JP2014028740A - 太陽電池接点用導電性厚膜ペーストのためのテルル無機反応系 - Google Patents
太陽電池接点用導電性厚膜ペーストのためのテルル無機反応系 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014028740A JP2014028740A JP2013086712A JP2013086712A JP2014028740A JP 2014028740 A JP2014028740 A JP 2014028740A JP 2013086712 A JP2013086712 A JP 2013086712A JP 2013086712 A JP2013086712 A JP 2013086712A JP 2014028740 A JP2014028740 A JP 2014028740A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tellurium
- reaction system
- inorganic reaction
- containing matrix
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 106
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 106
- 238000007130 inorganic reaction Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 239000012789 electroconductive film Substances 0.000 title 1
- 210000004692 intercellular junction Anatomy 0.000 title 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 187
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 100
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 42
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 15
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 9
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 8
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 8
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 6
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical group CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims description 4
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 4
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 4
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 claims description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005632 Capric acid (CAS 334-48-5) Substances 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UDSFAEKRVUSQDD-UHFFFAOYSA-N Dimethyl adipate Chemical compound COC(=O)CCCCC(=O)OC UDSFAEKRVUSQDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N bentoquatam Chemical class O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 2
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 claims description 2
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 claims description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 claims description 2
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 claims description 2
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 2
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 claims description 2
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 claims description 2
- TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[14C](O)=O TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N 0.000 claims description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000002148 esters Chemical group 0.000 claims 1
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-M hexadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 abstract 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 abstract 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 4
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910014142 Na—O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012429 reaction media Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006352 transparent thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L zinc fluoride Chemical compound F[Zn]F BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N (Z)-beta-Terpineol Natural products CC(=C)C1CCC(C)(O)CC1 RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002016 Aerosil® 200 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017299 Mo—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- YAFKGUAJYKXPDI-UHFFFAOYSA-J lead tetrafluoride Chemical compound F[Pb](F)(F)F YAFKGUAJYKXPDI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001463 metal phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M silver acetate Chemical compound [Ag+].CC([O-])=O CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940071536 silver acetate Drugs 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- FJOLTQXXWSRAIX-UHFFFAOYSA-K silver phosphate Chemical compound [Ag+].[Ag+].[Ag+].[O-]P([O-])([O-])=O FJOLTQXXWSRAIX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- KZJPVUDYAMEDRM-UHFFFAOYSA-M silver;2,2,2-trifluoroacetate Chemical compound [Ag+].[O-]C(=O)C(F)(F)F KZJPVUDYAMEDRM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000008247 solid mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010671 solid-state reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N syringin Chemical compound COC1=CC(\C=C\CO)=CC(OC)=C1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003498 tellurium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G21/00—Compounds of lead
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/24—Stationary reactors without moving elements inside
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/16—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions with vehicle or suspending agents, e.g. slip
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/18—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/12—Silica-free oxide glass compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】1つの態様では、導電性ペースト組成物において使用するための無機反応系に関し、この無機反応系は、鉛含有マトリクス組成物およびテルル含有マトリクス組成物を含む。別の態様では、導電性金属成分と、無機反応系と有機ビヒクルとを含む導電性ペースト組成物。前記導電性ペースト組成物をシリコンウェーハに付与することにより製造される太陽電池。さらに別の態様は、導電性ペースト組成物をシリコンウェーハに付与することにより製造される太陽電池を使用して組み立てられる太陽電池モジュールであって、この導電性ペースト組成物は、導電性金属成分と、無機反応系と、有機ビヒクルとを含む太陽電池モジュール。
【選択図】なし
Description
本特許出願は、2012年4月17日出願の米国仮特許出願第61/625,383号、および2012年8月20日出願の米国仮出願第61/684,884号の利益を主張する。これらの仮出願の開示は、参照によりその全体を本開示に援用したものとする。
Tex[(M1 y1Y1 z1)(M2 y2Y2 z2)…(Mn ynYn zn)]Or (式I)
(式中、M1、M2 … Mnは、各々、周期表の1〜16族から選択される元素であってもよいし、または希土類元素であり、nは負でない整数、例えば、0、1、2、3…であり、Y1、Y2 … Ynはハロゲンまたはカルコゲンであり、それらは同じ元素であってもよいし、異なる元素であってもよく、x、(y1、y2 … yn)、(z1、z2 … zn)、およびrのうちの少なくとも1つは>0であり、x/[x+(y1+y2 +… yn)+(z1+z2+ … zn)]比は、20%〜100%、好ましくは50%〜99%、より好ましくは80%〜95%である)
のものである。
1つの態様では、本発明は、例えば、導電性ペースト組成物において使用するための無機反応系に関する。
1つの実施形態では、当該無機反応系の中に存在する鉛含有マトリクス組成物は、当該無機反応系の約5〜約95重量%、または当該無機反応系の約25〜約60重量%である。
1つの実施形態では、当該テルル含有マトリクス組成物は、約0.25〜約70重量%、例えば約0.25〜約60重量%、約5〜約50重量%または約5〜約40重量の量で当該無機反応系の中に存在する。
Tex[(M1 y1Y1 z1)(M2 y2Y2 z2)…(Mn ynYn zn)]Or (式I)
(式中、
M1、M2 … Mnは、各々、周期表の1〜16族から選択される元素であってもよいしまたは希土類元素であり、
nは負でない整数、例えば、0、1、2、3…であり、
Y1、Y2 … Ynはハロゲンまたはカルコゲンであり、それらは同じ元素であってもよいし、異なる元素であってもよく、
x、(y1、y2 … yn)、(z1、z2 … zn)、またはrは>0であり、
x/[x+(y1、y2 … yn)+(z1、z2 … zn)]比は、20%〜100%、好ましくは50%〜99%、より好ましくは80%〜95%である)。
当該テルル含有マトリクス組成物は、n=0、x=1、z=0、および2≦r≦3である非晶性酸化テルルであってもよい。
当該テルル含有マトリクス組成物は、Te、M1を含みかつOおよびYによって電荷均衡がとられている二元組成物であってもよい。
Tex−[M1 y1Y1 z1]−Or (式II)
(式中、
M1は、周期表の1〜16族から選択される元素または希土類元素であり、
Y1はハロゲンまたはカルコゲンであり、
x、y1、z1、またはrは>0であり、
x/(x+y1+z1)比は、20%〜100%、好ましくは50%〜99%、より好ましくは80%〜95%である)
である。
当該テルル含有マトリクス組成物は、Te、M1、M2を含みかつOおよびY1、Y2によって電荷均衡がとられている三元組成物であってもよい。
Tex−[(M1 y1Y1 z1)(M2 y2Y2 z2)]−Or (式III)
(式中、
M1およびM2は、各々独立に、周期表の1〜16族から選択される元素(例えば、金属)または希土類元素であり、
Y1およびY2はハロゲンまたはカルコゲンであり、それらは同じ元素であってもよいし、異なる元素であってもよい)
のものである。
当該テルル含有マトリクス組成物は、Te、M1、M2 … Mnを含みかつOおよびY1、Y2 … Ynによって電荷均衡がとられている多成分系組成物(式中、n≧3)であってもよい。
Y1、Y2 … Ynはハロゲンまたはカルコゲンであり、それらは同じ元素であってもよいし、異なる元素であってもよい。
本願明細書に記載されるガラスフリットまたはマトリクス形成組成物は、個々の成分の適切な量の粉末を混合し、この粉末混合物を空気中でまたは酸素含有雰囲気中で加熱して、融液を形成し、この融液を急冷し、急冷した物質をすり潰しおよびボールミル粉砕し、そして所望の粒径を持つ粉末を与えるために、この粉砕した物質をふるいにかけることにより、当業者に公知のいずれのプロセスによって製造されてもよい。例えば、粉末形態のガラスフリット成分が、V型(V−comb)ブレンダーの中で一緒に混合されてもよい。次いで、この混合物は、(例えば、およそ800〜1200℃に)約30〜40分間加熱される。次いでこのガラスは急冷され、砂のような粘稠度を帯びる。この粗いガラス粉末は、次いで、微細な粉末が生じるまで、ボールミルまたはジェットミルなどの中で粉砕される。通常は、当該無機反応系は、約0.01〜10μm、好ましくは約0.1〜5μmの平均粒径dまで粉砕されてもよい。
別の態様では、本発明は、導電性ペースト組成物に関する。
1つの実施形態では、当該導電性金属成分は、Ag、Au、Cu、Niおよびそれらの合金ならびにこれらの組み合わせを含む。好ましい実施形態では、この導電性金属成分は銀を含む。この銀は、銀金属、1以上の銀誘導体、またはそれらの混合物として存在してもよい。好適な銀誘導体としては、例えば、銀合金ならびに/または銀塩、例えばハロゲン化銀(例えば、塩化銀)、硝酸銀、酢酸銀、トリフルオロ酢酸銀、オルトリン酸銀、およびこれらの組み合わせが挙げられる。1つの実施形態では、この導電性金属成分は、金属または金属誘導体の粒子の形態にあってもよい。
1つの実施形態では、当該有機媒体は、有機溶剤と、バインダ(例えば、ポリマー)、界面活性剤もしくはチキソトロープ剤、またはこれらのいずれかの組み合わせのうちの1以上とを含む。
当該導電性ペースト組成物を形成するために、当該無機反応系物質は、ペースト組成物を調製するための当該技術分野で公知のいずれの方法を使用して導電性金属成分(例えば、銀)および有機媒体と合わされてもよい。調製方法が均一に分散したペーストを生じる限り、調製方法は特に限定されない。それらの成分は、例えば混合機を用いて混合され、次いで、例えば、三本ロール練り機に通され、分散した均一なペーストが作製されてもよい。すべての成分を同時に混合することに加えて、無機反応系物質を、ボールミルの中で2〜24時間、導電性金属成分と一緒に共粉砕し、無機反応系および導電性金属成分粒子の均質な混合物を得てもよく、この均質な混合物は、次いで、混合機の中で有機媒体と合わされてもよい。
別の態様では、本発明は太陽電池に関する。1つの実施形態では、この太陽電池は、半導体基板(例えば、シリコンウェーハ)と、本願明細書に記載される実施形態のいずれかに係る導電性ペースト組成物とを含む。
約80重量%の酸化鉛(ガラスA)と3種のテルル含有ガラスフリット(ガラスB、CまたはD)のうちの1つとを含む鉛−ホウ素−ケイ酸塩ガラスフリットを含有する無機反応系(IRS)を使用して、5つの例示の導電性ペースト(ペースト1〜5)を調製した。
実施例1と同じ鉛含有ガラスフリット(ガラスA)と10種のテルル含有ガラスフリット(ガラスE〜N)のうちの少なくとも1つとを含有する無機反応系(IRS)を使用して、10種のさらなる例示の導電性ペースト(ペースト6〜15)を調製した。表3は、テルル含有ガラスフリットの組成を示す。表4は、例示のペースト6〜15の各々の組成を示す。導電性ペーストを、実施例1と同様に配合した。
Claims (50)
- 鉛含有マトリクス組成物と、テルル含有マトリクス組成物とを含む無機反応系。
- 前記鉛含有マトリクス組成物は、約5〜約95重量%の量で前記無機反応系の中に存在する、請求項1に記載の無機反応系。
- 前記鉛含有マトリクス組成物は、鉛含有ガラスフリットである、請求項1または請求項2に記載の無機反応系。
- 前記鉛含有マトリクス組成物は酸化鉛を含む、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の無機反応系。
- 前記鉛含有マトリクス組成物は約10〜約90重量%の酸化鉛を含む、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の無機反応系。
- 前記テルル含有マトリクス組成物は、約0.25〜約70重量%の量で前記無機反応系の中に存在する、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の無機反応系。
- 前記テルル含有マトリクス組成物はテルル含有ガラスフリットである、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の無機反応系。
- 前記テルル含有マトリクス組成物は酸化テルルを含む、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の無機反応系。
- 前記テルル含有マトリクス組成物は少なくとも部分的に非晶性である、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の無機反応系。
- 前記テルル含有マトリクス組成物は非晶性酸化テルルである、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の無機反応系。
- 前記テルル含有マトリクス組成物は、Li、Na、K、Mg、Sr、Ba、Zn、P、B、Si、Ag、Al、Ti、W、V、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Nb、Ta、Th、Ge、Mo、La、Sb、Bi、またはCeの少なくとも1つの酸化物をさらに含む、請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の無機反応系。
- 前記テルル含有マトリクス組成物は、式(I):
Tex[(M1 y1Y1 z1)(M2 y2Y2 z2)…(Mn ynYn zn)]Or (式I)
(式中、
M1、M2 … Mnは、各々、周期表の1〜16族から選択される元素であってもよいしまたは希土類元素であり、
nは負でない整数、例えば、0、1、2、3…であり、
Y1、Y2 … Ynはハロゲンまたはカルコゲンであり、それらは同じ元素であってもよいし、異なる元素であってもよく、
x、(y1、y2 … yn)、(z1、z2 … zn)、またはrは>0であり、
x/[x+(y1、y2 … yn)+(z1、z2 … zn)]比は、20%〜100%、好ましくは50%〜99%、より好ましくは80%〜95%である)
のものである、請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の無機反応系。 - Mは、Li、Na、K、Mg、Sr、Ba、Zn、P、B、Si、Ag、Al、Ti、W、V、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Nb、Ta、Th、Ge、Mo、La、Sb、Bi、またはCeのうちの少なくとも1つである、請求項12に記載の無機反応系。
- Y1、Y2 … Ynは、O、S、Se、F、Cl、Br、またはIのうちの少なくとも1つである、請求項12または請求項13に記載の無機反応系。
- 前記テルル含有マトリクス組成物は、n=0、x=1、z=0、および2≦r≦3を有する、請求項12から請求項14のいずれか1項に記載の無機反応系。
- 前記テルル含有マトリクス組成物はn=1を有し、前記テルル含有マトリクス組成物は、Te、M1を含みかつOおよびYによって電荷均衡がとられている二元組成物である、請求項12から請求項15のいずれか1項に記載の無機反応系。
- 前記テルル含有マトリクス組成物はn=2を有し、前記テルル含有マトリクス組成物は、Te、M1、M2を含みかつOおよびYによって電荷均衡がとられている三元組成物である、請求項12から請求項16のいずれか1項に記載の無機反応系。
- 前記鉛含有マトリクス組成物は実質的に酸化テルルを含まない、請求項1から請求項17のいずれか1項に記載の無機反応系。
- 前記テルル含有マトリクス組成物は実質的に酸化鉛を含まない、請求項1から請求項18のいずれか1項に記載の無機反応系。
- 鉛含有マトリクス組成物:テルル含有マトリクス組成物の比(重量%)は約10:1〜約1:10である、請求項1から請求項19のいずれか1項に記載の無機反応系。
- 前記テルル含有マトリクス組成物は、(TeO2)a(B2O3)b、(TeO2)a(SiO2)b、(TeO2)a(Li2O)b、(TeO2)a(BaO)b、(TeO2)a(ZnO)b、(TeO2)a(Al2O3)b、(TeO2)a(P2O5)b、(TeO2)a(Na2O)b、(TeO2)a(Al2O3)b(SiO2)c、(TeO2)a(V2O5)b(MoO3)c、(TeO2)a(BaCl2)b(P2O5)c、または(TeO2)a(Ag2O)b(ZnO)c(Na2O)d(式中、0<a<1、0<b<1、0<c<1、および0<d<1;好ましくは、0.25<a<1、0<b<0.75、0<c<0.75、および0<d<0.75である)のうちの少なくとも1つである、請求項1から請求項20のいずれか1項に記載の無機反応系。
- 導電性ペースト組成物であって、
(a)導電性金属成分と、
(b)請求項1から請求項21のいずれか1項に記載の無機反応系と、
(c)有機媒体と
を含む、導電性ペースト組成物。 - 前記導電性金属成分は銀、金、銅、ニッケルおよびこれらの組み合わせを含む、請求項22に記載の導電性ペースト組成物。
- 前記導電性金属成分は銀を含む、請求項22または請求項23に記載の導電性ペースト組成物。
- 前記導電性金属成分は、前記ペーストの固形分含量の約50〜95重量%である、請求項22から請求項24のいずれか1項に記載の導電性ペースト組成物。
- 前記有機媒体は、ポリマーおよび有機溶剤を含む、請求項22から請求項25のいずれか1項に記載の導電性ペースト組成物。
- 前記ポリマーは、セルロース誘導体、ロジン誘導体、フェノール樹脂、ポリメタクリレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、およびこれらの組み合わせから選択される、請求項26に記載の導電性ペースト組成物。
- 前記ポリマーはエチルセルロースである、請求項26または請求項27に記載の導電性ペースト組成物。
- 前記有機溶剤は、エステルアルコール、テルペン、ケロシン、フタル酸ジブチル、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、ヘキシルカルビトール、ヘキシレングリコール、アジピン酸ジメチル、高沸点アルコールおよびこれらの組み合わせから選択される、請求項26に記載の導電性ペースト組成物。
- 界面活性剤をさらに含む、請求項22から請求項29のいずれか1項に記載の導電性ペースト組成物。
- 前記界面活性剤は、ポリエチレンオキシド、ポリエチレングリコール、ベンゾトリアゾール、ポリ(エチレングリコール)酢酸、ラウリン酸、オレイン酸、カプリン酸、ミリスチン酸、リノール酸、ステアリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸塩、パルミチン酸塩、およびこれらの混合物から選択される、請求項30に記載の導電性ペースト組成物。
- チキソトロープ剤をさらに含む、請求項22から請求項31のいずれか1項に記載の導電性ペースト組成物。
- 前記チキソトロープ剤は、焼成シリカ、沈降シリカ、変性ベントナイトクレイ、硬化ヒマシ油、およびこれらの組み合わせから選択される、請求項32に記載の導電性ペースト組成物。
- 前記界面活性剤は前記有機媒体の約1〜10重量%を構成する、請求項30または請求項31に記載の導電性ペースト組成物。
- 前記有機溶剤は、前記有機媒体の約50〜90重量%を構成する、請求項26に記載の導電性ペースト組成物。
- 前記チキソトロープ剤は、前記有機媒体の約0.1〜5重量%を構成する、請求項32または請求項33に記載の導電性ペースト組成物。
- シリコンウェーハと、請求項22から請求項36のいずれか1項に記載の導電性ペースト組成物を用いて形成される表面電極とを含む、太陽電池。
- 前記シリコンウェーハは反射防止コーティングを含む、請求項37に記載の太陽電池。
- 太陽電池であって、
(a)請求項22から請求項36のいずれか1項に記載の導電性ペーストをシリコンウェーハに付与することと、
(b)前記シリコンウェーハおよび付与した前記導電性ペーストを焼成することと
を含む方法によって製造される、太陽電池。 - 前記シリコンウェーハは65Ω/□を超える面積抵抗を有する、請求項39に記載の太陽電池。
- 前記シリコンウェーハは70Ω/□を超える面積抵抗を有する、請求項39または請求項40に記載の太陽電池。
- 前記シリコンウェーハは90Ω/□を超える面積抵抗を有する、請求項39から請求項41のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 前記シリコンウェーハは95Ω/□を超える面積抵抗を有する、請求項39から請求項42のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 前記シリコンウェーハは100Ω/□を超える面積抵抗を有する、請求項39から請求項43のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 前記シリコンウェーハは110Ω/□を超える面積抵抗を有する、請求項39から請求項44のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 前記シリコンウェーハは120Ω/□を超える面積抵抗を有する、請求項39から請求項45のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 複数の、請求項37から請求項46のいずれか1項に記載の太陽電池を含む太陽電池モジュール。
- 前記複数の太陽電池は相互に電気的に連結されている、請求項47に記載の太陽電池モジュール。
- 太陽電池の製造方法であって、
(a)シリコンウェーハを準備することと、
(b)請求項22から請求項36のいずれか1項に記載の導電性ペーストを前記シリコンウェーハに付与することと、
(c)前記シリコンウェーハを焼成することと
を含む、製造方法。 - 前記導電性ペーストは、前記シリコンウェーハの受光面に付与される、請求項49に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261625383P | 2012-04-17 | 2012-04-17 | |
US61/625,383 | 2012-04-17 | ||
US201261684884P | 2012-08-20 | 2012-08-20 | |
US61/684,884 | 2012-08-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014028740A true JP2014028740A (ja) | 2014-02-13 |
Family
ID=48143040
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013086696A Expired - Fee Related JP6185273B2 (ja) | 2012-04-17 | 2013-04-17 | 電気伝導性ペースト組成物用の無機反応系 |
JP2013086712A Pending JP2014028740A (ja) | 2012-04-17 | 2013-04-17 | 太陽電池接点用導電性厚膜ペーストのためのテルル無機反応系 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013086696A Expired - Fee Related JP6185273B2 (ja) | 2012-04-17 | 2013-04-17 | 電気伝導性ペースト組成物用の無機反応系 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9029692B2 (ja) |
EP (2) | EP2654085B1 (ja) |
JP (2) | JP6185273B2 (ja) |
KR (2) | KR20130117345A (ja) |
CN (2) | CN103377753B (ja) |
BR (2) | BR102013009339A2 (ja) |
SG (2) | SG194312A1 (ja) |
TW (2) | TWI594268B (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014022194A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-03 | Noritake Co Ltd | Ag電極形成用ペースト組成物とその製造方法ならびに太陽電池 |
JP2014209598A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-11-06 | 昭栄化学工業株式会社 | 太陽電池素子表面電極用導電性ペースト及び太陽電池素子の製造方法 |
JP2015230995A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池受光面電極用ペースト、その製造方法、および太陽電池セル |
KR20170047010A (ko) * | 2015-10-22 | 2017-05-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극과 태양전지 |
JP2017533164A (ja) * | 2014-10-01 | 2017-11-09 | フェロ ゲーエムベーハー | 420℃以下の加工温度を有するテルル酸塩接合ガラス |
KR20190036855A (ko) * | 2017-09-28 | 2019-04-05 | 울산대학교 산학협력단 | 초고속 자동 불꽃 합성법을 이용한 전극 재료의 제조방법 |
JP2019127404A (ja) * | 2018-01-23 | 2019-08-01 | Agc株式会社 | ガラス、ガラスの製造方法、導電ペーストおよび太陽電池 |
JP2020196655A (ja) * | 2019-06-05 | 2020-12-10 | 日本電気硝子株式会社 | 粉末材料及び粉末材料ペースト |
Families Citing this family (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9171972B2 (en) * | 2012-01-30 | 2015-10-27 | Kyocera Corporation | Method for producing photoelectric converter and phtotelectric converter |
BR102013009357A2 (pt) * | 2012-04-17 | 2015-06-23 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Sistema de reação inorgânica para uma pasta eletrocondutora, composição de pasta eletrocondutora, célula solar |
KR20150028811A (ko) * | 2012-06-12 | 2015-03-16 | 헤레우스 프레셔스 메탈즈 노스 아메리카 콘쇼호켄 엘엘씨 | 접착 강화제를 가진 전기전도성 페이스트 |
US8900488B2 (en) * | 2012-09-06 | 2014-12-02 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
US10069021B2 (en) * | 2012-10-12 | 2018-09-04 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Electro-conductive pastes with salts with an anion consisting of halogen and oxygen in solar cell applications |
KR101557536B1 (ko) * | 2012-12-21 | 2015-10-06 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
KR101802546B1 (ko) * | 2012-12-29 | 2017-11-30 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
TWM512217U (zh) | 2013-06-20 | 2015-11-11 | Plant PV | 太陽能電池 |
EP2851906A1 (en) * | 2013-09-23 | 2015-03-25 | Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG | Electro-conductive paste comprising silver particles with silver oxide and organic additive |
EP2853567A1 (en) * | 2013-09-27 | 2015-04-01 | Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG | Solar cells produced from high ohmic wafers and paste comprising Ag metal-oxide additive |
CN104575661B (zh) * | 2013-10-25 | 2017-09-12 | 硕禾电子材料股份有限公司 | 一种导电浆及其制造方法 |
WO2015076157A1 (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 導電性組成物の製造方法 |
US9793025B2 (en) * | 2013-12-03 | 2017-10-17 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
US9039937B1 (en) * | 2013-12-17 | 2015-05-26 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for solar cell electrodes and electrode fabricated using the same |
JP5903424B2 (ja) * | 2013-12-21 | 2016-04-13 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池用導電性ペースト組成物およびその製造方法 |
KR101696968B1 (ko) * | 2014-01-09 | 2017-01-16 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
JP6046753B2 (ja) * | 2014-01-17 | 2016-12-21 | ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー | 改良された接着特性を有する鉛−ビスマス−テルル−ケイ酸塩無機反応系 |
EP2905787A1 (en) * | 2014-02-07 | 2015-08-12 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Electro-conductive paste comprising an aliphatic mono-alcohol |
EP2913140B1 (en) * | 2014-02-26 | 2018-01-03 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC | Molybdenum-containing glass frit for electroconductive paste composition |
EP2913139B1 (en) | 2014-02-26 | 2019-04-03 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC | A glass comprising molybdenum and lead in a solar cell paste |
EP2913313A1 (en) * | 2014-02-26 | 2015-09-02 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC | Tungsten-containing glass frit for electroconductive paste composition |
ES2694125T3 (es) * | 2014-02-26 | 2018-12-18 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Un vidrio que comprende wolframio y plomo en una pasta de célula solar |
EP2921533A1 (en) | 2014-03-20 | 2015-09-23 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC | Inorganic oxide particles having organic coating |
KR101452962B1 (ko) * | 2014-04-15 | 2014-10-23 | 덕산하이메탈(주) | 전도성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
KR101452961B1 (ko) * | 2014-04-15 | 2014-10-23 | 덕산하이메탈(주) | 전도성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
KR101489427B1 (ko) * | 2014-04-15 | 2015-02-05 | 덕산하이메탈(주) | 전도성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
KR101452966B1 (ko) * | 2014-04-15 | 2014-10-23 | 덕산하이메탈(주) | 전도성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
JP6201190B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2017-09-27 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜導体形成用組成物及びそれを用いて得られる厚膜導体 |
CN105097067B (zh) | 2014-05-15 | 2017-11-14 | 三星Sdi株式会社 | 用于形成太阳电池电极的组合物及使用其制备的电极 |
KR20150132804A (ko) * | 2014-05-15 | 2015-11-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
KR101600874B1 (ko) * | 2014-05-16 | 2016-03-09 | 덕산하이메탈(주) | 은 페이스트 조성물 및 이를 이용하여 제조된 태양전지 |
KR101731674B1 (ko) * | 2014-06-20 | 2017-05-02 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
KR101737172B1 (ko) | 2014-07-17 | 2017-05-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
EP3172738A4 (en) * | 2014-07-21 | 2018-03-07 | Sun Chemical Corporation | A silver paste containing organobismuth compounds and its use in solar cells |
KR20160035700A (ko) * | 2014-09-23 | 2016-04-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고면저항 기판상에 형성된 전극을 포함하는 태양전지 |
CN104402227B (zh) * | 2014-10-22 | 2017-04-05 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 高温粘结剂及其制备方法 |
KR20160082468A (ko) * | 2014-12-31 | 2016-07-08 | 헤레우스 프레셔스 메탈즈 노스 아메리카 콘쇼호켄 엘엘씨 | 전기전도성 페이스트 조성물용 유리 조성물 |
US10636540B2 (en) * | 2015-03-27 | 2020-04-28 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Electro-conductive pastes comprising an oxide additive |
JP6804199B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2020-12-23 | アートビーム株式会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
CN104979035B (zh) * | 2015-06-26 | 2017-05-03 | 武汉优乐光电科技有限公司 | 一种无铅复合玻璃粘结剂太阳能电池正银浆料 |
US10550291B2 (en) | 2015-08-25 | 2020-02-04 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Core-shell, oxidation-resistant, electrically conducting particles for low temperature conductive applications |
US10418497B2 (en) * | 2015-08-26 | 2019-09-17 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Silver-bismuth non-contact metallization pastes for silicon solar cells |
JP2017059578A (ja) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | 農工大ティー・エル・オー株式会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
GB201520077D0 (en) | 2015-11-13 | 2015-12-30 | Johnson Matthey Plc | Conductive track or coating |
US10233338B2 (en) | 2015-11-24 | 2019-03-19 | PLANT PV, Inc. | Fired multilayer stacks for use in integrated circuits and solar cells |
KR101859017B1 (ko) | 2015-12-02 | 2018-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전극 형성 방법, 이로부터 제조된 전극 및 태양 전지 |
GB201601034D0 (en) * | 2016-01-20 | 2016-03-02 | Johnson Matthey Plc | Conductive paste,electrode and solar cell |
CN107134304A (zh) * | 2016-02-29 | 2017-09-05 | 致嘉科技股份有限公司 | 用于太阳能电池制备过程的导电银浆 |
US20170291846A1 (en) * | 2016-04-07 | 2017-10-12 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Halogenide containing glasses in metallization pastes for silicon solar cells |
US10134925B2 (en) | 2016-04-13 | 2018-11-20 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
CN109071322B (zh) * | 2016-04-21 | 2021-04-30 | 日本山村硝子株式会社 | 无铅低熔点组合物、密封材料、导电用材料以及电子部件 |
JP7278023B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2023-05-19 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 接合用の導電性ペースト |
KR102040302B1 (ko) * | 2017-08-24 | 2019-11-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
WO2019041455A1 (zh) * | 2017-08-31 | 2019-03-07 | 无锡帝科电子材料股份有限公司 | 用于制备太阳能电池电极的玻璃粉料、包括其的糊剂组合物、太阳能电池电极及太阳能电池 |
US10040717B1 (en) * | 2017-09-18 | 2018-08-07 | Jiangxi Jiayin Science and Technology, Ltd. | Thick-film paste with multiple discrete frits and methods for contacting crystalline silicon solar cell emitter surfaces |
US10804003B2 (en) * | 2017-10-03 | 2020-10-13 | Shoei Chemical Inc. | Conductive paste for forming solar cell electrode |
GB201804472D0 (en) * | 2018-03-21 | 2018-05-02 | Johnson Matthey Plc | Condutive paste, method, electrode and solar cell |
CN109020244B (zh) * | 2018-07-13 | 2021-06-22 | 苏州博望新能源科技有限公司 | 背钝化晶体硅太阳能电池用正面银浆玻璃粉及其制备方法 |
CN109912196A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-06-21 | 辽宁旭日新能源科技有限公司 | 一种超薄导电玻璃的制备方法 |
CN109896743B (zh) * | 2018-10-22 | 2021-11-16 | 辽宁旭日新能源科技有限公司 | 一种导电玻璃 |
CN111302636A (zh) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 苏州晶银新材料股份有限公司 | 一种玻璃粉组合物及含有其的导电银浆和太阳能电池 |
JP7058390B2 (ja) * | 2020-07-21 | 2022-04-22 | 農工大ティー・エル・オー株式会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
CN114409248B (zh) * | 2022-01-06 | 2023-04-07 | 江苏日御光伏新材料科技有限公司 | 一种低热损的碲-锂-硅-锆体系玻璃料及其导电浆料与应用 |
CN114944238B (zh) * | 2022-07-27 | 2022-12-06 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 导电银浆用玻璃膏、导电银浆及其制备方法和太阳能电池 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02293344A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-12-04 | Natl Starch & Chem Corp | 電子的用途に使用するのに好適な低軟化点金属酸化物ガラス |
JPH04270140A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-09-25 | Johnson Matthey Inc | シーリングガラス組成物および導電性成分を含む同組成物 |
JPH0897011A (ja) * | 1994-09-26 | 1996-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化亜鉛バリスタ用電極材料 |
JP2002029780A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-29 | Central Glass Co Ltd | 透明絶縁性被膜成形用低融点ガラス |
JP2003192378A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-09 | Yamato Denshi Kk | 封着加工用無鉛低融点ガラス |
US20110232746A1 (en) * | 2010-05-04 | 2011-09-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5136351A (en) * | 1990-03-30 | 1992-08-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device with porous metal layer |
GB9015072D0 (en) | 1990-07-09 | 1990-08-29 | Cookson Group Plc | Glass composition |
JP2908067B2 (ja) * | 1991-05-09 | 1999-06-21 | キヤノン株式会社 | 太陽電池用基板および太陽電池 |
JPH05128910A (ja) * | 1991-11-07 | 1993-05-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 導体ペースト |
US5378408A (en) * | 1993-07-29 | 1995-01-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Lead-free thick film paste composition |
JP3429958B2 (ja) * | 1996-08-28 | 2003-07-28 | 三井金属鉱業株式会社 | 銀コロイド液の製造方法 |
JP3563236B2 (ja) * | 1996-09-26 | 2004-09-08 | 触媒化成工業株式会社 | 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材およびその製造方法、表示装置 |
KR100472496B1 (ko) * | 1997-07-23 | 2005-05-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투명도전성조성물,이로부터형성된투명도전막및그제조방법 |
TW505685B (en) * | 1997-09-05 | 2002-10-11 | Mitsubishi Materials Corp | Transparent conductive film and composition for forming same |
US6071437A (en) * | 1998-02-26 | 2000-06-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrically conductive composition for a solar cell |
MY125159A (en) * | 1998-09-14 | 2006-07-31 | Mitsubishi Materials Corp | Fine metal particle-dispersion solution and conductive film using the same |
JP3310234B2 (ja) * | 1999-02-25 | 2002-08-05 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置用反射板の製造方法 |
JP2002313664A (ja) * | 2001-04-10 | 2002-10-25 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 |
US6814795B2 (en) * | 2001-11-27 | 2004-11-09 | Ferro Corporation | Hot melt conductor paste composition |
EP1460644B1 (en) * | 2001-12-27 | 2007-07-25 | Fujikura Ltd. | Electroconductive composition, electroconductive coating and method for forming electroconductive coating |
TWI251018B (en) * | 2002-04-10 | 2006-03-11 | Fujikura Ltd | Electroconductive composition, electroconductive coating and method of producing the electroconductive coating |
JP4461238B2 (ja) * | 2003-04-30 | 2010-05-12 | 財団法人北九州産業学術推進機構 | 混合伝導性を有する導電性ガラス及びその製造方法 |
US7270694B2 (en) * | 2004-10-05 | 2007-09-18 | Xerox Corporation | Stabilized silver nanoparticles and their use |
JP4799881B2 (ja) * | 2004-12-27 | 2011-10-26 | 三井金属鉱業株式会社 | 導電性インク |
US8383014B2 (en) * | 2010-06-15 | 2013-02-26 | Cabot Corporation | Metal nanoparticle compositions |
US7435361B2 (en) * | 2005-04-14 | 2008-10-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
WO2007060744A1 (ja) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
WO2007080997A1 (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 銀導電膜およびその製造法 |
CN101506994B (zh) * | 2006-06-30 | 2012-12-26 | 三菱麻铁里亚尔株式会社 | 太阳能电池用电极的形成方法以及使用该电极的太阳能电池 |
US7906223B2 (en) * | 2006-09-11 | 2011-03-15 | 3M Innovative Properties Company | Permeable nanoparticle reflector |
JP5309521B2 (ja) * | 2006-10-11 | 2013-10-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 電極形成用組成物及びその製造方法並びに該組成物を用いた電極の形成方法 |
US7940447B2 (en) * | 2006-12-04 | 2011-05-10 | 3M Innovative Properties Company | Electrochromic device |
JP4885781B2 (ja) | 2007-03-30 | 2012-02-29 | 日立粉末冶金株式会社 | 導電性ペースト |
CN101828267B (zh) | 2008-08-07 | 2013-10-23 | 京都一来电子化学股份有限公司 | 太阳能电池元件的电极形成用导电性糊料及太阳能电池元件以及该太阳能电池元件的制造方法 |
US8231934B2 (en) * | 2008-11-26 | 2012-07-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste for solar cell electrode |
JP2010161331A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-07-22 | Hitachi Ltd | 電極,電極ペースト及びそれを用いた電子部品 |
US8945436B2 (en) * | 2009-03-27 | 2015-02-03 | Hitachi, Ltd. | Conductive paste and electronic part equipped with electrode wiring formed from same |
JP5418121B2 (ja) * | 2009-10-02 | 2014-02-19 | 大日本印刷株式会社 | 透明導電材 |
JP5559509B2 (ja) * | 2009-10-28 | 2014-07-23 | 昭栄化学工業株式会社 | 太陽電池電極形成用導電性ペースト |
JP5559510B2 (ja) * | 2009-10-28 | 2014-07-23 | 昭栄化学工業株式会社 | 太陽電池素子及びその製造方法 |
BR112012011551A2 (pt) * | 2009-11-16 | 2016-06-28 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | composição em pasta eletrocondutora |
CN102222705A (zh) * | 2010-04-14 | 2011-10-19 | 上海大洲电子材料有限公司 | 一种无铅环保银浆料及硅太阳能电池背面电极的形成方法 |
TW201213265A (en) | 2010-08-06 | 2012-04-01 | Du Pont | Conductive paste for a solar cell electrode |
TWI448444B (zh) * | 2010-08-11 | 2014-08-11 | Hitachi Ltd | A glass composition for an electrode, a paste for an electrode for use, and an electronic component to which the electrode is used |
CN102376379B (zh) * | 2010-08-13 | 2016-04-20 | 三星电子株式会社 | 导电糊料及包含用其形成的电极的电子器件和太阳能电池 |
CN102347094B (zh) * | 2011-07-18 | 2014-03-26 | 湖南威能新材料科技有限公司 | 一种制备晶硅太阳能电池铝背场的铝浆及其制造方法 |
US8808581B2 (en) * | 2011-08-15 | 2014-08-19 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions containing Li2RuO3 and ion-exchanged Li2RuO3 and their use in the manufacture of semiconductor devices |
TWI574280B (zh) | 2011-11-04 | 2017-03-11 | 賀利氏貴金屬北美康舍霍肯有限責任公司 | 用於導電性漿料之有機載體 |
US8845932B2 (en) * | 2012-04-26 | 2014-09-30 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick film paste containing bismuth-tellurium-oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices |
KR20140022511A (ko) * | 2012-08-13 | 2014-02-25 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극용 페이스트, 이로부터 제조된 전극 및 이를 포함하는 태양전지 |
-
2013
- 2013-04-17 US US13/864,369 patent/US9029692B2/en active Active
- 2013-04-17 US US13/864,499 patent/US9257578B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-04-17 BR BRBR102013009339-4A patent/BR102013009339A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2013-04-17 EP EP13002024.1A patent/EP2654085B1/en not_active Not-in-force
- 2013-04-17 KR KR1020130042529A patent/KR20130117345A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-04-17 SG SG2013029202A patent/SG194312A1/en unknown
- 2013-04-17 CN CN201310240178.9A patent/CN103377753B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-04-17 EP EP13002030.8A patent/EP2654087B1/en not_active Not-in-force
- 2013-04-17 TW TW102113672A patent/TWI594268B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-04-17 BR BRBR102013009361-0A patent/BR102013009361A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2013-04-17 SG SG2013029210A patent/SG194313A1/en unknown
- 2013-04-17 JP JP2013086696A patent/JP6185273B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-04-17 CN CN201310221919.9A patent/CN103377752B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-04-17 JP JP2013086712A patent/JP2014028740A/ja active Pending
- 2013-04-17 TW TW102113673A patent/TWI595510B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-04-17 KR KR1020130042527A patent/KR20130117707A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02293344A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-12-04 | Natl Starch & Chem Corp | 電子的用途に使用するのに好適な低軟化点金属酸化物ガラス |
JPH04270140A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-09-25 | Johnson Matthey Inc | シーリングガラス組成物および導電性成分を含む同組成物 |
JPH0897011A (ja) * | 1994-09-26 | 1996-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化亜鉛バリスタ用電極材料 |
JP2002029780A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-29 | Central Glass Co Ltd | 透明絶縁性被膜成形用低融点ガラス |
JP2003192378A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-09 | Yamato Denshi Kk | 封着加工用無鉛低融点ガラス |
US20110232746A1 (en) * | 2010-05-04 | 2011-09-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
US20110232747A1 (en) * | 2010-05-04 | 2011-09-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes and solar cells made therefrom |
WO2011140205A1 (en) * | 2010-05-04 | 2011-11-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes and solar cells made therefrom |
WO2011140189A1 (en) * | 2010-05-04 | 2011-11-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
WO2011140185A1 (en) * | 2010-05-04 | 2011-11-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium-titanium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
WO2011140197A1 (en) * | 2010-05-04 | 2011-11-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
WO2011140192A1 (en) * | 2010-05-04 | 2011-11-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium- oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
US20110308596A1 (en) * | 2010-05-04 | 2011-12-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium-titanium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
US20110308595A1 (en) * | 2010-05-04 | 2011-12-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
US20110308597A1 (en) * | 2010-05-04 | 2011-12-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium- oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
JP2013531863A (ja) * | 2010-05-04 | 2013-08-08 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 鉛−テルル−リチウム−酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 |
JP2013533187A (ja) * | 2010-05-04 | 2013-08-22 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 鉛−テルル−リチウム−チタン−酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 |
JP2013533188A (ja) * | 2010-05-04 | 2013-08-22 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 鉛およびテルル酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 |
JP2013534023A (ja) * | 2010-05-04 | 2013-08-29 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 鉛−テルル−ホウ素−酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014022194A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-03 | Noritake Co Ltd | Ag電極形成用ペースト組成物とその製造方法ならびに太陽電池 |
JP2014209598A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-11-06 | 昭栄化学工業株式会社 | 太陽電池素子表面電極用導電性ペースト及び太陽電池素子の製造方法 |
JP2015230995A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池受光面電極用ペースト、その製造方法、および太陽電池セル |
JP2017533164A (ja) * | 2014-10-01 | 2017-11-09 | フェロ ゲーエムベーハー | 420℃以下の加工温度を有するテルル酸塩接合ガラス |
KR20170047010A (ko) * | 2015-10-22 | 2017-05-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극과 태양전지 |
KR101940170B1 (ko) | 2015-10-22 | 2019-01-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극과 태양전지 |
KR20190036855A (ko) * | 2017-09-28 | 2019-04-05 | 울산대학교 산학협력단 | 초고속 자동 불꽃 합성법을 이용한 전극 재료의 제조방법 |
KR102015820B1 (ko) | 2017-09-28 | 2019-08-29 | 울산대학교 산학협력단 | 초고속 자동 불꽃 합성법을 이용한 전극 재료의 제조방법 |
JP2019127404A (ja) * | 2018-01-23 | 2019-08-01 | Agc株式会社 | ガラス、ガラスの製造方法、導電ペーストおよび太陽電池 |
JP2020196655A (ja) * | 2019-06-05 | 2020-12-10 | 日本電気硝子株式会社 | 粉末材料及び粉末材料ペースト |
JP7360085B2 (ja) | 2019-06-05 | 2023-10-12 | 日本電気硝子株式会社 | 粉末材料及び粉末材料ペースト |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130270489A1 (en) | 2013-10-17 |
US9257578B2 (en) | 2016-02-09 |
SG194312A1 (en) | 2013-11-29 |
TW201349257A (zh) | 2013-12-01 |
JP6185273B2 (ja) | 2017-08-23 |
US9029692B2 (en) | 2015-05-12 |
EP2654085B1 (en) | 2017-08-23 |
US20130269773A1 (en) | 2013-10-17 |
JP2014029832A (ja) | 2014-02-13 |
BR102013009361A2 (pt) | 2015-06-23 |
TW201407637A (zh) | 2014-02-16 |
CN103377753A (zh) | 2013-10-30 |
CN103377752B (zh) | 2017-06-09 |
EP2654087B1 (en) | 2018-02-14 |
EP2654087A1 (en) | 2013-10-23 |
CN103377753B (zh) | 2017-07-14 |
KR20130117345A (ko) | 2013-10-25 |
CN103377752A (zh) | 2013-10-30 |
TWI595510B (zh) | 2017-08-11 |
SG194313A1 (en) | 2013-11-29 |
TWI594268B (zh) | 2017-08-01 |
BR102013009339A2 (pt) | 2015-06-30 |
KR20130117707A (ko) | 2013-10-28 |
EP2654085A1 (en) | 2013-10-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9029692B2 (en) | Tellurium inorganic reaction systems for conductive thick film paste for solar cell contacts | |
JP6356389B2 (ja) | 太陽電池接点用導電性厚膜ペースト | |
JP6185229B2 (ja) | 電気伝導性ペースト用有機媒体 | |
KR101696985B1 (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
KR102171405B1 (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
KR101940170B1 (ko) | 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극과 태양전지 | |
CN111354803B (zh) | 用于形成太阳能电池电极的方法及太阳能电池 | |
KR102316662B1 (ko) | 태양전지 전극 형성 방법, 이로부터 제조된 태양전지 전극 및 태양전지 | |
CN109935641B (zh) | 用于形成太阳能电池电极的组成物和使用其制备的电极 | |
KR20210121342A (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물, 선택적 에미터 태양전지 전극 및 선택적 에미터 태양전지 | |
KR20210111400A (ko) | 태양 전지 | |
KR20190112543A (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
KR20200015318A (ko) | 알루미늄 산화물층을 포함하는 태양 전지의 전극 형성용 조성물, 이로부터 제조된 전극 및 이로부터 제조된 전극을 포함하는 태양 전지 | |
KR20200075682A (ko) | Dsw 기반의 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 dsw 기반의 태양전지 전극 | |
KR20190012878A (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131227 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160331 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161220 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170321 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20170519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171024 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180118 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180323 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180423 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20181002 |