JP2014186226A - 表示装置及び撮像装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光学ファインダの内部に配置された撮影情報表示パネル表示される撮影情報を照明ムラなく視認可能とする。
【解決手段】撮像装置が備える光学ファインダの内部に、被写体光学像を結像させる焦点検出板１１５と、複数の撮影情報を表示する撮影情報表示パネル１１６とを配置し、ＰＮ液晶パネル照明部１１８からの照明光を撮影情報表示パネル１１６の側面から導光部１１７を通して照明する。表示制御部１１０は、撮影情報表示パネル１１６での導光部１１７からの距離に応じた照明光の強度と撮影情報表示パネル１１６において複数の撮影情報を表示する領域での光の拡散度とを掛け合わせた値が、これらの領域で同じとなるように表示濃度を変更する。
【選択図】図６

Description

本発明は、表示装置及び撮像装置に関し、特に撮像装置の光学ファインダ内の撮影情報表示部の照明時の表示技術に関する。

一眼レフカメラ等の撮像装置として、光学ファインダの光路中に高分子分散型液晶を用いた撮影情報表示パネルを配置したものが知られている。このような撮像装置では、撮影情報表示パネル内のパターンのＯＮ／ＯＦＦによって、撮影レンズの焦点調節を行う領域を示す焦点検出領域やクロップ撮影モード時の撮影領域、方眼等の各種の撮影情報を撮影者に視認させている。

撮影情報表示パネルは、例えば、高分子分散型液晶に対して所定のパターンで電圧印加を行うことで、被写界光を透過する透過部と被写界光を拡散する拡散部とを高分子分散型液晶に形成し、透過部と拡散部にコントラストを生じさせる。これにより、撮影者は、撮影情報表示パネル内にパターンに応じて表示される各種の撮影情報を視認することができる。

しかし、被写界が低輝度の場合、透過部と拡散部とのコントラストが小さくなるため、撮影情報表示パネル内の撮影情報が見え難くなるという問題がある。この問題に対して、ＬＥＤ等の発光素子からの出射光により拡散部を照明することで拡散部が光って見えるようにすることで、撮影情報表示の視認を可能にする技術が知られている。

撮影情報表示パネルのＬＥＤ等の発光素子による照明方式としては、撮影情報表示パネルの両側から照明する方式や、コストダウンや小型化のために片側から照明する方式がある。ここで、特に片側から照明を行う方式では、均質な媒質の中では照明光の強度は発光素子からの距離の２乗に反比例するため、発光素子と撮影情報表示パネル内の表示位置との距離による照明ムラが生じやすいという問題がある。

そこで、一眼レフカメラのファインダ光路中に配置した高分子分散型液晶を照明するためのＬＥＤの対向面に反射部材を設けることにより、ＬＥＤの照明光（ＬＥＤからの出射光）を効率的に利用して照明ムラを軽減する技術が提案されている（特許文献１参照）。

特開２００１−５１３３５号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載された技術では、ＬＥＤの照明光の強度がＬＥＤの対向面に設けた反射部材の反射面に到達するまでの照明光の減衰について検討されていない。そのため、ＬＥＤの照明光と撮影情報表示パネル内の拡散部との距離によっては、たとえ反射部材を設けていても、照明ムラの発生を効果的に抑えられない場合が考えられる。

本発明は、光学ファインダ内に配置された撮影情報表示パネルに対して照明を行ったときに、撮影情報表示パネル表示される撮影情報を照明ムラなく視認することができる技術を提供することを目的とする。

本発明に係る表示装置は、被写体光学像を結像させる焦点検出板と、前記焦点検出板の近傍に配置され、複数の撮影情報を表示する撮影情報表示パネルと、前記撮影情報表示パネルをその側面から照明する照明手段とを、撮像装置の光学ファインダ内に備える表示装置であって、前記撮影情報表示パネルにおける表示濃度を調整する調整手段を有し、前記調整手段は、前記照明手段の点灯時に、前記撮影情報表示パネルでの前記照明手段からの距離に応じた照明光の強度と前記撮影情報表示パネルの前記複数の撮影情報を表示する領域での光の拡散度とを掛け合わせた値が前記複数の撮影情報を表示する領域で同じとなるように前記撮影情報の表示濃度を変更することを特徴とする。

本発明に係る表示装置では、光学ファインダの内部に配置された撮影情報表示パネルの照明を撮影情報表示パネルの側面から照明手段により行う。その際に、撮影情報表示パネルでの照明手段からの距離に応じた照明光の強度と撮影情報表示パネルの複数の撮影情報を表示する領域での光の拡散度とを掛け合わせた値が複数の撮影情報を表示する領域で同じとなるように表示濃度を変更する。これにより撮影情報を表示する領域での拡散光の強さが同じとなるため、撮影者は、表示装置を見たときに、撮影情報を同じ明るさで照明ムラなく視認することができる。

本発明の実施形態に係る撮像装置（一眼レフカメラ）の概略構造を示す図である。 図１の撮像装置の概略構成を示すブロック図である。 図１の撮像装置において撮影者が接眼レンズを通して視認することができる画像の例を示す図である。 図１の撮像装置が備えるＰＮ液晶パネルと焦点検出板の構成を示す図である。 図４のＰＮ液晶パネルの電極間に印加する電圧と入射光に対するＰＮ液晶の拡散度との関係を示す図である。 図１の撮像装置が備えるＰＮ液晶パネル照明部によるＰＮ液晶パネルの照明方法を模式的に示す図である。 図６に示すＰＮ液晶パネル照明部からの照明光が導光部を介してＰＮ液晶パネルに照射されたときの、導光部における照明光の射出口から焦点検出領域までの距離と焦点検出領域における照明光の強度との関係を示す図である。 図６に示す導光部における照明光の射出口から焦点検出領域までの距離とＰＮ液晶パネルの拡散度との関係を示す図である。 図６に示す導光部における照明光の射出口から焦点検出領域までの距離と電極パターンに対する印加電圧値を示す図である。 図１の撮像装置による撮影動作の流れを示すフローチャートである。

以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る撮像装置（一眼レフカメラ）の概略構造を示す図である。

図１の撮像装置は、ＣＰＵ１０１、撮影レンズ１０５、レンズ駆動部１０６、撮像素子（以下「撮像センサ」と記す）１０７、主ミラー１１１、サブミラー１１２、フォーカルプレーンシャッタ１１３、外部表示部１１４及び焦点検出板１１５を備える。また、撮像装置は、ＰＮ液晶パネル１１６、導光部１１７、ＰＮ液晶パネル照明部１１８、焦点検出制御部１１９、視野枠１２０、撮影パラメータ表示部１２１、ペンタプリズム１２２、測光レンズ１２３、測光センサ１２４及び接眼レンズ１２５を備える。

中央演算処理装置であるＣＰＵ１０１は、ＥＥＰＲＯＭ１０１ａ又はＲＯＭ１０２（図２参照）に格納された所定のプログラムをＲＡＭ１０３（図２参照）に展開し実行することにより、撮像装置の全体的な制御を行う。撮影レンズ１０５は、被写体からの反射光束（被写界光）を撮像センサ１０７の結像面に被写体光学像として結像させる。なお、図１では、撮影レンズ１０５として便宜的に１枚のレンズを示しているが、撮影レンズ１０５は、実際には、フォーカスレンズやズームレンズ等を含む複数のレンズで構成されており、撮影レンズ１０５の焦点位置を調整することにより、被写体に対する合焦動作を行う。レンズ駆動部１０６は、ＣＰＵ１０１からの指令に従い、撮影レンズ１０５を光軸方向で駆動することにより、合焦動作やズーム動作を行う。

撮像センサ１０７は、ＣＣＤセンサ或いはＣＭＯＳセンサ等の光電変換素子であり、結蔵した光学像を電気信号（アナログ信号）に変換する。撮像センサ１０７は、例えば、約１０００万画素（３８８８×２５９２）の有効画素数を有する。また、撮像センサ１０７からのアナログ信号の出力形態、出力されたアナログ信号の処理については、図２を参照して後述する。

主ミラー１１１は、撮影レンズ１０５を通る被写界光を焦点検出板１１５に導く。焦点検出板１１５は、撮影レンズ１０５の結像位置（撮像センサ１０７と共役の位置）に配置されており、撮影レンズ１０５を通過した被写界光は焦点検出板１１５に１次結像される。撮影者は、焦点検出板１１５に結像した光学像をペンタプリズム１２２と接眼レンズ１２５を通して視認することができる。このように、撮像装置は、所謂、ＴＴＬ方式の光学ファインダを備える構造となっている。

