JP2014040634A - 希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料及び希土類元素オキシフッ化物溶射部材 - Google Patents
希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料及び希土類元素オキシフッ化物溶射部材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014040634A JP2014040634A JP2012183302A JP2012183302A JP2014040634A JP 2014040634 A JP2014040634 A JP 2014040634A JP 2012183302 A JP2012183302 A JP 2012183302A JP 2012183302 A JP2012183302 A JP 2012183302A JP 2014040634 A JP2014040634 A JP 2014040634A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rare earth
- earth element
- thermal spray
- less
- rare
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 119
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 239000007921 spray Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 30
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 claims description 17
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 16
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 20
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 20
- -1 rare-earth fluoride Chemical class 0.000 abstract description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 14
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 abstract description 11
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 4
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 4
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 229940098458 powder spray Drugs 0.000 description 4
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 229940105963 yttrium fluoride Drugs 0.000 description 2
- RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K yttrium(iii) fluoride Chemical compound F[Y](F)F RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011361 granulated particle Substances 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
- C23C4/10—Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/18—Fireproof paints including high temperature resistant paints
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
- C23C4/10—Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
- C23C4/11—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
- C23C4/134—Plasma spraying
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
- Y10T428/24372—Particulate matter
- Y10T428/24413—Metal or metal compound
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
【解決手段】希土類元素オキシフッ化物粒子の外形のアスペクト比が２以下、平均粒子径が１０μｍ以上１００μｍ以下、嵩密度が０．８ｇ／ｃｍ3以上２ｇ／ｃｍ3以下、炭素を０．５質量％以下、酸素を３質量％以上１５質量％以下含有する希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料。
【効果】本発明によれば、大気中プラズマ溶射に適した希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料を得ることができる。本発明の希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料を用いて製造した希土類元素フッ化物溶射部材はハロゲンガス中での耐プラズマ部材として使用した場合、希土類酸化物や希土類フッ化物の溶射皮膜を形成したものに比べて、プラズマエッチングに対する耐食性に優れ、より長い寿命を実現できる部材となる。
【選択図】なし
【効果】本発明によれば、大気中プラズマ溶射に適した希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料を得ることができる。本発明の希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料を用いて製造した希土類元素フッ化物溶射部材はハロゲンガス中での耐プラズマ部材として使用した場合、希土類酸化物や希土類フッ化物の溶射皮膜を形成したものに比べて、プラズマエッチングに対する耐食性に優れ、より長い寿命を実現できる部材となる。
【選択図】なし
Description
本発明は、希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料、特には半導体製造工程での腐食性プラズマ雰囲気での耐腐食性に優れた溶射膜を製造する際に用いる希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料、及び該溶射材料を用いて溶射皮膜を形成した希土類元素オキシフッ化物溶射部材に関する。
従来、様々な使用環境において基材を保護するために耐腐食性に優れた溶射皮膜が用いられている。この場合、Ａｌ、Ｃｒ等の酸化物が主な溶射材料として用いられていたが、これらの材料から得られた溶射皮膜は、高温でのプラズマに晒されると腐食性が高まり、特に、ハロゲン系腐食ガスプラズマ雰囲気で処理されることのある半導体製品の製造においては、これらの材料を用いることは不適当であった。
半導体製品の製造工程で用いられるハロゲン系腐食ガスプラズマ雰囲気には、フッ素系ガスとしては、ＳＦ6、ＣＦ4、ＣＨＦ3、ＣｌＦ3、ＨＦ等が、また塩素系ガスとしては、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＨＣｌ等が用いられる。
これらの腐食性の極めて強い雰囲気中でも使用され得る部材としては、例えば酸化イットリウム（特許文献１：特許第４００６５９６号公報）やフッ化イットリウム（特許文献２：特許第３５２３２２号公報、特許文献３：特表２０１１−５１４９３３号公報）を表面に溶射することで耐腐食性に優れた部材が得られることが知られている。希土類酸化物溶射膜を製造する際、希土類酸化物をプラズマ溶射して製造するが、技術的な問題が少なく、早くから半導体用溶射部材として実用化されている。一方、希土類フッ化物溶射膜は耐食性に優れるものの、希土類フッ化物をプラズマ溶射する際に、３０００℃以上の炎を通過、溶融する時、フッ化物の分解が生じ、部分的に希土類フッ化物と希土類酸化物の混合物になるなどの技術的課題があり、希土類酸化物溶射部材に比べて実用化が遅れている。
本発明は、上記の問題点に鑑み、従来の希土類元素酸化物溶射皮膜や希土類フッ化物溶射皮膜に比べて耐食性に優れる希土類オキシフッ化物溶射皮膜を形成するための希土類元素オキシフッ化物溶射材料及びその希土類元素オキシフッ化物溶射皮膜を有する溶射部材を提供することを課題とする。
本発明者らは、上記の課題を解決するために、本発明の希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料として、希土類元素オキシフッ化物粒子の外形のアスペクト比が２以下、平均粒子径が１０μｍ以上１００μｍ以下、嵩密度が０．８ｇ／ｃｍ3以上２ｇ／ｃｍ3以下、炭素を０．５質量％以下、酸素を３質量％以上１５質量％以下含有する溶射材料をプラズマ溶射すること、これにより炭素含有量が０．１質量％以下、酸素含有量が３質量％以上１５質量％以下の溶射皮膜を基材に形成することが有効であることを知見し、本発明をなすに至った。
従って、本発明は、下記の溶射材料及び溶射部材を提供する。
〔１〕
希土類元素オキシフッ化物粒子の外形のアスペクト比が２以下、平均粒子径が１０μｍ以上１００μｍ以下、嵩密度が０．８ｇ／ｃｍ3以上２ｇ／ｃｍ3以下、炭素を０．５質量％以下、酸素を３質量％以上１５質量％以下含有することを特徴とする希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料。
〔２〕
希土類元素がＹ及びＬａからＬｕまでの３Ａ族元素から選ばれる１種又は２種以上である〔１〕に記載の溶射材料。
〔３〕
希土類元素がＹ、Ｇｄ及びＥｒから選ばれる〔２〕に記載の溶射材料。
〔４〕
平均粒子径が０．０１μｍ以上５μｍ以下の希土類酸化物を１０質量％以上７０質量％以下と、残分が平均粒子径０．１μｍ以上５μｍ以下の希土類元素フッ化物を混合、造粒、焼成することによって得られたものである〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の溶射材料。
〔５〕
基材に、〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の溶射材料をプラズマ溶射することにより、炭素含有量が０．１質量％以下、酸素含有量が３質量％以上１５質量％以下の溶射皮膜を形成してなることを特徴とする希土類元素オキシフッ化物溶射部材。
〔１〕
希土類元素オキシフッ化物粒子の外形のアスペクト比が２以下、平均粒子径が１０μｍ以上１００μｍ以下、嵩密度が０．８ｇ／ｃｍ3以上２ｇ／ｃｍ3以下、炭素を０．５質量％以下、酸素を３質量％以上１５質量％以下含有することを特徴とする希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料。
〔２〕
希土類元素がＹ及びＬａからＬｕまでの３Ａ族元素から選ばれる１種又は２種以上である〔１〕に記載の溶射材料。
〔３〕
希土類元素がＹ、Ｇｄ及びＥｒから選ばれる〔２〕に記載の溶射材料。
〔４〕
平均粒子径が０．０１μｍ以上５μｍ以下の希土類酸化物を１０質量％以上７０質量％以下と、残分が平均粒子径０．１μｍ以上５μｍ以下の希土類元素フッ化物を混合、造粒、焼成することによって得られたものである〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の溶射材料。
〔５〕
基材に、〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の溶射材料をプラズマ溶射することにより、炭素含有量が０．１質量％以下、酸素含有量が３質量％以上１５質量％以下の溶射皮膜を形成してなることを特徴とする希土類元素オキシフッ化物溶射部材。
本発明によれば、大気中プラズマ溶射に適した希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料を得ることができる。本発明の希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料を用いて製造した希土類元素フッ化物溶射部材はハロゲンガス中での耐プラズマ部材として使用した場合、希土類酸化物や希土類フッ化物の溶射皮膜を形成したものに比べて、プラズマエッチングに対する耐食性に優れ、より長い寿命を実現できる部材となる。
本発明の希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料は、希土類元素オキシフッ化物粒子の外形のアスペクト比が２以下、平均粒子径が１０μｍ以上１００μｍ以下、嵩密度が０．８ｇ／ｃｍ3以上２ｇ／ｃｍ3以下、炭素を０．５質量％以下、酸素を３質量％以上１５質量％以下含有するもので、希土類元素オキシフッ化物を大気中でプラズマ溶射するのに適した溶射材料である。溶射材料粉末としては、
１．流動性がよい、
２．プラズマ溶射で希土類酸化物に分解しない
ことが望ましく、本発明の溶射材料はかかる利点を備えている。
１．流動性がよい、
２．プラズマ溶射で希土類酸化物に分解しない
ことが望ましく、本発明の溶射材料はかかる利点を備えている。
本発明の溶射材料において、その粒子形状は球状が好ましい。なぜならば、溶射材料として、溶射のフレーム中に溶射材料を導入する際に、流動性が悪いと、溶射材料が供給管内に詰まったりして使用上不都合が生じるためである。この流動性を得るために溶射材料は球状が好ましく、その粒子外径のアスペクト比が２以下、好ましくは１．５以下であることが望ましい。アスペクト比は、粒子の長径と短径との比で表される。
希土類フッ化物溶射材料として用いる希土類元素としては、Ｙ及びＬａからＬｕまでの３Ａ族元素から選ばれるが、特にＹ、Ｇｄ、Ｅｒが好ましい。希土類元素は、２種以上の元素を混用しても差し支えない。混用する場合には、混用した原料から造粒してもよいし、単一の元素から造粒した粒子を溶射材料として用いる時点で混合してもよい。
溶射材料の平均粒子径は１０〜１００μｍ、好ましくは１５〜６０μｍである。これは、溶射材料の粒子の大きさが小さすぎると、フレーム中で蒸発してしまうなど、溶射歩留まりが低下するおそれがあり、粒子が大きすぎるとフレーム中で完全に溶融せず、溶射膜の品質が低下するおそれがあるからである。また、造粒後の粉末である溶射材料粉末が内部まで充填していることは、粉末を取り扱う上で割れたりせずに安定していること、空隙部が存在するとその空隙部に好ましくないガス成分を含有し易いのでそれを避けることができること等の理由から、必要なことである。この点で、溶射材料の嵩密度は０．８〜２ｇ／ｃｍ3であり、好ましくは１．２〜１．８ｇ／ｃｍ3である。
なお、平均粒子径はレーザー光回折法による粒度分布測定装置によって求めることができ、質量平均値Ｄ50（即ち、累積質量が５０％となるときの粒子径又はメジアン径）として測定することができる。
なお、平均粒子径はレーザー光回折法による粒度分布測定装置によって求めることができ、質量平均値Ｄ50（即ち、累積質量が５０％となるときの粒子径又はメジアン径）として測定することができる。
希土類オキシフッ化物を大気中でプラズマ溶射する場合、オキシフッ化物が酸化物に分解する可能性がある。特に溶射材料粉末に多量の水もしくは水酸基を含んでいると、オキシフッ化物の分解が起こり、希土類酸化物になり、フッ素はフッ化水素などのガスに変わる。そしてその溶射膜は希土類酸化物と希土類フッ化物の混合物になる。そのため、水及び水酸基の含有量としては１００００ｐｐｍ以下、好ましくは５０００ｐｐｍ以下、更に好ましくは１０００ｐｐｍ以下である造粒粉末の原料を使用することが望ましい。
また、溶射材料粉末中に含有する炭素は０．５質量％以下とされ、好ましく０．３質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下である。炭素が高いと、希土類オキシフッ化物の酸素と反応して二酸化炭素に変わることにより、希土類オキシフッ化物の分解を引き起こす可能性がある。含有する炭素を低くすることにより、溶射中の希土類オキシフッ化物の分解を抑え、良好に希土類オキシフッ化物溶射膜を得ることができる。
