JP2014178695A - 液晶表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
温度などの外部因子による表示の劣化を抑制すること。
【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、チャネル形成領域が酸化物半導体
層によって構成されるトランジスタを適用する。なお、当該酸化物半導体層を高純度化す
ることで、当該トランジスタの室温におけるオフ電流値を10aA/μm以下且つ85℃
におけるオフ電流値を100aA/μm以下とすることが可能である。そのため、液晶表
示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制することが可能になる。また、上
述したように当該トランジスタは、85℃という高温においてもオフ電流値を100aA
/μm以下とすることが可能である。そのため、温度などの外部因子による液晶表示装置
の表示の劣化を抑制することができる。
【選択図】図1
Description
至るまで普及している。そのため、液晶表示装置の開発としては、低コスト化又は高付加
価値化を目的とした開発が行われている。特に近年では、地球環境への関心が高まり、低
消費電力型の液晶表示装置の開発が注目されている。
体的には、全ての走査線及びデータ信号線を非選択状態とする休止期間に、全データ信号
線を電気的にデータ信号ドライバから切り離してハイインピーダンス状態とする液晶表示
装置が開示されている。
有する。当該画素は、画像信号の入力を制御するトランジスタと、入力される画像信号に
応じた電圧が印加される液晶素子と、該液晶素子に印加される電圧を保持する補助容量と
を有する。なお、当該液晶素子は印加される電圧に応じて配向が変化する液晶材料を有し
、当該液晶材料の配向を制御することによって各画素の表示が制御される。
素に対して画像信号が入力されない。すなわち、各画素内に画像信号を保持したまま、画
像信号の入力を制御するトランジスタがオフ状態を維持する期間が長期化する。そのため
、当該トランジスタを介した画像信号のリークが各画素の表示に対して与える影響が顕在
化する。具体的には、液晶素子に印加される電圧が低下し、当該液晶素子を有する画素の
表示の劣化(変化)が顕在化する。
って変動する。具体的には、動作温度の上昇に伴い、トランジスタを介した画像信号のリ
ークが増加する。そのため、特許文献1で開示される液晶表示装置は、環境の変動が大き
い屋外などにおいて使用した際に、表示品質を一定に保つことが困難である。
表示品質の低下)を抑制することを課題の一とする。
が抑制された液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
半導体層によって構成されるトランジスタを適用することで解決できる。なお、当該酸化
物半導体層は、電子供与体(ドナー)となる不純物(水素又は水など)を徹底的に除去す
ることにより高純度化された酸化物半導体層である。当該トランジスタでは、チャネル長
10μmの場合において、室温におけるチャネル幅1μm当たりのオフ電流値を10aA
(1×10−17A)以下とすることが可能である(これを10aA/μmと表す)。
しくは3.0eV以上のバンドギャップを有する。加えて、当該酸化物半導体層は、高純
度化されることで、導電型が限りなく真性型に近づく。そのため、当該酸化物半導体層で
は、熱励起に起因するキャリアの発生を抑制することができる。その結果、当該トランジ
スタの動作温度の上昇に伴うオフ電流の増加を低減することができる。具体的には、チャ
ネル長10μmの場合において、85℃におけるチャネル幅1μm当たりのオフ電流値を
100aA(1×10−16A)以下とすることが可能である(これを100aA/μm
と表す)。
ランジスタと、一方の端子に信号線駆動回路から前記トランジスタを介して画像信号が入
力され、他方の端子に共通電位が供給されることで、前記画像信号に応じた電圧が印加さ
れる液晶素子と、前記液晶素子に印加される電圧を保持する容量素子と、を有する複数の
画素がマトリクス状に配列された液晶表示装置であって、前記走査線駆動回路及び前記信
号線駆動回路の動作を制御し、前記画素への前記画像信号の入力を選択する制御回路を有
し、前記トランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体層によって構成され、オフ状
態の前記トランジスタを介した前記画像信号のリークが、前記液晶素子を介した前記画像
信号のリークよりも小さいことを特徴とする液晶表示装置である。
形成領域が酸化物半導体層によって構成されるトランジスタを適用する。なお、当該酸化
物半導体層を高純度化することで、当該トランジスタの室温におけるオフ電流値を10a
A/μm以下且つ85℃におけるオフ電流値を100aA/μm以下とすることが可能で
ある。そのため、当該トランジスタを介した画像信号のリークを低減することができる。
すなわち、当該トランジスタを有する画素への画像信号の書き込み頻度を低減した場合に
おける表示の劣化(変化)を抑制することができる。その結果、当該液晶表示装置の消費
電力を低減すること及び表示の劣化(表示品質の低下)を抑制することが可能になる。
100aA/μm以下とすることが可能である。すなわち、当該トランジスタは、動作温
度の上昇に伴うオフ電流値の増加が著しく小さいトランジスタである。そのため、当該ト
ランジスタを液晶表示装置の各画素に設けられるトランジスタとして適用することで、温
度などの外部因子が当該画素における画像信号のリークに与える影響を低減することがで
きる。つまり、当該液晶表示装置は、環境の変動が大きい屋外などにおいて使用した場合
であっても、表示の劣化(表示品質の低下)を抑制することが可能な液晶表示装置である
。
は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態
および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、
本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
等によって替わる。そこで、本書類においては、トランジスタのソース及びドレインの役
割を果たす端子の一方を第1端子、他方を第2端子と表記し、区別することとする。
明瞭化のために誇張されて表記している場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限
定されない。また、本明細書にて用いる「第1」、「第2」、「第3」などの序数は、構
成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記
する。
本実施の形態では、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の一例について示す。具体
的には、画素部に対する画像信号の入力を選択することが可能なアクティブマトリクス型
の液晶表示装置について図1〜図3を参照して説明する。
A)は、液晶表示装置の構成例を示す図である。図1(A)に示す液晶表示装置は、制御
回路10と、走査線駆動回路11と、信号線駆動回路12と、画素部13とを有する。さ
らに、画素部13は、マトリクス状に配列された複数の画素14を有する。図1(B)は
、画素14の構成例を示す図である。図1(B)に示す画素14は、ゲート端子が走査線
駆動回路11に電気的に接続され、第1端子が信号線駆動回路12に電気的に接続された
トランジスタ15と、一方の端子がトランジスタ15の第2端子に電気的に接続され、他
方の端子が共通電位(Vcom)を供給する配線に電気的に接続された液晶素子16と、
一方の端子がトランジスタ15の第2端子及び液晶素子16の一方の端子に電気的に接続
され、他方の端子が共通電位(Vcom)を供給する配線に電気的に接続される容量素子
17とを有する。
ッチングを制御し、信号線駆動回路12からトランジスタ15を介して液晶素子16に画
像信号が入力される。なお、液晶素子16は、一方の端子及び他方の端子に挟持された液
晶層を有する。該液晶層には当該画像信号と共通電位(Vcom)の電位差分の電圧が印
加され、当該電圧によって該液晶層の配向状態が制御される。本実施の形態の液晶表示装
置では、当該配向を利用して各画素14の表示を制御している。なお、容量素子17は、
液晶素子16に印加される電圧を保持するために設けられている。
路11及び信号線駆動回路12の動作を制御することで、画素部13への画像信号の入力
を選択することが可能である。
図2は、制御回路10の構成例を示す図である。図2に示す制御回路10は、信号生成
回路20と、記憶回路21と、比較回路22と、選択回路23と、表示制御回路24とを
有する。
13に画像を形成するための信号を生成する回路である。具体的には、画素部13にマト
リクス状に配列された複数の画素に対して入力される画像信号(Data)、走査線駆動
回路11又は信号線駆動回路12の動作を制御する信号(例えば、スタートパルス信号(
SP)、クロック信号(CK)など)、並びに電源電圧である高電源電位(Vdd)及び
低電源電位(Vss)などを生成し、出力する回路である。なお、図2に示す制御回路1
0においては、信号生成回路20は、記憶回路21に対して画像信号(Data)を出力
し、表示制御回路24に対して走査線駆動回路11又は信号線駆動回路12の動作を制御
する信号を出力する。また、信号生成回路20から記憶回路21に対して出力される画像
信号(Data)がアナログ信号である場合には、A/Dコンバータなどを介して、当該
画像信号(Data)をデジタル信号に変換することもできる。
の画像(nは、2以上の自然数)を形成するための画像信号を記憶するための複数のメモ
リ25を有する。なお、メモリ25は、DRAM(Dynamic Random Ac
cess Memory)、SRAM(Static Random Access M
emory)などの記憶素子を用いて構成すればよい。また、メモリ25は、画素部13
において形成される画像毎に画像信号を記憶する構成であればよく、メモリ25の数は、
特定の数に限定されない。加えて、複数のメモリ25が記憶する画像信号は、比較回路2
2及び選択回路23により選択的に読み出される。
)を形成するための画像信号及び第k+1の画像を形成するための画像信号を選択的に読
み出して、当該画像信号の比較を行い、差分を検出する回路である。なお、第kの画像及
び第k+1の画像は、画素部13において連続して表示される画像である。比較回路22
での画像信号の比較により、差分が検出された場合、当該画像信号によって形成される2
枚の画像は動画であると判断される。一方、比較回路22での画像信号の比較により、差
分が検出されない場合、当該画像信号によって形成される2枚の画像は静止画であると判
断される。すなわち、比較回路22は、比較回路22での差分の検出によって連続して表
示される画像を形成するための画像信号が、動画を表示するための画像信号であるか、静
止画を表示するための画像信号であるかを判断する回路である。なお、比較回路22は、
当該差分が一定のレベルを超えたときに、差分を検出したと判断されるように設定しても
よい。
選択する回路である。具体的には、選択回路23は、比較回路22で、差分が検出された
画像を形成するための画像信号は出力し、差分が検出されない画像を形成するための画像
信号は出力しない回路である。
位(Vdd)、及び低電源電位(Vss)などの制御信号の走査線駆動回路11及び信号
線駆動回路12への供給を制御する回路である。具体的には、比較回路22により動画と
判断された場合(連続して表示される画像に差分が検出された場合)には、選択回路23
から供給された画像信号(Data)を信号線駆動回路12に出力するとともに、走査線
駆動回路11及び信号線駆動回路12に対して、制御信号(スタートパルス信号(SP)
、クロック信号(CK)、高電源電位(Vdd)、及び低電源電位(Vss)など)を供
給する。一方、比較回路22により静止画と判断された場合(連続して表示される画像に
差分が検出されない場合)には、選択回路23から画像信号(Data)が供給されない
とともに、走査線駆動回路11及び信号線駆動回路12に対して、制御信号(スタートパ
ルス信号(SP)、クロック信号(CK)、高電源電位(Vdd)、及び低電源電位(V
ss)など)を供給しない。すなわち、比較回路22により静止画と判断された場合(連
続して表示される画像に差分が検出されない場合)には、走査線駆動回路11及び信号線
駆動回路12の動作を完全に停止させる。ただし、静止画と判断される期間が短い場合に
は、高電源電位(Vdd)及び低電源電位(Vss)を供給し続ける構成とすることもで
きる。なお、高電源電位(Vdd)及び低電源電位(Vss)が供給されるとは、ある配
線の電位が高電源電位(Vdd)又は低電源電位(Vss)に固定されることである。す
なわち、ある電位状態にある当該配線が、高電源電位(Vdd)又は低電源電位(Vss
)に変化することになる。当然、当該電位の変化には電力消費が伴う。そのため、頻繁に
高電源電位(Vdd)及び低電源電位(Vss)の供給の停止及び再供給を行うことで、
結果的に、消費電力が増大する可能性がある。そのような場合には、高電源電位(Vdd
)及び低電源電位(Vss)を供給し続ける構成とすることが好ましい。なお、上述した
説明において、信号を「供給しない」とは、当該信号を供給する配線において所定の電位
とは異なる電位が供給される、又は当該配線の電位が浮遊状態になることを指すこととす
る。
動作を制御することで液晶表示装置の消費電力を低減することが可能である。
トランジスタ15は、チャネル形成領域が酸化物半導体層によって構成されるトランジ
スタである。該酸化物半導体層は、電気的特性変動を抑止するため、変動要因となる水素
、水分、水酸基又は水素化物(水素化合物ともいう)などの不純物を意図的に排除し、か
つ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料で
ある酸素を供給することによって、高純度化及び電気的にI型(真性)化された酸化物半
導体層である。なお、当該酸化物半導体は、2eV以上、好ましくは2.5eV以上、よ