外部表示部１１４は、例えば、ＴＦＴカラー液晶パネル等であり、ライブビュー画像の他に、撮影された画像や撮像装置の各種設定を行うためのメニュー画面等の表示に用いられる。光学ファインダ内において焦点検出板１１５の近傍に配置されたＰＮ液晶パネル１１６は、ＰＮ液晶（高分子分散型液晶）パネルからなる撮影情報表示パネルである。本実施形態では、ＰＮ液晶パネル１１６は、撮影レンズ１０５の焦点検出領域１２６（図３参照）を撮影者に知らしめるものである。

ＰＮ液晶パネル照明部１１８は、ＰＮ液晶パネル１１６に対して照明を行う光源である。例えば、被写界が低輝度の場合に、ＰＮ液晶パネル照明部１１８からの照明光が、導光部１１７を介してＰＮ液晶パネル１１６を照明する。なお、ＰＮ液晶パネル１１６とＰＮ液晶パネル照明部１１８については、後に詳細に説明する。

視野枠１２０は、ＰＮ液晶パネル１１６とペンタプリズム１２２との間に配置されており、被写界光の周辺部を遮光することによって撮像センサ１０７により撮像可能な領域を撮影者に視認させる。撮影パラメータ表示部１２１は、導光プリズム（不図示）、ペンタプリズム１２２及び接眼レンズ１２５を介して、撮影レンズ１０５の絞り値やフォーカルプレーンシャッタ１１３のシャッタ速度等の各種の撮影パラメータを表示し、撮影者に知らしめる。

測光センサ１２４は、例えば、シリコンフォトダイオードからなり、測光レンズ１２３によって焦点検出板１１５に結像した被写体光学像を測光センサ１２４のチップ部上に２次結像させる。これにより、被写界の輝度分布を検出することができる。ここで、測光センサ１２４のチップ部は、横５×縦３の１５領域からなる測光領域に分割されており、各領域に対応した被写界輝度の検出を可能としている。

主ミラー１１１は半透過ミラーであり、主ミラー１１１を透過した一部の被写界光はサブミラー１１２を通じて焦点検出制御部１１９に導かれる。焦点検出制御部１１９は、焦点検出用の一対のラインＣＣＤセンサを有し、ラインＣＣＤセンサの出力の位相差（デフォーカス量）を算出する。また、焦点検出制御部１１９は、ラインＣＣＤセンサの蓄積時間とＡＧＣ（オートゲインコントロール）の制御を行う。焦点検出制御部１１９により、周知の位相差検出方式の焦点検出動作が行われ、被写体に対して、自動的に撮影レンズ１０５を焦点位置に駆動する、所謂、ＡＦ（オートフォーカシング）動作が行われる。

なお、一般的に、複数領域での焦点検出動作が可能であり、本実施形態では、後述するように、撮像範囲の中央及び上下左右に１３点の焦点検出領域１２６（図３参照）が配置されているものとする。ＣＰＵ１０１は、１３点の焦点検出領域１２６から選択された１又は複数或いは全ての焦点検出領域に従って、測光センサ１２４により検出された輝度値に対して重み付け演算を行い、露出制御値を算出する。そして、ＣＰＵ１０１は、算出した露出制御値に基づいてフォーカルプレーンシャッタ１１３のシャッタ速度と撮影レンズ１０５の絞り値を最適に設定する。

図２は、図１の撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図２に示す構成要素のうち、図１と重複するものについては、同じ符号を付して、ここでの説明を省略する。

ＣＰＵ１０１には、ＲＯＭ１０２、ＲＡＭ１０３、データ格納部１０４、レンズ駆動部１０６、撮像センサ制御部１０８及び画像処理部１０９が接続されている。また、ＣＰＵ１０１には、表示制御部１１０、フォーカルプレーンシャッタ１１３、焦点検出制御部１１９、測光センサ１２４、レリーズＳＷ１４０及びＤＣ／ＤＣコンバータ１４２が接続されている。

ＣＰＵ１０１は、不揮発性メモリであるＥＥＰＲＯＭ１０１ａを含む。ＲＯＭ１０２には、撮像装置の動作制御を行うための制御プログラムが記憶されている。ＣＰＵ１０１は、ＲＯＭ１０２に格納された制御プログラムに基づいて各種制御を行う。これらの制御は、画像処理部１０９から出力された撮影画像信号を読み込み、ＲＡＭ１０３へ転送する処理、ＲＡＭ１０３から表示制御部１１０へ画像データを転送する処理、画像データをＪＰＥＧ圧縮したファイル形式でデータ格納部１０４へ格納する処理を含む。また、ＣＰＵ１０１は、撮像センサ制御部１０８や画像処理部１０９、表示制御部１１０等に対して、撮影データ取り込み画素数の変更やデジタル画像処理内容の変更を指示する。

