JP2014146749A - 光電変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】取出電極と半導体層の表面および側面との密着性を向上すること。
【解決手段】基板と、該基板上に配置された電極層と、該電極層上に配置された光電変換層と、前記電極層上に配置された、前記光電変換層に沿って延設されている帯状の半導体層と、該半導体層上から両側面を経て前記電極層上にかけて配置された取出電極と、前記光電変換層、前記半導体層および前記取出電極を覆う樹脂層とを有すること。
【選択図】図2
【解決手段】基板と、該基板上に配置された電極層と、該電極層上に配置された光電変換層と、前記電極層上に配置された、前記光電変換層に沿って延設されている帯状の半導体層と、該半導体層上から両側面を経て前記電極層上にかけて配置された取出電極と、前記光電変換層、前記半導体層および前記取出電極を覆う樹脂層とを有すること。
【選択図】図2
Description
本発明は光電変換素子に関する。
従来、例えば薄膜型光電変換装置においては、図4のように、基板102上に電極層103、光電変換層104、受光面側電極部111がこの順に配置されている。
そして、取出電極106は電極層103上に直接半田接合等で配置され、取出電極106の端部は基板102の裏面側へ導出されている。
そして、全体を樹脂層107および封止材110で封止することによって、光電変換装置100としていた(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら従来の製造プロセスにおいては、電極層103の表面には酸化膜が形成されるために、取出電極106と電極層103との密着性が悪くなる場合があった。
また、樹脂層107と電極層103とは、そもそも密着性が悪い。
そのため、光電変換装置100が設置される環境の温度変化による樹脂層107の収縮とともに、取出電極106が樹脂層103に引っ張られることによって、電極層103から取出電極106が次第に剥がれてしまい、直列抵抗が増加して光電変換効率が低下してしまう場合があった。
本発明の一実施形態に係る光電変換装置は、基板と、該基板上に配置された電極層と、該電極層上に配置された光電変換層と、前記電極層上に配置された、前記光電変換層に沿って延設されている帯状の半導体層と、該半導体層上から両側面を経て前記電極層上にかけて配置された取出電極と、前記光電変換層、前記半導体層および前記取出電極を覆う樹脂層と、を有する。
本発明によれば、取出電極と半導体層の表面との高い密着力によって、取出電極と電極層との接続を良好に維持し、信頼性の高い光電変換装置を得ることができる。
<光電変換装置の基本的な構成>
以下、本発明の一実施形態の光電変換装置を図1および図2を用いて説明する。
以下、本発明の一実施形態の光電変換装置を図1および図2を用いて説明する。
(基板)
基板2は、光電変換層4を支持するものである。基板2に含まれる主な材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が採用され得る。
基板2は、光電変換層4を支持するものである。基板2に含まれる主な材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が採用され得る。
(電極層)
電極層3は、基板2の一主面(上面とも言う)の上に配されている導電層である。電極層3に含まれる主な材料としては、例えば、Mo、Al、Ti、TaおよびAu等の導電性を有する各種金属等が採用され得る。また、電極層3の厚さは、例えば、0.2μm以上で且つ1μm以下程度であれば良い。
電極層3は、基板2の一主面(上面とも言う)の上に配されている導電層である。電極層3に含まれる主な材料としては、例えば、Mo、Al、Ti、TaおよびAu等の導電性を有する各種金属等が採用され得る。また、電極層3の厚さは、例えば、0.2μm以上で且つ1μm以下程度であれば良い。
形成方法としては、電極層3は、例えば、スパッタリング法または蒸着法等によって形成され得る。
(光電変換層)
光電変換層4は、電極層3の上に配され、第1半導体層(不図示)と第2半導体層(不図示)とを備え、この順に電極層3の上に積層されている。
光電変換層4は、電極層3の上に配され、第1半導体層(不図示)と第2半導体層(不図示)とを備え、この順に電極層3の上に積層されている。
第1半導体層は、第1導電型を有する半導体を主に含んでおり、光を吸収して電荷を生じる。ここで、第1導電型を有する半導体としては、例えば、カルコパイライト系の化合物半導体であるI−III−VI族化合物半導体等が適用され得る。なお、第1導電型は、例
えばp型の導電型であれば良い。I−III−VI族化合物半導体とは、I−III−VI族化合物