り好ましくは3.0eV以上のバンドギャップを有する。
ャリア密度は1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3以下である。
即ち、酸化物半導体層のキャリア密度は、限りなくゼロにする。酸化物半導体層中にキャ
リアが極めて少ないため、オフ電流値を低くすることができる。オフ電流値は低ければ低
いほど好ましい。そのため、上述したトランジスタにおいては、チャネル幅(w)が1μ
mあたりの室温におけるオフ電流値を10aA/μm(1×10−17A/μm)以下に
すること、及び85℃におけるオフ電流値を100aA/μm(1×10−16A/μm
)以下にすることが可能である。なお、一般に、アモルファスシリコンを具備するトラン
ジスタでは、室温におけるオフ電流値は1×10−13A/μm以上となる。さらに、p
n接合がなく、ホットキャリア劣化がないため、これらにトランジスタの電気的特性が影
響を受けない。これにより、各画素14の画像信号の保持期間を長くすることができる。
つまり、静止画を表示する際の画像信号の再書き込みの間隔を長くすることができる。例
えば、画像信号の書き込みの間隔を10秒以上、好ましくは30秒以上、さらに好ましく
は1分以上10分未満とすることができる。書き込む間隔を長くすると、消費電力を抑制
する効果を高くできる。
抵抗率とは、トランジスタがオフのときのチャネル形成領域の抵抗率であり、オフ抵抗率
はオフ電流から算出することができる。
がオフのときの抵抗値(オフ抵抗R)を算出することができる。そして、チャネル形成領
域の断面積Aとチャネル形成領域の長さ(ソースドレイン電極間の距離に相当する)Lが
分かればρ=RA/Lの式(Rはオフ抵抗)からオフ抵抗率ρを算出することができる。
A=dWから算出することができる。また、チャネル形成領域の長さLはチャネル長Lで
ある。以上のように、オフ電流からオフ抵抗率を算出することができる。
・cm以上が好ましく、さらには1×1012Ω・cm以上がより好ましい。
た酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いたトランジスタは、オフ電流
値を極めて低くすることができる。つまり、トランジスタがオフ状態にある時、酸化物半
導体層を絶縁体とみなして回路設計を行うことができる。一方で、酸化物半導体層を具備
するトランジスタは、オン状態においては、アモルファスシリコン層を具備するトランジ
スタよりも高い電流供給能力を見込むことができる。
ランジスタと比べて、室温におけるオフ電流値が10000倍程度大きい値であると見積
もって設計等を行っている。そのため、酸化物半導体層を具備するトランジスタでは、低
温ポリシリコン層を具備するトランジスタに比べて、保持容量が同等(0.1pF程度)
である際、電圧の保持期間を10000倍程度に引き延ばすことができる。一例として、
動画表示を毎秒60フレームで行う場合、1回の信号書き込みによる保持期間を1000
0倍の160秒程度とすることができる。そして、少ない画像信号の書き込み回数でも、
表示部での静止画の表示を行うことができる。
る。特に、上述したような、画像信号を選択的に画素部に入力することが可能な液晶表示
装置に対しては、上述したトランジスタを適用する効果が大きい。すなわち、当該液晶表
示装置においては、長期間に渡って画像信号が画素へ入力されない可能性があるが、上述
したトランジスタを画素への画像信号の入力を制御するトランジスタとして適用すること
で、当該画素の表示の劣化(変化)を抑制することができる。
ことによって、画素に設けられる容量素子のサイズを縮小することが可能になる。これに
より、当該画素の開口率を向上させること及び当該画素への画像信号の入力を高速に行う
ことなどが可能になる。
画像信号の入力を制御するトランジスタ15として上述したトランジスタを適用する場
合、液晶素子16が有する液晶材料として固有抵抗率が高い物質を適用することが好まし
い。ここで、図3を参照してその理由について説明する。なお、図3は、アモルファスシ
リコン層を具備するトランジスタを有する画素及び上述した酸化物半導体層を具備するト
ランジスタを有する画素における画像信号のリークの経路を示した模式図である。
素子17とによって構成され、トランジスタ15がオフ状態にある場合、図3(A)に示
す回路と等価である。すなわち、トランジスタ15を抵抗(RTr−Off)によって表
し、液晶素子16を抵抗(RLC)及び容量(CLC)によって表した回路と等価である
。画像信号が当該画素に入力されると、当該画像信号は、容量素子17の容量(CS)及
び液晶素子16の容量(CLC)に保存される。その後、トランジスタ15がオフ状態と
なると、図3(B)、(C)に示すようにトランジスタ15及び液晶素子16を介して、
画像信号がリークする。なお、図3(B)は、トランジスタ15がアモルファスシリコン
層を具備するトランジスタである場合の画像信号のリークを表す模式図であり、図3(C
)は、トランジスタ15が酸化物半導体層を具備するトランジスタである場合の画像信号
のリークを表す模式図である。アモルファスシリコン層を具備するトランジスタのオフ抵
抗値は、液晶素子の抵抗値より低い。そのため、図3(B)に示すように、画像信号のリ
ークは、アモルファスシリコン層を具備するトランジスタを介したリークが主となる(図
3(B)中、経路A及び経路Bを経るリークが主となる)。一方、高純度化された酸化物
半導体層を具備するトランジスタのオフ抵抗値は、液晶素子の抵抗値より高い。そのため
、図3(C)に示すように、画像信号のリークは、液晶素子を介したリークが主となる(
図3(C)中、経路C及び経路Dを経るリークが主となる)。
画素に設けられるトランジスタの特性を律速点としていたが、高純度化された酸化物半導
体層を具備するトランジスタを各画素に設けられるトランジスタに適用することで、液晶
素子の抵抗値が律速点になる。そのため、液晶素子16が有する液晶材料として固有抵抗
率の高い物質を適用することが好ましい。
液晶表示装置においては、液晶材料の固有抵抗率は、1×1012Ω・cm以上であり、
好ましくは1×1013Ω・cmを超えていることであり、さらに好ましくは1×101
4Ω・cmを超えていることが好ましい要件となる。なお、当該液晶材料を用いて液晶素
子を構成した場合の抵抗は、配向膜及びシール材からの不純物が混入する可能性もあり、
1×1011Ω・cm以上であり、より好ましくは1×1012Ω・cmを超えているこ
とが好ましい要件となる。また、本明細書における固有抵抗率の値は、20℃で測定した
値とする。
(Vcom)の供給を行わず、当該端子を浮遊状態とすることもできる。具体的には、当
該端子と、共通電位(Vcom)を与える電源との間にスイッチを設け、書き込み期間中
はスイッチをオンにして電源から共通電位(Vcom)を与えた後、残りの保持期間にお
いてはスイッチをオフにして浮遊状態とすればよい。該スイッチについても、前述した高
純度化された酸化物半導体層を具備するトランジスタを用いることが好ましい。液晶素子
16の他方の端子を浮遊状態とすることで、不正パルスなどによる、画素14における表
示の劣化(変化)を低減することができる。なぜなら、トランジスタ15がオフ状態にあ
る場合にトランジスタ15の第1端子の電位が不正パルスによって変動すると、容量結合
によって液晶素子16の一方の端子の電位も変動する。この時、液晶素子16の他方の端
子に共通電位(Vcom)が供給された状態であると、当該変動は液晶素子16に印加さ
れる電圧値の変化に直結するのに対し、液晶素子の他方の端子が浮遊状態にあると、当該
端子の電位も容量結合により変動する。そのため、トランジスタ15の第1端子の電位が
不正パルスによって変動した場合であっても、液晶素子16に印加される電圧値の変化を
低減することができ、画素14における表示の劣化(変化)を低減することができる。
フ電流等を考慮して設定されるものである。ただし、上述したように、高純度化した酸化
物半導体層を具備するトランジスタを画素が有するトランジスタに適用することで、容量
素子17の設計に要求される条件が大きく変化する。以下に具体的な数値を挙げて当該内
容について説明する。
スタを適用した場合のオフ抵抗値は、1×1012Ω程度であり、液晶素子の抵抗値は1
×1015Ω程度である。そのため、画素が有するトランジスタを高純度化された酸化物
半導体層を具備するトランジスタとすることで、当該画素における画像信号のリークを1
/1000程度にまで低減することが可能である。すなわち、容量素子17の容量(CS
)の大きさを1/1000程度にまで低減すること、又は当該画素において静止画を表示
する場合の画像信号の再書き込みの頻度を1/1000程度にまで低減することができる
。例えば、1秒間に60回の画像信号の書き込みを行っている場合は、15秒間に1回程
度にまで当該書き込みの頻度を低減することが可能である。また、容量素子17として、
50fF程度の容量を有する素子を適用することで、画素において画像信号を30秒程度
保持し得る。一例として、各画素において画像信号を5秒以上5分以下保持するためには
、容量素子17の容量(CS)が0.5pF以上であることが好ましく、1pF以上であ
ることがより好ましい。なお、上述した説明における各種の数値は、概算値であることを
付記する。
の一部又は実施例の内容若しくは該内容の一部と自由に組み合わせることが可能である。
本実施の形態では、実施の形態1に示したトランジスタの一例について図4(A)〜(
D)を参照して説明する。
程の具体例を示す図である。なお、図4(A)〜(D)に示す薄膜トランジスタ410は
、チャネルエッチ型と呼ばれるボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型薄膜トランジス
タともいう。また、図4(A)〜(D)には、シングルゲート構造の薄膜トランジスタを
示すが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造の薄膜トランジ
スタとすることができる。
する工程について説明する。
ィ工程によりゲート電極層411を形成する。なお、当該工程において用いられるレジス
トマスクは、インクジェット法によって形成してもよい。レジストマスクをインクジェッ
ト法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
くとも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。例えば、
バリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いることが
できる。また、ガラス基板としては、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が73
0℃以上のものを用いると良い。
、基板400からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリ
コン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜によ
る積層構造により形成することができる。
ステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分と
する合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。
ン層を積層した2層構造、銅層上にモリブデン層を積層した2層構造、銅層上に窒化チタ
ン層若しくは窒化タンタルを積層した2層構造、窒化チタン層とモリブデン層を積層した
2層構造とすることが好ましい。3層の積層構造としては、タングステン層または窒化タ
ングステン層と、アルミニウムとシリコンの合金層またはアルミニウムとチタンの合金層
と、窒化チタン層またはチタン層とを積層した3層構造とすることが好ましい。
コン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、若しくは酸化アル
ミニウム層を単層で又は積層して形成することができる。例えば、成膜ガスとして、シラ
ン(SiH4)、酸素及び窒素を用いてプラズマCVD法により酸化窒化シリコン層を形
成すればよい。また、ゲート絶縁層として酸化ハフニウム(HfOx)、酸化タンタル(
TaOx)等のHigh−k材料を用いることもできる。ゲート絶縁層402の膜厚は、
100nm以上500nm以下とし、積層の場合は、例えば、膜厚50nm以上200n
m以下の第1のゲート絶縁層と、第1のゲート絶縁層上に膜厚5nm以上300nm以下
の第2のゲート絶縁層とを積層して形成する。
化窒化シリコン層を形成する。
形成を行ってもよい。ここで高密度プラズマ装置とは、1×1011/cm3以上のプラ
ズマ密度を達成できる装置を指している。例えば、3kW〜6kWのマイクロ波電力を印
加してプラズマを発生させて、絶縁膜の成膜を行う。
を導入し、10Pa〜30Paの圧力下で高密度プラズマを発生させてガラス等の絶縁表
面を有する基板上に絶縁膜を形成する。その後、シラン(SiH4)の供給を停止し、大
気に曝すことなく亜酸化窒素(N2O)と希ガスを導入して絶縁膜表面にプラズマ処理を
行ってもよい。少なくとも亜酸化窒素(N2O)と希ガスを導入して絶縁膜表面に行われ
るプラズマ処理は、絶縁膜の成膜より後に行う。上記プロセス順序を経た絶縁膜は、膜厚
が薄く、例えば100nm未満であっても信頼性を確保することができる絶縁膜である。
素(N2O)の流量比は、1:10から1:200の範囲とする。また、チャンバーに導
入する希ガスとしては、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノンなどを用いることが
できるが、中でも安価であるアルゴンを用いることが好ましい。
め段差被覆性に優れている。また、高密度プラズマ装置により得られる絶縁膜は、薄い膜
の厚みを精密に制御することができる。
とは大きく異なっており、同じエッチャントを用いてエッチング速度を比較した場合にお
いて、平行平板型のPCVD装置で得られる絶縁膜の10%以上または20%以上遅く、
高密度プラズマ装置で得られる絶縁膜は緻密な膜と言える。
化物半導体層)は界面準位、界面電荷に対して極めて敏感であるため、ゲート絶縁層との