ＲＡＭ１０３は、画像展開エリア１０３ａ、ワークエリア１０３ｂ、ＶＲＡＭ１０３ｃ、一時退避エリア１０３ｄを有する。画像展開エリア１０３ａは、画像処理部１０９から送られてきた撮影画像（ＹＵＶデジタル信号）やデータ格納部１０４から読み出されたＪＰＥＧ圧縮画像データを一時的に格納する。また、画像展開エリア１０３ａは、画像圧縮処理、解凍処理のための画像専用ワークエリアとして使用される。ワークエリア１０３ｂは、各種プログラムを展開、実行するために用いられる。ＶＲＡＭ１０３ｃは、外部表示部１１４へ表示する表示データを格納する。一時退避エリア１０３ｄは、各種データを一時退避させるためのエリアである。データ格納部１０４は、ＣＰＵ１０１によりＪＰＥＧ圧縮された撮影画像データやアプリケーションより参照される各種付属データ等を、ファイル形式で格納するフラッシュメモリである。

表示制御部１１０は、ＣＰＵ１０１からの指示に従って、外部表示部１１４における画像表示制御を行う。具体的には、表示制御部１１０は、画像処理部１０９から転送されたＹＵＶデジタル画像データやデータ格納部１０４から読み出された画像ファイルに対してＪＰＥＧの解凍を行ったＹＵＶデジタル画像データを受け取り、ＲＧＢデジタル信号へ変換し、外部表示部１１４へ出力する。また、表示制御部１１０は、後述の通り、ＰＮ液晶パネル１１６の各電極間の印加電圧の制御を行う。更に、表示制御部１１０は、ＰＮ液晶パネル照明部１１８の動作制御と撮影パラメータ表示部１２１の表示制御を行う。

撮像センサ１０７は、ＣＰＵ１０１による解像度の変換指示に従って、水平方向と垂直方向とにおいて画素データを間引いて出力することができるようになっている。撮像センサ制御部１０８は、撮像センサ１０７に転送クロック信号やシャッタ信号を供給するためのタイミングジェネレータ、センサ出力信号のノイズ除去、ゲイン処理を行うための回路を有する。また、撮像センサ制御部１０８は、撮像センサ１０７から出力されるアナログ信号を１０ビットデジタル信号に変換するためのＡ／Ｄ変換回路と、ＣＰＵ１０１からの解像度変換指示に従って画素間引き処理を行うための回路等を含む。

画像処理部１０９は、撮像センサ制御部１０８から出力された１０ビットデジタル信号に対して、ガンマ変換や色空間変換、ホワイトバランス、ＡＥ、フラッシュ補正等の画像処理を行い、ＹＵＶ（４：２：２）フォーマットの８ビットデジタル信号を出力する。

レリーズＳＷ１４０は、撮影者の操作により、ＣＰＵ１０１に対して撮影動作を指示する。レリーズＳＷ１４０は、不図示であるが、半押し状態で測光や測距が開始される第１スイッチと、全押し状態で撮影動作が開始される第２スイッチとで構成される。撮影者がレリーズＳＷ１４０を押下すると、主ミラー１１１が撮影レンズ１０５の光路外に退避する。また、撮影レンズ１０５によって集光された被写界光は、フォーカルプレーンシャッタ１３３によってその光量制御が行われ、撮像センサ１０７に被写体光学像として結像する。撮像センサ１０７は被写体光学像を光電変換し、得られた電気信号が処理されて画像データが生成され、生成された画像データは撮影済み画像としてデータ格納部１０４に記憶されると共に、外部表示部１１４に撮影画像が表示される。

電池１４１は、撮像装置へ電源（電力）を供給する。電池１４１は、例えば、一次電池、二次電池又はＡＣアダプタ等である。ＤＣ／ＤＣコンバータ１４２は、電池１４１からの電源供給を受けて、昇圧やレギュレーションを行うことにより複数の電源を作り出し、ＣＰＵ１０１を初めとする各種電気回路や駆動部に必要な電圧の電源を供給する。

