JP2014109071A - スパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
【課題】光透過率が高いと共に電気抵抗率が比較的高い導電金属酸化物薄膜を形成できるスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】インジウムと、第1の金属と、第2の金属と、酸素とを含んでおり、前記第1の金属は、亜鉛、スズおよびこれらの組み合わせからなる群より選ばれ、前記第2の金属は、アルミニウム、チタンおよびこれらの組み合わせからなる群より選ばれ、インジウムと前記第1の金属と前記第2の金属との原子含有量の合計を100at.%とした際の原子比率で、インジウムが10〜20at.%、前記第1の金属が60〜80at.%、前記第2の金属が10〜20at.%であることを特徴とするスパッタリングターゲットを提供する。
【選択図】図3
【解決手段】インジウムと、第1の金属と、第2の金属と、酸素とを含んでおり、前記第1の金属は、亜鉛、スズおよびこれらの組み合わせからなる群より選ばれ、前記第2の金属は、アルミニウム、チタンおよびこれらの組み合わせからなる群より選ばれ、インジウムと前記第1の金属と前記第2の金属との原子含有量の合計を100at.%とした際の原子比率で、インジウムが10〜20at.%、前記第1の金属が60〜80at.%、前記第2の金属が10〜20at.%であることを特徴とするスパッタリングターゲットを提供する。
【選択図】図3
Description
本発明は、スパッタリングターゲットに関し、特に電気抵抗率が高い導電金属酸化物薄膜を形成するスパッタリングターゲットに関する。
導電金属酸化物薄膜は通常スパッタリングによる堆積で形成されるものであり、例えば金属あるいは金属合金をターゲットとして反応性スパッタ法を用いたり、形成したい薄膜と成分が同じである金属酸化物をターゲットとしてスパッタリングしたりすることで形成している。
中でも、酸化インジウムスズ(以下ITO)薄膜は、その良好な導電特性(つまり電気抵抗率が低いこと)と、可視光照射下での透明度の高さから、目下、導電金属酸化物薄膜として最も広く用いられており技術的にも成熟している。殊更、ITO薄膜はオプトエレクトロニクス産業において広範に用いられており、特にオプトエレクトロニクスデバイスにおける電極層や電流拡散層として利用されている。
また、ITO薄膜が更に亜鉛を含んでいると、つまり酸化インジウムスズ亜鉛(以下ITZO)薄膜であると、高い導電率を保持するだけでなく、短波長の光線の照射下ではITO薄膜よりも更に高い透明度を示すことが知られている。このため、ITZO薄膜も、透明導電薄膜を形成するのに適した透明導電酸化物(transparent conducting oxide)と目されている。
このように、ITO薄膜やITZO薄膜は、その高い導電率と透明性により注目されているが、オプトエレクトロニクス製品が多元化してゆく中で、必ずしも導電率の高さが求められるとは限らなくなった。例えば、タッチパネルに用いる透明導電薄膜としては、逆に導電率が比較的低い、つまり電気抵抗率が高い導電金属酸化物薄膜が求められる。薄膜の電気抵抗率を上げるためには、一般に、ITOの膜厚を薄くするといった方法が用いられている。しかし、この方法によると、以下に挙例する問題が起こる。即ち、薄膜が破損しやすくなったり、膜厚が不均一になったりして、電気特性が不安定となる。またこれにより、このような薄膜を用いた製品そのものの歩留まりも悪くなる。
そこで、最近では、薄膜を構成する金属元素や、これらの組成比率を変えることで、透明性を維持すると共に電気抵抗値を上げる方法が試みられている。
例えば特許文献1では、酸化インジウムに微量のプラセオジムを含有させたスパッタリングターゲットを用いることで得られた高抵抗透明導電膜が開示されている。
