JP2014056928A - 離脱制御方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
離脱制御方法及びプラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014056928A JP2014056928A JP2012200518A JP2012200518A JP2014056928A JP 2014056928 A JP2014056928 A JP 2014056928A JP 2012200518 A JP2012200518 A JP 2012200518A JP 2012200518 A JP2012200518 A JP 2012200518A JP 2014056928 A JP2014056928 A JP 2014056928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- gas
- electrostatic chuck
- chamber
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 94
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 165
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 51
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 34
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 9
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 110
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 62
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 22
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 19
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 4
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Abstract
【解決手段】被処理体を静電吸着する静電チャック106から被処理体を離脱させるための離脱制御方法であって、プラズマ処理後にチャンバC内に不活性ガスを導入し、除電処理を行う除電ステップと、前記除電ステップ後、ヘリウムガスよりイオン化エネルギーが低いガスを導入し、前記チャンバC内の圧力を前記プラズマ処理における圧力又は前記除電ステップにおける圧力より高い圧力に維持する高圧ステップと、前記高圧ステップにより前記高い圧力を維持している間又は維持後、被処理体を支持ピン81で前記静電チャック106から離脱させる離脱ステップと、を有することを特徴とする離脱制御方法が提供される。
【選択図】図8
Description
チャック電極を有し、被処理体を静電吸着する静電チャックから被処理体を離脱させるための離脱制御方法であって、
プラズマ処理後にチャンバ内に不活性ガスを導入し、除電処理を行う除電ステップと、
前記除電ステップ後、ヘリウムガスよりイオン化エネルギーが低いガスを導入し、前記チャンバ内の圧力を前記プラズマ処理における圧力より高い圧力に維持する高圧ステップと、
前記高圧ステップにより前記高い圧力を維持している間又は維持後、被処理体を支持ピンで前記静電チャックから離脱させる離脱ステップと、
を有することを特徴とする離脱制御方法が提供される。
チャック電極を有し、被処理体を静電吸着する静電チャックと、
プラズマ処理後にチャンバ内に不活性ガスを導入し除電処理を行う制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記除電ステップ後、ヘリウムガスよりイオン化エネルギーが低いガスを導入し、前記チャンバ内の圧力を前記プラズマ処理における圧力より高い圧力に維持している間又は維持後、被処理体を支持ピンで前記静電チャックから離脱させる、
ことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
まず、本発明の一実施形態に係るエッチング装置の一例を、図1を参照しながら説明する。図1は、平行平板プラズマにおいて下部2周波数印加型の平行平板エッチング装置の縦断面図である。
次に、プラズマ処理による静電チャック表面の状態変化によって発生する残留電荷の状態について、図2を参照しながら説明する。図2(a)は、静電チャック106がプラズマ処理を行っていない、もしくはプラズマ処理時間が比較的短い場合の静電チャック表面の電荷の状態を示す。図2(b)は、長時間のプラズマ処理により、静電チャック106に残留生成物Zが付着している場合の静電チャック表面の電荷の状態を示す。
本実施形態にかかるウエハ離脱の制御方法では、伝熱ガスとして一般に用いられているヘリウムガスよりも、よりイオン化エネルギーが低いガス(電離電圧の低いガス)を静電チャック106表面とウエハW裏面との間に導入し、その空間を高圧にする。図27の表(物理学辞典、編者:物理学辞典編集委員会、発行者:山本格、発行所:株式会社培風館)に示したイオン化エネルギーのうち項目「I」は、中性原子から最外殻の電子1個を取り出すのに要するエネルギーを示す。
次に、除電処理も含めたプロセス処理を制御する制御装置100の機能構成について、図5を参照しながら説明する。制御装置100は、プロセス実行部255、制御部260、記憶部265及び取得部270を有する。
次に、本実施形態に係る離脱制御方法について、図6及び図7を参照しながら説明する。図6は、本実施形態に係るウエハWの離脱制御方法を示したフローチャートである。図7(a)は、本実施形態に係るウエハWの離脱制御方法を示したタイムチャートである。図7(b)は、比較するウエハWの離脱制御方法を示したタイムチャートである。本実施形態に係る離脱制御方法では、ウエハWを静電吸着する静電チャック106からウエハWを損傷させることなく離脱させる。
以下では、上記実施形態の離脱制御方法による効果について説明する。図8は、一実施形態に係る高圧ステップにおける静電チャック電圧の振れを説明するための図である。図8(a)は、図7のタイムチャートのうち、T1(8s)→T2(2s)→Delay(1s)→高圧ステップ(T3+T3'(30s))における、プラズマ生成用の高周波電力RF(W)、静電チャックの電圧ESC_V(V)、チャンバ内の圧力Pres.(mT)、アルゴンガスAr(sccm)のプロセス中の履歴を示す。また、図8(b)に示したように、10枚以上のウエハについて実験を行った結果、本離脱制御方法により発生するウエハ離脱時の最大モータ電圧値は、0.25vより若干小さい値で安定していることが分かった。図8(a)は、実験した複数枚のウエハのうち、選択した4枚のウエハについてのプロセス履歴を示す。更に、図9〜図12には、図8(a)に示した4枚のウエハのうち、1枚目、2枚目、3枚目、4枚目のウエハのプロセス履歴を別々に示す。