次に、ＰＮ液晶パネル１１６とＰＮ液晶パネル照明部１１８について詳細に説明する。図３は、撮影者が接眼レンズ１２５を通して視認することができる画像の例を示す図である。また、図４は、ＰＮ液晶パネル１１６と焦点検出板１１５の構成を示す図である。図４（ａ）は、ＰＮ液晶パネル１１６と焦点検出板１１５との位置関係を示しており、図４（ｂ）は、ＰＮ液晶パネル１１６の一部分解斜視図である。

図３に示すように、撮影者は、接眼レンズ１２５を通して、焦点検出板１１５に結像した被写体像に、１３点の焦点検出領域１２６を重畳して視認することができる。また、撮影者は、撮影パラメータ表示部１２１に表示されたシャッタ速度、絞り値等を確信することができる。

図４に示すように、ＰＮ液晶パネル１１６は、概略、ＰＮ液晶層１１６ｃを上下２枚の板ガラス１１６ａ，１１６ｂにより挟持した３層構造を有する。２枚の板ガラス１１６ａ，１１６ｂのＰＮ液晶層１１６ｃに対向する面にはＩＴＯ（透明電極）による電極パターンが形成されている。本実施形態では、焦点検出板１１５側の板ガラス１１６ｂのＰＮ液晶層１１６ｃ側の表面には、図３に示す焦点検出領域１２６に対応する１３点の矩形形状を有する電極パターンＬ１〜Ｌ１３が形成されており、その他の領域には電極パターンＬ０がパターニングされている。他方の板ガラス１１６ａ（不図示のペンタプリズム１２２側の板ガラス）におけるＰＮ液晶層１１６ｃ側の表面の全面に、ＣＯＭ電極（全面電極）がパターニングされている。

ＰＮ液晶パネル１１６は、ＣＯＭ電極と電極パターンＬ０〜Ｌ１３との間の電圧印加制御によって透過状態と拡散状態とを切り替えることが可能となっている。ＰＮ液晶パネル１１６は、ＣＯＭ電極と電極パターンＬ０〜Ｌ１３との間が電圧無印加状態にあるとき、ＰＮ液晶層１１６ｃを構成する高分子と液晶との屈折率が異なるために被写界光が散乱するため、撮影者は被写体像を視認できなくなる。一方、ＣＯＭ電極と電極パターンＬ０〜Ｌ１３との間が電圧印加状態では、ＰＮ液晶層１１６を構成する高分子と液晶との屈折率が一致して、被写界光が透過可能となるため、撮影者は被写体像を視認可能となる。

よって、ＰＮ液晶パネル１１６は、本実施形態では、１３点の焦点検出領域１２６を表示可能である。図３は、ＣＯＭ電極と焦点検出領域１２６に対応する電極パターンＬ１〜Ｌ１３との間に電圧が印加されていない電圧無印加状態にあり、その他の領域（電極パターンＬ０が形成されている領域）は電圧印加状態にあることを示している。

次に、ＰＮ液晶パネル１１６における電極パターンＬ０〜Ｌ１３／ＣＯＭ電極間（以下、適宜、単に「ＰＮ液晶パネル１１６の電極間」という）に印加する電圧とＰＮ液晶パネル１１６に導光された被写界光の透過／拡散との関係について更に詳細に説明する。

図５は、ＰＮ液晶パネル１１６の電極間に印加する電圧と入射光に対するＰＮ液晶の拡散度との関係を示す図である。図５に示すように、ＰＮ液晶パネル１１６の電極間の印加電圧が大きくなると、ＰＮ液晶パネル１１６の拡散度（％）は小さくなる、つまり、入射光の透過率が大きくなる。

なお、先に図３を参照して電圧印加状態と電圧無印加状態でのＰＮ液晶パネル１１６の表示状態について説明した。しかし、これに限定されず、図５に示されるように、印加電圧値の制御によって、透過状態と拡散状態に加えて半透過状態にＰＮ液晶パネル１１６を制御することも可能である。

続いて、図６乃至図８を参照して、ＰＮ液晶パネル照明部１１８によるＰＮ液晶パネル１１６の照明制御について説明する。図６は、ＰＮ液晶パネル照明部１１８によるＰＮ液晶パネル１１６の照明方法を模式的に示す図である。ＰＮ液晶パネル照明部１１８は、ＰＮ液晶パネル１１６の近傍に配置されており、ＰＮ液晶パネル照明部１１８からの照明光は、プリズム等の導光部１１７によってＰＮ液晶パネル１１６を側面から照明する。