界面は重要である。そのため高純度化された酸化物半導体層に接するゲート絶縁層は、高
品質化が要求される。従ってμ波(2.45GHz)を用いた高密度プラズマCVD装置
は、緻密で絶縁耐圧の高い高品質な絶縁膜を形成できるので好ましい。高純度化された酸
化物半導体層と高品質ゲート絶縁層が密接することにより、界面準位を低減して界面特性
を良好なものとすることができるからである。ゲート絶縁層としての膜質が良好であるこ
とは勿論のこと、酸化物半導体層との界面準位密度を低減し、良好な界面を形成できるこ
とが重要である。
30を形成する。なお、酸化物半導体膜430をスパッタ法により成膜する前に、アルゴ
ンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、ゲート絶縁層402の表面に
付着している粉状物質(パーティクル、ゴミともいう)を除去することが好ましい。逆ス
パッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲気下で基板側にRF電源を
用いて電圧を印加して基板にプラズマを形成して表面を改質する方法である。なお、アル
ゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素などを用いてもよい。
Zn−O系、In−Al−Zn−O系、Sn−Ga−Zn−O系、Al−Ga−Zn−O
系、Sn−Al−Zn−O系、In−Zn−O系、Sn−Zn−O系、Al−Zn−O系
、In−O系、Sn−O系、Zn−O系の酸化物半導体膜を用いる。本実施の形態では、
酸化物半導体膜430として、In−Ga−Zn−O系金属酸化物ターゲットを用いてス
パッタ法により成膜する。この段階での断面図が図4(A)に相当する。また、酸化物半
導体膜430は、希ガス(代表的にはアルゴン)雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガス(
代表的にはアルゴン)及び酸素の混合雰囲気下においてスパッタ法により形成することが
できる。また、スパッタ法を用いる場合、SiO2を2重量%以上10重量%以下含むタ
ーゲットを用いて成膜を行い、酸化物半導体膜430に結晶化を阻害するSiOx(X>
0)を含ませ、後の工程で行う脱水化または脱水素化のための加熱処理の際に結晶化して
しまうのを抑制することができる。
3:ZnO=1:1:1[mol]、In:Ga:Zn=1:1:0.5[atom])
を用いて、基板とターゲットの間との距離を100mm、圧力0.2Pa、直流(DC)
電源0.5kW、アルゴン及び酸素(アルゴン:酸素=30sccm:20sccm、酸
素流量比率40%)雰囲気下で成膜する。なお、パルス直流(DC)電源を用いると、成
膜時に発生する粉状物質が軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。In−Ga
−Zn−O系膜の膜厚は、5nm以上200nm以下とする。本実施の形態では、酸化物
半導体膜として、In−Ga−Zn−O系金属酸化物ターゲットを用いてスパッタ法によ
り膜厚20nmのIn−Ga−Zn−O系膜を成膜する。また、In、Ga、及びZnを
含む金属酸化物ターゲットとして、In:Ga:Zn=1:1:1[atom]、又はI
n:Ga:Zn=1:1:2[atom]の組成比を有するターゲットを用いることもで
きる。
があり、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスDCスパッタ法もある。RFスパッタ
法は主に絶縁膜を成膜する場合に用いられ、DCスパッタ法は主に金属膜を成膜する場合
に用いられる。
タ装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数
種類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。
置や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるECRスパッ
タ法を用いるスパッタ装置がある。
分とを化学反応させてそれらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタ法や、成膜中
に基板にも電圧をかけるバイアススパッタ法もある。
導体層に加工する。また、当該工程において用いられるレジストマスクは、インクジェッ
ト法によって形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマ
スクを使用しないため、製造コストを低減できる。
第1の加熱処理の温度は、400℃以上750℃以下、好ましくは400℃以上基板の歪
み点未満とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半
導体層に対して窒素雰囲気下450℃において1時間の加熱処理を行った後、大気に触れ
ることなく、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層431を得る
(図4(B)参照)。
熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。例えば、GRTA(Ga
s Rapid Thermal Anneal)装置、LRTA(Lamp Rapi
d Thermal Anneal)装置等のRTA(Rapid Thermal A
nneal)装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハラ
イドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高
圧水銀ランプなどのランプから発する光(電磁波)の輻射により、被処理物を加熱する装
置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。気体には、
アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不
活性気体が用いられる。
基板を移動させて入れ、数分間加熱した後、基板を移動させて高温に加熱した不活性ガス
中から出すGRTAを行ってもよい。GRTAを用いると短時間での高温加熱処理が可能
となる。
スに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する窒素
、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N(99.9999%)以
上、好ましくは7N(99.99999%)以上、(即ち不純物濃度を1ppm以下、好
ましくは0.1ppm以下)とすることが好ましい。
に対して行うこともできる。その場合には、第1の加熱処理後に、加熱装置から基板を取
り出し、第2のフォトリソグラフィ工程を行う。
、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を積層させた後、ソース電極層及
びドレイン電極層上に保護絶縁膜を形成した後、のいずれで行っても良い。
に脱水化または脱水素化処理を行う前でも行った後に行ってもよい。
ずドライエッチングを用いてもよい。
えば塩素(Cl2)、三塩化硼素(BCl3)、四塩化シリコン(SiCl4)、四塩化
炭素(CCl4)など)が好ましい。
SF6)、三弗化窒素(NF3)、トリフルオロメタン(CHF3)など)、臭化水素(
HBr)、酸素(O2)、これらのガスにヘリウム(He)やアルゴン(Ar)などの希
ガスを添加したガス、などを用いることができる。
hing)法や、ICP(Inductively Coupled Plasma:誘
導結合型プラズマ)エッチング法を用いることができる。所望の加工形状にエッチングで
きるように、エッチング条件(コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加
される電力量、基板側の電極温度等)を適宜調節する。
どを用いることができる。また、ITO07N(関東化学社製)を用いてもよい。
って除去される。その除去された材料を含むエッチング液の廃液を精製し、含まれる材料
を再利用してもよい。当該エッチング後の廃液から酸化物半導体層に含まれるインジウム
等の材料を回収して再利用することにより、資源を有効活用し低コスト化することができ
る。
グ液、エッチング時間、温度等)を適宜調節する。
。金属導電膜をスパッタ法や真空蒸着法で形成すればよい。金属導電膜の材料としては、
アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、銅(Cu)、タンタル(Ta)、チタン(Ti
)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)から選ばれた元素、上述した元素を成分と
する合金、又は上述した元素を組み合わせた合金等が挙げられる。また、マンガン(Mn
)、マグネシウム(Mg)、ジルコニウム(Zr)、ベリリウム(Be)、イットリウム
(Y)のいずれか一または複数から選択された材料を用いてもよい。また、金属導電膜は
、単層構造でも、2層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウ
ム膜の単層構造、銅又は銅を主成分とする膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を
積層する2層構造、窒化タンタル膜又は窒化銅膜上に銅膜を積層する2層構造、チタン膜
上にアルミニウム膜を積層し、さらにアルミニウム膜上にチタン膜を積層する3層構造な
どが挙げられる。また、アルミニウム(Al)に、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、
タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、ネオジム(Nd)、スカン
ジウム(Sc)から選ばれた元素を単数、又は複数組み合わせた膜、合金膜、もしくは窒
化膜を用いてもよい。
持たせることが好ましい。
にエッチングを行ってソース電極層415a、ドレイン電極層415bを形成した後、レ
ジストマスクを除去する(図4(C)参照)。
れぞれの材料及びエッチング条件を適宜調節する。
ングされ、溝部(凹部)を有する酸化物半導体層となることもある。また、当該工程にお
いて用いるレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをイン
クジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたレジスト
マスクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成したレジスト
マスクは複数の膜厚を有する形状となり、アッシングを行うことでさらに形状を変形する
ことができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることができ
る。よって、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対
応するレジストマスクを形成することができる。よって露光マスク数を削減することがで
き、対応するフォトリソグラフィ工程も削減できるため、工程の簡略化が可能となる。
用いたプラズマ処理を行う。このプラズマ処理によって露出している酸化物半導体層の表
面に付着した吸着水などを除去する。また、酸素とアルゴンの混合ガスを用いてプラズマ
処理を行ってもよい。
絶縁膜となる酸化物絶縁層416を形成する。
縁層416に水、水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる
。酸化物絶縁層416に水素が含まれると、その水素の酸化物半導体層への侵入が生じ酸
化物半導体層431のバックチャネルが低抵抗化(N型化)してしまい、寄生チャネルが
形成される。よって、酸化物絶縁層416はできるだけ水素を含まない膜になるように、
成膜方法に水素を用いないことが重要である。
用いて成膜する。成膜時の基板温度は、室温以上300℃以下とすればよく、本実施の形
態では100℃とする。酸化シリコン膜のスパッタ法による成膜は、希ガス(代表的には
アルゴン)雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガス(代表的にはアルゴン)及び酸素雰囲
気下において行うことができる。また、ターゲットとして酸化シリコンターゲットまたは
シリコンターゲットを用いることができる。例えば、シリコンターゲットを用いて、酸素
、及び窒素雰囲気下でスパッタ法により酸化シリコン膜を形成することができる。
200℃以上400℃以下、例えば250℃以上350℃以下)を行う。例えば、窒素雰
囲気下で250℃、1時間の第2の加熱処理を行う。第2の加熱処理を行うと、酸化物半
導体層の一部(チャネル形成領域)が酸化物絶縁層416と接した状態で加熱される。こ
れにより、酸化物半導体層の一部(チャネル形成領域)に酸素が供給される。
の加熱処理を行った後、酸化物半導体層の一部(チャネル形成領域)を選択的に酸素過剰
な状態とする。その結果、ゲート電極層411と重なるチャネル形成領域413はI型と
なり、ソース電極層415aに重なるソース領域414aと、ドレイン電極層415bに
重なるドレイン領域414bとが自己整合的に形成される。以上の工程で薄膜トランジス
タ410が形成される。
)においては、不純物が酸化物半導体に添加されていると、不純物と酸化物半導体の主成
分との結合手が、強電界(B:バイアス)と高温(T:温度)により切断され、生成され
た未結合手がしきい値電圧(Vth)のドリフトを誘発することとなる。これに対して、
酸化物半導体の不純物、特に水素や水等を極力除去し、上述の高密度プラズマCVD装置
を用いて緻密で絶縁耐圧の高い高品質な絶縁膜とし、酸化物半導体との界面特性を良好に
することにより、BT試験に対しても安定なトランジスタを得ることができる。
ってもよい。ここでは150℃で10時間加熱処理を行う。この加熱処理は一定の加熱温
度を保持して加熱してもよいし、室温から、100℃以上200℃の加熱温度への昇温と
、加熱温度から室温までの降温を複数回くりかえして行ってもよい。また、この加熱処理