(高圧ステップ/圧力)
次に、高圧ステップにおける圧力依存について実験した結果を、図13を参照しながら説明する。図13は、本実施形態に係る高圧ステップにおける静電チャックの電圧の圧力依存を示す。
(高圧ステップ/圧力とウエハの表面電位)
以上の高圧ステップにおける残留電荷の移動は、ウエハの表面電位を測定することにより明らかにできる。図17は、本実施形態に係るウエハの表面電位を計測するための表面電位計を含む装置構成を示した図である。図18は、本実施形態の高圧ステップにおけるウエハの表面電位の計測結果を示した図である。
(高圧ステップ/プロセス時間)
次に、高圧ステップにおけるプロセス時間を可変にした場合の実験結果について、図19を参照しながら説明する。図19は、本実施形態の高圧ステップにおける吸着状況の時間依存を示した図である。
(高圧ステップ/ガス種)
次に、高圧ステップのガス種を変化させた場合の実験結果について、図20〜図23を参照しながら説明する。図20は、本実施形態の高圧ステップにおける吸着状況のガス依存を示した図である。図21〜図23は、本実施形態の高圧ステップにおけるガス種と静電チャックの電圧を示した図である。
最後に、本実施形態の変形例に係るウエハWの離脱制御方法について、図28及び図29を参照しながら説明する。図28は、本実施形態の変形例に係る離脱制御方法を実行するためのフローチャートである。図29は、変形例に係る離脱制御方法を説明するための図である。
Claims (8)
- 被処理体を静電吸着する静電チャックから被処理体を離脱させるための離脱制御方法であって、
プラズマ処理後にチャンバ内に不活性ガスを導入し、除電処理を行う除電ステップと、
前記除電ステップ後、ヘリウムガスよりイオン化エネルギーが低いガスを導入し、前記チャンバ内の圧力を前記プラズマ処理における圧力又は前記除電ステップにおける圧力より高い圧力に維持する高圧ステップと、
前記高圧ステップにより前記高い圧力を維持している間又は維持後、被処理体を支持ピンで前記静電チャックから離脱させる離脱ステップと、
を有することを特徴とする離脱制御方法。 - 前記高圧ステップは、前記チャンバ内の圧力を500mT(66.7Pa)より大きい値に設定することを特徴とする請求項1に記載の離脱制御方法。
- 前記離脱ステップは、前記チャンバ内の圧力が定常状態になってから被処理体を前記支持ピンで前記静電チャックから離脱することを特徴とする請求項1又は2に記載の離脱制御方法。
- 前記高圧ステップにて導入するガスの流量は、前記除電ステップにて導入するガスの流量より多いことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の離脱制御方法。
- 前記高圧ステップにて導入するガスは、N2ガス、O2ガス、Arガス又はこれらのガスのうちの少なくとも2以上の混合ガスであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の離脱制御方法。
- 前記チャンバ内の圧力を定常状態にするために予め定められた時間経過後、少なくとも10秒間、前記静電チャックの電圧をモニタする監視ステップを更に有し、
前記離脱ステップは、前記監視ステップにて前記静電チャックの電圧に所定以上の変動を検出した場合、前記支持ピンで被処理体を離脱する処理を停止することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の離脱制御方法。 - チャック電極を有し、被処理体を静電吸着する静電チャックと、
プラズマ処理後にチャンバ内に不活性ガスを導入し、除電処理を行う制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記除電ステップ後、ヘリウムガスよりイオン化エネルギーが低いガスを導入し、前記チャンバ内の圧力を前記プラズマ処理における圧力より高い圧力又は前記除電処理における圧力に維持している間又は維持後、被処理体を支持ピンで前記静電チャックから離脱させる、
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記静電チャックの表面は凸形状等の突起を有することを特徴とする請求項7のプラズマ処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012200518A JP6132497B2 (ja) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | 離脱制御方法及びプラズマ処理装置 |
US14/420,695 US9966291B2 (en) | 2012-09-12 | 2013-09-11 | De-chuck control method and plasma processing apparatus |
KR1020157003851A KR102149564B1 (ko) | 2012-09-12 | 2013-09-11 | 이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
TW102132844A TWI597776B (zh) | 2012-09-12 | 2013-09-11 | 脫離控制方法及電漿處理裝置 |
PCT/JP2013/074492 WO2014042174A1 (ja) | 2012-09-12 | 2013-09-11 | 離脱制御方法及びプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012200518A JP6132497B2 (ja) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | 離脱制御方法及びプラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014056928A true JP2014056928A (ja) | 2014-03-27 |
JP6132497B2 JP6132497B2 (ja) | 2017-05-24 |
Family
ID=50278284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012200518A Active JP6132497B2 (ja) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | 離脱制御方法及びプラズマ処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9966291B2 (ja) |
JP (1) | JP6132497B2 (ja) |
KR (1) | KR102149564B1 (ja) |
TW (1) | TWI597776B (ja) |
WO (1) | WO2014042174A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016115759A (ja) * | 2014-12-12 | 2016-06-23 | 株式会社アルバック | 真空処理装置、真空処理方法 |
JP2018026194A (ja) * | 2016-08-08 | 2018-02-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
KR20230063333A (ko) | 2021-11-01 | 2023-05-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 클리닝 방법, 기판 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
JP7515327B2 (ja) | 2020-07-13 | 2024-07-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板離脱方法及びプラズマ処理装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6505027B2 (ja) * | 2016-01-04 | 2019-04-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料の離脱方法およびプラズマ処理装置 |
JP6708358B2 (ja) | 2016-08-03 | 2020-06-10 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置及び試料の離脱方法 |
CN108376659B (zh) * | 2018-01-30 | 2020-08-04 | 上海华力微电子有限公司 | 一种静电吸盘除静电时的氦气压力控制***及方法 |
US11521838B2 (en) * | 2018-12-18 | 2022-12-06 | Applied Materials, Inc. | Integrated cleaning process for substrate etching |
TW202137323A (zh) * | 2020-01-29 | 2021-10-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理系統 |
JP7507639B2 (ja) * | 2020-09-02 | 2024-06-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び状態監視方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03243188A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-30 | Hitachi Ltd | 静電チャックの帯電除去方法 |
JPH07130825A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-05-19 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 試料の離脱方法及び該方法に使用する試料保持装置 |
JPH07263531A (ja) * | 1994-02-03 | 1995-10-13 | Anelva Corp | 静電吸着された被処理基板の離脱機構を持つプラズマ処理装置および静電吸着された被処理基板の離脱方法 |
JPH0964021A (ja) * | 1995-08-22 | 1997-03-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
JPH11260897A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板の取り扱い方法と装置、それに用いる吸着検査方法、装置 |
JP2004047511A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 離脱方法、処理方法、静電吸着装置および処理装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0547910Y2 (ja) | 1987-03-05 | 1993-12-17 | ||
JP3169993B2 (ja) * | 1991-08-19 | 2001-05-28 | 忠弘 大見 | 静電吸着装置 |
JP3315197B2 (ja) | 1993-05-17 | 2002-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
TW288253B (ja) * | 1994-02-03 | 1996-10-11 | Aneruba Kk | |
JP2003282691A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Nec Kyushu Ltd | ウェハ保持用静電チャックおよびウェハの剥離方法 |
US20030236004A1 (en) * | 2002-06-24 | 2003-12-25 | Applied Materials, Inc. | Dechucking with N2/O2 plasma |
JP2010272709A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置,基板脱離方法,プログラム |
US8520360B2 (en) * | 2011-07-19 | 2013-08-27 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck with wafer backside plasma assisted dechuck |
-
2012
- 2012-09-12 JP JP2012200518A patent/JP6132497B2/ja active Active
-
2013
- 2013-09-11 KR KR1020157003851A patent/KR102149564B1/ko active IP Right Grant
- 2013-09-11 WO PCT/JP2013/074492 patent/WO2014042174A1/ja active Application Filing
- 2013-09-11 US US14/420,695 patent/US9966291B2/en active Active
- 2013-09-11 TW TW102132844A patent/TWI597776B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03243188A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-30 | Hitachi Ltd | 静電チャックの帯電除去方法 |