図６では、図３と同様に、ＰＮ液晶パネル１１６では、焦点検出領域１２６に対応して形成された電極パターンＬ１〜Ｌ１３の領域（パターン枠）で拡散状態となっており、その他の領域（電極パターンＬ０の領域）では透過状態となっている。ここで、ＰＮ液晶パネル照明部１１８からの出射光は、導光部１１７を介してＰＮ液晶パネル１１６において透過状態にある領域は透過し、拡散状態にある領域では拡散される。よって、撮影者は、ＰＮ液晶パネル照明部１１８からの出射光のうち、拡散状態の領域において拡散された光を視認することとなるため、図６においては、１３点の焦点検出領域１２６を示すパターン枠が光って見えることとなる。

ここで、図６に示す焦点検出領域１２６における照明光の強度について検討する。図７は、ＰＮ液晶パネル照明部１１８からの照明光が導光部１１７を介してＰＮ液晶パネル１１６に照射されたときの、導光部１１７における照明光の射出口から焦点検出領域１２６までの距離と、焦点検出領域１２６における照明光の強度との関係を示す図である。図７において、横軸に示す距離Ｄ１〜Ｄ５は、図６に示す距離Ｄ１〜Ｄ５と対応している。

図７では、導光部１１７における照明光の射出口に最も近い焦点検出領域１２６（電極パターンＬ１、距離Ｄ１）における照明光の強度を、便宜上、１００％としている。ＰＮ液晶パネル照明部１１８からの照明光の強度は距離の２乗に反比例して減衰するため、距離Ｄ１からＤ５に向かうにしたがって照明光の強度は減衰していく。そのため、電極パターンＬ１〜Ｌ１３の印加電圧値を全て同じにしてしまうと、撮影者は、距離Ｄ１にある電極パターンＬ１のパターン枠で拡散光を最も強く観察する。一方、撮影者は、距離Ｄ５にある電極パターンＬ１３のパターン枠では、拡散光を照明光の減衰によって、最も弱く拡散光を観察することとなる。

図５を参照して説明した通り、ＰＮ液晶パネル１１６の表示は電極パターンＬ１〜Ｌ１３とＣＯＭ電極間の印加電圧値によって制御可能である。そのため、本実施形態では、撮影者の目に届く拡散光の強度、つまり、撮影者が視認する焦点検出領域１２６を示すパターン枠の表示濃度を、ＰＮ液晶パネル１１６の電極パターンＬ１〜Ｌ１３への印加電圧制御によって調整する。

図８は、導光部１１７における照明光の射出口から焦点検出領域１２６までの距離（Ｄ１〜Ｄ５）とＰＮ液晶パネル１１６の拡散度との関係を示す図である。また、図９は、導光部１１７における照明光の射出口から焦点検出領域１２６までの距離（Ｄ１〜Ｄ５）と電極パターンＬ１〜Ｌ１３に対する印加電圧値を示す図（テーブル）である。図９に示す印加電圧値は、図５に示す印加電圧値Ｖ１〜Ｖ５と対応している。

図８に示すように、ＰＮ液晶パネル１１６において、導光部１１７における照明光の射出口から距離Ｄ１に配置された電極パターンＬ１での拡散度を小さくし、その一方で、距離Ｄ５に配置された電極パターンＬ１３での拡散度を大きくする。具体的には、図７を参照して説明した照明光の減衰特性に対応させて、ＰＮ液晶パネル１１６の拡散度を距離の２乗に比例して大きくなるように制御する。

この制御を実行するために、先ず、図８に基づいて距離Ｄ１〜Ｄ５に対応するＰＮ液晶パネル１１６の拡散度を決定し、決定した拡散度を得るための印加電圧値Ｖ１〜Ｖ５を図５に基づいて決定する。これにより、電極パターンＬ１〜１３と印加電圧値Ｖ１〜Ｖ５と関係を示す図９のテーブルが得られる。図９に示したテーブルを制御プログラムのデータとしてＥＥＰＲＯＭ１０１ａ（又はＲＯＭ１０２）に予め保存しておき、ＣＰＵ１０１が、ＰＮ液晶パネル照明部１１８の点灯時にこの制御プログラムを実行することにより、ＰＮ液晶パネル１１６の拡散度を制御する。

