CN113113282B - 上电极电源功率调节方法、半导体工艺设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种半导体工艺设备的上电极电源功率调节方法，包括：获取基准工艺腔室和当前工艺腔室进行半导体工艺步骤时对应的上电极电源的工艺负载；根据当前工艺腔室对应的工艺负载和基准工艺腔室对应的工艺负载，确定当前工艺腔室进行对应半导体工艺步骤时的补偿系数；在进行半导体工艺步骤时，控制当前工艺腔室的上电极电源输出补偿功率。本发明提供的功率调节方法根据不同工艺腔室的工艺负载对各当前工艺腔室的上电极电源功率进行调整，使当前工艺腔室中加载至等离子体的功率与基准工艺腔室保持一致，从而提高了不同工艺腔室中等离子体的参数一致性，进而提高了工艺结果的一致性。本发明还提供一种半导体工艺设备。
Description
技术领域
本发明涉及半导体工艺领域，具体地，涉及一种半导体工艺设备的上电极电源功率调节方法和一种半导体工艺设备。
背景技术
随着半导体元器件制造工艺的迅速发展，对元器件性能与集成度要求越来越高，使得等离子体技术得到了极广泛的应用。在等离子体刻蚀或沉积***中，通过在真空反应腔室内引入各种反应气体(如Cl2，SF6，C4F8，O2等)，利用外加电磁场(直流或交流)使气体原子内束缚电子摆脱势阱成为自由电子，获得动能的自由电子再与分子、原子或离子产生碰撞使得气体完全解离，形成等离子体。等离子体中含有大量电子、离子(包括正离子和负离子)、激发态原子、分子和自由基等活性粒子，这些活性粒子和置于腔体并曝露在等离子体中的晶圆表面相互作用，使晶圆材料表面发生各种物理化学反应，从而使材料表面性能发生变化，完成刻蚀或其他工艺过程。在用于半导体制造工艺的等离子体设备的研发中，最重要的因素是增大对衬底的加工能力，以便提高产率，以及执行用于制造高度集成器件工艺的能力。
集成电路特征尺寸不断减小，其要求的加工工艺也越来越严格，其中一个很重要的要求是刻蚀产品的一致性问题，在工艺过程中，对同一型号的机台所有腔室的工艺结果一致性均需做严格要求，来避免由于各腔室的一致性问题造成的工艺风险，因此不同腔室间需要通过严格的过程管控，实现工艺结果一致性。
然而，在现有的半导体工艺设备中，多个机台上的多个工艺腔室中产生的等离子体密度等状态参数往往各不相同，工艺结果一致性差。
发明内容
本发明旨在提供一种上电极电源功率调节方法和半导体工艺设备，该功率调节方法能够提高不同工艺腔室中等离子体的参数一致性，进而提高工艺结果的一致性。
为实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种半导体工艺设备的上电极电源功率调节方法，包括：
获取基准工艺腔室和当前工艺腔室进行半导体工艺步骤时对应的上电极电源的工艺负载；
根据所述当前工艺腔室对应的所述工艺负载和所述基准工艺腔室对应的所述工艺负载，确定所述当前工艺腔室进行对应半导体工艺步骤时的补偿系数；
在进行半导体工艺步骤时，控制所述当前工艺腔室的所述上电极电源输出补偿功率，所述补偿功率为所述当前工艺腔室进行的半导体工艺步骤中设置的所述上电极电源的额定功率与对应的所述补偿系数的乘积。
可选地，所述补偿系数为所述当前工艺腔室与所述基准工艺腔室进行所述半导体工艺步骤时对应的工艺负载之比。
可选地，所述基准工艺腔室和所述当前工艺腔室上均设置有上电极电路，所述上电极电源用于通过对应的上电极电路向对应的工艺腔室输出电能，所述获取基准工艺腔室和当前工艺腔室进行半导体工艺步骤时对应的上电极电源的工艺负载，包括：
获取每个所述半导体工艺步骤对应的等离子负载；
将所述基准工艺腔室对应的电路负载与所进行的半导体工艺步骤的等离子负载相加，得到所述基准工艺腔室进行对应半导体工艺步骤的工艺负载；
将所述当前工艺腔室对应的电路负载与所进行的半导体工艺步骤的等离子负载相加，得到所述当前工艺腔室进行对应半导体工艺步骤的工艺负载。
可选地，所述获取每个所述半导体工艺步骤对应的等离子负载，包括：
在进行每个所述半导体工艺步骤时，控制任一工艺腔室的所述上电极电源输出工艺功率，并检测所述上电极电源与对应的工艺腔室之间的工艺电流；
根据所述工艺功率与所述工艺电流得到所述工艺腔室对应于每个所述半导体工艺步骤的所述工艺负载；
将所述工艺腔室对应于每个所述半导体工艺步骤的所述工艺负载减去所述工艺腔室对应的电路负载，得到每个所述半导体工艺步骤对应的等离子负载。
可选地，所述工艺负载为所述工艺功率与所述工艺电流的平方之比。
可选地，每个工艺腔室对应的所述电路负载通过如下方式得到：
控制每个所述工艺腔室对应的上电极电源输出检测功率，并检测每个所述上电极电源与对应的工艺腔室之间的检测电流，在所述检测功率下所述工艺腔室中未发生等离子起辉；
根据每个所述工艺腔室对应的所述检测功率与所述检测电流得到每个所述工艺腔室对应的所述电路负载。
可选地，所述电路负载为所述检测功率与所述检测电流的平方之比。
作为本发明的第二个方面，提供一种半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括至少一个工艺腔室，所述半导体工艺设备能够通过前面所述的上电极电源功率调节方法对所述至少一个工艺腔室的上电极电源的功率进行调节。
可选地，所述半导体工艺设备包括多个工艺腔室，且所述半导体工艺设备能够以一个工艺腔室为基准工艺腔室，通过所述功率调节方法对其余工艺腔室的上电极电源的功率进行调节。
可选地，所述半导体工艺设备还包括多个电流检测装置，多个所述电流检测装置一一对应设置在多个所述上电极电源与对应的工艺腔室之间，所述电流检测装置用于获取每个所述上电极电源与对应的工艺腔室之间的工艺电流和/或检测电流，所述检测电流是指工艺腔室未发生等离子起辉时所述上电极电源输出的电流。
本发明提供的功率调节方法和半导体工艺设备能够根据不同工艺腔室的工艺负载得到当前工艺腔室相对于基准工艺腔室的补偿系数，并对当前工艺腔室的上电极电源进行调整，使当前工艺腔室中加载至等离子体的功率与基准工艺腔室保持一致，从而提高了不同工艺腔室中等离子体的参数一致性，进而提高了工艺结果的一致性。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是现有技术中一种半导体工艺设备的结构示意图；
图2是图1中半导体工艺设备的上电极射频通路的功率损耗组成示意图；
图3是图1中半导体工艺设备的上电极射频通路的等效电路示意图；
图4是图3中等效电路变换后的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的半导体工艺设备的部分结构示意图；
图6是本发明实施例提供的半导体工艺设备中一个工艺腔室的上电极射频通路的等效电路示意图；
图7是本发明实施例提供的半导体工艺设备中一个工艺腔室执行一个半导体工艺步骤时的等效电路示意图；
图8是本发明实施例提供的半导体工艺设备中一个工艺腔室执行另一个半导体工艺步骤时的等效电路示意图；
图9是本发明实施例提供的半导体工艺设备的上电极电源功率调节方法中获取不同工艺腔室的工艺负载，并求得补偿系数的原理示意图；
图10是本发明实施例提供的半导体工艺设备连续执行多个半导体工艺步骤的时序示意图；
图11是本发明实施例提供的半导体工艺设备的上电极电源功率调节方法的流程示意图；
图12是本发明另一实施例提供的半导体工艺设备的上电极电源功率调节方法的流程示意图；
图13是本发明另一实施例提供的半导体工艺设备的上电极电源功率调节方法的流程示意图；
图14是本发明另一实施例提供的半导体工艺设备的上电极电源功率调节方法的流程示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
现有半导体工艺设备结构通常如图1所示，上电极电源1通过匹配器2将功率加载至电感耦合线圈5上，工艺气体通过石英介质窗6上安装的喷嘴10进入反应腔室11中，同时电感耦合线圈上的射频能量通过介质窗6耦合至腔室中，产生等离子体9，作用于晶片7，晶片7置于静电卡盘8上部，偏压射频电源4通过匹配器3将射频能量加载至位于静电卡盘底部的射频铜柱上，从而提供射频场，产生射频偏压，在晶圆表面形成离子加速鞘层进行晶片7的刻蚀。
当上电极电源1所提供的功率形成射频电流加载到线圈5时，在反应腔室11内产生感应磁场，感应磁场是时变的，从而又产生环向的感应电场，从而激发腔室内的气体等离子体，当加载的射频功率不同时，等离子体的密度等状态参数均发生变化，进而产生的工艺结果也随之变化，因此上电极通路的整体效率一致性与等离子体状态一致性和工艺结果密切相关。
如图2所示，上电极ICP射频通路的功率损耗主要由匹配器损耗、线圈损耗、接触损耗以及最终到达等离子体的功率几部分组成，当射频电源输出功率为Pin时，通路的匹配器损耗、线圈损耗以及接触损耗等看作一个整体P0，最终被等离子体利用的功率为Pp＝Pin-P0，设定上电极通路效率为η，则η＝Pp/Pin。上射频回路的等效电路如图3所示，C1和C2为上匹配器中的可变电容器，将匹配器损耗电阻、线圈损耗电阻以及通路接触电阻等整体看作等效电阻r0，Lcoil为线圈电感，电感耦合的变压器模型下产生的等离子体的阻抗实部为rp，虚部等效电感为Lp，将后端的变压器模型做阻抗等效变换后，得到后端的整体等效阻抗实部rs和虚部等效电感Ls，等效电路如图4所示。
由于上射频通路中与功率消耗相关的匹配器、线圈以及安装接触电阻等因素的差异，即整体硬件损耗电阻r0存在差异，因此不同设备之间，当射频电源端的输出功率相同时，通路中的损耗不同，最终到达等离子体的功率大小也存在差异，产生的等离子体密度等状态参数不同，最终影响工艺结果一致性。因此通过控制电源输出端加载的射频功率一致性很难保证等离子体参数的一致性和工艺的重复性，多个机台进行工艺匹配(提高重复度)就更加困难。
为解决上述技术问题，作为本发明的一个方面，提供一种半导体工艺设备的上电极电源功率调节方法，如图11所示，该方法包括：
S10、获取基准工艺腔室和当前工艺腔室进行半导体工艺步骤时对应的上电极电源的工艺负载；
S20、根据当前工艺腔室对应的工艺负载和基准工艺腔室对应的工艺负载，确定当前工艺腔室进行对应半导体工艺步骤时的补偿系数α(具体地，补偿系数α可以为当前工艺腔室进行半导体工艺步骤时对应的工艺负载与基准工艺腔室进行半导体工艺步骤时对应的工艺负载之比)；
S30、在进行半导体工艺步骤时，控制当前工艺腔室的上电极电源输出补偿功率，补偿功率为当前工艺腔室进行的半导体工艺步骤中设置的上电极电源的额定功率与对应的补偿系数α的乘积。
本发明实施例对工艺腔室上的电路结构不做具体限定，例如，可选地，如图5、图6所示，工艺腔室上还设置有上电极电路，上电极电源用于通过对应的上电极电路向对应的工艺腔室输出电能。如图4所示，对于每一工艺腔室，其进行半导体工艺步骤时上电极电源承担的负载均可包括上电极电路上的电路负载(即电路负载r0)和工艺腔室中产生的等离子体的负载(即等离子负载rs)，最终加载至等离子体的负载Pp为Pin*[rs/(rs+r0)]，而由于同一半导体工艺步骤中产生的等离子体的负载rs相同，因此，最终加载至等离子体的负载Pp受电路负载r0影响，且与工艺负载成反比。
在本发明实施例提供的功率调节方法中，以基准工艺腔室的工艺负载为基准，得到当前工艺腔室对应的工艺负载与基准工艺腔室对应的工艺负载之比的补偿系数α，并通过该补偿系数α对各当前工艺腔室的电源功率进行调节(该基准工艺腔室可以为当前半导体工艺设备中的一个工艺腔室或者为其他半导体工艺设备中的某一工艺腔室)。
例如，在调节前，基准工艺腔室中加载至等离子体的负载Pp1＝Pin*[rs/(rs+r01)]，而某一当前工艺腔室中加载至等离子体的负载Pp2＝Pin*[rs/(rs+r02)]，Pp1与Pp2之间的差值由r02所致。在本发明实施例提供的功率调节方法中，由基准工艺腔室的工艺负载(rs+r01)和该当前工艺腔室的工艺负载(rs+r02)得到补偿系数α，α＝(rs+r02)/(rs+r01)，最终当前工艺腔室中加载至等离子体的负载Pp2＝Pin*[rs/(rs+r02)]*α＝Pin*[rs/(rs+r02)]*[(rs+r02)/(rs+r01)]＝Pin*[rs/(rs+r01)]，即与基准工艺腔室中最终加载至等离子体的负载相等，本发明实施例提供的功率调节方法能够根据不同工艺腔室的工艺负载得到当前工艺腔室相对于基准工艺腔室的补偿系数α，并对当前工艺腔室的上电极电源进行调整，使当前工艺腔室中加载至等离子体的功率与基准工艺腔室保持一致，从而提高了不同工艺腔室中等离子体的参数一致性，进而提高了工艺结果的一致性。
本发明实施例对如何获取工艺腔室的工艺负载不做具体限定，例如，可选地，如图12所示，获取基准工艺腔室和当前工艺腔室进行半导体工艺步骤时对应的上电极电源的工艺负载的步骤S10可以包括：
S01、在进行半导体工艺步骤时，控制每个工艺腔室的上电极电源输出工艺功率P，并检测每个上电极电源与对应的工艺腔室之间的工艺电流I；
S02、根据工艺功率P与工艺电流I得到工艺负载(rs+r0)，具体地，该工艺负载为工艺功率P与工艺电流I的平方之比(P/I2)。
为提高根据工艺负载(rs+r0)之比得到各当前工艺腔室对应的补偿系数的效率，优选地，如图13所示，获取基准工艺腔室和当前工艺腔室进行半导体工艺步骤时对应的上电极电源的工艺负载的步骤S10可以包括：
S11、获取每个半导体工艺步骤对应的等离子负载rs；
S12、将基准工艺腔室对应的电路负载与所进行的半导体工艺步骤的等离子负载rs相加，得到基准工艺腔室进行对应半导体工艺步骤的工艺负载；
S13、将当前工艺腔室对应的电路负载与所进行的半导体工艺步骤的等离子负载rs相加，得到当前工艺腔室进行对应半导体工艺步骤的工艺负载。
例如，如图9所示，以A腔室为基准工艺腔室，在利用B和C腔室执行半导体工艺1时，先获取半导体工艺步骤1对应的等离子负载rs1，并计算A腔室(基准工艺腔室)进行半导体工艺步骤1的工艺负载(rs1+r0A)、B腔室进行半导体工艺步骤1的工艺负载(rs1+r0B)、C腔室进行半导体工艺步骤1的工艺负载(rs1+r0C)，进而得到B腔室、C腔室的工艺负载与A腔室的工艺负载之间的比值(即补偿系数)。
如图9所示，对于工艺步骤1而言，B腔室的补偿系数为(rs1+r0B)/(rs1+r0A)，A腔室的输入功率Pin最终加载至等离子体(plasma)的负载为PpA＝[rs1/(rs1+r0A)]*Pin，B腔室的输入功率Pin调整前，加载至B腔室中等离子体的负载为PpB＝[rs1/(rs1+r0B)]*Pin，在根据补偿系数(rs1+r0B)/(rs1+r0A)将B腔室的输入功率调整为[(rs1+r0B)/(rs1+r0A)]*Pin后，加载至B腔室中等离子体的负载为PpB1＝[rs1/(rs1+r0B)]*[(rs1+r0B)/(rs1+r0A)]*Pin＝[rs1/(rs1+r0A)]*Pin，即，加载至B腔室中等离子体的负载与加载至A腔室中等离子体的负载相等，从而可以提高B腔室与A腔室(基准工艺腔室)工艺结果的一致性；
C腔室的补偿系数为(rs1+r0C)/(rs1+r0A)，C腔室的输入功率Pin调整前，加载至C腔室中等离子体的负载为PpC＝[rs1/(rs1+r0C)]*Pin，在根据补偿系数(rs1+r0C)/(rs1+r0A)将C腔室的输入功率调整为[(rs1+r0C)/(rs1+r0A)]*Pin后，加载至C腔室中等离子体的负载为PpC1＝[rs1/(rs1+r0C)]*[(rs1+r0C)/(rs1+r0A)]*Pin＝[rs1/(rs1+r0A)]*Pin，即，加载至C腔室中等离子体的负载与加载至A腔室中等离子体的负载相等，从而可以提高C腔室与A腔室(基准工艺腔室)工艺结果的一致性。
本发明实施例对如何获取每个半导体工艺步骤对应的等离子负载rs不做具体限定，例如，可选地，如图14所示，获取每个半导体工艺步骤对应的等离子负载的步骤S11可以包括：
S111、在进行每个半导体工艺步骤时，控制任一工艺腔室的上电极电源输出工艺功率P，并检测上电极电源与对应的工艺腔室之间的工艺电流I；
S112、根据工艺功率P与工艺电流I得到工艺腔室对应于每个半导体工艺步骤的工艺负载；
S113、将工艺腔室对应于每个半导体工艺步骤的工艺负载减去工艺腔室对应的电路负载r0，得到每个半导体工艺步骤对应的等离子负载rs。
在本发明实施例中，仅通过对任一工艺腔室的一次半导体工艺步骤测试即可得到同一半导体工艺步骤对应于所有工艺腔室均为同一数值的等离子负载rs，接下来仅需将相同的等离子负载rs与每个工艺腔室对应的电路负载r0相加即可得到每个工艺腔室对应于该半导体工艺步骤的工艺负载，提高了获取工艺负载的效率，进而提高了补偿系数α的计算效率。
在实际生产中，可预先将测得的各半导体工艺步骤(Step1、Step2……StepN)对应的等离子负载(rs1、rs2……rsN)记录下来(如下表1-1所示)，例如，如图7、图8所示，执行半导体工艺步骤1(Step1)时根据输入功率Pin(即工艺功率P)和工艺电流I1得到半导体工艺步骤1对应的等离子负载rs1(即工艺腔室的阻抗实部rs1)；执行半导体工艺步骤2(Step2)时根据输入功率Pin(即工艺功率P)和工艺电流I2得到半导体工艺步骤1对应的等离子负载rs2(即工艺腔室的阻抗实部rs2)。如图10所示，在进行每一步半导体工艺步骤时直接调取该步骤对应的等离子负载即可快速计算该工艺步骤时间(T1、T2……TN)内对应的补偿系数α，提高电源功率的调整效率。
表1-1不同工艺步骤对应的等离子负载
| Step | rs |
| 1 | rs1 |
| 2 | rs2 |
| … | … |
| N | rsN |
本发明实施例对如何得到各工艺腔室对应的电路负载r0不做具体限定，例如，可选地，每个工艺腔室对应的电路负载r0可通过如下方式得到：
控制每个工艺腔室对应的上电极电源输出检测功率P0，并检测每个上电极电源与工艺腔室之间的检测电流I0，在检测功率P0下工艺腔室中未发生起辉；
根据每个工艺腔室对应的检测功率P0与检测电流I0得到每个工艺腔室对应的电路负载r0，具体地，电路负载r0为检测功率P0与检测电流I0的平方之比。
在工艺腔室中未发生起辉时，电源的全部功率均加载至电路负载r0上，因此可直接通过检测功率P0与检测电流I0计算各工艺腔室对应的电路负载r0。
作为本发明的第二个方面，提供一种半导体工艺设备，该半导体工艺设备能够通过本发明实施例提供的上电极电源功率调节方法对至少一个工艺腔室的上电极电源的功率进行调节。
本发明实施例对该上电极电源的输出频率不做具体限定，例如，可选地，上电极电源的输出频率可以为13.56MHz。
本发明实施例对该半导体工艺设备中的工艺腔室数量不做具体限定，例如，可选地，该半导体工艺设备可以包括多个工艺腔室，且该半导体工艺设备能够以一个工艺腔室为基准工艺腔室，通过该功率调节方法对其余工艺腔室的上电极电源的功率进行调节。或者，在本发明的其他实施方式中，该基准工艺腔室也可以为其他半导体工艺设备中的某一工艺腔室。
本发明实施例对该半导体工艺设备如何检测上电极电源的功率不作具体限定，例如，可选地，如图5所示，该半导体工艺设备还包括多个电流检测装置12，多个电流检测装置12一一对应设置在多个上电极电源与对应的工艺腔室之间，电流检测装置12用于获取每个上电极电源与对应的工艺腔室之间的工艺电流和/或检测电流，该检测电流是指工艺腔室未发生等离子起辉时上电极电源输出的电流。
本发明实施例提供的半导体工艺设备能够根据不同工艺腔室的工艺负载得到当前工艺腔室相对于基准工艺腔室的补偿系数α，并对当前工艺腔室的上电极电源进行调整，使当前工艺腔室中加载至等离子体的功率与基准工艺腔室保持一致，从而提高了不同工艺腔室中等离子体的参数一致性，进而提高了工艺结果的一致性。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种半导体工艺设备的上电极电源功率调节方法，其特征在于，包括：
获取基准工艺腔室和当前工艺腔室进行半导体工艺步骤时对应的上电极电源的工艺负载；
根据所述当前工艺腔室对应的所述工艺负载和所述基准工艺腔室对应的所述工艺负载，确定所述当前工艺腔室进行对应半导体工艺步骤时的补偿系数；
在进行半导体工艺步骤时，控制所述当前工艺腔室的所述上电极电源输出补偿功率，所述补偿功率为所述当前工艺腔室进行的半导体工艺步骤中设置的所述上电极电源的额定功率与对应的所述补偿系数的乘积。
2.根据权利要求1所述的功率调节方法，其特征在于，所述补偿系数为所述当前工艺腔室与所述基准工艺腔室进行所述半导体工艺步骤时对应的工艺负载之比。
3.根据权利要求1或2所述的功率调节方法，其特征在于，所述基准工艺腔室和所述当前工艺腔室上均设置有上电极电路，所述上电极电源用于通过对应的上电极电路向对应的工艺腔室输出电能，所述获取基准工艺腔室和当前工艺腔室进行半导体工艺步骤时对应的上电极电源的工艺负载，包括：
获取每个所述半导体工艺步骤对应的等离子负载；
将所述基准工艺腔室对应的电路负载与所进行的半导体工艺步骤的等离子负载相加，得到所述基准工艺腔室进行对应半导体工艺步骤的工艺负载；
将所述当前工艺腔室对应的电路负载与所进行的半导体工艺步骤的等离子负载相加，得到所述当前工艺腔室进行对应半导体工艺步骤的工艺负载。
4.根据权利要求3所述的功率调节方法，其特征在于，所述获取每个所述半导体工艺步骤对应的等离子负载，包括：
在进行每个所述半导体工艺步骤时，控制任一工艺腔室的所述上电极电源输出工艺功率，并检测所述上电极电源与对应的工艺腔室之间的工艺电流；
根据所述工艺功率与所述工艺电流得到所述工艺腔室对应于每个所述半导体工艺步骤的所述工艺负载；
将所述工艺腔室对应于每个所述半导体工艺步骤的所述工艺负载减去所述工艺腔室对应的电路负载，得到每个所述半导体工艺步骤对应的等离子负载。
5.根据权利要求4所述的功率调节方法，其特征在于，所述工艺负载为所述工艺功率与所述工艺电流的平方之比。
6.根据权利要求4所述的功率调节方法，其特征在于，每个工艺腔室对应的所述电路负载通过如下方式得到：
控制每个所述工艺腔室对应的上电极电源输出检测功率，并检测每个所述上电极电源与对应的工艺腔室之间的检测电流，在所述检测功率下所述工艺腔室中未发生等离子起辉；
根据每个所述工艺腔室对应的所述检测功率与所述检测电流得到每个所述工艺腔室对应的所述电路负载。
7.根据权利要求6所述的功率调节方法，其特征在于，所述电路负载为所述检测功率与所述检测电流的平方之比。
8.一种半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括至少一个工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺设备能够通过权利要求1至7中任意一项所述的上电极电源功率调节方法对所述至少一个工艺腔室的上电极电源的功率进行调节。
9.根据权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备包括多个工艺腔室，且所述半导体工艺设备能够以一个工艺腔室为基准工艺腔室，通过所述功率调节方法对其余工艺腔室的上电极电源的功率进行调节。
10.根据权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括多个电流检测装置，多个所述电流检测装置一一对应设置在多个所述上电极电源与对应的工艺腔室之间，所述电流检测装置用于获取每个所述上电极电源与对应的工艺腔室之间的工艺电流和/或检测电流，所述检测电流是指工艺腔室未发生等离子起辉时所述上电极电源输出的电流。
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