JP2013536539A - クーラント流量の制御及びヒーターのデューティーサイクルの制御による部品温度制御 - Google Patents
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- 239000002826 coolant Substances 0.000 title claims abstract description 117
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 93
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 85
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 65
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 45
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 43
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 37
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 34
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 20
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 abstract description 20
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 38
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32522—Temperature
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B15/00—Systems controlled by a computer
- G05B15/02—Systems controlled by a computer electric
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32908—Utilities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/3299—Feedback systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明の実施形態は、概してプラズマ処理装置に関し、特に、プラズマ処理チャンバでワークピースの処理中に温度を制御する方法に関する。
プラズマ処理チャンバ(例えば、プラズマエッチング又はプラズマ蒸着チャンバ)内では、チャンバ部品の温度は、しばしば処理の間に制御すべき重要なパラメータである。例えば、基板ホルダー(一般にチャック又は台座と呼ばれる)の温度は、(例えば、エッチング速度を制御するために)処理レシピの間においてワークピースを様々な制御された温度に加熱/冷却するために制御することができる。同様に、シャワーヘッド/上部電極又は他の部品の温度も、処理に影響を与えるように処理レシピの間に制御することができる。従来、ヒートシンク及び/又はヒートソースは処理チャンバに結合され、チャンバ部品の温度を設定温度に制御する。通常、PID(比例−積分−微分)コントローラなどの第1コントローラは、温度制御された部品とヒートシンクの間の熱伝達のフィードバック制御のために使用され、一方、第2コントローラは、温度制御された部品とヒートソースの間の熱伝達のフィードバック制御のために使用される。第1及び第2の各コントローラは、一般的に他と分離して動作し、独自のクローズドループ制御アルゴリズムを独立して実行し、本質的に、互いに逆方向にバランスをとる2つの制御ループを提供する。一般的に、液体クーラントに基づく冷却制御ループは、常に冷却ループが制御された定常状態に留まるために、わずかのクーラント液流量(例えば、〜1GPM)で動作する。このように、クーラントライン内のクーラント液は、クーラントループ内で停滞することはできない。
Claims (15)
- チャンバ部品温度が設定温度を下回っていることを示すフィードバック信号を生成する工程と、
フィードバック信号に応答して、処理チャンバと、処理チャンバの外部のヒートシンクの間のクーラント液流量を流量ゼロに低減する工程を含む、プラズマ処理チャンバ部品の温度を制御する方法。 - チャンバがプラズマ処理レシピを実行するアクティブ状態にあるとき、処理チャンバへのプラズマ電源入力を決定する工程と、
入力されたプラズマ電源に基づくフィードバック制御信号によってクーラント液流量を制御する工程を更に含む請求項1記載の方法。 - 入力されたプラズマ電力に基づくフィードフォワード制御信号によって、チャンバ部品への加熱電源入力を制御する工程を更に含む請求項2記載の方法。
- クーラント液流量及び加熱電源入力を制御する工程は、プラズマ処理レシピ内の実行工程の第1部分の間、実行中のレシピ工程に対してプラズマ入力電力と設定温度とのキー値のペアに関連するゲイン値の第1群を適用する工程を更に含み、ゲイン値群は、少なくともフィードフォワード制御信号のゲインと、フィードバック制御信号のゲインを含む請求項3記載の方法。
- クーラント液流量及び加熱電源入力を制御する工程は、実行しているレシピ工程の第2部分の間、実行している工程と次のプラズマ処理レシピ工程の間におけるプラズマ入力電力の変化と設定温度の変化とのキー値のペアに関連する過渡的なゲイン値の群を適用する工程を更に含む請求項4記載の方法。
- 過渡的なゲイン値の群は、チャンバ部品の温度と設定温度の変化に依存する期間に対して適用される請求項5記載の方法。
- クーラント液流量及び加熱電源入力を制御する工程は、実行しているレシピ工程の第2部分の間、クーラント液流量デューティーサイクル又は加熱電源入力をルックアップテーブルから決定する工程を更に含む請求項4記載の方法。
- チャンバがアイドル状態にあるときに、閾値レベルを越えた部品温度に応答して、ルックアップテーブルの値に基づいて、液体クーラント流量を設定する工程を更に含む請求項2記載の方法。
- プラズマ電源は、ワークピースを支持するように構成されたチャックへの第1バイアス電源入力を含み、フィードフォワード制御信号は、バイアス電源入力とチャンバ部品温度の間の伝達関数を含む請求項5記載の方法。
- 処理チャンバ内に配置されたワークピースの処理中にプラズマを励起するために、処理チャンバに結合されたプラズマ電源と、
温度制御された部品へのクーラント液流量を完全に停止するクーラント液制御弁を含むクーラント液ループによってヒートシンクに結合された温度制御された部品を含む処理チャンバと、
ゼロの液体流量を含む範囲に亘ってクーラント液流量を変化させることによって、温度制御された部品とヒートシンク間の熱伝達を制御するためのクーラント液制御弁に結合された温度コントローラを含むプラズマ処理装置。 - 温度コントローラは、クーラント液制御弁の制御用のフィードフォワード制御ラインを含み、温度コントローラは、プラズマ電源に通信可能に結合され、フィードフォワード制御信号は、プラズマを励起するためのプラズマ電源入力に基づく請求項10記載の装置。
- 温度制御された部品は、ヒートソースに更に結合され、温度コントローラは、クーラント液流量によってヒートソースと温度制御された部品間の熱伝達の制御を調節することができる請求項10記載の装置。
- 温度コントローラに通信可能に結合された加熱コントローラを更に含み、加熱コントローラは、抵抗加熱素子ドライバとクーラント液制御弁に結合され、温度コントローラから受信した命令に応答して加熱電力及び冷却電力の両方を制御する請求項12記載の装置。
- 温度コントローラは、プラズマ電源に通信可能に結合され、フィードフォワード制御信号は、プラズマ電源から取得したプラズマ電源入力に基づいている請求項10記載の装置。
- フィードフォワード制御信号は、温度制御された部品のプラズマ加熱を補正することができる請求項14記載の装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US34907310P | 2010-05-27 | 2010-05-27 | |
US61/349,073 | 2010-05-27 | ||
US13/040,149 US8880227B2 (en) | 2010-05-27 | 2011-03-03 | Component temperature control by coolant flow control and heater duty cycle control |
US13/040,149 | 2011-03-03 | ||
PCT/US2011/037436 WO2011149790A2 (en) | 2010-05-27 | 2011-05-20 | Component temperature control by coolant flow control and heater duty cycle control |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013536539A true JP2013536539A (ja) | 2013-09-19 |
JP2013536539A5 JP2013536539A5 (ja) | 2014-07-24 |
Family
ID=45004685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013512105A Pending JP2013536539A (ja) | 2010-05-27 | 2011-05-20 | クーラント流量の制御及びヒーターのデューティーサイクルの制御による部品温度制御 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8880227B2 (ja) |
JP (1) | JP2013536539A (ja) |
KR (1) | KR101476727B1 (ja) |
CN (2) | CN102907181B (ja) |
TW (3) | TWI480918B (ja) |
WO (1) | WO2011149790A2 (ja) |
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CN106842966A (zh) | 2017-06-13 |
CN106842966B (zh) | 2020-07-03 |
TWI564930B (zh) | 2017-01-01 |
US9639097B2 (en) | 2017-05-02 |
TW201709256A (zh) | 2017-03-01 |
WO2011149790A2 (en) | 2011-12-01 |
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TWI480918B (zh) | 2015-04-11 |
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US20120048467A1 (en) | 2012-03-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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