撮影者の目に届く拡散光の強さは、図７のＰＮ液晶パネル照明部１１８からの照明光の強度と図８のＰＮ液晶パネル１１６の拡散度とを掛け合わせたものとなる。よって、撮影者は、距離Ｄ１〜Ｄ５にある電極パターンＬ１〜Ｌ１３に対応する全ての焦点検出領域１２６を示すパターン枠を照明ムラのない同一の明るさで観察することが可能になる。こうして、撮影者は、ＰＮ液晶パネル照明部１１８による照明時（点灯時）にＰＮ液晶パネル１１６内の表示をムラなく観察することができるようになる。

次に、撮像装置の動作について、図１０を参照して説明する。図１０は、撮像装置による撮影動作の流れを示すフローチャートである。図１０のフローチャートに示す各種の処理は、ＣＰＵ１０１がＲＯＭ１０２に記憶された所定のプログラムをＲＡＭ１０３に展開、実行して、撮像装置を構成する各部の動作を制御することにより実現される。

ステップＳ２０１において、ＣＰＵ１０１は、電源スイッチ（不図示）がオンされたことを検知して、撮像装置を撮影動作が可能な状態とする。続くステップＳ２０２において、ＣＰＵ１０１は、表示制御部１１０によりＰＮ液晶パネル１１６に電圧を印加させる。これによりＰＮ液晶パネル１１６は拡散状態から透過状態へと切り替わり、撮影者は焦点検出板１１５に結像された被写体像を視認することができるようになる。なお、ステップＳ２０２におけるＰＮ液晶パネル１１６の表示制御は、１３点の焦点検出領域１２６の中から事前に選択していた任意の焦点検出領域のみを拡散状態にして表示する等、焦点検出モードに応じて変更することができる。

続くステップＳ２０３において、ＣＰＵ１０１は、測光センサ１２４からの出力に基づき、被写界が低輝度か否かを判定する。例えば、測光センサ１２４からの出力が所定の閾値よりも小さい場合に、被写界は低輝度であると判定される。ＣＰＵ１０１は、被写界が低輝度でない場合（Ｓ２０３でＮＯ）、処理をステップＳ２０６へ進め、被写界が低輝度である場合（Ｓ２０３でＹＥＳ）、処理をステップＳ２０４，Ｓ２０５へ進める。

ステップＳ２０４において、ＣＰＵ１０１は、ＰＮ液晶パネル照明部１１８を点灯させる。同時に、ステップＳ２０５において、ＣＰＵ１０１は、ＰＮ液晶パネル１１６の焦点検出領域１２６の電極パターンＬ１〜Ｌ１３に対する印加電圧値をＥＥＰＲＯＭ１０１ａ（又はＲＯＭ１０２）に保存された制御電圧情報（図９のテーブル）に基づいて制御する。こうして、ステップＳ２０４，Ｓ２０５により、ＰＮ液晶パネル１１６において焦点検出領域１２６を示すためのパターン枠における拡散度が決定される。これにより、撮影者は、ＰＮ液晶パネル照明部１１８によるＰＮ液晶パネル１１６の照明を行ったときでも、ＰＮ液晶パネル１１６内の表示をムラなく観察することができる。

ステップＳ２０６において、ＣＰＵ１０１は、レリーズＳＷ１４０の第１スイッチ（ＳＷ１）がオンされたか否かを判定する。ＣＰＵ１０１は、第１スイッチがオンになるまで待機し（Ｓ２０６でＮＯ）、第１スイッチがオンになると（Ｓ２０６でＹＥＳ）、処理をステップＳ２０７へ進める。

ステップＳ２０７において、ＣＰＵ１０１は、露出制御値を演算する。露出制御値は、測光センサ１２４の横５×縦３の１５の測光領域での測光値に基づき、撮影レンズ１０５の明るさを示すＦ値（実効Ｆ値）の補正等が行われた後、所定のアルゴリズムに則って決定される。続いて、ステップＳ２０８において、ＣＰＵ１０１は、焦点検出制御部１１９からの出力信号に基づき、被写体に対する撮影レンズ１０５の合焦動作（焦点位置合わせ）を行う。

次に、ＣＰＵ１０１は、ステップＳ２０９において、レリーズＳＷ１４０の第２スイッチ（ＳＷ２）がオンされたか否かを判定する。ＣＰＵ１０１は、第２スイッチがオンになっていない場合（Ｓ２０９でＮＯ）、処理をステップＳ２０６へ戻し、第２スイッチがオンになると（Ｓ２０９でＹＥＳ）、処理をステップＳ２１０へ進める。

ステップＳ２１０において、ＣＰＵ１０１は、不図示のシャッタ制御部や絞り駆動部、撮像センサ制御部１０８等にそれぞれ制御信号を送信して、公知の撮影動作を行う。具体的には、モータ制御部（不図示）を介してモータ（不図示）に通電が行われて主ミラー１１１がアップされ、撮影レンズ１０５の絞りが絞り込まれる。続いて、フォーカルプレーンシャッタ１１３の先幕が開放されて、撮像センサ１０７に対する被写界光の照射による電荷蓄積が開始される。そして、所定の露光時間の経過後にフォーカルプレーンシャッタ１１３の後幕が閉じられることで、撮像センサ１０７への被写界光の照射が終了し、電荷蓄積が終了する。次に、ミラーダウン、シャッタチャージが行われて、一連のシャッタレリーズシーケンスの動作（撮影動作）は終了となる。

こうして撮像センサ１０７に蓄積された電荷は、アナログ信号として読み出され、画像処理部１０９にてデジタルデータに変換され、このデジタルデータは画像データとして一時的にＲＡＭ１０３の画像展開エリア１０３ａに格納される。その後、画像展開エリア１０３ａに格納された画像データは、外部表示部１１４に表示するために縦横に間引き処理された全体画像データに変換され、ＶＲＡＭ１０３ｃに再格納される。この全体画像データが外部表示部１１４に表示されることで、撮影者は撮影された画像の全体像を確認することができる。一方、画像展開エリア１０３ａに格納された画像データは、ＪＰＥＧ圧縮処理された後、データ格納部１０４に記憶される。

ステップＳ２１０の撮影動作が終了すると、続いての撮影に備えて、処理はステップＳ２０３へ戻され、電源スイッチがオフされるまで、ステップＳ２０３〜２１０の処理が繰り返される。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限
定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

１０１ ＣＰＵ
１１０ 表示制御部
１１５ 焦点検出板
１１６ ＰＮ液晶パネル
１１６ｃ ＰＮ液晶層
１１７ 導光部
１１８ ＰＮ液晶パネル照明部
１２６ 焦点検出領域

Claims (6)

1. 被写体光学像を結像させる焦点検出板と、前記焦点検出板の近傍に配置され、複数の撮影情報を表示する撮影情報表示パネルと、前記撮影情報表示パネルをその側面から照明する照明手段とを、撮像装置の光学ファインダ内に備える表示装置であって、
   前記撮影情報表示パネルにおける表示濃度を調整する調整手段を有し、
   前記調整手段は、前記照明手段の点灯時に、前記撮影情報表示パネルでの前記照明手段からの距離に応じた照明光の強度と前記撮影情報表示パネルの前記複数の撮影情報を表示する領域での光の拡散度とを掛け合わせた値が前記複数の撮影情報を表示する領域で同じとなるように前記撮影情報の表示濃度を変更することを特徴とする表示装置。
2. 前記撮影情報表示パネルは、高分子分散型液晶に電圧を印加して前記高分子分散型液晶の拡散度を変えることにより前記撮影情報を表示することを特徴とする請求項１記載の表示装置。
3. 前記撮影情報表示パネルは、前記高分子分散型液晶を２枚の板ガラスで挟持し、前記２枚の板ガラスの一方の前記高分子分散型液晶に対向する面に前記撮影情報を表示するための所定の電極パターンが形成され、前記２枚の板ガラスの他方において前記高分子分散型液晶に対向する面に全面電極が形成された構造を有することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
4. 前記照明手段は、光源と、前記光源から出射する照明光を前記撮影情報表示パネルの側面から前記撮影情報表示パネルに対して照明する導光手段とを有し、
   前記調整手段は、前記光源の点灯時に、前記導光手段における照明光の射出口からの距離に応じて前記撮影情報表示パネルにおける前記撮影情報の表示濃度を変更することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 被写界輝度を検出する測光手段と、
   前記測光手段が検出した被写界輝度が所定の閾値よりも小さいときに前記照明手段を点灯させる制御手段と、を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置を備えることを特徴とする撮像装置。
   

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