JPH07130825A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-05-19 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 試料の離脱方法及び該方法に使用する試料保持装置 |
JPH07263531A (ja) * | 1994-02-03 | 1995-10-13 | Anelva Corp | 静電吸着された被処理基板の離脱機構を持つプラズマ処理装置および静電吸着された被処理基板の離脱方法 |
JPH0964021A (ja) * | 1995-08-22 | 1997-03-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
JPH11260897A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板の取り扱い方法と装置、それに用いる吸着検査方法、装置 |
JP2004047511A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 離脱方法、処理方法、静電吸着装置および処理装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016115759A (ja) * | 2014-12-12 | 2016-06-23 | 株式会社アルバック | 真空処理装置、真空処理方法 |
JP2018026194A (ja) * | 2016-08-08 | 2018-02-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP7515327B2 (ja) | 2020-07-13 | 2024-07-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板離脱方法及びプラズマ処理装置 |
KR20230063333A (ko) | 2021-11-01 | 2023-05-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 클리닝 방법, 기판 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI597776B (zh) | 2017-09-01 |
TW201428844A (zh) | 2014-07-16 |
WO2014042174A1 (ja) | 2014-03-20 |
KR20150053899A (ko) | 2015-05-19 |
JP6132497B2 (ja) | 2017-05-24 |
KR102149564B1 (ko) | 2020-08-28 |
US20150194330A1 (en) | 2015-07-09 |
US9966291B2 (en) | 2018-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6132497B2 (ja) | 離脱制御方法及びプラズマ処理装置 | |
JP6071514B2 (ja) | 静電チャックの改質方法及びプラズマ処理装置 | |
TWI502681B (zh) | 在解除夾持時用以降低電壓尖峰之方法及設備 | |
US10163610B2 (en) | Extreme edge sheath and wafer profile tuning through edge-localized ion trajectory control and plasma operation | |
KR102418245B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
CN112602176B (zh) | 载置台、基片处理装置、边缘环和边缘环的输送方法 | |
JP6013740B2 (ja) | 離脱制御方法及びプラズマ処理装置の制御装置 | |
EP2911187A1 (en) | Etching method | |
KR102569911B1 (ko) | 포커스 링 및 기판 처리 장치 | |
CN109509694B (zh) | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 | |
JP7138418B2 (ja) | 脱離制御方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2011035266A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US9530657B2 (en) | Method of processing substrate and substrate processing apparatus | |
US20080242086A1 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
KR20190130501A (ko) | 클리닝 방법 및 기판 처리 장치 | |
US9253862B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
KR20200010743A (ko) | 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치 | |
JP4642809B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
CN105702572B (zh) | 等离子体蚀刻方法 | |
US9147556B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
TW201637091A (zh) | 電漿處理方法 | |
JP2009141069A (ja) | プラズマ処理装置及び処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160628 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160825 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20161011 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170105 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20170116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170404 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170418 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6132497 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |