-03-26 | ||
JP2013148273A JP6152729B2 (ja) | 2013-03-26 | 2013-07-17 | 撮像装置および撮像表示システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014209529A true JP2014209529A (ja) | 2014-11-06 |
JP6152729B2 JP6152729B2 (ja) | 2017-06-28 |
Family
ID=50390157
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013148273A Expired - Fee Related JP6152729B2 (ja) | 2013-03-26 | 2013-07-17 | 撮像装置および撮像表示システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9608120B2 (ja) |
JP (1) | JP6152729B2 (ja) |
KR (1) | KR20150135214A (ja) |
CN (1) | CN105074934B (ja) |
TW (1) | TWI640087B (ja) |
WO (1) | WO2014155969A1 (ja) |
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-
2013
- 2013-07-17 JP JP2013148273A patent/JP6152729B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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- 2014-02-17 TW TW103105154A patent/TWI640087B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-02-27 CN CN201480016985.5A patent/CN105074934B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-02-27 WO PCT/JP2014/001047 patent/WO2014155969A1/en active Application Filing
- 2014-02-27 KR KR1020157021074A patent/KR20150135214A/ko active IP Right Grant
- 2014-02-27 US US14/778,950 patent/US9608120B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160049523A1 (en) | 2016-02-18 |
US9608120B2 (en) | 2017-03-28 |
JP6152729B2 (ja) | 2017-06-28 |
CN105074934B (zh) | 2017-10-20 |
WO2014155969A1 (en) | 2014-10-02 |
TWI640087B (zh) | 2018-11-01 |
TW201438215A (zh) | 2014-10-01 |
KR20150135214A (ko) | 2015-12-02 |
CN105074934A (zh) | 2015-11-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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