を、酸化物絶縁膜の形成前に、減圧下で行ってもよい。減圧下で加熱処理を行うと、加熱
時間を短縮することができる。この加熱処理によって、酸化物半導体層から酸化物絶縁層
中に水素をとりこむことができる。
bを形成することにより、薄膜トランジスタの信頼性の向上を図ることができる。具体的
には、ドレイン領域414bを形成することで、ドレイン電極層415bからドレイン領
域414b、チャネル形成領域413にかけて、導電性を段階的に変化させうるような構
造とすることができる。
が15nm以下と薄い場合は膜厚方向全体にわたって形成されるが、酸化物半導体層の膜
厚が30nm以上50nm以下とより厚い場合は、酸化物半導体層の一部、ソース電極層
又はドレイン電極層と接する領域及びその近傍が低抵抗化しソース領域又はドレイン領域
が形成され、酸化物半導体層においてゲート絶縁層に近い領域はI型とすることもできる
。
を用いて窒化シリコン膜を形成する。RFスパッタ法は、量産性がよいため、保護絶縁層
の成膜方法として好ましい。保護絶縁層は、水分や、水素イオンや、OH−などの不純物
を含まず、これらが外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用い、窒化シリコ
ン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などを用いる
。本実施の形態では、保護絶縁層として保護絶縁層403を、窒化シリコン膜を用いて形
成する(図4(D)参照)。
の一部又は実施例の内容若しくは該内容の一部と自由に組み合わせることが可能である。
本実施の形態では、実施の形態1で示す液晶表示装置において、タッチパネル機能を付
加した液晶表示装置の構成について、図5(A)、(B)を用いて説明する。
形態1の液晶表示装置である液晶表示パネル501にタッチパネルユニット502を重畳
して設け、筐体503にて合着させる構成について示している。タッチパネルユニット5
02は、抵抗膜方式、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等を適宜用いることがで
きる。
々に作製し重畳することにより、タッチパネル機能を付加した液晶表示装置の作製に係る
コストの削減を図ることができる。
(B)に示す。図5(B)に示す液晶表示装置504は、複数設けられる画素505に光
センサ506、液晶素子507を有する。そのため、図5(A)とは異なり、タッチパネ
ルユニット502を重畳して作製する必要がなく、液晶表示装置の薄型化を図ることがで
きる。なお、走査線駆動回路508、信号線駆動回路509、光センサ用駆動回路510
を画素505と同じ基板上に作製することで、液晶表示装置の小型化を図ることができる
。なお、光センサ506は、アモルファスシリコンなどを用いて形成し、酸化物半導体を
用いたトランジスタと重畳して形成する構成としてもよい。
ンジスタを用いることで、静止画の表示の際の、画像の保持特性を向上させることができ
る。そしてその間の、駆動回路部の動作を停止することで低消費電力化を図ることができ
る。
の一部又は実施例の内容若しくは該内容の一部と自由に組み合わせることが可能である。
本実施の形態では、実施の形態1で得られる液晶表示装置を搭載した電子機器の例につ
いて図6を参照して説明する。なお、実施の形態1に係る液晶表示装置は、電子機器にお
いて表示部として利用される。
体2202、表示部2203、キーボード2204などによって構成されている。当該パ
ーソナルコンピュータの表示部などとして実施の形態1に示した液晶表示装置を適用する
ことは、消費電力の低減のみならず、長時間使用における眼精疲労の低減という意味でも
効果が大きい。以下、その理由について述べる。パーソナルコンピュータなどは、主とし
て使用者の操作によって表示が変化する。すなわち、使用者による操作の合間には、当該
パーソナルコンピュータには静止画が表示されることになる。また、一般に液晶表示装置
においては、液晶材料の劣化を抑制するために反転駆動が行われる。静止画を表示してい
る期間において該反転駆動を行うと、使用者が画像のちらつきを視認する可能性がある。
当該ちらつきは、使用者の眼精疲労を助長することになる。一方、実施の形態1に示した
液晶表示装置は、静止画の表示期間において、各画素において画像信号を長期間に渡って
保持することが可能であり、使用者に視認されるちらつきを軽減することができる。その
ため、パーソナルコンピュータなどにおいて、実施の形態1に示した液晶表示装置を適用
することは、使用者の眼精疲労を低減する効果が大きいと言える。
13と、外部インターフェイス2215と、操作ボタン2214等が設けられている。ま
た、操作用の付属品としてスタイラス2212がある。
籍2220は、筐体2221および筐体2223の2つの筐体で構成されている。筐体2
221および筐体2223は、軸部2237により一体とされており、該軸部2237を
軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、電子書籍2220は、紙
の書籍のように用いることが可能である。
み込まれている。表示部2225および表示部2227は、続き画面を表示する構成とし
てもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とする
ことで、例えば右側の表示部(図6(C)では表示部2225)に文章を表示し、左側の
表示部(図6(C)では表示部2227)に画像を表示することができる。
筐体2221は、電源2231、操作キー2233、スピーカー2235などを備えてい
る。操作キー2233により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキ
ーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や
側面に、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSB
ケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える構成
としてもよい。さらに、電子書籍2220は、電子辞書としての機能を持たせた構成とし
てもよい。
、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とするこ
とも可能である。
能である。例えば、電子書籍以外にも、ポスター、電車などの乗り物の車内広告、クレジ
ットカード等の各種カードにおける表示などに適用することができる。
体2241の二つの筐体で構成されている。筐体2241は、表示パネル2242、スピ
ーカー2243、マイクロフォン2244、ポインティングデバイス2246、カメラ用
レンズ2247、外部接続端子2248などを備えている。また、筐体2240は、当該
携帯電話機の充電を行う太陽電池セル2249、外部メモリスロット2250などを備え
ている。また、アンテナは筐体2241内部に内蔵されている。
いる複数の操作キー2245を点線で示している。なお、当該携帯電話は、太陽電池セル
2249から出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路を実装して
いる。また、上記構成に加えて、非接触ICチップ、小型記録装置などを内蔵した構成と
することもできる。
ル2242と同一面上にカメラ用レンズ2247を備えているため、テレビ電話が可能で
ある。スピーカー2243およびマイクロフォン2244は音声通話に限らず、テレビ電
話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体2240と筐体2241はスライドし、
図6(D)のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適
した小型化が可能である。
であり、充電やデータ通信が可能になっている。また、外部メモリスロット2250に記
録媒体を挿入し、より大量のデータの保存および移動に対応できる。また、上記機能に加
えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。
、表示部(A)2267、接眼部2263、操作スイッチ2264、表示部(B)226
5、バッテリー2266などによって構成されている。
体2271に表示部2273が組み込まれている。表示部2273により、映像を表示す
ることが可能である。なお、ここでは、スタンド2275により筐体2271を支持した
構成を示している。
モコン操作機2280により行うことができる。リモコン操作機2280が備える操作キ
ー2279により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部2273に表示さ
れる映像を操作することができる。また、リモコン操作機2280に、当該リモコン操作
機2280から出力する情報を表示する表示部2277を設ける構成としてもよい。
である。受信機により、一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介
して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から
受信者)または双方向(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行
うことが可能である。
の一部又は実施例の内容若しくは該内容の一部と自由に組み合わせることが可能である。
に説明する。
した、L/W=3μm/10000μmのトランジスタの初期特性を示す。また、上面図
を図8(A)に示し、その一部を拡大した上面図を図8(B)に示す。図8(B)の点線
で囲んだ領域がL/W=3μm/50μm、Lov=1.5μmの1段分のトランジスタ
である。なお、ここでは、Lovとはソース又はドレインと酸化物半導体層が重畳する領
域のチャネル長方向における長さを表している。トランジスタの初期特性を測定するため
、基板温度を室温とし、ソース−ドレイン間電圧(以下、ドレイン電圧またはVdという
)を10Vとし、ソース−ゲート間電圧(以下、ゲート電圧またはVgという)を−20
V〜+20Vまで変化させたときのソース−ドレイン電流(以下、ドレイン電流またはI
dという)の変化特性、すなわちVg−Id特性を測定した。なお、図7では、Vgを−
20V〜+5Vまでの範囲で示している。
0Vにおいてオフ電流は1×10−13[A]以下となっており、測定機(半導体パラメ
ータ・アナライザ、Agilent 4156C;Agilent社製)の分解能(10
0fA)以下となっている。すなわち、チャネル長が3μmである場合、当該トランジス
タのチャネル幅1μmあたりのオフ電流値は、10aA/μm以下であると見積もられる
。なお、チャネル長が3μm以上であれば、当該トランジスタのオフ電流値は10aA/
μm以下であると見積もられることも付記する。
上に酸化窒化珪素層を形成した。酸化窒化珪素層上にゲート電極層としてスパッタ法によ
りタングステン層を形成した。ここで、タングステン層を選択的にエッチングしてゲート
電極層を形成した。
珪素層を形成した。
ット(モル数比で、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2)を用いて、厚さ50
nmの酸化物半導体層を形成した。ここで、酸化物半導体層を選択的にエッチングし、島
状の酸化物半導体層を形成した。
第1の熱処理を行った。
0nm)をスパッタ法により形成した。ここで、ソース電極層及びドレイン電極層を選択
的にエッチングし、1つのトランジスタのチャネル長Lを3μm、チャネル幅Wを50μ
mとし、200個を並列とすることで、L/W=3μm/10000μmとなるようにし
た。
酸化珪素層を膜厚300nmで形成した。ここで、保護層である酸化珪素層を選択的にエ
ッチングし、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層上に開口部を形成した。そ
の後、窒素雰囲気下、250℃、1時間の第2の熱処理を行った。
記作製工程において酸化物半導体層中における水素濃度を十分に低減できたためである。
酸化物半導体層中の水素濃度は、1×1016atoms/cm3以下とする。なお、酸
化物半導体層中の水素濃度の値は、二次イオン質量分析法(SIMS:Secondar
y Ion Mass Spectroscopy)で得られたものである。
他の酸化物半導体材料、例えば、In−Sn−Zn−O系、Sn−Ga−Zn−O系、A
l−Ga−Zn−O系、Sn−Al−Zn−O系、In−Zn−O系、In−Sn−O系
、Sn−Zn−O系、Al−Zn−O系、In−O系、Sn−O系、Zn−O系などを用
いることができる。また、酸化物半導体材料として、AlOxを2.5〜10wt%混入
させたIn−Al−Zn−O系や、SiOxを2.5〜10wt%混入させたIn−Zn
−O系を用いることもできる。
cm3未満、好ましくは1×1012/cm3以下である。即ち、酸化物半導体層のキャ
リア密度は、限りなくゼロに近くすることができる。
であり、回路の動作速度を高速化でき、オフ電流値が極めて小さいため、さらに低消費電
力化も図ることができる。
を行うことができる。
度特性は、トランジスタが使われる最終製品の耐環境性や、性能の維持などを考慮する上
で重要である。当然ながら、変化量が小さいほど好ましく、製品設計の自由度が増す。
0℃のそれぞれの温度でトランジスタを形成した基板を一定温度とし、ドレイン電圧を6
V、ゲート電圧を−20V〜+20Vまで変化させてVg−Id特性を取得した。
ものであり、点線で囲むオフ電流の領域を拡大したものを図9(B)に示す。図中の矢印
で示す右端の曲線が−30℃、左端が120℃で取得した曲線で、その他の温度で取得し
た曲線は、その間に位置する。オン電流の温度依存性はほとんど見られない。一方、オフ
電流は拡大図の図9(B)においても明かであるように、ゲート電圧が−20V近傍を除
いて、全ての温度で測定機の分解能近傍の1×10−12[A]以下となっており、温度
依存性も見えていない。すなわち、120℃の高温においても、オフ電流が1×10−1
2[A]以下を維持しており、チャネル幅Wが10000μmであることを考慮すると、
オフ電流が非常に小さいことがわかる。すなわち、チャネル長が3μmである場合、当該
トランジスタのチャネル幅1μmあたりのオフ電流値は、100aA/μm以下であると
見積もられる。なお、チャネル長が3μm以上であれば、当該トランジスタのオフ電流値
は100aA/μm以下であると見積もられることも付記する。また、図9のデータは、
本実施例で作製したトランジスタは、−30℃以上120℃以下であれば、オフ電流値が
100aA/μm以下となることを示すものであり、当然85℃におけるオフ電流値も1
00aA/μmとなると見積もられることを付記する。すなわち、図9のデータは、本実
施例で作製したトランジスタを各画素に設けられるトランジスタとして適用した液晶表示
装置に対して、85℃の恒温保存試験を行った場合、当該画素の画像信号のリークが低減
され、表示の劣化(変化)が抑制されることを示しているといえる。
ジスタは、オフ電流の温度依存性がほとんど現れない。これは、酸化物半導体が高純度化
されることによって、導電型が限りなく真性型に近づき、フェルミ準位が禁制帯の中央に
位置するため、温度依存性を示さなくなると言える。また、これは、酸化物半導体のバン
ドギャップが大きく、熱励起キャリアが極めて少ないことにも起因する。また、ソース領
域及びドレイン領域は縮退した状態にあるのでやはり温度依存性が現れない要因となって
いる。トランジスタの動作は、縮退したソース領域から酸化物半導体に注入されたキャリ
アによるものがほとんどであり、キャリア密度の温度依存性がないことから上記特性(オ
フ電流の温度依存性無し)を説明することができる。
cm3以下としたトランジスタが、室温におけるオフ電流値が10aA/μm以下であり
且つ85℃におけるオフ電流値が100aA/μm以下となることを示すものである。ま
た、当該トランジスタを液晶表示装置の各画素が有するトランジスタとして適用すること
で、当該液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化(表示品質の低下)を抑
制することが可能であることを示すものである。さらには、温度などの外部因子に起因す
る表示の劣化(変化)が低減された液晶表示装置を提供することが可能であることを示す
ものである。
11 走査線駆動回路
12 信号線駆動回路
13 画素部
14 画素
15 トランジスタ
16 液晶素子
17 容量素子
20 信号生成回路
21 記憶回路
22 比較回路
23 選択回路
24 表示制御回路
25 メモリ
400 基板
402 ゲート絶縁層
403 保護絶縁層
410 薄膜トランジスタ
411 ゲート電極層
413 チャネル形成領域
414a ソース領域
414b ドレイン領域
415a ソース電極層
415b ドレイン電極層
416 酸化物絶縁層
430 酸化物半導体膜
431 酸化物半導体層
501 液晶表示パネル
502 タッチパネルユニット
503 筐体
504 液晶表示装置
505 画素
506 光センサ
507 液晶素子
508 走査線駆動回路
509 信号線駆動回路
510 光センサ用駆動回路
2201 本体
2202 筐体
2203 表示部
2204 キーボード
2211 本体
2212 スタイラス
2213 表示部
2214 操作ボタン
2215 外部インターフェイス
2220 電子書籍
2221 筐体
2223 筐体
2225 表示部
2227 表示部
2231 電源
2233 操作キー
2235 スピーカー
2237 軸部
2240 筐体
2241 筐体
2242 表示パネル
2243 スピーカー
2244 マイクロフォン
2245 操作キー
2246 ポインティングデバイス
2247 カメラ用レンズ
2248 外部接続端子
2249 太陽電池セル
2250 外部メモリスロット
2261 本体
2263 接眼部
2264 操作スイッチ
2265 表示部(B)
2266 バッテリー
2267 表示部(A)
2270 テレビジョン装置
2271 筐体
2273 表示部
2275 スタンド
2277 表示部
2279 操作キー
2280 リモコン操作機
Claims (2)
- 画素を有し、
前記画素は、トランジスタと、液晶素子と、を有し、
前記トランジスタは、画像信号を前記液晶素子に供給することができる機能を有し、
前記トランジスタを介した前記画像信号のリークは、前記液晶素子を介した前記画像信号のリークよりも小さく、
前記トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極上方のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上方の酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上方のソース電極と、前記酸化物半導体層上方のドレイン電極と、を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1に記載の液晶表示装置と、
操作ボタン、筐体、スピーカー又はアンテナと、を有することを特徴とする電子機器。
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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WO (1) | WO2011074391A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019191522A (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び画像判定装置 |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8330492B2 (en) | 2006-06-02 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
WO2011049230A1 (en) | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Voltage regulator circuit |
CN105140245B (zh) | 2009-12-18 | 2018-07-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示设备和电子设备 |
KR102135326B1 (ko) * | 2010-01-24 | 2020-07-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR102008754B1 (ko) | 2010-01-24 | 2019-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치와 이의 제조 방법 |
TWI493518B (zh) * | 2012-02-01 | 2015-07-21 | Mstar Semiconductor Inc | 以顯示面板實現觸控螢幕的方法與相關裝置 |
CN102629591B (zh) | 2012-02-28 | 2015-10-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示器 |
JP2013229010A (ja) | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | タッチパネルとその駆動方法、タッチパネルモジュール |
KR102025722B1 (ko) * | 2012-05-02 | 2019-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치 |
US9134864B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device with controller and touch panel for rapid restoration from power-saving mode |
KR102099262B1 (ko) * | 2012-07-11 | 2020-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법 |
KR20140013931A (ko) * | 2012-07-26 | 2014-02-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 |
US9984644B2 (en) | 2012-08-08 | 2018-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for driving the same |
KR102114212B1 (ko) | 2012-08-10 | 2020-05-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
US9607561B2 (en) * | 2012-08-30 | 2017-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for driving same |
US9535277B2 (en) | 2012-09-05 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Conductive oxide film, display device, and method for forming conductive oxide film |
KR20150085035A (ko) * | 2012-11-15 | 2015-07-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 |
US9569992B2 (en) | 2012-11-15 | 2017-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving information processing device, program, and information processing device |
KR102148549B1 (ko) | 2012-11-28 | 2020-08-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP6205249B2 (ja) | 2012-11-30 | 2017-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 情報処理装置の駆動方法 |
US20140184484A1 (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
TWI722545B (zh) * | 2013-03-15 | 2021-03-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP2014209209A (ja) | 2013-03-28 | 2014-11-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
TWI636309B (zh) * | 2013-07-25 | 2018-09-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置及電子裝置 |
TWI507948B (zh) * | 2013-08-28 | 2015-11-11 | Au Optronics Corp | 具有觸控功能之基板以及採用此基板之顯示器 |
JP2015102596A (ja) * | 2013-11-21 | 2015-06-04 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 表示デバイスの駆動装置 |
JP6462208B2 (ja) * | 2013-11-21 | 2019-01-30 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 表示デバイスの駆動装置 |
KR102267237B1 (ko) | 2014-03-07 | 2021-06-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
JP2016006640A (ja) | 2014-05-30 | 2016-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 検知器、入力装置、入出力装置 |
JP6518133B2 (ja) | 2014-05-30 | 2019-05-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入力装置 |
US9455281B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch sensor, touch panel, touch panel module, and display device |
JP2016066065A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、および電子機器 |
US9933903B2 (en) | 2014-10-02 | 2018-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Input device and input/output device |
KR102500994B1 (ko) | 2014-10-17 | 2023-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 터치 패널 |
KR20170091139A (ko) | 2014-12-01 | 2017-08-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 상기 표시 장치를 갖는 표시 모듈, 및 상기 표시 장치 또는 상기 표시 모듈을 갖는 전자 기기 |
US9933872B2 (en) | 2014-12-01 | 2018-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch panel |
WO2016166636A1 (en) | 2015-04-13 | 2016-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, data processor, and method for manufacturing display panel |
CN106155404A (zh) * | 2015-04-27 | 2016-11-23 | 上海和辉光电有限公司 | 显示装置 |
US10684500B2 (en) | 2015-05-27 | 2020-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch panel |
TWI576815B (zh) | 2015-12-10 | 2017-04-01 | 矽創電子股份有限公司 | 電源供應系統及方法 |
WO2017103731A1 (en) | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the same |
WO2017178923A1 (en) | 2016-04-15 | 2017-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
KR102365490B1 (ko) | 2016-07-13 | 2022-02-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 입출력 패널, 입출력 장치, 반도체 장치 |
US10679545B2 (en) | 2016-08-17 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Operation method of display device |
WO2018073690A1 (en) | 2016-10-21 | 2018-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch sensor, display device, display module, and electronic device |
US10620689B2 (en) * | 2016-10-21 | 2020-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic device, and operation method thereof |
JP2018072821A (ja) | 2016-10-26 | 2018-05-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置およびその動作方法 |
US11960185B2 (en) | 2018-03-30 | 2024-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving display device |
JP7429431B2 (ja) * | 2020-02-27 | 2024-02-08 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 情報処理装置および情報処理装置の駆動方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003058114A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子およびその駆動方法 |
WO2009075281A1 (ja) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP2009277702A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Canon Inc | 半導体素子の閾値電圧の制御方法 |
Family Cites Families (228)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3638003A (en) | 1968-09-12 | 1972-01-25 | Heller & Co Walter E | Credit-accumulating arrangement |
US4205518A (en) * | 1975-09-27 | 1980-06-03 | Citizen Watch Co., Ltd. | Voltage conversion system for electronic timepiece |
US5698864A (en) | 1982-04-13 | 1997-12-16 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing a liquid crystal device having field effect transistors |
JPS58178564A (ja) * | 1982-04-13 | 1983-10-19 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタ |
FR2527385B1 (fr) * | 1982-04-13 | 1987-05-22 | Suwa Seikosha Kk | Transistor a couche mince et panneau d'affichage a cristaux liquides utilisant ce type de transistor |
US5736751A (en) | 1982-04-13 | 1998-04-07 | Seiko Epson Corporation | Field effect transistor having thick source and drain regions |
JP2622661B2 (ja) * | 1982-04-13 | 1997-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示パネル |
US6294796B1 (en) | 1982-04-13 | 2001-09-25 | Seiko Epson Corporation | Thin film transistors and active matrices including same |
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPS63186216A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-08-01 | Nec Corp | アクテイブマトリツクス液晶表示器 |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH023988A (ja) * | 1988-06-20 | 1990-01-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の電極構造 |
US5162901A (en) * | 1989-05-26 | 1992-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active-matrix display device with added capacitance electrode wire and secondary wire connected thereto |
US5247375A (en) * | 1990-03-09 | 1993-09-21 | Hitachi, Ltd. | Display device, manufacturing method thereof and display panel |
JPH0772821B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1995-08-02 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
TW222345B (en) * | 1992-02-25 | 1994-04-11 | Semicondustor Energy Res Co Ltd | Semiconductor and its manufacturing method |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
KR970010685B1 (ko) * | 1993-10-30 | 1997-06-30 | 삼성전자 주식회사 | 누설전류가 감소된 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
JPH11505377A (ja) | 1995-08-03 | 1999-05-18 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体装置 |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US7663607B2 (en) | 2004-05-06 | 2010-02-16 | Apple Inc. | Multipoint touchscreen |
CN1089624C (zh) * | 1998-06-09 | 2002-08-28 | 中国石油化工集团公司 | 催化裂化再生烟气管道混合燃烧技术 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP3462135B2 (ja) * | 1999-01-14 | 2003-11-05 | シャープ株式会社 | 二次元画像検出器およびアクティブマトリクス基板並びに表示装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
WO2001084226A1 (fr) | 2000-04-28 | 2001-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Unite d'affichage, procede d'excitation pour unite d'affichage, et appareil electronique de montage d'une unite d'affichage |
JP3766926B2 (ja) | 2000-04-28 | 2006-04-19 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法およびそれを用いた表示装置ならびに携帯機器 |
US7222147B1 (en) | 2000-05-20 | 2007-05-22 | Ciena Corporation | Processing network management data in accordance with metadata files |
US7266595B1 (en) | 2000-05-20 | 2007-09-04 | Ciena Corporation | Accessing network device data through user profiles |
US20020057018A1 (en) | 2000-05-20 | 2002-05-16 | Equipe Communications Corporation | Network device power distribution scheme |
US7111053B1 (en) | 2000-05-20 | 2006-09-19 | Ciena Corporation | Template-driven management of telecommunications network via utilization of operations support services clients |
US6880086B2 (en) | 2000-05-20 | 2005-04-12 | Ciena Corporation | Signatures for facilitating hot upgrades of modular software components |
US20020116485A1 (en) | 2001-02-21 | 2002-08-22 | Equipe Communications Corporation | Out-of-band network management channels |
US20020001307A1 (en) | 2000-05-20 | 2002-01-03 | Equipe Communications Corporation | VPI/VCI availability index |
US7225244B2 (en) | 2000-05-20 | 2007-05-29 | Ciena Corporation | Common command interface |
US7240364B1 (en) | 2000-05-20 | 2007-07-03 | Ciena Corporation | Network device identity authentication |
US7143153B1 (en) | 2000-11-09 | 2006-11-28 | Ciena Corporation | Internal network device dynamic health monitoring |
US7280529B1 (en) | 2000-05-20 | 2007-10-09 | Ciena Corporation | Providing network management access through user profiles |
US6332198B1 (en) | 2000-05-20 | 2001-12-18 | Equipe Communications Corporation | Network device for supporting multiple redundancy schemes |