このような希土類元素オキシフッ化物溶射材料は、希土類オキシフッ化物あるいは希土類酸化物と希土類フッ化物を混合し造粒することにより製造することができる。例えば、原料粉末と溶媒、具体的には、水、炭素数１〜４のアルコール等を用いてスラリー濃度が１０〜４０質量％のスラリーを製造し、これをスプレードライ等の方法で造粒することにより製造することができる。また、希土類酸化物と希土類フッ化物を混合する場合は、希土類酸化物が１０質量％以上７０質量％以下、残分が希土類フッ化物となるように混合すればよい。
また、カルボキシメチルセルロースのような、粒子の結合剤となる有機高分子物質と希土類元素のオキシフッ化物と純水とを混合したスラリーを製造し、これをスプレードライ等の方法で造粒することで溶射材料を得ることもできる。結合剤としては、カルボキシメチルセルロースの他に、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどが挙げられる。添加する結合剤の使用量は、希土類元素の質量に対して０．０５〜１０質量％の割合で用いてスラリーにすることが好ましい。
造粒粒子には、結合剤と水分を除去する日的で大気中、真空もしくは不活性ガス雰囲気中で６００℃以上１６００℃以下の温度で焼成を施す。この場合、炭素を除去するために酸素が存在する雰囲気下で焼成することが好ましい。
このようにして得られた溶射材料を用いて基材にプラズマ溶射することで、希土類元素オキシフッ化物溶射部材を形成することができる。この場合、基材上に形成される溶射皮膜は、炭素含有量が０．１質量％以下、好ましくは０．０１〜０．０３質量％であり、酸素含有量が３〜１５質量％、好ましくは５〜１３質量％のものである。
半導体製造装置用部材への溶射は、プラズマ溶射あるいは減圧プラズマ溶射で行われることが望ましい。プラズマガスとしては、窒素／水素、アルゴン／水素、アルゴン／ヘリウム、アルゴン／窒素、アルゴン単体、窒素ガス単体が挙げられるが、特に限定されるものではない。溶射される基材としては、半導体製造装置用部材等を構成するアルミニウム、ニッケル、クロム、亜鉛、及びそれらの合金、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、石英ガラス等が挙げられ、溶射層は５０〜５００μｍの厚さを形成させるとよい。本発明によって得られた希土類元素オキシフッ化物を溶射する際の溶射条件等については特に限定はなく、基材、希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料の具体的材質、得られる溶射部材の用途等に応じて適宜設定すればよい。
このようにして得られる溶射部材は、希土類酸化物や希土類フッ化物の溶射皮膜に比べて、プラズマエッチングに対する耐食性に優れ、より長い寿命を実現できるものである。
以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
［実施例１〜４、比較例１，２］
〔溶射粉の製造〕
表１に示す原料を同表の割合で混合し、同表のバインダーに溶解してスラリーを調製し、これをスプレードライヤーを用いて造粒した後、同表の条件で焼成して、溶射粉末を得た。得られた各溶射粉末につき、粒子のアスペクト比、粒度分布、嵩密度、酸素濃度、フッ素濃度及び炭素濃度を測定した。結果を表１に示す。なお、粒度分布はレーザー回折法で測定し、フッ素濃度は溶解イオンクロマトグラフィ法、炭素濃度及び酸素濃度は燃焼ＩＲ法でそれぞれ分析した。また、粒子のアスペクト比はＳＥＭ写真により１８０個の粒子の短径と長径を測定して平均した。
〔溶射粉の製造〕
表１に示す原料を同表の割合で混合し、同表のバインダーに溶解してスラリーを調製し、これをスプレードライヤーを用いて造粒した後、同表の条件で焼成して、溶射粉末を得た。得られた各溶射粉末につき、粒子のアスペクト比、粒度分布、嵩密度、酸素濃度、フッ素濃度及び炭素濃度を測定した。結果を表１に示す。なお、粒度分布はレーザー回折法で測定し、フッ素濃度は溶解イオンクロマトグラフィ法、炭素濃度及び酸素濃度は燃焼ＩＲ法でそれぞれ分析した。また、粒子のアスペクト比はＳＥＭ写真により１８０個の粒子の短径と長径を測定して平均した。
〔溶射部材の製造〕
実施例１〜４及び比較例１，２の溶射粉を用いてアルゴン４０Ｌ／ｍｉｎ、水素５Ｌ／ｍｉｎの混合ガスを用いた大気圧プラズマ溶射をアルミニウム基材に施工し、２００μｍ程度の溶射皮膜を形成した部材を得た。実施例１〜４の溶射粉から得られた溶射皮膜は黒色、比較例１，２の溶射粉から得られた溶射皮膜は白色をそれぞれ呈していた。得られた各溶射皮膜の酸素濃度及び炭素濃度を燃焼ＩＲ法で測定した。結果を表１に示す。
実施例１〜４及び比較例１，２の溶射粉を用いてアルゴン４０Ｌ／ｍｉｎ、水素５Ｌ／ｍｉｎの混合ガスを用いた大気圧プラズマ溶射をアルミニウム基材に施工し、２００μｍ程度の溶射皮膜を形成した部材を得た。実施例１〜４の溶射粉から得られた溶射皮膜は黒色、比較例１，２の溶射粉から得られた溶射皮膜は白色をそれぞれ呈していた。得られた各溶射皮膜の酸素濃度及び炭素濃度を燃焼ＩＲ法で測定した。結果を表１に示す。
〔耐食性の評価〕
得られた各部材について、マスキングテープでマスキングした部分と暴露部分を作った後に、リアクティブイオンプラズマ試験装置にセットし、周波数１３．５６ＭＨｚ、プラズマ出力１０００Ｗ、ガス種ＣＦ4＋Ｏ2（２０ｖｏｌ％）、流量５０ｓｃｃｍ、ガス圧５０ｍｔｏｒｒ、１２時間の条件でプラズマ耐食性試験を行った。レーザー顕微鏡を使用して、暴露部分とマスキング部分の腐食による高さ変化を４点測定して平均値を求め、耐食性を評価した。結果を表１に示す。
得られた各部材について、マスキングテープでマスキングした部分と暴露部分を作った後に、リアクティブイオンプラズマ試験装置にセットし、周波数１３．５６ＭＨｚ、プラズマ出力１０００Ｗ、ガス種ＣＦ4＋Ｏ2（２０ｖｏｌ％）、流量５０ｓｃｃｍ、ガス圧５０ｍｔｏｒｒ、１２時間の条件でプラズマ耐食性試験を行った。レーザー顕微鏡を使用して、暴露部分とマスキング部分の腐食による高さ変化を４点測定して平均値を求め、耐食性を評価した。結果を表１に示す。
表１に示されているように、本発明にかかる実施例１〜４の希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料から得られる溶射皮膜は、比較例１，２の希土類酸化物や希土類フッ化物から得られた溶射皮膜に比べて、プラズマエッチングに対する耐食性に優れることが確認された。
これらの腐食性の極めて強い雰囲気中でも使用され得る部材としては、例えば酸化イットリウム（特許文献１：特許第４００６５９６号公報）やフッ化イットリウム（特許文献２：特許第３５２３２２２号公報、特許文献３：特表２０１１−５１４９３３号公報）を表面に溶射することで耐腐食性に優れた部材が得られることが知られている。希土類元素酸化物溶射膜を製造する際、希土類元素酸化物をプラズマ溶射して製造するが、技術的な問題が少なく、早くから半導体用溶射部材として実用化されている。一方、希土類元素フッ化物溶射膜は耐食性に優れるものの、希土類元素フッ化物をプラズマ溶射する際に、３０００℃以上の炎を通過、溶融する時、フッ化物の分解が生じ、部分的に希土類元素フッ化物と希土類元素酸化物の混合物になるなどの技術的課題があり、希土類元素酸化物溶射部材に比べて実用化が遅れている。
本発明は、上記の問題点に鑑み、従来の希土類元素酸化物溶射皮膜や希土類元素フッ化物溶射皮膜に比べて耐食性に優れる希土類元素オキシフッ化物溶射皮膜を形成するための希土類元素オキシフッ化物溶射材料及びその希土類元素オキシフッ化物溶射皮膜を有する溶射部材を提供することを課題とする。
従って、本発明は、下記の溶射材料及び溶射部材を提供する。
〔１〕
希土類元素オキシフッ化物粒子の外形のアスペクト比が２以下、平均粒子径が１０μｍ以上１００μｍ以下、嵩密度が０．８ｇ／ｃｍ3以上２ｇ／ｃｍ3以下、炭素を０．５質量％以下、酸素を３質量％以上１５質量％以下含有することを特徴とする希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料。
〔２〕
希土類元素がＹ及びＬａからＬｕまでの３Ａ族元素から選ばれる１種又は２種以上である〔１〕に記載の溶射材料。
〔３〕
希土類元素がＹ、Ｇｄ及びＥｒから選ばれる〔２〕に記載の溶射材料。
〔４〕
平均粒子径が０．０１μｍ以上５μｍ以下の希土類元素酸化物を１０質量％以上７０質量％以下と、残分が平均粒子径０．１μｍ以上５μｍ以下の希土類元素フッ化物を混合、造粒、焼成することによって得られたものである〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の溶射材料。
〔５〕
基材に、〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の溶射材料をプラズマ溶射することにより、炭素含有量が０．１質量％以下、酸素含有量が３質量％以上１５質量％以下の溶射皮膜を形成してなることを特徴とする希土類元素オキシフッ化物溶射部材。
〔１〕
希土類元素オキシフッ化物粒子の外形のアスペクト比が２以下、平均粒子径が１０μｍ以上１００μｍ以下、嵩密度が０．８ｇ／ｃｍ3以上２ｇ／ｃｍ3以下、炭素を０．５質量％以下、酸素を３質量％以上１５質量％以下含有することを特徴とする希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料。
〔２〕
希土類元素がＹ及びＬａからＬｕまでの３Ａ族元素から選ばれる１種又は２種以上である〔１〕に記載の溶射材料。
〔３〕
希土類元素がＹ、Ｇｄ及びＥｒから選ばれる〔２〕に記載の溶射材料。
〔４〕
平均粒子径が０．０１μｍ以上５μｍ以下の希土類元素酸化物を１０質量％以上７０質量％以下と、残分が平均粒子径０．１μｍ以上５μｍ以下の希土類元素フッ化物を混合、造粒、焼成することによって得られたものである〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の溶射材料。
〔５〕
基材に、〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の溶射材料をプラズマ溶射することにより、炭素含有量が０．１質量％以下、酸素含有量が３質量％以上１５質量％以下の溶射皮膜を形成してなることを特徴とする希土類元素オキシフッ化物溶射部材。
本発明によれば、大気中プラズマ溶射に適した希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料を得ることができる。本発明の希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料を用いて製造した希土類元素オキシフッ化物溶射部材はハロゲンガス中での耐プラズマ部材として使用した場合、希土類元素酸化物や希土類元素フッ化物の溶射皮膜を形成したものに比べて、プラズマエッチングに対する耐食性に優れ、より長い寿命を実現できる部材となる。
本発明の希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料は、希土類元素オキシフッ化物粒子の外形のアスペクト比が２以下、平均粒子径が１０μｍ以上１００μｍ以下、嵩密度が０．８ｇ／ｃｍ3以上２ｇ／ｃｍ3以下、炭素を０．５質量％以下、酸素を３質量％以上１５質量％以下含有するもので、希土類元素オキシフッ化物を大気中でプラズマ溶射するのに適した溶射材料である。溶射材料粉末としては、
１．流動性がよい、
２．プラズマ溶射で希土類元素酸化物に分解しない
ことが望ましく、本発明の溶射材料はかかる利点を備えている。
１．流動性がよい、
２．プラズマ溶射で希土類元素酸化物に分解しない
ことが望ましく、本発明の溶射材料はかかる利点を備えている。
本発明の溶射材料において、その粒子形状は球状が好ましい。なぜならば、溶射材料として、溶射のフレーム中に溶射材料を導入する際に、流動性が悪いと、溶射材料が供給管内に詰まったりして使用上不都合が生じるためである。この流動性を得るために溶射材料は球状が好ましく、その粒子外形のアスペクト比が２以下、好ましくは１．５以下であることが望ましい。アスペクト比は、粒子の長径と短径との比で表される。
希土類元素オキシフッ化物溶射材料として用いる希土類元素としては、Ｙ及びＬａからＬｕまでの３Ａ族元素から選ばれるが、特にＹ、Ｇｄ、Ｅｒが好ましい。希土類元素は、２種以上の元素を混用しても差し支えない。混用する場合には、混用した原料から造粒してもよいし、単一の元素から造粒した粒子を溶射材料として用いる時点で混合してもよい。
希土類元素オキシフッ化物を大気中でプラズマ溶射する場合、オキシフッ化物が酸化物に分解する可能性がある。特に溶射材料粉末に多量の水もしくは水酸基を含んでいると、オキシフッ化物の分解が起こり、希土類元素酸化物になり、フッ素はフッ化水素などのガスに変わる。そしてその溶射膜は希土類元素酸化物と希土類元素フッ化物の混合物になる。そのため、水及び水酸基の含有量としては１００００ｐｐｍ以下、好ましくは５０００ｐｐｍ以下、更に好ましくは１０００ｐｐｍ以下である造粒粉末の原料を使用することが望ましい。
また、溶射材料粉末中に含有する炭素は０．５質量％以下とされ、好ましく０．３質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下である。炭素が高いと、希土類元素オキシフッ化物の酸素と反応して二酸化炭素に変わることにより、希土類元素オキシフッ化物の分解を引き起こす可能性がある。含有する炭素を低くすることにより、溶射中の希土類元素オキシフッ化物の分解を抑え、良好に希土類元素オキシフッ化物溶射膜を得ることができる。
このような希土類元素オキシフッ化物溶射材料は、希土類元素オキシフッ化物あるいは希土類元素酸化物と希土類元素フッ化物を混合し造粒することにより製造することができる。例えば、原料粉末と溶媒、具体的には、水、炭素数１〜４のアルコール等を用いてスラリー濃度が１０〜４０質量％のスラリーを製造し、これをスプレードライ等の方法で造粒することにより製造することができる。また、希土類元素酸化物と希土類元素フッ化物を混合する場合は、希土類元素酸化物が１０質量％以上７０質量％以下、残分が希土類元素フッ化物となるように混合すればよい。
また、カルボキシメチルセルロースのような、粒子の結合剤となる有機高分子物質と希土類元素のオキシフッ化物と純水とを混合したスラリーを製造し、これをスプレードライ等の方法で造粒することで溶射材料を得ることもできる。結合剤としては、カルボキシメチルセルロースの他に、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどが挙げられる。添加する結合剤の使用量は、希土類元素オキシフッ化物の質量に対して０．０５〜１０質量％の割合で用いてスラリーにすることが好ましい。
このようにして得られる溶射部材は、希土類元素酸化物や希土類元素フッ化物の溶射皮膜に比べて、プラズマエッチングに対する耐食性に優れ、より長い寿命を実現できるものである。
表１に示されているように、本発明にかかる実施例１〜４の希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料から得られる溶射皮膜は、比較例１，２の希土類元素酸化物や希土類元素フッ化物から得られた溶射皮膜に比べて、プラズマエッチングに対する耐食性に優れることが確認された。
Claims (5)
- 希土類元素オキシフッ化物粒子の外形のアスペクト比が２以下、平均粒子径が１０μｍ以上１００μｍ以下、嵩密度が０．８ｇ／ｃｍ3以上２ｇ／ｃｍ3以下、炭素を０．５質量％以下、酸素を３質量％以上１５質量％以下含有することを特徴とする希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料。
- 希土類元素がＹ及びＬａからＬｕまでの３Ａ族元素から選ばれる１種又は２種以上である請求項１に記載の溶射材料。
- 希土類元素がＹ、Ｇｄ及びＥｒから選ばれる請求項２に記載の溶射材料。
- 平均粒子径が０．０１μｍ以上５μｍ以下の希土類酸化物を１０質量％以上７０質量％以下と、残分が平均粒子径０．１μｍ以上５μｍ以下の希土類元素フッ化物を混合、造粒、焼成することによって得られたものである請求項１〜３のいずれか１項に記載の溶射材料。
- 基材に、請求項１〜４のいずれか１項に記載の溶射材料をプラズマ溶射することにより、炭素含有量が０．１質量％以下、酸素含有量が３質量％以上１５質量％以下の溶射皮膜を形成してなることを特徴とする希土類元素オキシフッ化物溶射部材。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012183302A JP5939084B2 (ja) | 2012-08-22 | 2012-08-22 | 希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料の製造方法 |
| US13/971,889 US20140057078A1 (en) | 2012-08-22 | 2013-08-21 | Rare earth element oxyflouride powder spray material and sprayed article |
| KR1020130098814A KR20140025287A (ko) | 2012-08-22 | 2013-08-21 | 희토류 원소 옥시불화물 분말 용사 재료 및 희토류 원소 옥시불화물 용사 부재 |
| US14/833,437 US10435569B2 (en) | 2012-08-22 | 2015-08-24 | Rare earth element oxyflouride powder spray material and sprayed article |
| KR1020190110113A KR102066820B1 (ko) | 2012-08-22 | 2019-09-05 | 희토류 원소 옥시불화물 분말 용사 재료 및 희토류 원소 옥시불화물 용사 부재 |
| KR1020200037988A KR20200039629A (ko) | 2012-08-22 | 2020-03-30 | 희토류 원소 옥시불화물 분말 용사 재료 및 희토류 원소 옥시불화물 용사 부재 |
| KR1020210103873A KR20210100577A (ko) | 2012-08-22 | 2021-08-06 | 희토류 원소 옥시불화물 분말 용사 재료 및 희토류 원소 옥시불화물 용사 부재 |
| KR1020220083075A KR20220100839A (ko) | 2012-08-22 | 2022-07-06 | 희토류 원소 옥시불화물 분말 용사 재료 및 희토류 원소 옥시불화물 용사 부재 |
| KR1020240029075A KR20240032005A (ko) | 2012-08-22 | 2024-02-28 | 희토류 원소 옥시불화물 분말 용사 재료 및 희토류 원소 옥시불화물 용사 부재 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012183302A JP5939084B2 (ja) | 2012-08-22 | 2012-08-22 | 希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015040979A Division JP6281507B2 (ja) | 2015-03-03 | 2015-03-03 | 希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料及び希土類元素オキシフッ化物溶射部材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014040634A true JP2014040634A (ja) | 2014-03-06 |
| JP5939084B2 JP5939084B2 (ja) | 2016-06-22 |
Family
ID=50148226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012183302A Active JP5939084B2 (ja) | 2012-08-22 | 2012-08-22 | 希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20140057078A1 (ja) |
| JP (1) | JP5939084B2 (ja) |
| KR (6) | KR20140025287A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016006238A (ja) * | 2015-10-15 | 2016-01-14 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 溶射皮膜の製造方法および溶射用材料 |
| JP2016138309A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 日本イットリウム株式会社 | 溶射用粉末及び溶射材料 |
| WO2016129457A1 (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 日本イットリウム株式会社 | 成膜用粉末及び成膜用材料 |
| KR20160131916A (ko) * | 2015-05-08 | 2016-11-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 용사용 재료, 용사 피막 및 용사 피막 부착 부재 |
| JP2016211071A (ja) * | 2015-05-08 | 2016-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 溶射用材料、溶射皮膜および溶射皮膜付部材 |
| JP2016211072A (ja) * | 2015-05-08 | 2016-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 溶射用材料、溶射皮膜および溶射皮膜付部材 |
| JP2016211070A (ja) * | 2015-05-08 | 2016-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 溶射用材料、溶射皮膜および溶射皮膜付部材 |
| JP2017031457A (ja) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | 信越化学工業株式会社 | イットリウム系溶射皮膜、及びその製造方法 |
| WO2017115662A1 (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 日本イットリウム株式会社 | 成膜用材料 |
| JP2017190475A (ja) * | 2016-04-12 | 2017-10-19 | 信越化学工業株式会社 | イットリウム系フッ化物溶射皮膜、該物溶射皮膜を形成するための溶射材料、及び該溶射皮膜を含む耐食性皮膜 |
| JP2018197400A (ja) * | 2018-09-20 | 2018-12-13 | 信越化学工業株式会社 | イットリウム系溶射皮膜の製造方法 |
| JP2019019413A (ja) * | 2018-10-16 | 2019-02-07 | 信越化学工業株式会社 | イットリウム系フッ化物溶射皮膜、該溶射皮膜を形成するための溶射材料、該溶射皮膜の形成方法、及び該溶射皮膜を含む耐食性皮膜 |
| JP2019137923A (ja) * | 2019-05-21 | 2019-08-22 | 信越化学工業株式会社 | イットリウムオキシフッ化物粉末溶射材料、及びイットリウムオキシフッ化物溶射部材の製造方法 |
| US10538836B2 (en) | 2015-10-23 | 2020-01-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Yttrium fluoride spray material, yttrium oxyfluoride-deposited article, and making methods |
| KR20200018300A (ko) | 2018-08-10 | 2020-02-19 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 서스펜션 플라즈마 분무용 슬러리 및 분무 피막의 형성 방법 |
| KR20210082437A (ko) | 2018-10-31 | 2021-07-05 | 닛폰 이트륨 가부시키가이샤 | 콜드 스프레이용 재료 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5396672B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-22 | 日本イットリウム株式会社 | 溶射材料及びその製造方法 |
| US20150307715A1 (en) * | 2013-08-08 | 2015-10-29 | Nippon Yttrium Co., Ltd. | Slurry for thermal spraying |
| US20150126036A1 (en) | 2013-11-05 | 2015-05-07 | Tokyo Electron Limited | Controlling etch rate drift and particles during plasma processing |
| CN107250082B (zh) | 2015-03-05 | 2018-10-12 | 日本钇股份有限公司 | 烧结用材料以及用于制造烧结用材料的粉末 |
| KR20160124992A (ko) * | 2015-04-20 | 2016-10-31 | 삼성전자주식회사 | 기판 제조 장치, 및 그의 세라믹 박막 코팅 방법 |
| US10138167B2 (en) * | 2015-05-08 | 2018-11-27 | Tokyo Electron Limited | Thermal spray material, thermal spray coating and thermal spray coated article |
| US10106466B2 (en) * | 2015-05-08 | 2018-10-23 | Tokyo Electron Limited | Thermal spray material, thermal spray coating and thermal spray coated article |
| US20170040146A1 (en) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | Lam Research Corporation | Plasma etching device with plasma etch resistant coating |
| KR101861983B1 (ko) * | 2015-09-07 | 2018-05-28 | 미쓰이금속광업주식회사 | 옥시불화이트륨, 안정화 옥시불화이트륨 제조용 원료 분말 및 안정화 옥시불화이트륨의 제조 방법 |
| US11572617B2 (en) | 2016-05-03 | 2023-02-07 | Applied Materials, Inc. | Protective metal oxy-fluoride coatings |
| US10538845B2 (en) * | 2016-06-22 | 2020-01-21 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Yttrium oxyfluoride sprayed coating and method for producing the same, and sprayed member |
| TWI733897B (zh) * | 2016-09-16 | 2021-07-21 | 日商福吉米股份有限公司 | 熔射用材料 |
| WO2018083854A1 (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-11 | 日本イットリウム株式会社 | 成膜用材料及び皮膜 |
| JP6650385B2 (ja) * | 2016-11-07 | 2020-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 溶射用材料、溶射皮膜および溶射皮膜付部材 |
| CN110382730B (zh) * | 2017-03-01 | 2022-09-23 | 信越化学工业株式会社 | 喷镀被膜、喷镀用粉、喷镀用粉的制造方法和喷镀被膜的制造方法 |
| US20180327892A1 (en) | 2017-05-10 | 2018-11-15 | Applied Materials, Inc. | Metal oxy-flouride films for chamber components |
| JP7147675B2 (ja) * | 2018-05-18 | 2022-10-05 | 信越化学工業株式会社 | 溶射材料、及び溶射部材の製造方法 |
| JP7124798B2 (ja) * | 2018-07-17 | 2022-08-24 | 信越化学工業株式会社 | 成膜用粉末、皮膜の形成方法、及び成膜用粉末の製造方法 |
| KR102091744B1 (ko) * | 2018-08-09 | 2020-03-20 | (주)석경에이티 | 균일한 입자직경을 가지는 박막 코팅용 이트륨 옥시플루오라이드 또는 이트륨 플루오라이드 분말 및 그들의 제조방법 |
| KR102319854B1 (ko) * | 2019-12-27 | 2021-11-01 | (주)케이디엠씨 | 용사재료 제조방법 |
| KR102561639B1 (ko) * | 2021-10-07 | 2023-07-31 | 주식회사 포스포 | 화염분사를 이용한 구형상의 이트륨 옥시플루오르화물계 용사재료 제조방법 |
| KR102561645B1 (ko) * | 2021-10-12 | 2023-07-31 | 주식회사 포스포 | 이트륨의 플루오르화물을 함유한 이트륨의 옥시플루오르화물계 용사재료 제조방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007138288A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-06-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 多層コート耐食性部材 |
| JP2012508684A (ja) * | 2008-11-12 | 2012-04-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 反応性プラズマ処理に耐性をもつ保護コーティング |
| US20130115418A1 (en) * | 2011-11-03 | 2013-05-09 | Coorstek, Inc. | Multilayer rare-earth oxide coatings and methods of making |
| JP2014009361A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-20 | Nippon Yttrium Co Ltd | 溶射材料及びその製造方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52322B1 (ja) | 1971-06-25 | 1977-01-07 | ||
| JPS52322A (en) | 1975-06-23 | 1977-01-05 | Hitachi Ltd | Inside abnorla gas detector of an oil-filled apparatus |
| JPS5534274A (en) | 1978-08-31 | 1980-03-10 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | Fireproof composition |
| JPS636596A (ja) | 1986-06-26 | 1988-01-12 | 富士通株式会社 | マトリツクス表示パネルの駆動方法 |
| US6685991B2 (en) * | 2000-07-31 | 2004-02-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for formation of thermal-spray coating layer of rare earth fluoride |
| JP3523222B2 (ja) | 2000-07-31 | 2004-04-26 | 信越化学工業株式会社 | 溶射材料およびその製造方法 |
| EP1239055B1 (en) * | 2001-03-08 | 2017-03-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thermal spray spherical particles, and sprayed components |
| US6596397B2 (en) | 2001-04-06 | 2003-07-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thermal spray particles and sprayed components |
| JP4006596B2 (ja) | 2002-07-19 | 2007-11-14 | 信越化学工業株式会社 | 希土類酸化物溶射部材および溶射用粉 |
| US6852433B2 (en) | 2002-07-19 | 2005-02-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Rare-earth oxide thermal spray coated articles and powders for thermal spraying |
| DE102006046517A1 (de) | 2005-09-30 | 2007-05-03 | Fujimi Incorporated, Kiyosu | Thermisches Spritzpulver und Verfahren zur Ausbildung einer thermischen Spritzbeschichtung |
| JP4630799B2 (ja) | 2005-11-02 | 2011-02-09 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 溶射用粉末及び溶射皮膜の形成方法 |
| US20090214825A1 (en) | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Applied Materials, Inc. | Ceramic coating comprising yttrium which is resistant to a reducing plasma |
-
2012
- 2012-08-22 JP JP2012183302A patent/JP5939084B2/ja active Active
-
2013
- 2013-08-21 US US13/971,889 patent/US20140057078A1/en not_active Abandoned
- 2013-08-21 KR KR1020130098814A patent/KR20140025287A/ko active Application Filing
-
2015
- 2015-08-24 US US14/833,437 patent/US10435569B2/en active Active
-
2019
- 2019-09-05 KR KR1020190110113A patent/KR102066820B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-03-30 KR KR1020200037988A patent/KR20200039629A/ko not_active IP Right Cessation
-
2021
- 2021-08-06 KR KR1020210103873A patent/KR20210100577A/ko active Application Filing
-
2022
- 2022-07-06 KR KR1020220083075A patent/KR20220100839A/ko not_active IP Right Cessation
-
2024
- 2024-02-28 KR KR1020240029075A patent/KR20240032005A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007138288A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-06-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 多層コート耐食性部材 |
| JP2012508684A (ja) * | 2008-11-12 | 2012-04-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 反応性プラズマ処理に耐性をもつ保護コーティング |
| US20130115418A1 (en) * | 2011-11-03 | 2013-05-09 | Coorstek, Inc. | Multilayer rare-earth oxide coatings and methods of making |
| JP2014009361A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-20 | Nippon Yttrium Co Ltd | 溶射材料及びその製造方法 |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016138309A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 日本イットリウム株式会社 | 溶射用粉末及び溶射材料 |
| WO2016129457A1 (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 日本イットリウム株式会社 | 成膜用粉末及び成膜用材料 |
| KR20170078842A (ko) * | 2015-02-10 | 2017-07-07 | 닛폰 이트륨 가부시키가이샤 | 성막용 분말 및 성막용 재료 |
| US11371131B2 (en) | 2015-02-10 | 2022-06-28 | Nippon Yttrium Co., Ltd. | Powder for film formation and material for film formation |
| KR101865232B1 (ko) * | 2015-02-10 | 2018-06-08 | 닛폰 이트륨 가부시키가이샤 | 성막용 분말 및 성막용 재료 |
| KR20160131916A (ko) * | 2015-05-08 | 2016-11-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 용사용 재료, 용사 피막 및 용사 피막 부착 부재 |
| JP2016211071A (ja) * | 2015-05-08 | 2016-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 溶射用材料、溶射皮膜および溶射皮膜付部材 |
| JP2016211072A (ja) * | 2015-05-08 | 2016-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 溶射用材料、溶射皮膜および溶射皮膜付部材 |
| JP2016211070A (ja) * | 2015-05-08 | 2016-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 溶射用材料、溶射皮膜および溶射皮膜付部材 |
| KR102505121B1 (ko) | 2015-05-08 | 2023-03-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 용사용 재료, 용사 피막 및 용사 피막 부착 부재 |
| JP2017031457A (ja) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | 信越化学工業株式会社 | イットリウム系溶射皮膜、及びその製造方法 |
| JP2016006238A (ja) * | 2015-10-15 | 2016-01-14 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 溶射皮膜の製造方法および溶射用材料 |
| US11098397B2 (en) | 2015-10-23 | 2021-08-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Yttrium fluoride spray material, yttrium oxyfluoride-deposited article, and making methods |
| US11098398B2 (en) | 2015-10-23 | 2021-08-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Yttrium fluoride spray material, yttrium oxyfluoride-deposited article, and making methods |
| TWI779859B (zh) * | 2015-10-23 | 2022-10-01 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 氧氟化釔成膜零件 |
| US11390939B2 (en) | 2015-10-23 | 2022-07-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Yttrium fluoride spray material, yttrium oxyfluoride-deposited article, and making methods |
| US10538836B2 (en) | 2015-10-23 | 2020-01-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Yttrium fluoride spray material, yttrium oxyfluoride-deposited article, and making methods |
| CN108368598A (zh) * | 2015-12-28 | 2018-08-03 | 日本钇股份有限公司 | 成膜用材料 |
| US10934174B2 (en) | 2015-12-28 | 2021-03-02 | Nippon Yttrium Co., Ltd. | Film-forming material |
| WO2017115662A1 (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 日本イットリウム株式会社 | 成膜用材料 |
| JP2017190475A (ja) * | 2016-04-12 | 2017-10-19 | 信越化学工業株式会社 | イットリウム系フッ化物溶射皮膜、該物溶射皮膜を形成するための溶射材料、及び該溶射皮膜を含む耐食性皮膜 |
| KR20200018300A (ko) | 2018-08-10 | 2020-02-19 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 서스펜션 플라즈마 분무용 슬러리 및 분무 피막의 형성 방법 |
| US11149339B2 (en) | 2018-08-10 | 2021-10-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Slurry for suspension plasma spraying, and method for forming sprayed coating |
| KR20230029720A (ko) | 2018-08-10 | 2023-03-03 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 서스펜션 플라즈마 분무용 슬러리 및 분무 피막의 형성 방법 |
| JP2018197400A (ja) * | 2018-09-20 | 2018-12-13 | 信越化学工業株式会社 | イットリウム系溶射皮膜の製造方法 |
| JP2019019413A (ja) * | 2018-10-16 | 2019-02-07 | 信越化学工業株式会社 | イットリウム系フッ化物溶射皮膜、該溶射皮膜を形成するための溶射材料、該溶射皮膜の形成方法、及び該溶射皮膜を含む耐食性皮膜 |
| KR20210082437A (ko) | 2018-10-31 | 2021-07-05 | 닛폰 이트륨 가부시키가이샤 | 콜드 스프레이용 재료 |
| US11773493B2 (en) | 2018-10-31 | 2023-10-03 | Nippon Yttrium Co., Ltd. | Material for cold spraying |
| JP2019137923A (ja) * | 2019-05-21 | 2019-08-22 | 信越化学工業株式会社 | イットリウムオキシフッ化物粉末溶射材料、及びイットリウムオキシフッ化物溶射部材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5939084B2 (ja) | 2016-06-22 |
| KR20240032005A (ko) | 2024-03-08 |
| KR20140025287A (ko) | 2014-03-04 |
| US20140057078A1 (en) | 2014-02-27 |
| KR102066820B1 (ko) | 2020-01-15 |
| KR20200039629A (ko) | 2020-04-16 |
| KR20190106959A (ko) | 2019-09-18 |
| KR20210100577A (ko) | 2021-08-17 |
| US20150361540A1 (en) | 2015-12-17 |
| KR20220100839A (ko) | 2022-07-18 |
| US10435569B2 (en) | 2019-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102066820B1 (ko) | 희토류 원소 옥시불화물 분말 용사 재료 및 희토류 원소 옥시불화물 용사 부재 | |
| JP5861612B2 (ja) | 希土類元素フッ化物粉末溶射材料及び希土類元素フッ化物溶射部材 | |
| US11098398B2 (en) | Yttrium fluoride spray material, yttrium oxyfluoride-deposited article, and making methods | |
| JP3523222B2 (ja) | 溶射材料およびその製造方法 | |
| TWI759124B (zh) | 噴塗構件 | |
| JP6281507B2 (ja) | 希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料及び希土類元素オキシフッ化物溶射部材の製造方法 | |
| JP6668024B2 (ja) | 溶射材料 | |
| WO2021145341A1 (ja) | 溶射材料 | |
| JP6620793B2 (ja) | 希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料、及び希土類元素オキシフッ化物溶射部材の製造方法 | |
| JP6844654B2 (ja) | イットリウムオキシフッ化物粉末溶射材料、及びイットリウムオキシフッ化物溶射部材の製造方法 | |
| JP2009234877A (ja) | プラズマ処理装置用部材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140826 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141023 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20141023 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20141106 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150106 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150303 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150609 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150907 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150914 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151201 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160127 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160419 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160502 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5939084 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |