JP2014197676A - 電力制御モードのためのチャンバマッチング - Google Patents
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Abstract
【解決手段】変数を測定するために第1のプラズマチャンバ内で第1の試験を実行し、変数を測定するために第2のプラズマチャンバ内で第2の試験を実行することを備える。第1および第2の試験は、1つのレシピに基づいて実行される。さらに、第1の試験で測定された変数と、第1の試験中に提供された電力との間の第1の関係を決定し、第2の試験で測定された変数と、第2の試験中に提供された電力との間の第2の関係を決定し、第1および第2の関係に基づいて、後続処理動作中に第2のプラズマチャンバに適用する電力調整を特定することを備える。電力調整は、第2のプラズマチャンバに、第1のプラズマチャンバを用いて決定された処理条件で処理動作を実行させる。
【選択図】図1
Description
適用例1:チャンバ間マッチングを実行するための方法であって、変数を測定するために、第1のプラズマチャンバ内で第1の試験を実行し、前記変数を測定するために、第2のプラズマチャンバ内で第2の試験を実行し、前記第1および第2の試験は1つのレシピに基づいて実行され、前記第1の試験で測定された前記変数と、前記第1の試験中に提供された電力との間の第1の関係を決定し、前記第2の試験で測定された前記変数と、前記第2の試験中に提供された電力との間の第2の関係を決定し、前記第1および第2の関係に基づいて、後続処理動作中に前記第2のプラズマチャンバに適用する電力調整を特定することを備え、前記電力調整は、前記第2のプラズマチャンバに、前記第1のプラズマチャンバを用いて決定された処理条件で前記処理動作を実行させる、方法。
適用例2:適用例1に記載の方法であって、前記変数は、電流または電圧である、方法。
適用例3:適用例1に記載の方法であって、前記変数は、前記第1のプラズマチャンバ内に配置されたチャックに接続されたプローブを用いて、前記第1の試験中に測定される、方法。
適用例4:適用例1に記載の方法であって、前記変数は、前記第2のプラズマチャンバ内に配置されたチャックに接続されたプローブを用いて、前記第2の試験中に測定される、方法。
適用例5:適用例1に記載の方法であって、前記変数は、高周波(RF)発生器とウエハとの間の点に接続されたプローブを用いて前記第1の試験中に測定され、前記RF発生器は、RFケーブルを介してインピーダンス整合回路に接続され、前記インピーダンス整合回路は、RF伝送線路を介して前記第1のプラズマチャンバに接続され、前記ウエハは、前記チャックの表面上に載置される、方法。
適用例6:適用例1に記載の方法であって、前記レシピは、前記第1のプラズマチャンバ内の圧力、前記第1のプラズマチャンバ内の温度、前記第1のプラズマチャンバに提供されるRF信号の電力、前記RF信号の周波数、および、前記第1のプラズマチャンバの上側電極と前記第1のプラズマチャンバの下側電極との間のギャップを含む、方法。
適用例7:適用例1に記載の方法であって、前記レシピは、前記第2のプラズマチャンバ内の圧力、前記第2のプラズマチャンバ内の温度、前記第2のプラズマチャンバに提供されるRF信号の電力、前記RF信号の周波数、および、前記第2のプラズマチャンバの上側電極と前記第2のプラズマチャンバの下側電極との間のギャップを含む、方法。
適用例8:適用例1に記載の方法であって、前記第1の関係は直線関係である、方法。
適用例9:適用例1に記載の方法であって、前記第2の関係は直線関係である、方法。
適用例10:適用例1に記載の方法であって、前記電力調整は、前記第1の試験中に提供された前記電力と、前記第2の試験中に提供された前記電力との差である、方法。
適用例11:適用例1に記載の方法であって、前記後続処理動作は、前記第2のプラズマチャンバ内に配置されたウエハのエッチング、蒸着、または、洗浄を含む、方法。
適用例12:適用例1に記載の方法であって、前記処理条件は、前記変数の関数の値を含み、前記値は、或る量の前記電力が前記第1の試験中に前記プラズマチャンバに提供された時に、前記第1の試験中に達成された値である、方法。
適用例13:適用例1に記載の方法であって、前記第1のプラズマチャンバは、前記第2のプラズマチャンバより高い歩留まりを有する、方法。
適用例14:適用例1に記載の方法であって、前記第1および第2の試験の各々は、無プラズ試験を含む、方法。
適用例15:適用例14に記載の方法であって、前記無プラズマ試験中、前記第1のプラズマチャンバ内でのプラズマの点火を防ぐように、前記第1のプラズマチャンバ内の圧力の大きさが制御され、前記第2のプラズマチャンバ内でのプラズマの点火を防ぐように、前記第2のプラズマチャンバ内の圧力の大きさが制御される、方法。
適用例16:チャンバ内マッチングを実行するための方法であって、プラズマチャンバに関する変数を測定するために第1の試験を実行し、前記プラズマチャンバは、前記第1の試験の実行中に第1の条件にあり、前記プラズマチャンバに関する前記変数を測定するために第2の試験を実行し、前記プラズマチャンバは、前記第2の試験の実行中に第2の条件にあり、前記第1の試験を用いて測定された前記変数と、前記第1の試験中に提供された電力との間の第1の関係を決定し、前記第2の試験を用いて測定された前記変数と、前記第2の試験中に提供された電力との間の第2の関係を決定し、前記第1および第2の関係に基づいて、後続処理動作中に前記プラズマチャンバに適用する電力調整を特定することを備え、前記電力調整は、前記プラズマチャンバに、前記プラズマチャンバが前記第1の条件にある時に決定された処理条件で前記処理動作を実行させる、方法。
適用例17:適用例16に記載の方法であって、前記第2の条件は、前記第1の条件の発生後に発生する、方法。
適用例18:適用例16に記載の方法であって、前記第2の条件は、前記プラズマチャンバ内に配置されたウエハに対して処理を実行した後に発生し、前記第1の条件は、前記処理を実行する前に発生する、方法。
適用例19:チャンバ間マッチングを実行するためのプラズマシステムであって、変数を測定するための第1の試験の実行に用いられる第1のプラズマチャンバと、RF信号を前記第1のプラズマチャンバに伝達するために前記第1のプラズマチャンバに接続されている高周波(RF)伝送線路と、前記RF伝送線路に接続されているインピーダンス整合回路と、前記RF信号を供給するために前記インピーダンス整合回路に接続されているRF発生器と、前記変数を測定するための第2の試験の実行に用いられる第2のプラズマチャンバと、前記第1および第2の試験は、1つのレシピに基づいて実行され、前記第2の試験は、前記第1のプラズマチャンバを前記RF伝送線路から切り離して前記第2のプラズマチャンバを前記RF伝送線路に接続した後に実行され、プロセッサを備え、前記RF発生器に接続されているホストシステムと、を備え、
前記プロセッサは、前記第1の試験で測定された前記変数と、前記第1の試験中に提供された電力との間の第1の関係を決定し、前記第2の試験で測定された前記変数と、前記第2の試験中に提供された電力との間の第2の関係を決定し、前記第1および第2の関係に基づいて、後続処理動作中に前記第2のプラズマチャンバに適用する電力調整を特定するよう構成されており、前記電力調整は、前記第2のプラズマチャンバに、前記第1のプラズマチャンバを用いて決定された処理条件で前記処理動作を実行させる、プラズマシステム。
適用例20:チャンバ内マッチングを実行するためのプラズマシステムであって、変数を測定するための第1の試験の実行に用いられるプラズマチャンバと、前記プラズマチャンバは、前記第1の試験の実行中に第1の条件にあり、前記プラズマチャンバは、前記変数を測定するための第2の試験の実行に用いられ、前記プラズマチャンバは、前記第2の試験の実行中に第2の条件にあり、RF信号を前記プラズマチャンバに伝達するために前記プラズマチャンバに接続されている高周波(RF)伝送線路と、前記RF伝送線路に接続されているインピーダンス整合回路と、前記RF信号を供給するために前記インピーダンス整合回路に接続されているRF発生器と、プロセッサを備え、前記RF発生器に接続されているホストシステムと、を備え、
前記プロセッサは、前記第1の試験を用いて測定された前記変数と、前記第1の試験中に提供された電力との間の第1の関係を決定し、前記第2の試験を用いて測定された前記変数と、前記第2の試験中に提供された電力との間の第2の関係を決定し、前記第1および第2の関係に基づいて、後続処理動作中に前記プラズマチャンバに適用する電力調整を特定するよう構成されており、前記電力調整は、前記プラズマチャンバに、前記プラズマチャンバが前記第1の条件にある時に決定された処理条件で前記処理動作を実行させる、プラズマシステム。
Claims (20)
- チャンバ間マッチングを実行するための方法であって、
変数を測定するために、第1のプラズマチャンバ内で第1の試験を実行し、
前記変数を測定するために、第2のプラズマチャンバ内で第2の試験を実行し、前記第1および第2の試験は1つのレシピに基づいて実行され、
前記第1の試験で測定された前記変数と、前記第1の試験中に提供された電力との間の第1の関係を決定し、
前記第2の試験で測定された前記変数と、前記第2の試験中に提供された電力との間の第2の関係を決定し、
前記第1および第2の関係に基づいて、後続処理動作中に前記第2のプラズマチャンバに適用する電力調整を特定することを備え、前記電力調整は、前記第2のプラズマチャンバに、前記第1のプラズマチャンバを用いて決定された処理条件で前記処理動作を実行させる、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記変数は、電流または電圧である、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記変数は、前記第1のプラズマチャンバ内に配置されたチャックに接続されたプローブを用いて、前記第1の試験中に測定される、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記変数は、前記第2のプラズマチャンバ内に配置されたチャックに接続されたプローブを用いて、前記第2の試験中に測定される、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記変数は、高周波(RF)発生器とウエハとの間の点に接続されたプローブを用いて前記第1の試験中に測定され、前記RF発生器は、RFケーブルを介してインピーダンス整合回路に接続され、前記インピーダンス整合回路は、RF伝送線路を介して前記第1のプラズマチャンバに接続され、前記ウエハは、前記チャックの表面上に載置される、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記レシピは、前記第1のプラズマチャンバ内の圧力、前記第1のプラズマチャンバ内の温度、前記第1のプラズマチャンバに提供されるRF信号の電力、前記RF信号の周波数、および、前記第1のプラズマチャンバの上側電極と前記第1のプラズマチャンバの下側電極との間のギャップを含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記レシピは、前記第2のプラズマチャンバ内の圧力、前記第2のプラズマチャンバ内の温度、前記第2のプラズマチャンバに提供されるRF信号の電力、前記RF信号の周波数、および、前記第2のプラズマチャンバの上側電極と前記第2のプラズマチャンバの下側電極との間のギャップを含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記第1の関係は直線関係である、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記第2の関係は直線関係である、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記電力調整は、前記第1の試験中に提供された前記電力と、前記第2の試験中に提供された前記電力との差である、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記後続処理動作は、前記第2のプラズマチャンバ内に配置されたウエハのエッチング、蒸着、または、洗浄を含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記処理条件は、前記変数の関数の値を含み、前記値は、或る量の前記電力が前記第1の試験中に前記プラズマチャンバに提供された時に、前記第1の試験中に達成された値である、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記第1のプラズマチャンバは、前記第2のプラズマチャンバより高い歩留まりを有する、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記第1および第2の試験の各々は、無プラズ試験を含む、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記無プラズマ試験中、前記第1のプラズマチャンバ内でのプラズマの点火を防ぐように、前記第1のプラズマチャンバ内の圧力の大きさが制御され、前記第2のプラズマチャンバ内でのプラズマの点火を防ぐように、前記第2のプラズマチャンバ内の圧力の大きさが制御される、方法。
- チャンバ内マッチングを実行するための方法であって、
プラズマチャンバに関する変数を測定するために第1の試験を実行し、前記プラズマチャンバは、前記第1の試験の実行中に第1の条件にあり、
前記プラズマチャンバに関する前記変数を測定するために第2の試験を実行し、前記プラズマチャンバは、前記第2の試験の実行中に第2の条件にあり、
前記第1の試験を用いて測定された前記変数と、前記第1の試験中に提供された電力との間の第1の関係を決定し、
前記第2の試験を用いて測定された前記変数と、前記第2の試験中に提供された電力との間の第2の関係を決定し、
前記第1および第2の関係に基づいて、後続処理動作中に前記プラズマチャンバに適用する電力調整を特定することを備え、前記電力調整は、前記プラズマチャンバに、前記プラズマチャンバが前記第1の条件にある時に決定された処理条件で前記処理動作を実行させる、方法。 - 請求項16に記載の方法であって、前記第2の条件は、前記第1の条件の発生後に発生する、方法。
- 請求項16に記載の方法であって、前記第2の条件は、前記プラズマチャンバ内に配置されたウエハに対して処理を実行した後に発生し、前記第1の条件は、前記処理を実行する前に発生する、方法。
- チャンバ間マッチングを実行するためのプラズマシステムであって、
変数を測定するための第1の試験の実行に用いられる第1のプラズマチャンバと、
RF信号を前記第1のプラズマチャンバに伝達するために前記第1のプラズマチャンバに接続されている高周波(RF)伝送線路と、
前記RF伝送線路に接続されているインピーダンス整合回路と、
前記RF信号を供給するために前記インピーダンス整合回路に接続されているRF発生器と、
前記変数を測定するための第2の試験の実行に用いられる第2のプラズマチャンバと、前記第1および第2の試験は、1つのレシピに基づいて実行され、前記第2の試験は、前記第1のプラズマチャンバを前記RF伝送線路から切り離して前記第2のプラズマチャンバを前記RF伝送線路に接続した後に実行され、
プロセッサを備え、前記RF発生器に接続されているホストシステムと、
を備え、
前記プロセッサは、
前記第1の試験で測定された前記変数と、前記第1の試験中に提供された電力との間の第1の関係を決定し、
前記第2の試験で測定された前記変数と、前記第2の試験中に提供された電力との間の第2の関係を決定し、
前記第1および第2の関係に基づいて、後続処理動作中に前記第2のプラズマチャンバに適用する電力調整を特定するよう構成されており、
前記電力調整は、前記第2のプラズマチャンバに、前記第1のプラズマチャンバを用いて決定された処理条件で前記処理動作を実行させる、プラズマシステム。 - チャンバ内マッチングを実行するためのプラズマシステムであって、
変数を測定するための第1の試験の実行に用いられるプラズマチャンバと、前記プラズマチャンバは、前記第1の試験の実行中に第1の条件にあり、前記プラズマチャンバは、前記変数を測定するための第2の試験の実行に用いられ、前記プラズマチャンバは、前記第2の試験の実行中に第2の条件にあり、
RF信号を前記プラズマチャンバに伝達するために前記プラズマチャンバに接続されている高周波(RF)伝送線路と、
前記RF伝送線路に接続されているインピーダンス整合回路と、
前記RF信号を供給するために前記インピーダンス整合回路に接続されているRF発生器と、
プロセッサを備え、前記RF発生器に接続されているホストシステムと、
を備え、
前記プロセッサは、
前記第1の試験を用いて測定された前記変数と、前記第1の試験中に提供された電力との間の第1の関係を決定し、
前記第2の試験を用いて測定された前記変数と、前記第2の試験中に提供された電力との間の第2の関係を決定し、
前記第1および第2の関係に基づいて、後続処理動作中に前記プラズマチャンバに適用する電力調整を特定するよう構成されており、
前記電力調整は、前記プラズマチャンバに、前記プラズマチャンバが前記第1の条件にある時に決定された処理条件で前記処理動作を実行させる、プラズマシステム。
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