US7054272B1 (en) | 2000-07-11 | 2006-05-30 | Ciena Corporation | Upper layer network device including a physical layer test port |
WO2001090865A1 (en) | 2000-05-20 | 2001-11-29 | Equipe Communications Corporation | Time synchronization within a distributed processing system |
US6654903B1 (en) | 2000-05-20 | 2003-11-25 | Equipe Communications Corporation | Vertical fault isolation in a computer system |
US7039046B1 (en) | 2000-05-20 | 2006-05-02 | Ciena Corporation | Network device including central and distributed switch fabric subsystems |
US20020118031A1 (en) | 2001-02-27 | 2002-08-29 | Equipe Communications Corporation | Connector test card |
US6639910B1 (en) | 2000-05-20 | 2003-10-28 | Equipe Communications Corporation | Functional separation of internal and external controls in network devices |
US6876652B1 (en) | 2000-05-20 | 2005-04-05 | Ciena Corporation | Network device with a distributed switch fabric timing system |
US6658580B1 (en) | 2000-05-20 | 2003-12-02 | Equipe Communications Corporation | Redundant, synchronous central timing systems with constant master voltage controls and variable slave voltage controls |
US6930890B1 (en) | 2000-05-20 | 2005-08-16 | Ciena Corporation | Network device including reverse orientated modules |
US6868092B1 (en) | 2000-05-20 | 2005-03-15 | Ciena Corporation | Network device with embedded timing synchronization |
US6658579B1 (en) | 2000-05-20 | 2003-12-02 | Equipe Communications Corporation | Network device with local timing systems for automatic selection between redundant, synchronous central timing systems |
US6934749B1 (en) | 2000-05-20 | 2005-08-23 | Ciena Corporation | Tracking distributed data retrieval in a network device |
US20030120822A1 (en) | 2001-04-19 | 2003-06-26 | Langrind Nicholas A. | Isolated control plane addressing |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
JP2002098990A (ja) | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JP3674488B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2005-07-20 | セイコーエプソン株式会社 | 表示コントロール方法、表示コントローラ、表示ユニット及び電子機器 |
JP4554798B2 (ja) * | 2000-10-30 | 2010-09-29 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7263597B2 (en) | 2001-04-19 | 2007-08-28 | Ciena Corporation | Network device including dedicated resources control plane |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
EP1443130B1 (en) | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP3845579B2 (ja) * | 2001-12-26 | 2006-11-15 | 株式会社東芝 | 表示装置の駆動方法 |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
US7189992B2 (en) | 2002-05-21 | 2007-03-13 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures having a transparent channel |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
KR100587370B1 (ko) * | 2003-10-29 | 2006-06-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR100987859B1 (ko) * | 2003-11-03 | 2010-10-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 다결정실리콘 액정표시소자 및 그 제조방법 |
US20050195149A1 (en) * | 2004-03-04 | 2005-09-08 | Satoru Ito | Common voltage generation circuit, power supply circuit, display driver, and common voltage generation method |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
WO2005088726A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
JP4385912B2 (ja) * | 2004-10-01 | 2009-12-16 | 日本ビクター株式会社 | 液晶表示装置 |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
CN101057333B (zh) | 2004-11-10 | 2011-11-16 | 佳能株式会社 | 发光器件 |
KR100998527B1 (ko) | 2004-11-10 | 2010-12-07 | 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 | 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터 |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
CN101057338B (zh) | 2004-11-10 | 2011-03-16 | 佳能株式会社 | 采用无定形氧化物的场效应晶体管 |
JP5118810B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
JP5053537B2 (ja) | 2004-11-10 | 2012-10-17 | キヤノン株式会社 | 非晶質酸化物を利用した半導体デバイス |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US20090122207A1 (en) * | 2005-03-18 | 2009-05-14 | Akihiko Inoue | Image Display Apparatus, Image Display Monitor, and Television Receiver |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
US8847861B2 (en) * | 2005-05-20 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device, method for driving the same, and electronic device |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
US8284169B2 (en) | 2005-09-01 | 2012-10-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4560502B2 (ja) | 2005-09-06 | 2010-10-13 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5064747B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101103374B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
KR101221951B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2013-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
US8259078B2 (en) | 2006-06-09 | 2012-09-04 | Apple Inc. | Touch screen liquid crystal display |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
US7863612B2 (en) | 2006-07-21 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and semiconductor device |
JP4999400B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
TWM313819U (en) * | 2006-10-27 | 2007-06-11 | Heng-Lan Tsau | Integrated structure of a touch panel and a liquid crystal display |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101146574B1 (ko) * | 2006-12-05 | 2012-05-16 | 캐논 가부시끼가이샤 | 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 및 표시장치 |
WO2008069255A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus |
JP5305630B2 (ja) | 2006-12-05 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法 |
US8207944B2 (en) | 2006-12-19 | 2012-06-26 | 3M Innovative Properties Company | Capacitance measuring circuit and method |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
JP5508662B2 (ja) * | 2007-01-12 | 2014-06-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
TWI478347B (zh) * | 2007-02-09 | 2015-03-21 | Idemitsu Kosan Co | A thin film transistor, a thin film transistor substrate, and an image display device, and an image display device, and a semiconductor device |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
JP4727684B2 (ja) | 2007-03-27 | 2011-07-20 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
WO2008136505A1 (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR101092483B1 (ko) | 2007-05-31 | 2011-12-13 | 캐논 가부시끼가이샤 | 산화물 반도체를 사용한 박막트랜지스터의 제조 방법 |
WO2009014289A1 (en) | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Method for preparing succinic acid using sucrose as a carbon source |
JP5143514B2 (ja) | 2007-09-21 | 2013-02-13 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
TWI350474B (en) * | 2007-09-29 | 2011-10-11 | Au Optronics Corp | Capacitive touch panel with low impedance and method of manufacturing capacitive touch panels with low impedance |
JP2009099887A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
JP5357493B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2013-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8319214B2 (en) * | 2007-11-15 | 2012-11-27 | Fujifilm Corporation | Thin film field effect transistor with amorphous oxide active layer and display using the same |
US7982216B2 (en) | 2007-11-15 | 2011-07-19 | Fujifilm Corporation | Thin film field effect transistor with amorphous oxide active layer and display using the same |
JP5213422B2 (ja) | 2007-12-04 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
KR100936874B1 (ko) * | 2007-12-18 | 2010-01-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법 |
TWI374379B (en) | 2007-12-24 | 2012-10-11 | Wintek Corp | Transparent capacitive touch panel and manufacturing method thereof |
JP5061366B2 (ja) * | 2008-01-04 | 2012-10-31 | Necカシオモバイルコミュニケーションズ株式会社 | ヒンジ構造、及び折り畳み式電子機器 |
WO2009093625A1 (ja) | 2008-01-23 | 2009-07-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法、それを用いた表示装置、並びに半導体装置 |
JP5219529B2 (ja) * | 2008-01-23 | 2013-06-26 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及び、該電界効果型トランジスタを備えた表示装置 |
JP2009206508A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Canon Inc | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
KR100963003B1 (ko) * | 2008-02-05 | 2010-06-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
JP5305696B2 (ja) | 2008-03-06 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | 半導体素子の処理方法 |
US7749820B2 (en) | 2008-03-07 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, manufacturing method thereof, display device, and manufacturing method thereof |
JP4555358B2 (ja) | 2008-03-24 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置 |
JP2009267399A (ja) | 2008-04-04 | 2009-11-12 | Fujifilm Corp | 半導体装置,半導体装置の製造方法,表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP5542364B2 (ja) * | 2008-04-25 | 2014-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
JP5305730B2 (ja) | 2008-05-12 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | 半導体素子の製造方法ならびにその製造装置 |
TWI532862B (zh) | 2008-05-22 | 2016-05-11 | Idemitsu Kosan Co | A sputtering target, a method for forming an amorphous oxide film using the same, and a method for manufacturing a thin film transistor |
TWI495108B (zh) * | 2008-07-31 | 2015-08-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置的製造方法 |
US9666719B2 (en) * | 2008-07-31 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR100975204B1 (ko) * | 2008-08-04 | 2010-08-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
WO2010050419A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit and display device |
KR101515468B1 (ko) * | 2008-12-12 | 2015-05-06 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 및 그 동작방법 |
WO2010070832A1 (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | 出光興産株式会社 | 複合酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット |
US8217913B2 (en) | 2009-02-02 | 2012-07-10 | Apple Inc. | Integrated touch screen |
CN101840936B (zh) * | 2009-02-13 | 2014-10-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 包括晶体管的半导体装置及其制造方法 |
JP5185155B2 (ja) | 2009-02-24 | 2013-04-17 | 株式会社ジャパンディスプレイセントラル | 液晶表示装置 |
JP2010243707A (ja) | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Asahi Glass Co Ltd | 液晶光学変調装置、光強度変調装置および光ヘッド装置 |
TWI397184B (zh) * | 2009-04-29 | 2013-05-21 | Ind Tech Res Inst | 氧化物半導體薄膜電晶體 |
JP5195650B2 (ja) | 2009-06-03 | 2013-05-08 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置、制御方法および電子機器 |
TWI494828B (zh) | 2009-07-29 | 2015-08-01 | Cando Corp | 具降低感測結構可視性之電容式觸控面板 |
WO2011027664A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
JP2011070092A (ja) | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
WO2011046048A1 (en) * | 2009-10-16 | 2011-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2011049230A1 (en) * | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Voltage regulator circuit |
KR20190006091A (ko) * | 2009-10-29 | 2019-01-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20120106786A (ko) * | 2009-12-08 | 2012-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
CN102725784B (zh) * | 2009-12-18 | 2016-03-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 具有光学传感器的显示设备及其驱动方法 |
CN105140245B (zh) | 2009-12-18 | 2018-07-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示设备和电子设备 |
KR102329671B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2021-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011086871A1 (en) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102094131B1 (ko) * | 2010-02-05 | 2020-03-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치를 구동하는 방법 |
CN102763156B (zh) * | 2010-02-12 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示装置和电子装置 |
US8830424B2 (en) * | 2010-02-19 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having light-condensing means |
US20110267303A1 (en) | 2010-05-02 | 2011-11-03 | Acer Incorporated | Capacitive touch panel |
JP5248653B2 (ja) | 2010-05-27 | 2013-07-31 | 富士フイルム株式会社 | 導電シート及び静電容量方式タッチパネル |
US8605059B2 (en) * | 2010-07-02 | 2013-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Input/output device and driving method thereof |
JP5993141B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2016-09-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
KR102279459B1 (ko) * | 2012-10-24 | 2021-07-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003058114A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子およびその駆動方法 |
WO2009075281A1 (ja) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP2009277702A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Canon Inc | 半導体素子の閾値電圧の制御方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019191522A (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び画像判定装置 |
JP7084770B2 (ja) | 2018-04-27 | 2022-06-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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