しかしながら、上記のように薄膜を構成する元素や組成比率を変えることで電気抵抗値を上げる方法は、未だ多くの課題があり、例えば、ITOとは異なる組成の薄膜でも従来のITO薄膜とその他のエレメントとの間のような相容性を確保できるか、また製造設備や製造パラメータ、並びに廃棄物回収の流れをどう変更するかなど、多くの研究改良すべき点がある。
例えば、上記特許文献1の高抵抗透明導電膜は、電気抵抗値の向上が顕著とは言えず、またプラセオジムは希土類元素でコストが高い上に、人体に対して毒性があるので広範な使用には向かない。
本発明は、上記事情に鑑みて提案されたもので、従来の設備及び工程を用いて製造することができると共に、光透過率が高いと共に電気抵抗率が比較的高い導電金属酸化物薄膜を形成できるスパッタリングターゲットの提供を目的とする。
前記目的を達成するために、本発明は、インジウムと、第1の金属と、第2の金属と、酸素とを含んでおり、前記第1の金属は、亜鉛、スズおよびこれらの組み合わせからなる群より選ばれ、前記第2の金属は、アルミニウム、チタンおよびこれらの組み合わせからなる群より選ばれ、 インジウムと前記第1の金属と前記第2の金属との原子含有量の合計を100at.%とした際の原子比率で、インジウムが10〜20at.%、前記第1の金属が60〜80at.%、前記第2の金属が10〜20at.%であることを特徴とするスパッタリングターゲットを提供する。
また、各比率は、インジウムが12〜18at.%、前記第1の金属が64〜76at.%、前記第2の金属が12〜18at.%であると好ましい。
また、前記第1の金属がスズ及び亜鉛、前記第2の金属がアルミニウムであるとよく、前記原子比率で、スズが10〜20at.%、亜鉛が10〜20at.%であると好ましい。
更に、本発明に係るスパッタリングターゲットは、多結晶相を有する主成分と、結晶構造が前記主成分と異なる副成分とを具えており、前記主成分と前記副成分とは、いずれもインジウムと、前記第1の金属と、前記第2の金属とを含んでいるとよく、前記副成分に含まれているアルミニウムは前記主成分に含まれているアルミニウムよりも原子組成比率が大きいことが望ましい。
また、本発明に係るスパッタリングターゲットは、X線回折測定において、回折角33.0°〜35.0°に回折ピークを有し、電気抵抗率が5×10−3Ω‐cmより大きく10−1Ω‐cmより小さいことが望ましい。
本発明に係るスパッタリングターゲットによれば、インジウムと、亜鉛、スズおよびこれらの組み合わせからなる群より選ばれる第1の金属と、アルミニウム、チタンおよびこれらの組み合わせからなる群より選ばれる第2の金属とを、上記所定の比率で含有していることにより、電気抵抗が飛躍的に向上されながらも高い光透過率を有する導電金属酸化物薄幕を提供することができる。
以下、添付図面を参照にしながら、実施形態を挙げて本発明を詳しく説明する。
本発明に係るスパッタリングターゲットは、その好ましい実施形態において、インジウム(In)と、第1の金属と、第2の金属と、酸素とを含んでいる。
上記第1の金属は、亜鉛(Zn)、スズ(Sn)およびこれらの組み合わせからなる群より選ばれるものであり、また上記第2の金属は、アルミニウム(Al)、チタンおよびこれらの組み合わせからなる群より選ばれるものである。また、上記第2の金属の酸化物の電気抵抗率は、上記第1の金属の酸化物のそれよりも高い。
上記条件において、本実施形態に係るスパッタリングターゲットの組成比率は、インジウムと第1の金属と第2の金属との原子含有量の合計を100at.%とした際の原子比率で、インジウムが10〜20at.%、前記第1の金属が60〜80at.%、前記第2の金属が10〜20at.%である。
スパッタリングは大まかに言うとターゲットの原子を物理的に吹き飛ばして基板上に堆積させる方法なので、本実施形態に係るスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング装置のチャンバー内でスパッタリングすることにより導電金属酸化物薄膜を形成した場合、該薄膜も、インジウムと、第1の金属と、第2の金属と、酸素とを含むことになる。
ここで注意されたいのは、スパッタリングにより形成される薄膜の特性は、ターゲットの成分組成に影響を受ける他に、スパッタリング環境およびパラメータにも影響を受けるが、後者の影響は一定の範囲を超えないという点である。例えばスパッタリング過程においてチャンバー内に酸素を流入させた場合、環境、即ちチャンバー内の温度、圧力、酸素濃度等によっては、酸素がターゲットの金属成分と反応し、形成される薄膜の特性、特に電気抵抗率に影響を与え得るが、このような影響は一定の範囲内に限定されるものである。故に、スパッタリング環境やパラメータを適度な範囲内に調整することだけで、電気抵抗率が高く且つ安定した酸化インジウムスズ(ITO)薄膜や酸化インジウムスズ亜鉛(ITZO)薄膜を得ることはできない。そこで、導電金属酸化物薄膜の電気抵抗率を上げるためには、やはり適宜な成分とそれらの組成比率を有するスパッタリングターゲットを研究することが必須の方法である。
本実施形態において、第2の金属は、上記の原子比率において、10〜20at.%含まれている。また、本実施形態のスパッタリングターゲットを用いて形成される薄膜も、成分に第2の金属を含む上に、その電気抵抗率は、下述する実施例と比較例との比較(表1)からわかるように、同じ膜厚のITO薄膜やITZO薄膜よりも大きい。更に、光透過率においても、従来のITZO薄膜と同等である。具体的に言うと、本実施形態のスパッタリングターゲットを用いて形成される薄膜は、膜厚が100nmの場合において、電気抵抗率が106Ωを超え、平均光透過率が85%を超える。
このように、本実施形態に係るスパッタリングターゲットを用いることによって形成される導電金属酸化物薄膜は、電気抵抗率において、ITO薄膜やITZO薄膜を上回る。これは、本実施形態に係るスパッタリングターゲットが、アルミニウム原子或いはチタン原子とインジウムスズ亜鉛とにより形成される自由電子が流れにくく電気抵抗率の高い化合物を所定の濃度含んでいることが原因の一つに挙げられる。
ここで、もしもスパッタリングターゲットにおける第2の金属の原子比率が本実施形態の範囲よりも低い場合、即ち10at.%未満である場合、形成される薄膜も第2の金属の含有量が低すぎるものとなる。第2の金属をアルミニウムとした例で説明すると、導電金属酸化物薄膜に含まれているアルミニウムの量が少なすぎると、アルミニウム原子が、もともと亜鉛やインジウム原子が占有していた格子点位置を占有するといった置換が発生し、酸化物中の電荷担体濃度が増えることで、該薄膜の導電率が上昇してしまう。
また逆に、もしもスパッタリングターゲットにおける第2の金属の原子比率が本実施形態の範囲を超える場合、即ち20at.%を超える場合、スパッタリングターゲットにおいて絶縁性の高い酸化アルミニウムや酸化チタンの含有量が過大となり、これにより形成される導電金属酸化物薄膜も電気抵抗率が高くなりすぎ、つまりは導電性過少となる。
更に、本発明に係るスパッタリングターゲットにおいては、インジウムと第1の金属と第2の金属との原子含有量の合計を100at.%とした際の原子比率で、インジウムが12〜18at.%、前記第1の金属が64〜76at.%、前記第2の金属が12〜18at.%の範囲内であるとより好ましい。
また、前記第1の金属はスズと亜鉛、前記第2の金属はアルミニウムであるとよく、その上、上記原子比率で、亜鉛が10〜20at.%、或いはスズが10〜20at.%であれば、このようなスパッタリングターゲットによって形成される導電金属酸化物薄膜は、例えば下述する実施例1および実施例2の測定結果(表1)からわかるように、膜厚が100nmである際の電気抵抗率が5×106Ω(5MΩ)を超え、且つ波長範囲300〜1300nmの光線照射時の光透過率が87%を超えるようになる。
また、本実施形態におけるスパッタリングターゲットは、主成分と、格子構造が主成分と異なる副成分を含んでおり、これら主成分と副成分とはいずれもインジウム、前記第1の金属、前記第2の金属を含んでいる。前記副成分に含まれている前記第2の金属(アルミニウム)は、前記主成分に含まれている前記第2の金属(アルミニウム)よりも、原子組成比率において大きい。それで、前記副成分には電気抵抗率が比較的大きい化合物が含まれているものと推測される。
なお、本実施形態におけるスパッタリングターゲットは、スパッタリングを直流スパッタ法で行えるように、電気抵抗率が、5×10−3Ω‐cm(0.5Ω‐cm)より大きく、10−1Ω‐cm(1Ω‐cm)より小さくなるように構成されるとなおよい。
<好ましい製造方法>
以下では、第1の金属としてスズと亜鉛、第2の金属としてアルミニウムを用いた場合を例に、本発明に係るスパッタリングターゲットの好ましい製造方法を詳説する。
以下では、第1の金属としてスズと亜鉛、第2の金属としてアルミニウムを用いた場合を例に、本発明に係るスパッタリングターゲットの好ましい製造方法を詳説する。
まず、それぞれ純度が99.9%を超える酸化インジウム粉末と、酸化亜鉛粉末と、酸化スズ粉末と、酸化アルミニウム粉末を用意する。
次に、混合粉砕工程を行う。即ち、酸化インジウム粉末と、酸化亜鉛粉末と、酸化スズ粉末と、酸化アルミニウム粉末とを混合して混合粉末としてから、これをボールミル粉砕機に入れ、更に複数のジルコニアボールを入れる。これらを8時間以上摩砕させた後、混合粉末とジルコニアボールとを分離する。
続いて、造粒工程を行う。即ち、混合粉砕した前記混合粉末を、噴霧乾燥法により粒径が20μm〜100μmとなるように粒粉を形成する。
次に、成型工程を行う。即ち、成型面に離型剤が塗布された金型に、前記粒粉を入れ、圧力範囲200〜1200kg/cm3、温度範囲30〜50℃の環境でプレスし、相対密度50〜65%の成型物を得る。
その後、焼結工程を行う。即ち、前記成型物を、高温焼結炉に入れ、酸素雰囲気下で、焼結温度1300〜1600℃にて焼結物を得る。
最後に、必要に応じて整形工程を行う。即ち、前記焼結物を、スパッタリングターゲットとするのに適した所望の形状に切削加工すると共に、表面を平らで滑らかにするため表面研磨を行う。
<実施例と比較例>
以下には、上記の好ましい製造方法を基に、主に組成比率を変化させて製造したスパッタリングターゲットの各実施例(各元素の組成比率が上述した実施形態の範囲内)、並びに比較例(各元素の組成比率が上述した実施形態の範囲外)を挙げ、各例で製造されたスパッタリングターゲットを用いて得られた各導電金属酸化物薄膜の組成比率及び特性の測定結果を、その分析と共に後記する表1に示す。
以下には、上記の好ましい製造方法を基に、主に組成比率を変化させて製造したスパッタリングターゲットの各実施例(各元素の組成比率が上述した実施形態の範囲内)、並びに比較例(各元素の組成比率が上述した実施形態の範囲外)を挙げ、各例で製造されたスパッタリングターゲットを用いて得られた各導電金属酸化物薄膜の組成比率及び特性の測定結果を、その分析と共に後記する表1に示す。
(実施例1)
実施例1でのスパッタリングターゲットの製造方法は、上記好ましい製造方法に準ずる。
実施例1でのスパッタリングターゲットの製造方法は、上記好ましい製造方法に準ずる。
成分量は、純度99.9%以上の酸化インジウム粉末19.2gと、酸化亜鉛粉末11.3gと、酸化スズ粉末62.5gと、酸化アルミニウム粉末7.0gとの合計100gである。原子組成比率で言うと、インジウム(In)と亜鉛(Zn)とスズ(Sn)とアルミニウム(Al)との原子含有量の合計を100at.%とした場合、インジウム16.7at.%、亜鉛16.7at.%、スズ50at.%、アルミニウム16.7at.%である(比率は小数第二位を四捨五入し小数第一位まで求めた値)。
上記条件で得られたスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより基板上に導電金属酸化物薄膜を形成した。スパッタリング条件は、出力密度3W/cm2、室温、アルゴンガス流量70sccm、酸素流量4sccm、チャンバー圧力3.5mTorrとし、またスパッタリング後に200℃でアニーリングを行った。
(実施例2)
実施例2でのスパッタリングターゲットの製造方法は、上記好ましい製造方法に準ずる。
実施例2でのスパッタリングターゲットの製造方法は、上記好ましい製造方法に準ずる。
成分量は、純度99.9%以上の酸化インジウム粉末23.7gと、酸化亜鉛粉末41.8gと、酸化スズ粉末25.8gと、酸化アルミニウム粉末8.7gとの合計100gである。原子組成比率で言うと、インジウムと亜鉛とスズとアルミニウムとの原子含有量の合計を100at.%とした場合、インジウム16.7at.%、亜鉛50at.%、スズ16.7at.%、アルミニウム16.7at.%である(比率は小数第二位を四捨五入し小数第一位まで求めた値)。
上記条件のスパッタリングターゲットを用いて、実施例1と同条件のスパッタリングにより基板上に導電金属酸化物薄膜を形成した。またスパッタリング後に280℃でアニーリングを行った。
(比較例1:ITZO)
比較例1でのスパッタリングターゲットの製造方法も、上記好ましい製造方法に準ずる。上記各実施例と異なる点は、酸化アルミニウムを含んでいない点で、成分量は、純度99.9%以上の酸化インジウム粉末73.2gと、酸化亜鉛粉末9.8gと、酸化スズ粉末17.0gとの合計100gである。原子組成比率で言うと、インジウムと亜鉛とスズとの原子含有量の合計を100at.%とした場合、インジウム69.3at.%、亜鉛15.8at.%、スズ14.8at.%である(比率は小数第二位を四捨五入し小数第一位まで求めた値)。
比較例1でのスパッタリングターゲットの製造方法も、上記好ましい製造方法に準ずる。上記各実施例と異なる点は、酸化アルミニウムを含んでいない点で、成分量は、純度99.9%以上の酸化インジウム粉末73.2gと、酸化亜鉛粉末9.8gと、酸化スズ粉末17.0gとの合計100gである。原子組成比率で言うと、インジウムと亜鉛とスズとの原子含有量の合計を100at.%とした場合、インジウム69.3at.%、亜鉛15.8at.%、スズ14.8at.%である(比率は小数第二位を四捨五入し小数第一位まで求めた値)。
上記条件のスパッタリングターゲットを用いて、実施例1と同条件のスパッタリングにより基板上に導電金属酸化物薄膜(本比較例では即ちITZO薄膜)を形成した。またスパッタリング後に280℃でアニーリングを行った。
(比較例2:ITO)
比較例2でのスパッタリングターゲットの製造方法も、上記好ましい製造方法に準ずる。上記各実施例と異なる点は、酸化アルミニウム及び酸化亜鉛を含んでいない点で、成分量は、純度99.9%以上の酸化インジウム粉末90.0gと、酸化スズ粉末10.0gとの合計100gである。原子組成比率で言うと、インジウムとスズとの原子含有量の合計を100at.%とした場合、インジウム90.7at.%、スズ9.3at.%である(比率は小数第二位を四捨五入し小数第一位まで求めた値)。
比較例2でのスパッタリングターゲットの製造方法も、上記好ましい製造方法に準ずる。上記各実施例と異なる点は、酸化アルミニウム及び酸化亜鉛を含んでいない点で、成分量は、純度99.9%以上の酸化インジウム粉末90.0gと、酸化スズ粉末10.0gとの合計100gである。原子組成比率で言うと、インジウムとスズとの原子含有量の合計を100at.%とした場合、インジウム90.7at.%、スズ9.3at.%である(比率は小数第二位を四捨五入し小数第一位まで求めた値)。
上記条件のスパッタリングターゲットを用いて、実施例1と同条件のスパッタリングにより基板上に導電金属酸化物薄膜(本比較例では即ちITO薄膜)を形成した。またスパッタリング後に280℃でアニーリングを行った。
(比較例3:AZO)
比較例3でのスパッタリングターゲットの製造方法も、上記好ましい製造方法に準ずる。上記各実施例と異なる点は、酸化インジウム及び酸化スズを含んでいない点で、成分量は、純度99.9%以上の酸化亜鉛粉末98.0gと、酸化アルミニウム粉末2.0gとの合計100gである。原子組成比率で言うと、亜鉛とアルミニウムとの原子含有量の合計を100at.%とした場合、亜鉛96.8at.%、アルミニウム3.2at.%である(比率は小数第二位を四捨五入し小数第一位まで求めた値)。
比較例3でのスパッタリングターゲットの製造方法も、上記好ましい製造方法に準ずる。上記各実施例と異なる点は、酸化インジウム及び酸化スズを含んでいない点で、成分量は、純度99.9%以上の酸化亜鉛粉末98.0gと、酸化アルミニウム粉末2.0gとの合計100gである。原子組成比率で言うと、亜鉛とアルミニウムとの原子含有量の合計を100at.%とした場合、亜鉛96.8at.%、アルミニウム3.2at.%である(比率は小数第二位を四捨五入し小数第一位まで求めた値)。
上記条件のスパッタリングターゲットを用いて、実施例1と同条件のスパッタリングにより基板上に導電金属酸化物薄膜(本比較例では即ちAZO薄膜)を形成した。またスパッタリング後に170℃でアニーリングを行った。
実施例1及び2、並びに比較例1〜3の各スパッタリングターゲット及びこれらを用いることによって形成された各薄膜の組成比率及び特性を表1に示す。
表1について補足すると、薄膜の電気抵抗は、各具体例(実施例)及び各比較例ともに膜厚100nmでの測定値であり、電気抵抗率は、電気抵抗を膜厚で乗算して換算した値である。また、実施例1及び2の電気抵抗は比較的高く、四探針法による測定機で測定できる範囲外であったので、高抵抗測定機により測定した。また、光透過率は、膜厚100nmで、波長範囲300nm〜1300nmの光線を照射して測定した値である。
表1から、以下のことが分かる。
まず、実施例1と実施例2で形成された導電金属酸化物薄膜の電気抵抗率を見るに、スパッタリングターゲットにおける前記第1の金属が亜鉛とスズであり、前記第2の金属がアルミニウムである場合、つまりスパッタリングターゲットがインジウムと亜鉛とスズとアルミニウムとを全て含んでいる場合、これにより形成された導電金属酸化物薄膜の電気抵抗率は、インジウムと亜鉛とスズのみによるもの(比較例1)、インジウムとスズのみによるもの(比較例2)、亜鉛とアルミニウムのみによるもの(比較例3)で形成された導電金属酸化物薄膜のそれよりも遥かに高い。
これは、スパッタリングターゲットの成分及び含有量が、原子比率で、インジウム12〜18at.%、前記第1の金属64〜76at.%、前記第2の金属12〜18at.%である際に、これにより形成される導電金属酸化物薄膜の電気抵抗率が特別に高くなることを示している。
また、比較例1および比較例2を詳細にみると、スパッタリングターゲットがインジウムと亜鉛および/またはスズのみを含むものである場合、つまり前記第2の金属(具体的にはアルミニウム)を含んでいない場合、たとえインジウムと前記第1の金属との比率を調整しても、電気抵抗率が有効的に高い導電金属酸化物薄膜を形成することができない。
そしてまた、実施例1および実施例2と比べて、アルミニウム(第2の金属)だけを含んでいない比較例1では、形成される導電金属酸化物薄膜の電気抵抗率が2桁ほど低いので、第2の金属としてのアルミニウム含有の効果がよく分かる。
そして、アルミニウム(第2の金属)だけでなく亜鉛(第1の金属の一つ)をも含んでいない比較例2では、形成される導電金属酸化物薄膜の電気抵抗率が比較例1より低いが、桁違いまでには至らず、また、インジウムに代えて亜鉛(第1の金属)を含む上に、アルミニウム(第2の金属)をも含んでいる比較例3では、形成される導電金属酸化物薄膜の電気抵抗率が比較例1及び比較例2より1桁ほど高いので、第1の金属としての亜鉛含有の補助効果がよく分かる。
しかしながら、比較例3を更にみると、アルミニウム(第2の金属)を含有しているが、含有率が3.2at.%だけであり、それに対応するように、形成される導電金属酸化物薄膜の電気抵抗率もやはり実施例より1桁ほど低いので、第2の金属としてのアルミニウム含有の効果は含有率と関係があるとよく分かる。これについて、発明者の反復的試験によると、アルミニウムの含有率はほぼ10at.%以上、特に12〜18at.%の範囲内であるとより好ましい。
また、実施例1及び実施例2で形成された導電金属酸化粒薄膜の光透過率は85%を超えており、比較例1〜3で形成された導電金属酸化粒薄膜のそれに相当する。
図1および図2は、実施例1のスパッタリングターゲットの表面を走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:略称SEM)にて電子線照射スキャンして得られた反射電子(back-scattering electron:略称BSE)像である。図示から分かるように、実施例1のスパッタリングターゲットは、多結晶相を呈する主成分(図2にて数字1で示されている色の薄い部分)と、結晶構造が前記主成分と異なる副成分(図2にて数字2で示されている色の濃い部分)とを具えている。
図3は、実施例1のスパッタリングターゲットの主成分と副成分それぞれの構成元素比率をエネルギー分散型検出器(Energy Dispersive Spectrometer:略称EDS)にて分析した結果を示すグラフである。
図3から分かるように、実施例1のスパッタリングターゲットは、主成分を構成する元素の比率が、主成分におけるインジウム(In)と亜鉛(Zn)とスズ(Sn)とアルミニウム(Al)との原子含有量の合計を100at.%とした際の原子比率で、インジウム18.58at.%、亜鉛14.82at.%、スズ61.6at.%、アルミニウム5.00at.%であり、言い換えると、該主成分における第1の金属の原子比率は76.42at.%、第2の金属の原子比率は5.00at.%であった。また、副成分を構成する元素の比率は、副成分における上記原子比率で、インジウム3.4at.%、亜鉛31.12at.%、スズ6.03at.%、アルミニウム59.45at.%であり、言い換えると、該副成分における第1の金属の原子比率は37.15at.%、第2の金属の原子比率は6.03at.%であった。
図4は、実施例2のスパッタリングターゲットの主成分と副成分それぞれの構成元素比率を図3と同様にEDSにて分析した結果を示すグラフである。
図4から分かるように、実施例2のスパッタリングターゲットは、主成分を構成する元素の比率が、上記原子比率で、インジウム18.42at.%、亜鉛57.89at.%、スズ19.01at.%、アルミニウム4.68at.%であり、言い換えると、該主成分における第1の金属の原子比率は76.9at.%、第2の金属の原子比率は4.68at.%であった。また、副成分を構成する元素の比率は、上記原子比率で、インジウム9.02at.%、亜鉛42.82at.%、スズ9.03at.%、アルミニウム38.86at.%であり、言い換えると、該副成分における第1の金属の原子比率は52.12at.%、第2の金属の原子比率は38.86at.%であった。
図5は、実施例1のスパッタリングターゲットを、X線回折(X-ray diffraction)測定装置にて分析した結果である。
図5から分かるように、実施例1のスパッタリングターゲットは多結晶相を呈しており、回折角(2θ)25.5°〜26.5°、30.5°〜31.5°、33.0°〜34.0°、51.0°〜52.0°においてそれぞれ回折のピークが観測された。
図6は、実施例2のスパッタリングターゲットを、X線回折(X-ray diffraction)測定装置にて分析した結果である。
図6から分かるように、実施例2のスパッタリングターゲットは多結晶相を呈しており、回折角(2θ)16°.0〜18.0°、28.5°〜29.5°、33.5°〜34.5°、35.5°〜36.5°、41.0°〜42.0°、54.5°〜55.5°、60.0°〜61.0°においてそれぞれ回折のピークが観測された。
以上総括すると、本発明に係るスパッタリングターゲットは、インジウムと、第1の金属(亜鉛、スズおよびこれらの組み合わせからなる群より選ばれるもの)と、第2の金属(アルミニウム、チタンおよびこれらの組み合わせからなる群より選ばれるもの)と、酸素を含んでおり、このうち第2の金属の含有量は原子比率で10〜20at.%である。このようなスパッタリングターゲットを用いることで形成される導電金属酸化物薄膜は、従来のITO薄膜よりも、同膜厚で、遥かに高い電気抵抗率を具える上に、光透過率も85%を超えるので、オプトエレクトロニクスデバイス、例えばタッチパネルやタッチセンサーに応用するに相応しい。
以上、本発明の好ましい実施形態、並びに実施例を比較例と共に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
本発明に係るスパッタリングターゲットは、高い電気抵抗率と光透過率を具えているので、オプトエレクトロニクス製品の製造に有用である。
Claims (9)
- インジウムと、第1の金属と、第2の金属と、酸素とを含んでおり、
前記第1の金属は、亜鉛、スズおよびこれらの組み合わせからなる群より選ばれ、
前記第2の金属は、アルミニウム、チタンおよびこれらの組み合わせからなる群より選ばれ、
インジウムと前記第1の金属と前記第2の金属との原子含有量の合計を100at.%とした際の原子比率で、インジウムが10〜20at.%、前記第1の金属が60〜80at.%、前記第2の金属が10〜20at.%である
ことを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 前記原子比率で、インジウムが12〜18at.%、前記第1の金属が64〜76at.%、前記第2の金属が12〜18at.%である
ことを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット。 - 前記第1の金属がスズ及び亜鉛、前記第2の金属がアルミニウムである
ことを特徴とする請求項1または2に記載のスパッタリングターゲット。 - 前記原子比率で、スズが10〜20at.%である
ことを特徴とする請求項3に記載のスパッタリングターゲット。 - 前記原子比率で、亜鉛が10〜20at.%である
ことを特徴とする請求項3に記載のスパッタリングターゲット。 - 多結晶相を有する主成分と、結晶構造が前記主成分と異なる副成分とを具えており、
前記主成分と前記副成分とは、いずれもインジウムと、前記第1の金属と、前記第2の金属とを含んでいる
ことを特徴とする請求項3に記載のスパッタリングターゲット。 - 前記副成分に含まれるアルミニウムは、前記主成分に含まれるアルミニウムよりも、原子組成比率が大きい
ことを特徴とする請求項6に記載のスパッタリングターゲット。 - X線回折測定において、回折角33.0°〜35.0°に回折ピークを有する
ことを特徴とする請求項3に記載のスパッタリングターゲット。 - 電気抵抗率が、5×10−3Ω‐cmより大きく、10−1Ω‐cmより小さい
ことを特徴とする請求項3に記載のスパッタリングターゲット。
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