JP2013516332A - ウェハ研磨装置 - Google Patents
ウェハ研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013516332A JP2013516332A JP2012547952A JP2012547952A JP2013516332A JP 2013516332 A JP2013516332 A JP 2013516332A JP 2012547952 A JP2012547952 A JP 2012547952A JP 2012547952 A JP2012547952 A JP 2012547952A JP 2013516332 A JP2013516332 A JP 2013516332A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- polishing
- roller
- polishing roller
- polishing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 202
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 154
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D13/00—Wheels having flexibly-acting working parts, e.g. buffing wheels; Mountings therefor
- B24D13/02—Wheels having flexibly-acting working parts, e.g. buffing wheels; Mountings therefor acting by their periphery
- B24D13/12—Wheels having flexibly-acting working parts, e.g. buffing wheels; Mountings therefor acting by their periphery comprising assemblies of felted or spongy material, e.g. felt, steel wool, foamed latex
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【選択図】図1
Description
Claims (20)
- ウェハ上に配置され、前記ウェハが延長される方向に延長される第1研磨ローラと、
前記ウェハ下に配置され、前記ウェハが延長される方向に延長される第2研磨ローラと、を含むウェハ研磨装置。 - 前記第1研磨ローラは、前記延長される方向の回転軸を中心に回転する請求項1に記載のウェハ研磨装置。
- 前記第1研磨ローラの外周面に配置される研磨パッドを含み、
前記研磨パッドは、前記ウェハの上面に接触する請求項1に記載のウェハ研磨装置。 - 前記ウェハに対する前記第1研磨ローラの相対位置を調整する位置調整モジュールを含む請求項1に記載のウェハ研磨装置。
- 前記ウェハに向かって前記第1研磨ローラを押す加圧調整モジュールを含む請求項1に記載のウェハ研磨装置。
- 前記第1研磨ローラの外周面には、多数の流出孔が形成される請求項1に記載のウェハ研磨装置。
- 前記第1研磨ローラの内部に空き空間が形成され、
前記空き空間の圧力変化によって、前記第1研磨ローラが膨張または収縮する請求項1に記載のウェハ研磨装置。 - 前記ウェハのエッジ部と接触して前記ウェハに回転力を伝達する回転駆動モジュールを含む請求項1に記載のウェハ研磨装置。
- ウェハの上面または下面に配置される研磨部と、
前記ウェハのエッジ部と接触して前記ウェハに回転力を伝達する回転駆動モジュールと、を含むウェハ研磨装置。 - 前記回転駆動モジュールは、外周面に沿って延長される溝を含み、
前記溝内側に前記ウェハが挿入される請求項9に記載のウェハ研磨装置。 - 前記回転駆動モジュールは、前記ウェハと接触する弾性体を含む請求項9に記載のウェハ研磨装置。
- 前記研磨部は、
前記ウェハの上面に配置される第1研磨ローラと、
前記ウェハの下面に配置される第2研磨ローラと、を含む請求項9に記載のウェハ研磨装置。 - 前記第1研磨ローラ及び前記第2研磨ローラは、前記ウェハの直径方向に延長される請求項12に記載のウェハ研磨装置。
- 前記第1研磨ローラの直径は、中央部分から端に行くほどだんだん大きくなる請求項12に記載のウェハ研磨装置。
- 前記第1研磨ローラの直径は、中央部分から端に行くほどだんだん小さくなる請求項12に記載のウェハ研磨装置。
- 前記第1研磨ローラの形状を変形させるローラ形状変更部を含む請求項12に記載のウェハ研磨装置。
- 前記回転駆動モジュールを移動させる移動モジュールを含む請求項9に記載のウェハ研磨装置。
- 第1ウェハ上に配置される第1研磨ローラと、
前記第1ウェハ及び前記第1ウェハに対向する第2ウェハの間に配置される第2研磨ローラと、
前記第2ウェハの下に配置される第3研磨ローラと、を含むウェハ研磨装置。 - 前記第1ウェハ及び前記第2ウェハを回転させる回転駆動モジュールと、
前記第1研磨ローラ、前記第2研磨ローラ及び前記第3研磨ローラを支持する加圧調整モジュールと、を含む請求項18に記載のウェハ研磨装置。 - 前記第1ウェハ及び前記第1ウェハの隣に配置される第3ウェハの間に配置され、前記第1ウェハ及び前記第3ウェハを回転させる回転駆動モジュールを含む請求項18に記載のウェハ研磨装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2010-0002311 | 2010-01-11 | ||
KR1020100002311A KR101164101B1 (ko) | 2010-01-11 | 2010-01-11 | 롤러 구조를 이용한 양면 연마 장치 |
PCT/KR2011/000034 WO2011083953A2 (en) | 2010-01-11 | 2011-01-05 | Wafer polishing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013516332A true JP2013516332A (ja) | 2013-05-13 |
JP5486095B2 JP5486095B2 (ja) | 2014-05-07 |
Family
ID=44259739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012547952A Expired - Fee Related JP5486095B2 (ja) | 2010-01-11 | 2011-01-05 | ウェハ研磨装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8915770B2 (ja) |
EP (1) | EP2504126B1 (ja) |
JP (1) | JP5486095B2 (ja) |
KR (1) | KR101164101B1 (ja) |
WO (1) | WO2011083953A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150067953A (ko) * | 2013-12-11 | 2015-06-19 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103056760B (zh) * | 2012-12-24 | 2015-04-08 | 浙江奥龙汽车配件有限公司 | 一种四面砂光机 |
US10269555B2 (en) * | 2015-09-30 | 2019-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Post-CMP cleaning and apparatus |
JP6974067B2 (ja) * | 2017-08-17 | 2021-12-01 | 株式会社荏原製作所 | 基板を研磨する方法および装置 |
CN112405332A (zh) * | 2020-10-21 | 2021-02-26 | 湖州华通研磨制造有限公司 | 一种高效多维度研磨装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10235556A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-08 | Hamai Sangyo Kk | 両面研磨機 |
JPH1190801A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-06 | Toyo Advanced Technologies Co Ltd | ウェハの両面加工方法及び装置 |
JP2000108022A (ja) * | 1998-08-06 | 2000-04-18 | Systemseiko Co Ltd | 表面処理方法および装置 |
JP2000317820A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-21 | Systemseiko Co Ltd | 研磨方法および研磨装置 |
JP2001030158A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-06 | Sony Corp | 基板の研磨装置および基板の研磨方法 |
JP2009285774A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Showa Denko Kk | 表面加工方法及び装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US294766A (en) * | 1884-03-11 | Abrading-machine | ||
US5501629A (en) * | 1992-09-10 | 1996-03-26 | Fujitsu Limited | Buffing apparatus suitable to buff thin plate work and controlling method for the apparatus |
JPH06126611A (ja) | 1992-10-16 | 1994-05-10 | Fujitsu Ltd | バフ研磨装置の制御方法 |
US5351447A (en) * | 1993-01-08 | 1994-10-04 | Grauert Robert J | Inflatable sanding drum |
WO1996040473A1 (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-19 | Clover Richmond B | Vertically stacked planarization machine |
JP3587283B2 (ja) * | 1996-07-15 | 2004-11-10 | 株式会社スーパーシリコン研究所 | ウェーハの両面ラップ方法及び装置 |
JPH10113856A (ja) | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 鋼帯表裏面研削用ブラシ装置 |
TW358764B (en) * | 1997-07-07 | 1999-05-21 | Super Silicon Crystal Res Inst | A method of double-side lapping a wafer and an apparatus therefor |
US6235635B1 (en) * | 1998-11-19 | 2001-05-22 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Linear CMP tool design using in-situ slurry distribution and concurrent pad conditioning |
US6692339B1 (en) * | 1999-11-05 | 2004-02-17 | Strasbaugh | Combined chemical mechanical planarization and cleaning |
US6622334B1 (en) * | 2000-03-29 | 2003-09-23 | International Business Machines Corporation | Wafer edge cleaning utilizing polish pad material |
US6328640B1 (en) * | 2000-03-31 | 2001-12-11 | Lam Research Corporation | Wafer preparation apparatus including rotatable wafer preparation assemblies |
JP2001353648A (ja) * | 2000-06-16 | 2001-12-25 | Inst Of Physical & Chemical Res | 大口径工作物のelid鏡面研削装置及び方法 |
US6685547B2 (en) * | 2000-07-10 | 2004-02-03 | Peter Boman | Pneumatic sanding roll for flexible abrasive cloth sleeve |
US7077731B1 (en) * | 2003-12-22 | 2006-07-18 | Lam Research Corporation | Chemical mechanical planarization (CMP) system and method for preparing a wafer in a cleaning module |
US7938130B2 (en) * | 2006-03-31 | 2011-05-10 | Ebara Corporation | Substrate holding rotating mechanism, and substrate processing apparatus |
-
2010
- 2010-01-11 KR KR1020100002311A patent/KR101164101B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-01-05 JP JP2012547952A patent/JP5486095B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-01-05 EP EP11731891.5A patent/EP2504126B1/en active Active
- 2011-01-05 WO PCT/KR2011/000034 patent/WO2011083953A2/en active Application Filing
- 2011-01-11 US US13/004,873 patent/US8915770B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10235556A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-08 | Hamai Sangyo Kk | 両面研磨機 |
JPH1190801A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-06 | Toyo Advanced Technologies Co Ltd | ウェハの両面加工方法及び装置 |
JP2000108022A (ja) * | 1998-08-06 | 2000-04-18 | Systemseiko Co Ltd | 表面処理方法および装置 |
JP2000317820A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-21 | Systemseiko Co Ltd | 研磨方法および研磨装置 |
JP2001030158A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-06 | Sony Corp | 基板の研磨装置および基板の研磨方法 |
JP2009285774A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Showa Denko Kk | 表面加工方法及び装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150067953A (ko) * | 2013-12-11 | 2015-06-19 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치 |
KR102144847B1 (ko) * | 2013-12-11 | 2020-08-14 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110171886A1 (en) | 2011-07-14 |
WO2011083953A2 (en) | 2011-07-14 |
WO2011083953A3 (en) | 2011-12-15 |
EP2504126A4 (en) | 2016-08-24 |
US8915770B2 (en) | 2014-12-23 |
KR20110082360A (ko) | 2011-07-19 |
EP2504126B1 (en) | 2020-05-20 |
JP5486095B2 (ja) | 2014-05-07 |
EP2504126A2 (en) | 2012-10-03 |
KR101164101B1 (ko) | 2012-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5627685B2 (ja) | 両面研磨装置及びそのためのキャリア | |
JP5486095B2 (ja) | ウェハ研磨装置 | |
JP4343020B2 (ja) | 両面研磨方法及び装置 | |
JP5826306B2 (ja) | 半導体ウエハの同時両面研磨用の研磨パッドを調節する方法 | |
JP2000015557A (ja) | 研磨装置 | |
CN105538110B (zh) | 一种用于基片加工的研磨与抛光两用柔性加工装置 | |
WO2010150757A1 (ja) | ガラスディスク研磨装置及びガラスディスク研磨方法 | |
JP3595011B2 (ja) | 研磨制御を改善した化学的機械的研磨装置 | |
CN102458766B (zh) | 板状体的研磨方法 | |
KR102039771B1 (ko) | 압판 평행관계가 제어되는 양면 연마기 | |
JP5674145B2 (ja) | 片面研磨装置 | |
JP5511343B2 (ja) | 研磨装置 | |
JP3354137B2 (ja) | ウェーハの研磨装置 | |
WO2023197237A1 (zh) | 研磨台、研磨头、研磨设备及研磨方法 | |
KR100901019B1 (ko) | 양면 연마기 및 이를 이용한 연마 방법 | |
CN109551360B (zh) | 抛光垫的修整方法、修整装置、抛光垫及双面抛光装置 | |
KR100826590B1 (ko) | 화학적 기계적 연마장치 | |
JP5411648B2 (ja) | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランク用基板の製造装置、マスクブランクの製造方法、及び転写用マスクの製造方法 | |
CN114871941B (zh) | 一种抛光头及抛光机 | |
JP2008036770A (ja) | 両面研磨装置 | |
KR101575586B1 (ko) | 양면 연마장치 | |
JP2009196012A (ja) | 両面研磨装置 | |
JP2014200868A (ja) | 研磨装置 | |
KR20110073846A (ko) | 래핑장치용 싱글 캐리어 및 이를 이용한 래핑 장치 | |
JP2005153118A (ja) | 研磨装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130903 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5486095 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |