JP2013500580A - 半導体モジュール及び放熱部材 - Google Patents

半導体モジュール及び放熱部材 Download PDF

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Abstract

半導体モジュールに用いられる放熱部材の特性向上を図る。
アルミニウムを含むアルミニウム系部材２０と、銅を含み、アルミニウム系部材２０に埋設され、側面をアルミニウム系部材２０によって囲繞された銅系部材３０とを含む放熱部材１０Ａを形成する。この放熱部材１０Ａに半導体素子を熱的に接合し、半導体モジュールを形成する。放熱部材１０Ａを、アルミニウム系部材２０と銅系部材３０とを含む構成とすることにより、一定の放熱性を確保しつつ、その軽量化を図る。更に、銅系部材３０をアルミニウム系部材２０で囲繞することにより、放熱部材１０Ａの高強度化を図る。

Description

本発明は、半導体素子を備える半導体モジュール、及び半導体モジュールが備える半導体素子の冷却に用いる放熱部材に関する。
動作時に発熱する半導体素子を冷却する技術の１つとして、フィンを設けた放熱部材（ヒートシンク）を用いる技術が知られている。半導体素子を、そのような放熱部材と熱的に接続し、半導体モジュールが構成される。放熱部材には、従来、熱伝導性の良好な銅、アルミニウムといった金属材料が広く用いられている。
銅を主体とする放熱部材は、高い放熱効率が得られるが、全体の重量が重くなり、コストも高くなる。そのため、銅を用いた部材を、コストや加工性の面で有利なアルミニウムを用いた部材と一体化した、複合型の放熱部材も提案されている。
特開平９−２９８２５９号公報 特開２００２−１８４９２２号公報
しかし、複合型の放熱部材では、アルミニウムを用いた部材への銅を用いた部材の接続場所によっては、放熱部材、更にはそれを用いた半導体モジュールの大型化を招いたり、部材間の接続強度を確保することができなかったりする場合があった。
本発明の一観点によれば、アルミニウムを含む第１部材と、銅を含み、第１部材に埋設され、側面を第１部材で囲繞された第２部材とを有する放熱部材、及び、そのような放熱部材に熱的に接続された半導体素子を備える半導体モジュールが提供される。
本発明に係る放熱部材によれば、軽量性と放熱性を確保しつつ、高強度化を図ることが可能になる。このような放熱部材を半導体モジュールに用いることにより、半導体素子を安定的に冷却することが可能になる。
本発明の上記および他の目的、特徴および利点は本発明の例として好ましい実施の形態を表す添付の図面と関連した以下の説明により明らかになるであろう。
第１の実施の形態に係る放熱部材の一例を示す図である。 フィン形状の一例を示す図である。 放熱部材の形成方法の一例を示す図である。 半導体デバイスの一例を示す図である。 第１の実施の形態に係る半導体モジュールの形成方法の一例を示す図である。 第１の実施の形態に係る放熱部材の第１変形例を示す図である。 第１の実施の形態に係る放熱部材の第２変形例を示す図である。 第１の実施の形態に係る放熱部材の第３変形例を示す図である。 第１の実施の形態に係る放熱部材の第４変形例を示す図である。 第２の実施の形態に係る放熱部材の一例を示す図である。 第２の実施の形態に係る半導体モジュールの形成方法の一例を示す図である。 第２の実施の形態に係る放熱部材の変形例を示す図である。 第３の実施の形態に係る放熱部材の一例を示す図である。 第３の実施の形態に係る半導体モジュールの形成方法の一例を示す図である。 第３の実施の形態に係る放熱部材の変形例を示す図である。 第４の実施の形態に係る放熱部材の一例を示す図である。 第４の実施の形態に係る半導体モジュールの形成方法の一例を示す図である。 第４の実施の形態に係る放熱部材の変形例を示す図である。 第５の実施の形態に係る放熱部材の一例を示す図である。 第５の実施の形態に係る半導体モジュールの形成方法の一例を示す図である。 第５の実施の形態に係る放熱部材の変形例を示す図（その１）である。 第５の実施の形態に係る放熱部材の変形例を示す図（その２）である。 第６の実施の形態に係る放熱部材の一例を示す図である。 第６の実施の形態に係る半導体モジュールの形成方法の一例を示す図である。 第６の実施の形態に係る放熱部材の変形例を示す図（その１）である。 第６の実施の形態に係る放熱部材の変形例を示す図（その２）である。
まず、第１の実施の形態について説明する。
図１は第１の実施の形態に係る放熱部材の一例を示す図であって、（Ａ）は一方の主面側から見た平面模式図、（Ｂ）は他方の主面側から見た平面模式図、（Ｃ）は（Ａ）のＬ１−Ｌ１矢視断面模式図である。
図１に示す放熱部材１０Ａは、板状のベース部２１の一面に複数のフィン２２が配設されたアルミニウム系部材２０と、このアルミニウム系部材２０のベース部２１のフィン２２配設面側と反対の面側に埋設された銅系部材３０とを有している。
アルミニウム系部材２０のベース部２１及びフィン２２は、アルミニウム又はアルミニウム合金を用いて形成されている。このアルミニウム系部材２０に埋設される銅系部材３０は、銅又は銅合金を用いて形成されている。尚、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金には、金属或いは非金属等の不純物が一定量含有されているようなものも含まれるものとする。
アルミニウム系部材２０のベース部２１に配設されるフィン２２は、例えば、図１（Ｂ）に示すような波板状とすることができ、このような波板状のフィン２２が、アルミニウム系部材２０のベース部２１表面の所定領域に列設されている。尚、ここでは波板状のフィン２２を例示したが、図２に示すような板状フィン２２ａ（同図（Ａ））、ピン状フィン２２ｂ（同図（Ｂ））、千鳥状フィン２２ｃ（同図（Ｃ））、コルゲートフィン２２ｄ（同図（Ｄ）；ピッチｐ，高さｈ）等を用いることもできる。また、ここでは、フィン２２を、銅系部材３０の埋設領域に対応させて配設するようにしたが、隣接する銅系部材３０の埋設領域に跨って配設することができるほか、銅系部材３０の埋設領域に関わらずベース部２１上に配設することもできる。
このように放熱部材１０Ａは、アルミニウムを含むアルミニウム系部材２０と、銅を含む銅系部材３０とを一体化した、所謂複合型放熱部材として構成されている。
ここでは一例として、４枚の平板状の銅系部材３０が、アルミニウム系部材２０の異なる４箇所に、平面的に縦横に２枚ずつ並べて、埋設されている場合を示している。各銅系部材３０は、その一主面が露出する状態で、アルミニウム系部材２０に埋設されている。アルミニウム系部材２０から露出する銅系部材３０の表面Ｓａと、銅系部材３０が埋設されている側のアルミニウム系部材２０（ベース部２１）の表面（端面）Ｓｂとは、ここでは同じ高さ、即ち面一になっている。アルミニウム系部材２０に埋設された銅系部材３０は、露出する表面Ｓａを除いた表面（表面Ｓａと反対側の主面、及び側面）が、アルミニウム系部材２０のベース部２１と接触した状態になっている。
このように、銅系部材３０は、その全ての側面がアルミニウム系部材２０によって囲繞された状態になっている。そのため、この放熱部材１０Ａは、銅を用いた部材を、その全ての側面或いはその側面の一部を露出させた状態で、アルミニウムを用いた部材と接合した複合型放熱部材に比べ、アルミニウム系部材２０に銅系部材３０がより強固に保持された構造になっている。
また、この放熱部材１０Ａは、銅系部材３０がアルミニウム系部材２０に埋設されるため、放熱部材１０Ａを薄く構成することができる。そのため、放熱部材１０Ａ自体、及びこの放熱部材１０Ａを半導体デバイスと熱的に接続して構成される半導体モジュールの小型化を図ることができる。
また、この放熱部材１０Ａは、アルミニウム系部材２０と銅系部材３０を用いているため、全体をアルミニウムやアルミニウム合金で構成した場合に比べ、高い熱伝導性、放熱性を確保することができる。そのため、放熱部材を大型化して放熱性を確保したり、放熱部材と熱的に接続する半導体デバイスの平面サイズを大きくして伝熱面積を増加させることによって放熱性を確保したりすることが不要になる。更に、この放熱部材１０Ａは、全体を銅や銅合金で構成した場合に比べ、軽量化が図られている。
このように、放熱部材１０Ａでは、アルミニウム系部材２０と銅系部材３０を用いることにより、一定の放熱性を確保しつつ、軽量化、小型化、高強度化が図られている。
上記構成を有する放熱部材１０Ａは、例えば、ダイキャストにより形成することができる。
図３は放熱部材の形成方法の一例を示す図である。
放熱部材１０Ａの形成では、まず、銅又は銅合金を含む、４枚の所定サイズ（平面サイズ、厚さ）の平板状の銅系部材３０を用意し、それらを、アルミニウム系部材２０形成用の金型１００（上型１０１、下型１０２）内の所定位置に配置する。
用いる金型１００は、例えば図３に示すように、アルミニウム系部材２０のベース部２１及びフィン２２の形状に合わせて、予め形成しておく。銅系部材３０は、金型１００の下型１０２上に載置され、上から上型１０１で覆われる。金型１００内に配置する銅系部材３０の位置は、例えば、形成する放熱部材１０Ａと熱的に接続する半導体デバイスの配置を基に設定する。
金型１００内に銅系部材３０を配置した後は、その金型１００内に、溶融状態のアルミニウム又はアルミニウム合金を含む材料を圧入する。これにより、上記のように、ベース部２１の一方の面側に複数のフィン２２が突設され、他方の面（端面Ｓｂ）側に４枚の銅系部材３０が突出せずに埋設された、放熱部材１０Ａの基本構造が形成される。その後は、金型１００から取り出し、生じたバリ部分をプレス加工等で除去する。
放熱部材１０Ａを、このような方法を用いて形成すると、アルミニウム系部材２０と銅系部材３０を、はんだやコンパウンド等の接合材料を別途用いることなく、容易に、しかも強固に、一体化することができる。
尚、放熱部材１０Ａの形成方法は、これに限定されるものではない。例えば、アルミニウム系部材２０のベース部２１と、銅系部材３０とは、上記のようなダイキャストにより一体形成し、その後、ベース部２１の銅系部材３０が埋設されている側（端面Ｓｂ側）と反対側の面に、複数のフィン２２を、溶接や拡散接合等の手法を用いて接合するようにしてもよい。
続いて、上記構成を有する放熱部材１０Ａを用いた半導体モジュールの構成例について説明する。放熱部材１０Ａには、例えば、次の図４に示すような、少なくとも１つの半導体素子を含む半導体デバイスが、熱的に接続される。
図４は半導体デバイスの一例を示す図であって、（Ａ）は平面模式図、（Ｂ）は（Ａ）のＬ４−Ｌ４矢視断面模式図である。
図４に示す半導体デバイス４０は、基板４１上に、２種類の半導体素子４２，４３が２個ずつ、計４個搭載された構成を有している。基板４１は、絶縁基板４１ａの両面に、導体パターン４１ｂ，４１ｃが形成された構成とされている。
基板４１の絶縁基板４１ａには、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム等のセラミック基板を用いることができる。絶縁基板４１ａ上の導体パターン４１ｂ，４１ｃは、銅等の金属（例えば、銅箔）を用いて形成することができる。
このような基板４１上に搭載する半導体素子４２，４３として、ここではパワー半導体を用いる。例えば、一方の半導体素子４２を、フリーホイールダイオード（Free Wheeling Diode；ＦＷＤ）とし、他方の半導体素子４３を、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor；ＩＧＢＴ）とする。
半導体素子４２，４３は、はんだ等の接合層４４を用いて基板４１の導体パターン４１ｂ側に接合され、その導体パターン４１ｂに直接或いはワイヤ（図示せず）を介して電気的に接続される。
このような構成を有する半導体デバイス４０が、少なくとも１つ、上記放熱部材１０Ａと熱的に接合されることで、半導体モジュールが構成される。
図５は第１の実施の形態に係る半導体モジュールの形成方法の一例を示す図であって、（Ａ）は接合前の状態を示す図、（Ｂ）は接合後の状態を示す図である。
半導体デバイス４０は、図５（Ａ）に示すように、半導体素子４２，４３が搭載されている面側と反対の面側、即ち導体パターン４１ｃ側で、はんだ等の接合層４５を介して、放熱部材１０Ａに接合される。
この接合の際、半導体デバイス４０は、放熱部材１０Ａの、アルミニウム系部材２０に埋設されている銅系部材３０の露出する表面Ｓａ上に、接合層４５を介して接合される。ここでは、４箇所の銅系部材３０の露出する表面Ｓａ上にそれぞれ、接合層４５を介して、半導体デバイス４０を接合する。これにより、放熱部材１０Ａの各銅系部材３０の上に、半導体デバイス４０がそれぞれ接合された、半導体モジュール５０Ａが形成される。このとき、半導体デバイス４０と放熱部材１０Ａとは、熱的に接続された状態になっている。
尚、導体パターン４１ｂ，４１ｃの露出表面や、半導体素子４２，４３と導体パターン４１ｂとを電気的に接続するワイヤ表面には、ニッケルめっき等により、それらの表面を汚れ、腐食、外力等から保護するための保護層を形成するようにしてもよい。
上記のような半導体モジュール５０Ａにおいて、半導体デバイス４０の半導体素子４２，４３で発生した熱は、例えば、放熱部材１０Ａへと伝熱され、そこから外部へと放熱される。その場合、例えば、半導体素子４２，４３で発生した熱は、半導体デバイス４０の下方にある銅系部材３０へ伝わり、更に、その周りを覆っているアルミニウム系部材２０（ベース部２１、フィン２２）へと伝わって、外部に放熱される。これにより、半導体素子４２，４３の過度な温度上昇が抑えられ、半導体素子４２，４３の破壊や暴走が抑えられるようになる。尚、半導体素子４２，４３で発生した熱の放熱経路は、勿論、これに限定されるものではない。
上記の半導体モジュール５０Ａでは、アルミニウム系部材２０の４箇所に埋設された銅系部材３０の露出する表面Ｓａ上に、それぞれ半導体デバイス４０を接合している。放熱部材１０Ａを形成するにあたっては、半導体モジュール５０Ａに用いる半導体デバイス４０の個数及び配置に基づき、銅系部材３０の個数及び配置を設定する。更に、半導体モジュール５０Ａに用いる半導体デバイス４０の大きさ（平面サイズ）に基づき、銅系部材３０の大きさ（平面サイズ）を設定する。
例えば、上記のように４個の半導体デバイス４０を含む半導体モジュール５０Ａの場合、放熱部材１０Ａには、アルミニウム系部材２０に４枚の銅系部材３０を、配置・配線レイアウト等で規定されるそれら４個の半導体デバイス４０の位置に対応させて埋設したものを用いる。尚、上記例示したダイキャストによる放熱部材１０Ａの形成では、このような銅系部材３０と半導体デバイス４０との位置関係に基づき、金型１００内に銅系部材３０を配置するようにすればよい。
各銅系部材３０の平面サイズは、例えば、その上に接合される半導体デバイス４０の平面サイズ（例えば、基板４１の平面サイズ）と同じか、或いはそれより大きい平面サイズとする。その際、４枚の銅系部材３０の平面サイズは、必ずしも一致していることを要しない。尚、各銅系部材３０の平面サイズの上限は、アルミニウム系部材２０の平面サイズ、アルミニウム系部材２０に埋設される他の銅系部材３０の平面サイズ等によって規定される。
以上、放熱部材１０Ａを用いた半導体モジュール５０Ａについて述べたが、このような半導体モジュール５０Ａでは、半導体素子４２，４３の発熱に伴い、放熱部材１０Ａ及び半導体デバイス４０に、熱膨張及び熱収縮が発生する。その際、アルミニウム及び銅を含む放熱部材１０Ａと、セラミック等の絶縁基板４１ａを含む半導体デバイス４０の、構成材料の線膨張係数に起因した熱膨張及び熱収縮の程度の違いから、放熱部材１０Ａに反りを発生させるような力が働く場合がある。
しかし、この放熱部材１０Ａは、銅系部材３０がその側面を全周にわたってアルミニウム系部材２０で囲繞されている。そのため、放熱部材１０Ａに反りを発生させるような力が働いた場合にも、銅系部材３０は、アルミニウム系部材２０に強固に保持され、アルミニウム系部材２０から分離してしまうといった事態を回避することができる。
例えば、平板状の銅系部材を、単にアルミニウム系部材の上に接合した放熱部材や、平板状の銅系部材を、その対向する一対の側面を露出させた状態で、アルミニウム系部材に埋設した放熱部材を想定する。これらの放熱部材では、上記のような反りを発生させるような力が働いた場合、銅系部材の全側面或いは側面の一部が露出してアルミニウム系部材で保持されていないために、反りの発生と共に銅系部材がアルミニウム系部材から分離してしまうことが起こり得る。
上記放熱部材１０Ａでは、銅系部材３０の側面をアルミニウム系部材２０で囲繞することにより、それらの分離を効果的に抑制することができる。その結果、放熱部材１０Ａを用いた半導体モジュール５０Ａを、長期にわたって安定に動作させることが可能になる。
また、以上述べた放熱部材１０Ａは、次の図６〜図９に示すような構成とすることもできる。
図６は第１の実施の形態に係る放熱部材の第１変形例を示す図である。
この図６に示す放熱部材１０Ａａには、縁部に段差３１が設けられた銅系部材３０ａが用いられている。段差３１は、アルミニウム系部材２０のベース部２１で覆われている。即ち、銅系部材３０ａの、段差３１を含む側面が、アルミニウム系部材２０で囲繞された構成となっている。銅系部材３０ａの露出する表面Ｓａと、アルミニウム系部材２０の端面Ｓｂとは、同じ高さとしている。このような構成を有する放熱部材１０Ａａは、例えば、段差３１を有する銅系部材３０ａを用意することを除き、上記同様ダイキャストを利用して形成することができる。
このような構成とすることにより、銅系部材３０ａがアルミニウム系部材２０に、より強固に保持されるようになる。そのため、アルミニウム系部材２０からの銅系部材３０ａの分離が、より効果的に抑えられるようになる。
尚、銅系部材３０ａの段差３１は、銅系部材３０ａの縁部にその全周にわたって設けることができるほか、銅系部材３０ａの縁部に、部分的に、設けることもできる。その場合は、例えば、銅系部材３０ａの縁部に、段差３１が形成された部分を、一定間隔で設けるようにしたり、銅系部材３０ａの四隅の縁部に段差３１を設けたりすることができる。
図７は第１の実施の形態に係る放熱部材の第２変形例を示す図である。
この図７に示す放熱部材１０Ａｂには、アルミニウム系部材２０と接触する面の全て或いは一部（ここでは一例として一部の表面）に、凹凸３２が設けられた銅系部材３０ｂが用いられている。銅系部材３０ｂの露出する表面Ｓａと、アルミニウム系部材２０の端面Ｓｂとは、同じ高さとしている。凹凸３２は、例えば、ブラスト加工、エッチング加工等により形成することができる。このような銅系部材３０ｂを含む放熱部材１０Ａｂは、例えば、凹凸３２を有する銅系部材３０ｂを用意することを除き、上記同様ダイキャストを利用して形成することができる。
このような構成とすることにより、銅系部材３０ｂの表面積が増加し、アルミニウム系部材２０との接触面積が増加するため、銅系部材３０ｂがアルミニウム系部材２０に、より強固に保持されるようになる。そのため、アルミニウム系部材２０からの銅系部材３０ｂの分離が、より効果的に抑えられるようになる。
尚、この図６及び図７に示したような段差３１及び凹凸３２を共に含む銅系部材を用いた放熱部材を構成することもできる。
また、以上の説明では、４枚の別個の銅系部材３０を用いる場合を例示したが、これらの銅系部材３０を連結した構成とすることもできる。
図８は第１の実施の形態に係る放熱部材の第３変形例を示す図である。
この図８に示す放熱部材１０Ａｃは、４枚の銅系部材３０が、タイバー３３によって連結された構成を有している。このようにタイバー３３で連結された銅系部材３０は、例えば、１枚の銅板からのプレス加工により形成することができる。或いは、銅系部材３０に銅や銅合金のタイバー３３を拡散接合や溶接により接続して異なる銅系部材３０間を連結することで形成することもできる（この場合、タイバー３３と銅系部材３０の厚みは、必ずしも同じであることを要しない。）。このような銅系部材３０を含む放熱部材１０Ａｃは、例えば、４枚の銅系部材３０をタイバー３３で連結したものを用意することを除き、上記同様ダイキャストを利用して形成することができる。
４枚の銅系部材３０をタイバー３３で連結しておくことにより、４枚の別個の銅系部材３０を用いる場合に比べて取り扱いが容易となり、金型１００内の適正な位置への配置も一括して容易に行うことができる。また、４枚の銅系部材３０を銅等のタイバー３３で連結しておくことにより、異なる銅系部材３０間の、タイバー３３を介した伝熱が可能になるため、放熱部材１０Ａｃ内の温度分布を均一化し、放熱効率を高めることが可能になる。
尚、この図８に示した銅系部材３０、タイバー３３、又は銅系部材３０とタイバー３３の両方に、上記図６及び図７に示したような段差３１、凹凸３２、又は段差３１と凹凸３２の両方を設けることもできる。
また、上記のように分割された銅系部材３０に替えて、より大判の１枚の銅系部材を用いるようにしてもよい。
図９は第１の実施の形態に係る放熱部材の第４変形例を示す図であって、（Ａ）は平面模式図、（Ｂ）は（Ａ）のＬ９−Ｌ９矢視断面模式図である。
この図９に示す放熱部材１０Ａｄは、アルミニウム系部材２０に、１枚の銅系部材３０ｄが埋設された構成を有している。この１枚の銅系部材３０ｄの上に、例えば、上記同様、４個の半導体デバイス４０が接合されて半導体モジュールが構成される。
このように１枚の銅系部材３０ｄを用いることにより、その取り扱い及び金型１００内への配置が容易となり、また、放熱部材１０Ａｄ内の温度分布の均一化を図ることが可能になる。
尚、この図９に示した銅系部材３０ｄに、上記図６及び図７に示したような段差３１、凹凸３２、又は段差３１と凹凸３２の両方を設けることもできる。
次に、第２の実施の形態について説明する。
図１０は第２の実施の形態に係る放熱部材の一例を示す図であって、（Ａ）は一方の主面側から見た平面模式図、（Ｂ）は他方の主面側から見た平面模式図、（Ｃ）は（Ａ）のＬ１０−Ｌ１０矢視断面模式図である。
図１０に示す放熱部材１０Ｂは、アルミニウム系部材２０（ベース部２１）のフィン２２配設面側と反対の面側であって、その端面Ｓｂより内側に、４枚の銅系部材３０が埋設された構成を有している。各銅系部材３０の縁部は、アルミニウム系部材２０（ベース部２１）によって覆われ、アルミニウム系部材２０の窪みＨに、銅系部材３０の一部の表面Ｓａが露出している。
このような構成を有する放熱部材１０Ｂは、上記放熱部材１０Ａ等と同様に、ダイキャストを利用して形成することができる。その場合は、銅系部材３０をアルミニウム系部材２０の端面Ｓｂとなる位置より高い位置で保持するような台部分（窪みＨに相当する部分）を有する下型を用いる。そして、そのような下型の台部分に銅系部材３０を載置し、上型で覆って、溶融状態のアルミニウムやアルミニウム合金を含む材料を圧入するようにすればよい。
このようにして形成される放熱部材１０Ｂに、例えば、上記図４に示した半導体デバイス４０が熱的に接合され、半導体モジュールが構成される。放熱部材１０Ｂの形成にあたっては、半導体モジュールに用いる半導体デバイス４０の個数、配置、及び大きさ（平面サイズ）に基づき、銅系部材３０の個数、配置、及び大きさ（平面サイズ）を設定する。このとき、この第２の実施の形態に係る放熱部材１０Ｂでは、アルミニウム系部材２０の端面Ｓｂより窪んだ位置に露出する、銅系部材３０の表面Ｓａの平面サイズが、そこに接合する半導体デバイス４０の平面サイズ（例えば、基板４１の平面サイズ）と同じか、或いはそれより大きい平面サイズとなるようにする。
図１１は第２の実施の形態に係る半導体モジュールの形成方法の一例を示す図であって、（Ａ）は接合前の状態を示す図、（Ｂ）は接合後の状態を示す図である。
半導体デバイス４０は、図１１（Ａ）に示すように、半導体素子４２，４３が搭載されている面側と反対の側に設けられている導体パターン４１ｃ側で、接合層４５を介して、放熱部材１０Ｂの銅系部材３０上に接合される。
この接合の際、接合層４５及び半導体デバイス４０は、アルミニウム系部材２０の端面Ｓｂより窪んだ位置に埋設された銅系部材３０の、所定平面サイズとした表面Ｓａ上に配設すればよく、それらの位置合わせを容易に且つ精度良く行うことができる。
このように銅系部材３０の露出する表面Ｓａ上に接合層４５を配設し、その接合層４５を介して半導体デバイス４０と銅系部材３０とを接合することにより、図１１（Ｂ）に示すような半導体モジュール５０Ｂが形成される。
放熱部材１０Ｂは、銅系部材３０の側面をアルミニウム系部材２０で囲繞すると共に、銅系部材３０の縁部をアルミニウム系部材２０で覆っているため、銅系部材３０がアルミニウム系部材２０に強固に保持される。そのため、銅系部材３０のアルミニウム系部材２０からの分離を効果的に抑制することができる。その結果、放熱部材１０Ｂを用いた半導体モジュール５０Ｂを、長期にわたって安定に動作させることが可能になる。
また、放熱部材１０Ｂは、次の図１２に示すような構成とすることもできる。
図１２は第２の実施の形態に係る放熱部材の変形例を示す図であって、（Ａ）は第１変形例を示す図、（Ｂ）は第２変形例を示す図である。
図１２（Ａ）に示す放熱部材１０Ｂａは、４枚の銅系部材３０がタイバー３３で連結された構成を有している。銅系部材３０の露出する表面Ｓａは、アルミニウム系部材２０の端面Ｓｂより窪んだ位置にあり、放熱部材１０Ｂａの各銅系部材３０の縁部、及びタイバー３３は、アルミニウム系部材２０によって覆われている。
また、図１２（Ｂ）に示す放熱部材１０Ｂｂは、より大判の１枚の銅系部材３０ｄがアルミニウム系部材２０に埋設された構成を有している。銅系部材３０ｄの露出する表面Ｓａは、アルミニウム系部材２０の端面Ｓｂより窪んだ位置にあり、銅系部材３０ｄの縁部、及び銅系部材３０ｄの表面Ｓａを４分割する境界部分が、アルミニウム系部材２０によって覆われている。
これらの放熱部材１０Ｂａ，１０Ｂｂによれば、銅系部材３０，３０ｄの取り扱いが容易であることに加え、放熱部材１０Ｂａ，１０Ｂｂの温度分布を均一化し、放熱効率を高めることが可能になる。
尚、上記の放熱部材１０Ｂ，１０Ｂａ，１０Ｂｂにおいて、銅系部材３０，３０ｄ及びタイバー３３には、アルミニウム系部材２０と接触する面の全て或いは一部に、上記図７と同様に凹凸３２を設けるようにしてもよい。
次に、第３の実施の形態について説明する。
図１３は第３の実施の形態に係る放熱部材の一例を示す図であって、（Ａ）は一方の主面側から見た平面模式図、（Ｂ）は他方の主面側から見た平面模式図、（Ｃ）は（Ａ）のＬ１３−Ｌ１３矢視断面模式図である。
図１３に示す放熱部材１０Ｃは、アルミニウム系部材２０のベース部２１の内部に、４枚の銅系部材３０が埋設され、それらの銅系部材３０が露出しない構成を有している。
このような構成を有する放熱部材１０Ｃは、上記放熱部材１０Ａ等と同様に、ダイキャストを利用して形成することができる。その場合は、銅系部材３０をアルミニウム系部材２０の端面Ｓｂとなる位置より高い位置で保持するような支持ピンを有する下型を用いる。そして、そのような支持ピンで銅系部材３０を保持し、上型で覆って、溶融状態のアルミニウムやアルミニウム合金を含む材料を圧入するようにすればよい。
放熱部材１０Ｃの形成にあたっては、接合する半導体デバイス４０の個数、配置、及び大きさ（平面サイズ）に基づき、銅系部材３０の個数、配置、及び大きさ（平面サイズ）を設定する。例えば、銅系部材３０の平面サイズは、接合する半導体デバイス４０の平面サイズ（例えば、基板４１の平面サイズ）と同じか、或いはそれより大きい平面サイズとなるようにする。
図１４は第３の実施の形態に係る半導体モジュールの形成方法の一例を示す図であって、（Ａ）は接合前の状態を示す図、（Ｂ）は接合後の状態を示す図である。
半導体デバイス４０は、図１４（Ａ）に示すように、その導体パターン４１ｃ側で、接合層４５を介して、放熱部材１０Ｃの上に接合される。この接合の際、接合層４５は、アルミニウム系部材２０の内部に埋設されている銅系部材３０の上方の位置に配設され、その接合層４５を介して半導体デバイス４０とアルミニウム系部材２０のベース部２１とを接合する。これにより、図１４（Ｂ）に示すような半導体モジュール５０Ｃが形成される。
放熱部材１０Ｃは、銅系部材３０がアルミニウム系部材２０の内部に埋設されて露出していないため、銅系部材３０とアルミニウム系部材２０との分離が抑えられる。その結果、放熱部材１０Ｃを用いた半導体モジュール５０Ｃを、長期にわたって安定に動作させることが可能になる。
また、放熱部材１０Ｃは、次の図１５に示すような構成とすることもできる。
図１５は第３の実施の形態に係る放熱部材の変形例を示す図であって、（Ａ）は第１変形例を示す図、（Ｂ）は第２変形例を示す図である。
図１５（Ａ）に示す放熱部材１０Ｃａは、４枚の銅系部材３０がタイバー３３で連結された構成を有している。また、図１５（Ｂ）に示す放熱部材１０Ｃｂは、より大判の１枚の銅系部材３０ｄがアルミニウム系部材２０に埋設された構成を有している。
これらの放熱部材１０Ｃａ，１０Ｃｂによれば、銅系部材３０，３０ｄの取り扱いが容易であることに加え、放熱部材１０Ｃａ，１０Ｃｂの温度分布を均一化し、放熱効率を高めることが可能になる。
尚、上記の放熱部材１０Ｃ，１０Ｃａ，１０Ｃｂにおいて、銅系部材３０，３０ｄ及びタイバー３３には、アルミニウム系部材２０と接触する面の全て或いは一部に、上記図７と同様に凹凸３２を設けるようにしてもよい。
次に、第４の実施の形態について説明する。
図１６は第４の実施の形態に係る放熱部材の一例を示す図であって、（Ａ）は一方の主面側から見た平面模式図、（Ｂ）は他方の主面側から見た平面模式図、（Ｃ）は（Ａ）のＬ１６−Ｌ１６矢視断面模式図である。
図１６に示す放熱部材１０Ｄには、ベース部６１と、そのベース部６１に配設された複数のフィン６２を有する銅系部材６０が用いられている。そして、この放熱部材１０Ｄでは、フィンを有しないアルミニウム系部材７０の内部に、４枚の銅系部材６０のベース部６１、及びフィン６２の根元部分が埋設され、フィン６２の先端部分が、アルミニウム系部材７０から突出した構成になっている。
銅系部材６０のベース部６１及びフィン６２は、銅又は銅合金を用いて形成することができる。銅系部材６０のフィン６２には、図１６（Ｂ）に示すような波板状のフィン６２のほか、上記図２に示したアルミニウム系部材２０の場合と同様に、板状フィン、ピン状フィン、千鳥状フィン、コルゲートフィン等を用いることができる。アルミニウム系部材７０は、アルミニウム又はアルミニウム合金を用いて形成することができる。
このような構成を有する放熱部材１０Ｄは、上記放熱部材１０Ａ等と同様に、ダイキャストを利用して形成することができる。その場合、ベース部６１及びフィン６２を有する銅系部材６０を予め形成しておく。銅系部材６０は、押出成形、切削加工等の手法を用いて形成することができる。このほか、板状のベース部６１に、別途形成したフィン６２を、拡散接合や溶接等の手法を用いて接合することにより形成することもできる。このようにして形成される銅系部材６０を、予め用意された所定の金型内に載置し、その中に溶融状態のアルミニウムやアルミニウム合金を含む材料を圧入する。それにより、上記のようにアルミニウム系部材７０から銅系部材６０のフィン６２を突出させた放熱部材１０Ｄを形成する。
放熱部材１０Ｄの形成にあたっては、接合する半導体デバイス４０の個数、配置、及び大きさ（平面サイズ）に基づき、銅系部材６０の個数、配置、及び大きさ（平面サイズ）を設定する。例えば、銅系部材６０の平面サイズは、接合する半導体デバイス４０の平面サイズ（例えば、基板４１の平面サイズ）と同じか、或いはそれより大きい平面サイズとなるようにする。
図１７は第４の実施の形態に係る半導体モジュールの形成方法の一例を示す図であって、（Ａ）は接合前の状態を示す図、（Ｂ）は接合後の状態を示す図である。
半導体デバイス４０は、図１７（Ａ）に示すように、その導体パターン４１ｃ側で、接合層４５を介して、放熱部材１０Ｄの上に接合される。この接合の際、接合層４５は、アルミニウム系部材７０の内部に埋設されている銅系部材６０のベース部６１上方の位置に配設され、その接合層４５を介して半導体デバイス４０とアルミニウム系部材７０とを接合することにより、図１７（Ｂ）に示すような半導体モジュール５０Ｄが形成される。
放熱部材１０Ｄは、半導体デバイス４０で発生し、アルミニウム系部材７０、更にアルミニウム系部材７０の内部に埋設されている銅系部材６０のベース部６１に伝わった熱を、そこから外部に突出するフィン６２によって効率的に放熱することができる。また、銅系部材６０がアルミニウム系部材７０に埋設されているため、銅系部材６０とアルミニウム系部材７０との分離が抑えられ、放熱部材１０Ｄを用いた半導体モジュール５０Ｄを、長期にわたって安定に動作させることが可能になる。
また、放熱部材１０Ｄは、次の図１８に示すような構成とすることもできる。
図１８は第４の実施の形態に係る放熱部材の変形例を示す図であって、（Ａ）は第１変形例を示す図、（Ｂ）は第２変形例を示す図である。
図１８（Ａ）に示す放熱部材１０Ｄａは、異なる銅系部材６０間（フィン６２が配設されたベース部６１間）が、タイバー６３で連結された構成を有している。また、図１８（Ｂ）に示す放熱部材１０Ｄｂは、フィン６２が配設されている、より大判の１枚のベース部６１を有する、銅系部材６０ｄが用いられた構成を有している。
これらの放熱部材１０Ｄａ，１０Ｄｂによれば、銅系部材６０，６０ｄの取り扱いが容易であることに加え、放熱部材１０Ｄａ，１０Ｄｂの温度分布を均一化し、放熱効率を高めることが可能になる。
尚、上記の放熱部材１０Ｄ，１０Ｄａ，１０Ｄｂにおいて、銅系部材６０，６０ｄ及びタイバー６３には、アルミニウム系部材７０と接触する面の全て或いは一部に、上記図７と同様の凹凸３２を設けるようにしてもよい。
次に、第５の実施の形態について説明する。
図１９は第５の実施の形態に係る放熱部材の一例を示す図であって、（Ａ）は一方の主面側から見た平面模式図、（Ｂ）は他方の主面側から見た平面模式図、（Ｃ）は（Ａ）のＬ１９−Ｌ１９矢視断面模式図である。
図１９に示す放熱部材１０Ｅは、ベース部６１と複数のフィン６２を有する銅系部材６０の、フィン６２側と反対側の面が、アルミニウム系部材７０から露出した構成を有している。銅系部材６０のベース部６１の露出する表面Ｓａの高さと、アルミニウム系部材７０の端面Ｓｂとの高さは同じにしている。
このような構成を有する放熱部材１０Ｅは、上記第４の実施の形態の放熱部材１０Ｄと同様に、予めベース部６１とフィン６２を有する銅系部材６０を形成し、そのフィン６２の先端部分が突出するように、ダイキャストによりアルミニウム系部材７０を形成することにより得られる。
放熱部材１０Ｅの形成にあたっては、接合する半導体デバイス４０の個数、配置、及び大きさ（平面サイズ）に基づき、銅系部材６０の個数、配置、及び大きさ（平面サイズ）を設定する。例えば、銅系部材６０の平面サイズは、接合する半導体デバイス４０の平面サイズ（例えば、基板４１の平面サイズ）と同じか、或いはそれより大きい平面サイズとなるようにする。
図２０は第５の実施の形態に係る半導体モジュールの形成方法の一例を示す図であって、（Ａ）は接合前の状態を示す図、（Ｂ）は接合後の状態を示す図である。
半導体デバイス４０は、図２０（Ａ）に示すように、その導体パターン４１ｃ側で、接合層４５を介して、放熱部材１０Ｅの上に接合される。この接合の際、接合層４５は、銅系部材６０のベース部６１上（露出する表面Ｓａ上）に配設され、その接合層４５を介して半導体デバイス４０とベース部６１とを接合することにより、図２０（Ｂ）に示すような半導体モジュール５０Ｅが形成される。
放熱部材１０Ｅでは、半導体デバイス４０で発生した熱が、効率的に銅系部材６０のベース部６１に伝わり、ベース部６１に伝わった熱が、外部に突出する銅系部材６０のフィン６２から効率的に放熱されるようになる。従って、このような放熱部材１０Ｅを半導体モジュール５０Ｅに用いることにより、高い放熱効率を確保することができる。
また、放熱部材１０Ｅは、銅系部材６０の側面をアルミニウム系部材７０で囲繞しているため、銅系部材６０がアルミニウム系部材７０に強固に保持される。そのため、銅系部材６０のアルミニウム系部材７０からの分離を効果的に抑制することができる。その結果、放熱部材１０Ｅを用いた半導体モジュール５０Ｅを、長期にわたって安定に動作させることが可能になる。
また、放熱部材１０Ｅは、次の図２１及び図２２に示すような構成とすることもできる。
図２１は第５の実施の形態に係る放熱部材の変形例を示す図であって、（Ａ）は第１変形例を示す図、（Ｂ）は第２変形例を示す図である。
図２１（Ａ）に示す放熱部材１０Ｅａには、ベース部６１の縁部に段差６４が設けられた銅系部材６０ａが用いられている。銅系部材６０ａの露出する表面Ｓａと、アルミニウム系部材７０の端面Ｓｂとは、同じ高さとしている。段差６４は、アルミニウム系部材７０で覆われている。これにより、銅系部材６０ａがアルミニウム系部材７０に強固に保持されるため、銅系部材６０ａのアルミニウム系部材７０からの分離を効果的に抑えることが可能になる。
図２１（Ｂ）に示す放熱部材１０Ｅｂは、アルミニウム系部材７０に、端面Ｓｂから窪んだ窪みＨが設けられており、その窪みＨに、銅系部材６０のベース部６１の表面Ｓａが露出した構成を有している。ベース部６１の縁部は、アルミニウム系部材７０によって覆われている。これにより、銅系部材６０がアルミニウム系部材７０に強固に保持されるため、銅系部材６０のアルミニウム系部材７０からの分離を効果的に抑えることが可能になる。また、アルミニウム系部材７０に窪みＨを設けることにより、半導体デバイス４０の接合を容易に且つ精度良く行うことが可能になる。
図２２は第５の実施の形態に係る放熱部材の変形例を示す図であって、（Ａ）は第３変形例を示す図、（Ｂ）は第４変形例を示す図である。
図２２（Ａ）に示す放熱部材１０Ｅｃは、異なる銅系部材６０間（フィン６２が配設されたベース部６１間）が、タイバー６３で連結された構成を有している。また、図２２（Ｂ）に示す放熱部材１０Ｅｄは、フィン６２が配設されている、より大判の１枚のベース部６１を有する、銅系部材６０ｄが用いられた構成を有している。
これらの放熱部材１０Ｅｃ，１０Ｅｄによれば、銅系部材６０，６０ｄの取り扱いが容易であることに加え、放熱部材１０Ｅｃ，１０Ｅｄの温度分布を均一化し、放熱効率を高めることが可能になる。
尚、図２２（Ａ），（Ｂ）に示した銅系部材６０，６０ｄ及びタイバー６３には、上記図２１（Ａ）に示したような段差６４を設けることもできる。
また、上記の放熱部材１０Ｅ，１０Ｅａ，１０Ｅｂ，１０Ｅｃ，１０Ｅｄにおいて、銅系部材６０，６０ａ，６０ｄ及びタイバー６３には、アルミニウム系部材７０と接触する面の全て或いは一部に、上記図７と同様の凹凸３２を設けるようにしてもよい。
次に、第６の実施の形態について説明する。
図２３は第６の実施の形態に係る放熱部材の一例を示す図であって、（Ａ）は一方の主面側から見た平面模式図、（Ｂ）は他方の主面側から見た平面模式図、（Ｃ）は（Ａ）のＬ２３−Ｌ２３矢視断面模式図である。
図２３に示す放熱部材１０Ｆには、半導体デバイス４０が接合される領域を突出部３４とした銅系部材３０ｆが用いられており、その突出部３４の一部の表面Ｓａが露出するように、銅系部材３０ｆが、アルミニウム系部材２０のベース部２１で覆われた構成を有している。突出部３４は、アルミニウム系部材２０のベース部２１の端面Ｓｂから突出している。アルミニウム系部材２０のベース部２１には、銅系部材３０ｆの露出する表面Ｓａ側と反対の面側に、フィン２２が配設されている。
このような構成を有する放熱部材１０Ｆは、ダイキャストを利用して形成することができる。放熱部材１０Ｆの形成にあたっては、接合する半導体デバイス４０の個数、配置、及び大きさ（平面サイズ）に基づき、銅系部材３０ｆの個数、配置、及び大きさ（平面サイズ）を設定する。例えば、銅系部材３０ｆの露出する表面Ｓａの平面サイズが、接合する半導体デバイス４０の平面サイズ（例えば、基板４１の平面サイズ）と同じか、或いはそれより大きい平面サイズとなるようにする。
図２４は第６の実施の形態に係る半導体モジュールの形成方法の一例を示す図であって、（Ａ）は接合前の状態を示す図、（Ｂ）は接合後の状態を示す図である。
半導体デバイス４０は、図２４（Ａ）に示すように、その導体パターン４１ｃ側で、接合層４５を介して、放熱部材１０Ｆの上に接合される。それにより、図２４（Ｂ）に示すような半導体モジュール５０Ｆが形成される。
この第６の実施の形態に係る放熱部材１０Ｆによれば、半導体デバイス４０を接合する際、アルミニウム系部材２０から露出する表面Ｓａ上に、接合層４５を介して半導体デバイス４０を配設すればよい。従って、半導体デバイス４０、接合層４５、及び放熱部材１０Ｆの位置を、容易に且つ精度良く合わせることができる。尚、接合の際には、露出する表面Ｓａに選択的にはんだ濡れ性を高める処理を施し、或いは表面Ｓａが露出するアルミニウム系部材２０の端面Ｓｂにはんだ濡れ性を低下させる処理を施し、表面Ｓａ上にはんだ接合層４５を形成し、その上に半導体デバイス４０を配置するようにしてもよい。
更に、この放熱部材１０Ｆは、銅系部材３０ｆの側面をアルミニウム系部材２０で囲繞しているため、銅系部材３０ｆがアルミニウム系部材２０に強固に保持される。そのため、銅系部材３０ｆのアルミニウム系部材２０からの分離を効果的に抑制することができる。その結果、放熱部材１０Ｆを用いた半導体モジュール５０Ｆを、長期にわたって安定に動作させることが可能になる。
また、放熱部材１０Ｆは、次の図２５及び図２６に示すような構成とすることもできる。
図２５は第６の実施の形態に係る放熱部材の変形例を示す図であって、（Ａ）は第１変形例を示す図、（Ｂ）は第２変形例を示す図である。
図２５（Ａ）に示す放熱部材１０Ｆａは、異なる銅系部材３０ｆ間が、タイバー３３で連結された構成を有している。また、図２５（Ｂ）に示す放熱部材１０Ｆｂは、４箇所に突出部３４が設けられている、大判の１枚の銅系部材３０ｇを用いて構成されている。
これらの放熱部材１０Ｆａ，１０Ｆｂによれば、銅系部材３０ｆ，３０ｇの取り扱いが容易となることに加え、放熱部材１０Ｆａ，１０Ｆｂの温度分布を均一化し、放熱効率を高めることが可能になる。
尚、上記の放熱部材１０Ｆ，１０Ｆａ，１０Ｆｂにおいて、銅系部材３０ｆ，３０ｇには、アルミニウム系部材２０と接触する面の全て或いは一部に、上記図７と同様の凹凸３２を設けるようにしてもよい。
図２６は第６の実施の形態に係る放熱部材の第３変形例を示す図である。
図２６に示す放熱部材１０Ｆｃには、半導体デバイス４０が接合される領域を突出部６５としたベース部６１と、そのベース部６１に突設された複数のフィン６２を有する銅系部材６０ｂが用いられている。銅系部材６０ｂは、その突出部６５の一部の表面Ｓａ、及びフィン６２の先端部分が露出するように、アルミニウム系部材７０で覆われている。突出部６５は、アルミニウム系部材７０の端面Ｓｂから突出している。
これにより、半導体デバイス４０、接合層４５、及び放熱部材１０Ｆｃの位置を、容易に且つ精度良く合わせることができ、また、銅系部材６０ｂのフィン６２により、放熱効率を高めることが可能になる。
尚、上記の放熱部材１０Ｆｃにおいて、銅系部材６０ｂには、アルミニウム系部材７０と接触する面の全て或いは一部に、上記図７と同様の凹凸３２を設けるようにしてもよい。
以上、放熱部材及び、放熱部材並びに半導体デバイスを含む半導体モジュールについて説明したが、半導体モジュールに含まれる半導体デバイスの個数は、上記の例（即ち４個）に限定されるものではない。上記のような構成を有する放熱部材は、１個又は２個以上の半導体デバイスの冷却に適用可能であり、半導体デバイスの個数に応じ、放熱部材に含まれる銅系部材の個数を設定することができる。その際は、半導体デバイスの個数と、銅系部材の個数とは、必ずしも同数であることを要しない。また、以上の説明では、１個の半導体デバイスが４個の半導体素子を含む場合を例示したが、半導体素子の個数は、これに限定されるものではない。
上記については単に本発明の原理を示すものである。さらに、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、本発明は上記に示し、説明した正確な構成および応用例に限定されるものではなく、対応するすべての変形例および均等物は、添付の請求項およびその均等物による本発明の範囲とみなされる。
１０Ａ，１０Ａａ，１０Ａｂ，１０Ａｃ，１０Ａｄ，１０Ｂ，１０Ｂａ，１０Ｂｂ，１０Ｃ，１０Ｃａ，１０Ｃｂ，１０Ｄ，１０Ｄａ，１０Ｄｂ，１０Ｅ，１０Ｅａ，１０Ｅｂ，１０Ｅｃ，１０Ｅｄ，１０Ｆ，１０Ｆａ，１０Ｆｂ，１０Ｆｃ 放熱部材
２０，７０ アルミニウム系部材
２１，６１ ベース部
２２，６２ フィン
２２ａ 板状フィン
２２ｂ ピン状フィン
２２ｃ 千鳥状フィン
２２ｄ コルゲートフィン
３０，３０ａ，３０ｂ，３０ｄ，３０ｆ，３０ｇ，６０，６０ａ，６０ｂ，６０ｄ 銅系部材
３１，６４ 段差
３２ 凹凸
３３，６３ タイバー
３４，６５ 突出部
４０ 半導体デバイス
４１ 基板
４１ａ 絶縁基板
４１ｂ，４１ｃ 導体パターン
４２，４３ 半導体素子
４４，４５ 接合層
５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ，５０Ｄ，５０Ｅ，５０Ｆ 半導体モジュール
１００ 金型
１０１ 上型
１０２ 下型
Ｓａ 表面
Ｓｂ 端面
Ｈ 窪み
ｐ ピッチ
ｈ 高さ

Claims (13)

  1. アルミニウムを含む第１部材と、
    銅を含み、前記第１部材に埋設され、側面を前記第１部材で囲繞された第２部材と、
    を有する放熱部材と、
    前記放熱部材に熱的に接続された半導体素子と、
    を備えることを特徴とする半導体モジュール。
  2. 前記第１部材に、フィンが配設されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
  3. 前記第２部材に、前記第１部材を貫通し前記第１部材から突出するフィンが配設されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
  4. 前記第２部材は、前記第１部材から露出する露出表面を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体モジュール。
  5. 前記第１部材は、窪みを有し、前記第２部材は、前記露出表面が前記窪み内に露出していることを特徴とする請求項４に記載の半導体モジュール。
  6. 前記第２部材の前記露出表面が、前記第１部材の端面から突出していることを特徴とする請求項４に記載の半導体モジュール。
  7. 前記第１部材は、前記第２部材の前記露出表面側の縁部を覆っていることを特徴とする請求項５に記載の半導体モジュール。
  8. 前記第１部材は、前記第２部材の前記露出表面側の縁部を覆っていることを特徴とする請求項６に記載の半導体モジュール。
  9. 前記第１部材の端面と、前記第２部材の前記露出表面とが同一の高さであることを特徴とする請求項４に記載の半導体モジュール。
  10. 前記第２部材は、前記露出表面側の縁部に段差を有し、前記第１部材は、前記縁部を覆っていることを特徴とする請求項４に記載の半導体モジュール。
  11. 前記第２部材は、前記露出表面側の縁部に段差を有し、前記第１部材は、前記縁部を覆っていることを特徴とする請求項８に記載の半導体モジュール。
  12. 前記第２部材は、前記第１部材との接触面に凹凸を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
  13. アルミニウムを含む第１部材と、
    銅を含み、前記第１部材に埋設され、側面を前記第１部材で囲繞された第２部材と、
    を有することを特徴とする放熱部材。
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