を主に含む半導体である。なお、I−III−VI族化合物を主に含む半導体とは、半導体が
I−III−VI族化合物を70mol%以上含むことを言う。以下の記載においても、「主
に含む」は「70mol%以上含む」ことを意味する。I−III−VI族化合物は、I−B
族元素(11族元素とも言う)とIII−B族元素(13族元素とも言う)とVI−B族元素
(16族元素とも言う)とを主に含む化合物である。I−III−VI族化合物としては、例えば、Cu(In,Ga)Se2(CIGSとも言う)、Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSSとも言う)、およびCuInSe2(CISとも言う)等が採用され得る。なお、Cu(In,Ga)Se2は、CuとInとGaとSeとを主に含む化合物である。また、Cu(In,Ga)(Se,S)2は、CuとInとGaとSeとSとを主に含む化合物である。ここでは、第1半導体層が、CIGSを主に含む。なお、第1半導体層がI−III−VI族化合物半導体を主に含んでいれば、第1半導体層の厚さが10μm以
下であっても、第1半導体層による光電変換の効率が高めら得る。このため、第1半導体層の厚さは、例えば、1μm以上で且つ3μm以下程度であれば良い。
えばp型の導電型であれば良い。I−III−VI族化合物半導体とは、I−III−VI族化合物
を主に含む半導体である。なお、I−III−VI族化合物を主に含む半導体とは、半導体が
I−III−VI族化合物を70mol%以上含むことを言う。以下の記載においても、「主
に含む」は「70mol%以上含む」ことを意味する。I−III−VI族化合物は、I−B
族元素(11族元素とも言う)とIII−B族元素(13族元素とも言う)とVI−B族元素
(16族元素とも言う)とを主に含む化合物である。I−III−VI族化合物としては、例えば、Cu(In,Ga)Se2(CIGSとも言う)、Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSSとも言う)、およびCuInSe2(CISとも言う)等が採用され得る。なお、Cu(In,Ga)Se2は、CuとInとGaとSeとを主に含む化合物である。また、Cu(In,Ga)(Se,S)2は、CuとInとGaとSeとSとを主に含む化合物である。ここでは、第1半導体層が、CIGSを主に含む。なお、第1半導体層がI−III−VI族化合物半導体を主に含んでいれば、第1半導体層の厚さが10μm以
下であっても、第1半導体層による光電変換の効率が高めら得る。このため、第1半導体層の厚さは、例えば、1μm以上で且つ3μm以下程度であれば良い。
形成方法としては、第1半導体層は、スパッタリング法または蒸着法等といった真空プロセスによって形成され得る。また、第1半導体層は、塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによっても形成され得る。塗布法あるいは印刷法では、例えば、第1半導体層に主に含まれる金属元素を含む溶液が下部電極の上に塗布され、その後、乾燥および熱処理が行われる。
第2半導体層は、第1半導体層の一主面(上面とも言う)の上に配されており、第1半導体層の第1導電型とは異なる第2導電型を有する半導体を主に含む。ここで、導電型が異なる半導体とは、伝導担体(キャリア)が異なる半導体である。そして、第2導電型は、例えばn型の導電型であれば良い。なお、第1半導体層の導電型がn型であり、第2半
導体層の導電型がp型であっても良い。ここでは、第1半導体層と第2半導体層との間にヘテロ接合領域が形成されている。このため、光電変換素子では、ヘテロ接合領域を形成する第1半導体層と第2半導体層とにおいて光電変換が生じ得る。第2半導体層は、化合物半導体を主に含む。第2半導体層に含まれる化合物半導体としては、例えば、CdS、In2S3、ZnS、ZnO、In2Se3、In(OH,S)、(Zn,In)(Se,OH)および(Zn,Mg)O等が採用され得る。そして、第2半導体層が1Ω・cm以上の抵抗率を有していれば、リーク電流の発生が低減され得る。
導体層の導電型がp型であっても良い。ここでは、第1半導体層と第2半導体層との間にヘテロ接合領域が形成されている。このため、光電変換素子では、ヘテロ接合領域を形成する第1半導体層と第2半導体層とにおいて光電変換が生じ得る。第2半導体層は、化合物半導体を主に含む。第2半導体層に含まれる化合物半導体としては、例えば、CdS、In2S3、ZnS、ZnO、In2Se3、In(OH,S)、(Zn,In)(Se,OH)および(Zn,Mg)O等が採用され得る。そして、第2半導体層が1Ω・cm以上の抵抗率を有していれば、リーク電流の発生が低減され得る。
形成方法としては、第2半導体層は、例えば、化学浴槽堆積(CBD)法等によって形成され得る。また、第2半導体層の厚さは、例えば、10nm以上で且つ200nm以下程度であれば良い。第2半導体層の厚さが100nm以上で且つ200nm以下であれば、第2半導体層の上に受光面側電極部の透明電極がスパッタリング法等で形成される際に、第2半導体層においてダメージが生じ難い。
(受光部側電極部)
受光面側電極部11は、光電変換層4の一主面(上面とも言う)の上に配されている。そして、受光面側電極部11は、透明電極11aと複数の集電電極11bとを備え、この順に光電変換層4上に積み重ねられている。
受光面側電極部11は、光電変換層4の一主面(上面とも言う)の上に配されている。そして、受光面側電極部11は、透明電極11aと複数の集電電極11bとを備え、この順に光電変換層4上に積み重ねられている。
透明電極11aは、光電変換層4の一主面(上面とも言う)の上に配されている。透明電極11aは、例えば、n型の導電型を有する透明の導電層である。透明電極11aは、光電変換層4で生じた電荷を取り出す電極である。透明電極11aは、第2半導体層よりも低い抵抗率を有する材料を主に含んでいれば良い。透明電極11aには、いわゆる窓層と呼ばれるものが含まれても良い。透明電極11aは、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば、ZnO、ZnOの化合物、Snが含まれたITOおよびSnO2等の金属酸化物半導体等が採用され得る。ZnOの化合物は、Al、B、Ga、InおよびFのうちの何れか1つの元素等が含まれたものであれば良い。
形成方法としては、透明電極11aは、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長(CVD)法等によって形成され得る。透明電極11aの厚さは、例えば、0.08μm以上で且つ2.0μm以下程度であれば良い。ここで、透明電極11aが、1Ω・cm未満の抵抗率と、50Ω/□以下のシート抵抗とを有していれば、透明電極11aを介して光電変換層4から電荷が良好に取り出され得る。
複数の集電電極11bは、透明電極11aの一主面(以下、上面とも言う)の上に配されている。複数の集電電極11bは、光電変換層4において発生して透明電極11aにおいて取り出された電荷を集電する役割を担う。複数の集電電極11bが配されていることで、透明電極11aにおける導電性が補われる。
形成方法としては、複数の集電電極11bは、例えば、導電性ペーストが透明電極11aの上面の上に塗布された後に乾燥されて該導電性ペーストが固化されることで形成され得る。導電性ペーストは、例えば、透光性を有する樹脂等のバインダーに光反射率が高く且つ導電性を有する金属フィラーなどの粒子が添加されることで作製され得る。この場合、集電電極に導電性を有する多数の粒子が含まれており、この多数の粒子が相互に接触し合うことで、集電電極11bにおける良好な導電性が確保され得る。
(半導体層)
ここでいう半導体層5とは、半導体材料からなるものであればよいが、例えば、受光部側電極部11や光電変換層4の外縁部の近傍をレーザーやエッチングによってトリミング
することによって、一部を分離して得られた部位でもよい。あるいは、別途、形成されて設けられたものであってもよい。
ここでいう半導体層5とは、半導体材料からなるものであればよいが、例えば、受光部側電極部11や光電変換層4の外縁部の近傍をレーザーやエッチングによってトリミング
することによって、一部を分離して得られた部位でもよい。あるいは、別途、形成されて設けられたものであってもよい。
(取出電極)
取出電極6は、光電変換層4で得られた出力を受光面側電極部11の透明電極11a、集電電極11bを介して取り出し、外部に導く機能を有している。このような取出電極6としては、例えば厚み0.3〜2.0mm程度の銅、銀およびアルミニウム等を含む金属箔を用いることができる。
取出電極6は、光電変換層4で得られた出力を受光面側電極部11の透明電極11a、集電電極11bを介して取り出し、外部に導く機能を有している。このような取出電極6としては、例えば厚み0.3〜2.0mm程度の銅、銀およびアルミニウム等を含む金属箔を用いることができる。
取出電極6は、予め半田がコーティングされていてもよい。例えば、Sn−Pb系の共晶半田が用いられる場合、加熱温度は180℃以上で且つ200℃以下であれば良い。また、Sn−Ag−Cu系のPbフリー半田が用いられる場合、加熱温度は200℃以上で且つ220℃以下であれば良い。
取出電極6は、基板2に設けられた貫通孔12を介して基板2の裏面側に導出され、端子ボックス(不図示)まで延びている。貫通孔12は、基板2にレーザーを用いて直径が3〜5mm程度に形成する。
(封止材)
封止材10は、基板2を平面視して、光電変換層4および樹脂層7を取り囲むように配置されている。封止材10は、光電変換層4側に入ってくる異物の浸入を低減する機能を有している。このような異物の中には、外部から浸入する水分も含まれる。また、封止材10は、樹脂層7と接触するように配置されている。それゆえ、外部からの応力に対して略均一な剛性を維持することができる。
封止材10は、基板2を平面視して、光電変換層4および樹脂層7を取り囲むように配置されている。封止材10は、光電変換層4側に入ってくる異物の浸入を低減する機能を有している。このような異物の中には、外部から浸入する水分も含まれる。また、封止材10は、樹脂層7と接触するように配置されている。それゆえ、外部からの応力に対して略均一な剛性を維持することができる。
形成する方法としては基板2の外周側部分に、光電変換層4を取り囲むように、封止材10の前駆体を塗布する。この塗布は、封止材10の前駆体をディスペンサーなどの吐出装置に充填し、吐出口から所定量の前駆体を吐出して所定の領域に塗布すればよい。このとき、封止材10の前駆体は、基板2の外周側に2〜8mm程度の幅で設ければよい。
(樹脂層)
樹脂層7は、主として光電変換層4を保護する機能を有しており、光電変換層4を覆うように配置されている。このような樹脂層7としては、例えば共重合したエチレンビニルアセテート(EVA)を主成分とする樹脂が挙げられる。なお、EVAには、樹脂の架橋を促進すべく、トリアリルイソシアヌレート等の架橋剤が含まれていてもよい。
樹脂層7は、主として光電変換層4を保護する機能を有しており、光電変換層4を覆うように配置されている。このような樹脂層7としては、例えば共重合したエチレンビニルアセテート(EVA)を主成分とする樹脂が挙げられる。なお、EVAには、樹脂の架橋を促進すべく、トリアリルイソシアヌレート等の架橋剤が含まれていてもよい。
形成する方法としては、光電変換層4上に、EVAなどの樹脂層7を載置する。次いで、50〜150Pa程度の減圧下で100〜200℃程度の温度で15〜60分間程度加熱しながら加圧して一体化する。
以下、本発明の光電変換装置の一実施形態について図3を用いて詳細に説明する。
<光電変換装置>
本発明の第1実施形態によれば、基板2と、該基板2上に配置された電極層3と、該電極層3上に配置された光電変換層4と、前記電極層3上に配置された、前記光電変換層4に沿って延設されている帯状の半導体層5と、該半導体層5上から両側面を経て前記電極層3上にかけて配置された取出電極6と、前記光電変換層4、前記半導体層5および前記取出電極6を覆う樹脂層7と、を有する。
本発明の第1実施形態によれば、基板2と、該基板2上に配置された電極層3と、該電極層3上に配置された光電変換層4と、前記電極層3上に配置された、前記光電変換層4に沿って延設されている帯状の半導体層5と、該半導体層5上から両側面を経て前記電極層3上にかけて配置された取出電極6と、前記光電変換層4、前記半導体層5および前記取出電極6を覆う樹脂層7と、を有する。
これにより、光電変換装置1が設置される環境の温度変化によって樹脂層7が収縮して
も、取出電極6と半導体層5とが密着していることで、取出電極6が電極層3から剥離することを低減できる。
も、取出電極6と半導体層5とが密着していることで、取出電極6が電極層3から剥離することを低減できる。
そして、取出電極6は、半導体層5の両側面に沿った、電極層3上のそれぞれの部位に直接接合されているので直列抵抗が低く、信頼性の高い光電変換装置1を得ることができる。
(光電変換装置の第2の例)
上記光電変換装置1において、図3に示すように、前記半導体層5は複数の層からなり、前記取出電極6が半田で被覆されているとともに該半田の一部が前記層の間8に侵入していてもよい。
上記光電変換装置1において、図3に示すように、前記半導体層5は複数の層からなり、前記取出電極6が半田で被覆されているとともに該半田の一部が前記層の間8に侵入していてもよい。
これにより、光電変換装置1が設置される環境の温度変化により樹脂層7が収縮しても、半田によって取出電極6と半導体層5とが半導体層5の側面部分で強固に密着しているので、取出電極6が電極層3から剥離することを低減できる。
(光電変換装置の第3の例)
上記光電変換装置1において、図3に示すように、前記半導体層5は複数の開気孔9を有しており、前記取出電極6が半田で被覆されているとともに該半田の一部が前記開気孔9に侵入していてもよい。
上記光電変換装置1において、図3に示すように、前記半導体層5は複数の開気孔9を有しており、前記取出電極6が半田で被覆されているとともに該半田の一部が前記開気孔9に侵入していてもよい。
これにより、光電変換装置1が設置される環境の温度変化により樹脂層7が収縮しても、半田によって取出電極6と半導体層5とが半導体層5の表面で強固に密着しているので、取出電極6が電極層3から剥離することを低減できる。
(光電変換装置の第4の例)
上記光電変換装置1において、図3に示すように、前記半導体層5は複数の層8からなり、前記取出電極6の一部が前記層の間8に侵入している。
上記光電変換装置1において、図3に示すように、前記半導体層5は複数の層8からなり、前記取出電極6の一部が前記層の間8に侵入している。
これにより、光電変換装置1が設置される環境の温度変化により樹脂層7が収縮しても、取出電極6が溶着して層の間8に侵入することによって、取出電極6と半導体層5とが半導体層5の側面で強固に密着しているので、取出電極6が電極層3から剥離することを低減できる。
(光電変換装置の第5の例)
上記光電変換装置1において、図3に示すように、前記半導体層5は複数の開気孔9を有しており、前記取出電極6の一部が前記開気孔9に侵入している。
これにより、光電変換装置1が設置される環境の温度変化により樹脂層7が収縮しても、取出電極6と半導体層5とが取出電極6の溶着によって、半導体層5の表面で強固に密着しているので、取出電極6が電極層3から剥離することを低減できる。
上記光電変換装置1において、図3に示すように、前記半導体層5は複数の開気孔9を有しており、前記取出電極6の一部が前記開気孔9に侵入している。
これにより、光電変換装置1が設置される環境の温度変化により樹脂層7が収縮しても、取出電極6と半導体層5とが取出電極6の溶着によって、半導体層5の表面で強固に密着しているので、取出電極6が電極層3から剥離することを低減できる。
<製造方法>
特に本発明の光電変換装置の製造方法の一実施形態において、半導体層5と取出電極6との接合方法については、以下のような方法がある。
特に本発明の光電変換装置の製造方法の一実施形態において、半導体層5と取出電極6との接合方法については、以下のような方法がある。
例えば、第1の方法としては、取出電極6の導線部分として銅線を用い、ニッケルアルミニウム皮膜を銅線全体に形成し、これに超音波半田を用いて仮半田を施しておいて、その後に本半田を施して半導体層5と取出電極6とを接合する。
これにより、取出電極6の形状の制約が少ない条件で、取出電極6を半導体層5に接合
できる。
できる。
また例えば、第2の方法として、取出電極6の導線部分としてアルミニウムを用い、超音波溶接でこれを溶着させることによって、半導体層5と取出電極6とを接合する。
これにより、半田溶接のような光電変換素子に対する加熱を回避して、光電変換効率の低下を低減することができる。
1:光電変換装置
2:基板
3:電極層
4:光電変換層
5:半導体層
6:取出電極
7:樹脂層
8:層の間
9:開気孔
10:封止材
11:受光面側電極部
11a:透明電極
11b:集電電極
12:貫通孔
100:光電変換装置
102:基板
103:電極層
104:光電変換層
106:取出電極
107:樹脂層
110:封止材
111:受光面側電極部
2:基板
3:電極層
4:光電変換層
5:半導体層
6:取出電極
7:樹脂層
8:層の間
9:開気孔
10:封止材
11:受光面側電極部
11a:透明電極
11b:集電電極
12:貫通孔
100:光電変換装置
102:基板
103:電極層
104:光電変換層
106:取出電極
107:樹脂層
110:封止材
111:受光面側電極部
Claims (5)
- 基板と、
該基板上に配置された電極層と、
該電極層上に配置された光電変換層と、
前記電極層上に配置された、前記光電変換層に沿って延設されている帯状の半導体層と、該半導体層上から両側面を経て前記電極層上にかけて配置された取出電極と、
前記光電変換層、前記半導体層および前記取出電極を覆う樹脂層と
を有する光電変換装置。 - 前記半導体層は複数の層からなり、前記取出電極が半田で被覆されているとともに該半田の一部が前記層の間に侵入している、請求項1記載の光電変換装置。
- 前記半導体層は複数の開気孔を有しており、前記取出電極が半田で被覆されているとともに該半田の一部が前記開気孔に侵入している、請求項1記載の光電変換装置。
- 前記半導体層は複数の層からなり、前記取出電極の一部が前記層の間に侵入している、請求項1〜3のいずれかに記載の光電変換装置。
- 前記半導体層は複数の開気孔を有しており、前記取出電極の一部が前記開気孔に侵入している、請求項1〜3のいずれかに記載の光電変換装置。
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---|---|---|---|
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- 2013-01-30 JP JP2013015602A patent/JP2014146749A/ja active Pending
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