JP2014099519A - 基板載置台および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Gを載置する載置面を有する上部絶縁部材4c内に直流電圧が印加される吸着電極31が設けられて構成された静電チャック30を備えた載置台本体と、載置台本体を温調する温調機構5と、基板Gの裏面側に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給機構27とを具備し、基板Gが載置された際に、基板Gと周縁載置部41より内側の内側部分の上面との間に伝熱ガスが供給される空間7を有し、吸着電極31は、周縁載置部41に対応する部分に存在しないように設けられ、周縁載置部41は、その上面に付着する副生成物がその上に載置された基板の裏面に密着しないように形成された凹部41aを有している。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の一例であるプラズマエッチング装置を示す断面図、図2は図1のプラズマエッチング装置における基板載置台を示す断面図、図3は基板載置台の一部分を示す平面図である。
基板載置台4は、アルミニウム等の金属やカーボンのような導電性材料からなる基材4aと、基材4aとチャンバー2の底部との間に設けられた底部絶縁部材4bと、基材4aの上に設けられた上部絶縁部材4cと、基材4aの側壁を覆う側部絶縁部材4dとを有し、これらが基板Gの形状に対応して四角板状または柱状に形成された載置台本体を構成している。底部絶縁部材4b、上部絶縁部材4c、側部絶縁部材4dとしては、アルミナ等の絶縁性セラミックスを用いることができる。
まず、排気装置20によってチャンバー2内を排気して所定の圧力とし、ゲートバルブ22を開放して搬入出口21から図示しない搬送手段によって基板Gを搬入し、図示しないリフタピンを上昇させた状態でその上に基板Gを受け取り、リフタピンを下降させることにより基板載置台4上に基板Gを載置させる。搬送手段をチャンバー2から退避させた後、ゲートバルブ22を閉じる。
2;チャンバー(処理容器)
4;基板載置台
4a;基材
4b;底部絶縁部材
4c;上部絶縁部材
4d;側部絶縁部材
5;冷媒流路
7;空間
8;支持部材
15:処理ガス供給管
18:処理ガス供給源
19:排気管
20:排気装置
21;搬入出口
25;高周波電源
26;伝熱ガス流路
27;伝熱ガス供給機構
30;静電チャック
31;吸着電極
33;直流電源
40;制御部
41;土手(周縁載置部)
42;内側部分
51;副生成物
52;隙間
G;基板
Claims (10)
- 処理容器内で処理ガスにより被処理基板に処理を施す基板処理装置において基板を載置する基板載置台であって、
被処理基板を載置する載置面を有する上部絶縁部材内に直流電圧が印加される吸着電極が設けられて構成された静電チャックを備えた載置台本体と、
前記載置台本体を温調する温調機構と、
前記載置台本体に被処理基板が載置されている際に、被処理基板の裏面側に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給機構と
を具備し、
前記上部絶縁部材は、被処理基板の周縁部が載置される周縁載置部を有し、前記上部絶縁部材の前記周縁載置部より内側の内側部分は、その上面が前記周縁載置部よりも低く形成されており、被処理基板が載置された際に、被処理基板と前記内側部分の上面との間に前記伝熱ガスが供給される空間を有し、
前記吸着電極は、前記上部絶縁部材の前記周縁載置部に存在しないように設けられ、
前記周縁載置部は、前記処理ガスに起因してその上面に付着する副生成物がその上に載置された被処理基板の裏面に密着しないように形成された凹部を有していることを特徴とする基板載置台。 - 前記上部絶縁部材の前記内側部分から前記周縁載置部と同じ高さ位置まで延び、その上面で被処理基板を支持する基板支持部をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の基板載置台。
- 前記凹部は、前記周縁載置部の上面に形成された溝であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板載置台。
- 前記溝は、前記周縁載置部上面の周方向に沿って設けられていることを特徴とする請求項3に記載の基板載置台。
- 前記溝は複数有することを特徴とする請求項4に記載の基板載置台。
- 前記複数の溝は、均等な間隔および幅で形成されることを特徴とする請求項5に記載の基板載置台。
- 前記周縁載置部の溝を含まない部分の幅は5mm以上であることを特徴とする請求項4から請求項6のいずれか1項に記載の基板載置台。
- 前記載置台本体は、導電体部分を有し、前記導電体部分にプラズマ生成用の高周波電力が供給されることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の基板載置台。
- 被処理基板に対して処理を施すための処理容器と、
前記処理容器内で基板を載置する基板載置台と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
前記処理容器内を排気する排気機構と
を具備し、
前記基板載置台は、上記請求項1から請求項7のいずれかの構成を有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板載置台の前記載置台本体は、導電体部分を有し、前記導電体部分にプラズマ生成用の高周波電力を供給する高周波電源が接続され、
前記処理ガス供給機構は、前記処理容器の上部に前記基板載置台と対向して設けられた、前記処理ガスを前記処理容器内に吐出するためのシャワーヘッドを有し、
前記基板載置台と前記シャワーヘッドは一対の平行平板電極を構成し、前記高周波電源から供給された高周波電力により前記処理容器内に処理ガスのプラズマが形成されることを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。
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