JP2013242940A - 磁性細線搭載基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁性細線搭載基板10の製造方法は、基板2上に複数の磁性細線1を形成する磁性細線形成工程と、複数の磁性細線1上に樹脂膜9を設け、ナノインプリント法により、樹脂膜9の表面にすべての磁性細線1の直上にわたって細線幅方向に延びた溝部9cを形成するマスク形成工程と、樹脂膜9をマスクとしてエッチングすることにより、それぞれの磁性細線1に樹脂膜9の溝部9cの直下に凹部1cを形成する磁性細線表面エッチング工程と、を行う。磁性細線1における磁区のシフト移動の際に、磁区を区切る磁壁を係止するための凹部1cが、高い寸法精度で形成されるので、動作が安定する。
【選択図】図7
Description
はじめに、本発明に係る磁性細線搭載基板の製造方法にて製造される磁性細線搭載基板(以下、適宜、本発明の実施形態に係る磁性細線搭載基板と称する)について説明する。本発明の一実施形態に係る磁性細線搭載基板は、画素を2次元配列してなる空間光変調器である。図1に示すように、空間光変調器(磁性細線搭載基板)10は、基板2、および基板2上のX方向に延設されたストライプ状の8本の磁性細線1、磁性細線1,1間を絶縁する絶縁層6、ならびに、磁性細線1の一端と他端に接続した正電極31と負電極32を備える。このような構成の空間光変調器10は、それぞれの磁性細線1に、正電極31および負電極32を一対の電極の端子として走査電流源8(図2参照)が接続され、磁性細線1の書込領域1wにデータ書込用の磁気ヘッド(主磁極をデータ書込部50として図2に示す)を対向させて動作させる。なお、図2においては、空間光変調器10は基板2等を省略して磁性細線1のみを3本示し、さらに磁性細線1の一部を破断線により省略して示す。
図1および図2に示す空間光変調器の光変調動作を、図3を参照して、この空間光変調器を用いた表示装置にて説明する。表示装置は、従来の磁気光学式の空間光変調器を用いたものや、スピン注入磁化反転素子を光変調素子としたものと同様の構成とすればよい。本実施形態に係る空間光変調器10は反射型であり、光変調する磁性細線1が垂直磁気異方性材料からなり磁化方向が上向きまたは下向きを示し、また、基板2が光を透過するので、表示装置は以下の構成とすることが好ましい。空間光変調器10(画素アレイ)の直下には、空間光変調器10に向けて光(レーザー光)を照射する光源等を備える光学系OPSと、光学系OPSから照射された光を空間光変調器10(磁性細線1)に入射する前に1つの偏光成分の光(1つの向きの偏光、以下、適宜偏光という)にする偏光子PFiと、この下方から空間光変調器10に入射する偏光(入射偏光)を透過させ、かつ空間光変調器10(磁性細線1)で反射して出射した光を側方へ反射するハーフミラーHMと、が配置される。そして、空間光変調器10の下方の前記ハーフミラーHMの側方には、ハーフミラーHMで反射して到達した光から特定の偏光成分の光を遮光する偏光子PFoと、偏光子PFoを透過した光を検出する検出器PDとが配置される。
磁性細線1は、磁性体を厚さおよび幅に対して十分に長い細線状に形成してなる。図1に示すように、空間光変調器10において、磁性細線1,1,…は、平面視で絶縁層6を挟んで互いに平行に、基板2上に形成されている。前記した通り、磁性細線1は画素となる領域を含み、所定数(8個)の画素が細線方向に連続して設けられた画素領域1pxが光変調を行う部分である。画素領域1pxは磁性細線1における光の入射領域であり、画素領域1pxに入射した光が磁性細線1を透過または反射して出射すると、画素毎に当該画素における磁化方向に対応して異なる2つの角度のいずれかで旋光した光に変調される。また、磁性細線1は、画素領域1pxの外(図1では画素領域1pxの左側)の細線方向に区切られた領域に、書込領域1wが設けられている。書込領域1wは、データ書込部50により、磁性細線1に設けられた画素の1つと同じ磁化方向に変化させる領域である。磁性細線1は、ある画素の上向きまたは下向きの磁化方向と同じ磁化方向の磁区を書込領域1wに生成させ、この磁区が細線方向に移動されて画素領域1pxの前記画素に到達することで当該画素が所望の磁化方向となる。空間光変調器10において、このような動作(画素の駆動)は、図2に示すようにそれぞれの磁性細線1について並行して実行される。
保護膜4は、空間光変調器10において、その製造時におけるダメージから磁性細線1を保護するために、磁性細線1上に設けられている(図5、図6参照)。製造時におけるダメージとは、例えばレジスト形成時の現像液の含浸や、後記するようにナノインプリント法により設けられた樹脂膜の剥離等、また、特に磁性細線1が酸化し易いRE−TM合金で形成される場合には酸化防止が挙げられる。保護膜4は、Ta,Ru,Cuの単層、またはCu/Ta,Cu/Ruの2層等から構成される。なお、前記の2層構造とする場合は、いずれもCuを内側(下層)とする。保護膜4の厚さは、1nm未満であると連続した膜を形成し難く、一方、10nmを超えて厚くしても、製造工程において磁性細線1を保護する効果がそれ以上には向上しない。したがって、保護膜4の厚さは1〜10nmとすることが好ましい。なお、この保護膜4の厚さは、空間光変調器10(完成後)におけるものである。保護膜4は、後記するように、空間光変調器10の製造時すなわち当該保護膜4を形成する材料の成膜時には、後続の工程の処理による減肉分を加味して厚さを設定したり、2回以上の成膜により形成してもよい。
基板2は、磁性細線1を形成するための空間光変調器10の土台であり、広義の基板である。また、本実施形態に係る空間光変調器10は基板2側から光を入出射するので、基板2は光を透過させる材料からなる。このような基板2として、公知の透明基板材料が適用でき、具体的には、SiO2(酸化ケイ素、ガラス)、MgO(酸化マグネシウム)、サファイア、GGG(ガドリニウムガリウムガーネット)、SiC(シリコンカーバイド)、Ge(ゲルマニウム)単結晶基板等を適用することができる。あるいは、空間光変調器10が上方から光を入射する構成である場合(図示省略)は、基板2は光を透過しなくてよいので、表面に熱酸化膜を形成されたSi(シリコン)基板等を適用することができる。また、基板2が、Si基板で表面に十分な厚さの酸化膜が形成されていない場合は、表面に絶縁膜を形成した上に磁性細線1を形成すればよい。すなわち基板2は、少なくとも表面(表層)が絶縁性であればよい。
絶縁層6は、磁性細線1,1間、正電極31,31間および負電極32,32間に配され、さらに基板2と磁性細線1との間や磁性細線1の上に配されてもよい。絶縁層6は、例えばSiO2,Si3N4,Al2O3等の公知の絶縁材料からなり、また空間光変調器10の全体で同じ材料を適用しなくてもよい。
正電極31および負電極32は、一対の電極として磁性細線1にその細線方向の一方向に電流を供給するための端子であり、図1に示すように磁性細線1の両端に接続される。本実施形態では図3に一部(正電極31)を示すように、電極31,32は共に磁性細線1の上面に接続されているが、磁性細線1における接続面はこれに限られず、例えば下面に接続されてもよい。また、図1に示すように、本実施形態では、磁性細線1のそれぞれに電極31,32が一対ずつ接続されているが、例えば8本すべての磁性細線1を並列に接続するように、図1におけるY方向に延設した電極31,32としてもよい(図示せず)。電極31,32は、Cu,Al,Ta,Cr,W,Ag,Au,Pt等の金属やその合金のような一般的な金属電極材料からなり、スパッタリング法等により成膜、フォトリソグラフィ等によりストライプ状に成形される。また、電極31,32の厚さ、幅および細線方向長さは、磁性細線1,1のピッチ(画素ピッチ)、材料や供給する電圧・電流等に基づいて設定される。
本発明に係る磁性細線搭載基板の製造方法を、図1〜3に示す空間光変調器の製造にて、図4〜7を参照して説明する。磁性細線搭載基板(空間光変調器)10は、基板2上に磁性細線1を形成する磁性細線形成工程(磁性膜成膜工程S10、磁性細線加工工程S20、図4参照、以下同)と、磁性細線1の上面に凹部1cを形成するマスク形成工程S31および磁性細線表面エッチング工程S32(表面加工工程S30)と、磁性細線1の両端部上面に接続する電極31,32を形成する電極形成工程S40を行って製造される。
磁性細線1は、公知の方法で形成することができる。以下、一例を挙げて説明する。
図5(a)に示すように、基板2上に、磁性細線1を形成する材料(磁性膜)、保護膜4を形成する材料(図中、各層と同じ符号で示す。以下同。)を連続して成膜する(磁性膜成膜工程S10。以下、符号のみを示す。)。なお、下地膜を設ける場合は最初に成膜し、磁性細線1等を引き続いて成膜する。次に、図5(b)、(c)に示すように、フォトリソグラフィ(レジスト塗布、露光、現像、ベーク)により、保護膜4上に、磁性細線1の領域を覆うレジストマスクを形成する(S21)。エッチングで、図5(d)に示すように、保護膜4から磁性細線1までを除去して基板2を露出させる(S22)。次に、図5(e)に示すように絶縁膜(絶縁層6)を保護膜4の上面の高さまで成膜して(S23)、レジストを絶縁膜ごと除去する(リフトオフ)(S24)。これにより、図5(f)および図7(a)に示すように、基板2上に8本の磁性細線1が形成され、磁性細線1,1間が絶縁層6で埋められ、磁性細線1(保護膜4)と絶縁層6の各上面が面一になる。なお、図7においては、保護膜4を省略し、また絶縁層6の内部を透明で表す。
図7(b)に示すように、磁性細線1および絶縁層6の上に、磁性細線1の細線方向と直交してY方向に延設された9本の溝部(凹溝)9cを有する樹脂膜9を、ナノインプリント法により形成する(S31)。まず、図6(a)に示すように、磁性細線1および絶縁層6の上(上面全体)に、樹脂塗料を塗布して樹脂塗膜を形成する。樹脂の種類は、後記するように、硬化方法に応じた材料を選択する。次に、図6(b)に示すように、樹脂塗膜に金型(モールド)MLを押し付けて、金型MLの底面(転写面)形状を樹脂塗膜表面に転写し、そのまま樹脂塗膜を硬化させて樹脂膜9を形成し、図6(c)に示すように、金型MLを樹脂膜9から離型する(図7(b)参照)。
次に、樹脂膜9の上から、RIE法等のドライエッチングにより、異方性エッチングを行う(S32)。これにより、図6(d)に示すように、樹脂膜9は全体が均一に減肉するので、溝部9cの部分から除去されて、その直下における保護膜4、さらに磁性細線1がエッチングされて薄肉化する。したがって、樹脂膜9の溝部9cの形状は、磁性細線1に形成する凹部1cの形状、および樹脂膜9と磁性細線1とのエッチングレートの違いに応じて設計される。具体的には、例えば樹脂膜9よりも磁性細線1のエッチングレートが遅い場合には、樹脂膜9の溝部9cを凹部1cよりも深く形成する。
正電極31および負電極32は、公知の方法で形成することができる。一例として、まず、磁性細線1および絶縁層6の上(全面)に、絶縁膜を積層し、磁性細線1の両端部上にフォトリソグラフィおよびエッチングで絶縁膜を除去して、磁性細線1(保護膜4)を露出させ、金属電極材料を成膜して、電極31,32とする。以上の手順により、磁性細線搭載基板(空間光変調器)10が完成する。なお、図7(c)に示す空間光変調器10、ならびに図10(c)および図13に示す後記の第2実施形態における空間光変調器10Aは、電極31,32を省略する。
樹脂の硬化は、加熱による熱式、または紫外線照射によるUV硬化式で行うことができ、それぞれの方式において一般的に用いられている樹脂を適用すればよい。熱式においては、ポリカーボネイト、PMMA(ポリメタクリル酸メチル樹脂)、アクリル樹脂等の熱可塑性樹脂、またはエポキシ、シリコーン、ポリイミド等の熱硬化性樹脂が挙げられる。加熱により磁性細線1に影響を与えないように、熱可塑性樹脂においてはガラス転移点が、熱硬化性樹脂においては硬化温度が、十分に低い材料を選択する。具体的には、加熱温度が200℃以下の樹脂が好ましい。UV硬化式においては、ウレタン系、エポキシ系等の樹脂が挙げられる。熱式の方が樹脂の選択肢が多く、一方、UV硬化式の方が、熱による樹脂の体積変化がないので寸法精度のより高い加工に適している。
前記第1実施形態においては、磁性細線1は、基板2全面に成膜した磁性膜を加工して形成したが、これに限られない。例えば、はじめに基板2全面に絶縁膜を成膜し、その上に、磁性細線1の領域を空けたレジストマスクを形成して、絶縁膜をエッチングする。そして、磁性膜を成膜してレジストマスクを除去することにより、図5(f)および図7(a)に示す状態になる。また、基板2上に絶縁膜を成膜せずに前記のレジストマスクを形成し、基板2の表層をエッチングして、磁性細線1,1間の絶縁層6とすることもできる。
図1〜3に示す空間光変調器は、前記の第1実施形態に係る磁性細線搭載基板の製造方法以外でも製造することもできる。以下、本発明の第2実施形態に係る磁性細線搭載基板の製造方法について、図8〜10を参照して説明する。第1実施形態およびその変形例(図4〜7参照)と同一の要素については同じ符号を付し、説明を省略する。第2実施形態において、磁性細線搭載基板(空間光変調器)10A(図10(c)参照)は、基板2Aの表面に溝部2cを形成するマスク形成工程S31および基板エッチング工程S32A(表面加工工程S30A)(図8参照、以下同)と、基板2A上に磁性細線1Aを形成する磁性細線形成工程(磁性膜成膜工程S10、磁性細線加工工程S20)と、磁性細線1Aの両端部上面に接続する電極31,32を形成する電極形成工程S40を行って製造される。
はじめに、図10(a)に示すように、基板2Aの上に、Y方向に延設された9本の溝部9cを有する樹脂膜9を形成する。すなわち樹脂膜9は、図7(b)に示す第1実施形態と同様の形状であり、第1実施形態と同様にナノインプリント法にて形成される。まず、第1実施形態と同様に、図9(a)〜(c)に示すように樹脂膜9を形成する(S31)。なお、本実施形態においては、この時点で磁性膜(磁性細線1A)が形成されていないため、樹脂膜9の硬化条件は、基板2Aのみの耐熱性等を考慮したものであればよい。次に、樹脂膜9の上から異方性エッチングを行う(S32A)。これにより、図9(d)に示すように、樹脂膜9が溝部9cの部分から除去されて、その直下における基板2Aがエッチングされて、表面に溝部2cが形成される。そして、残存する樹脂膜9を第1実施形態と同様に除去する(S34)と、図9(e)および図10(b)に示すように、表面にY方向に延設された9本の溝2cが形成された基板2Aとなる。
基板2A上に、磁性細線1Aを形成する材料(磁性膜)、保護膜4を形成する材料を連続して成膜する(S10)。磁性膜は膜厚が均一であるので、図9(f)に示すように、下地である基板2Aの表面形状に沿って、溝部2c上に波型の磁性細線1Aの変形部1fが形成される。次に、第1実施形態と同様に、図5(b)〜(f)に示すように、磁性膜を細線状に加工して、溝部2cに直交してX方向に延設された磁性細線1Aとする(S21,S22,S23,S24)。これにより、図10(c)に示すように、変形部1fが形成された8本の磁性細線1Aが基板2A上に形成され、磁性細線1A,1A間が絶縁層6(図示省略)で埋められる。
前記第2実施形態においては、樹脂膜9の上から全面をエッチングして、基板2Aの表面に8本の磁性細線1Aにわたって延設された9本の溝部2cを形成したが、これに限られない。以下、本発明の第2実施形態の変形例に係る磁性細線搭載基板の製造方法について、図11〜13を参照して説明する。なお、図12(a)〜(d)において、左側が図1のA−A線矢視断面図に、右側が図1のB−B線矢視断面図に、それぞれ相当する。第1、第2実施形態(図4〜10参照)と同一の要素については同じ符号を付し、説明を省略する。
図1〜3に示す空間光変調器(磁性細線搭載基板)10,10Aは、磁性細線1,1Aの形状を変形させて磁壁を係止させる構成としたが、磁気特性の局所的な変化によっても磁壁を係止する効果がある。磁性体は、イオンを注入されると飽和磁化が低くなることから、ナノインプリントにより形成した樹脂膜をマスクとすることで、微小な領域に精度よくイオンを注入することができる。以下、本発明の第3実施形態に係る磁性細線搭載基板の製造方法について、図14,15を参照して説明する。第1、第2実施形態およびその変形例(図4〜13参照)と同一の要素については同じ符号を付し、説明を省略する。
はじめに、磁性細線1Bを形成する材料(磁性膜)、保護膜4を形成する材料を連続して成膜する(S10)。次に、図15(a)に示すように、Y方向(図15における手前−奥方向)に延設された畝状の突起(突畝、畝部9b)を9本有する樹脂膜9Aを、保護膜4上に形成する(S31)。すなわち、樹脂膜9Aは、第1、第2実施形態における樹脂膜9と凹凸が逆である。そして、図15(b)に示すように樹脂膜9Aの上からイオンを照射し(S33)、図15(c)に示すように樹脂膜9Aを除去する(S34)。
磁性膜を、図5(a)〜(f)に示すように細線状に加工して、樹脂膜9Aの畝部9bに直交してX方向に延設された磁性細線1Bとする。すなわち、第1実施形態の磁性細線加工工程S20と同様である。これにより、基板2の表面に上下面が平坦な磁性細線1Bが形成され、外観が図7(a)に示す状態となる。
前記第3実施形態においては、磁性膜にイオンを照射した(S33)後に細線状に加工したが、第1実施形態(図4参照)と同様に、細線状に加工した磁性細線1B上に樹脂膜9Aを形成してイオンを照射してもよい。また、イオン照射(S33)前に、樹脂膜9Aを異方性エッチングして、薄肉部を除去して、樹脂膜9Aの畝部9bのみを残して磁性膜(保護膜4)を露出させから、イオンを照射してもよい。また、磁性細線1Bは、磁壁を係止させる箇所を相対的に飽和磁化の高い領域(高Ms領域1s)としたが、反対に飽和磁化の低い領域としても同様の効果が得られる。この場合は、溝部9cを有する樹脂膜9(図7(b)参照)を形成して、磁性細線1B(磁性膜)の溝部9cの直下にイオンを多く注入すればよい。
本発明に係る磁性細線搭載基板の製造方法にて製造される別の磁性細線搭載基板は、磁気記録媒体で、ここでは、円盤形状のいわゆる磁気ディスクである。図16に示すように、磁気記録媒体10Bは、円盤形状の基板2B上に、基板2Bと同心円の円弧形状の磁性細線1Dをデータの記録(格納)領域として備える。なお、図16(b)は、磁気記録媒体10Bの最外周における4本の磁性細線1Dの電極31,32近傍を示す。この磁性細線1Dには、2値のデータすなわち「0」または「1」のデータを当該磁性細線1Dの細線方向すなわち円周方向に連続して上向きまたは下向きの磁化として記録される。この磁性細線1Dの、1つのデータを記録された領域を1つのデータ領域と称し、その細線方向長さを単位長さ(ビット長Lb)とする。すなわち磁性細線1Dは、磁気記録媒体10Bのいわゆるトラックである。そして、磁性細線1Dにおいて、1つのデータ領域で、あるいは同値(「0」または「1」のいずれか)のデータを連続して記録された場合は当該連続したデータ領域で、それぞれ1つの磁区が生成する。
10B 磁気記録媒体(磁性細線搭載基板)
1,1A,1B,1D 磁性細線
1c 凹部
1f 変形部
1s 高Ms領域(飽和磁化変異領域)
2,2A,2B 基板
2c 溝部
31 正電極
32 負電極
6,6A 絶縁層
9,9A 樹脂膜
9c 溝部(凹溝)
9b 畝部(突畝)
S10 磁性膜成膜工程(磁性細線形成工程)
S20 磁性細線加工工程(磁性細線形成工程)
S31 マスク形成工程
S32 磁性細線表面エッチング工程、磁性膜表面エッチング工程
S32A,S32B 基板エッチング工程
S33 イオン注入工程
Claims (5)
- 細線状に形成された磁性体であって複数の磁区が細線方向に区切られて生成する磁性細線を、互いに離間して基板上に複数並設し、前記磁性細線の細線方向に区切る凹部を当該磁性細線の上面の1箇所以上に形成した磁性細線搭載基板を製造する製造方法であって、
前記基板上に、複数の磁性細線を形成する磁性細線形成工程と、
前記複数の磁性細線上に樹脂膜を設け、ナノインプリント法により、前記樹脂膜の表面に、隣り合う2以上の前記磁性細線の直上にわたって細線幅方向に延びた凹溝を1本以上形成するマスク形成工程と、
前記樹脂膜をマスクとしてエッチングすることにより、前記複数の磁性細線のそれぞれに、前記樹脂膜の前記凹溝の直下に前記凹部を形成する磁性細線表面エッチング工程と、を行うことを特徴とする磁性細線搭載基板の製造方法。 - 細線状に形成された磁性体であって複数の磁区が細線方向に区切られて生成する磁性細線を、互いに離間して基板上に複数並設し、前記磁性細線の細線方向に区切る凹部を当該磁性細線の上面の1箇所以上に形成した磁性細線搭載基板を製造する製造方法であって、
前記基板上に磁性材料を成膜して磁性膜を形成する磁性膜成膜工程と、
前記磁性膜上に樹脂膜を設け、ナノインプリント法により、前記樹脂膜の表面に1本以上の凹溝を形成するマスク形成工程と、
前記樹脂膜をマスクとしてエッチングすることにより、前記磁性膜を前記樹脂膜の前記凹溝の直下において薄肉化する磁性膜表面エッチング工程と、
前記磁性膜を細線状に加工して前記複数の磁性細線を形成し、前記磁性膜の薄肉化された部分を前記磁性細線の前記凹部とする磁性細線加工工程と、を行い、
前記マスク形成工程で形成された前記樹脂膜は、前記凹溝が、前記磁性細線加工工程で前記磁性膜から形成される前記磁性細線の隣り合う2以上の直上にわたって細線幅方向に延設されていることを特徴とする磁性細線搭載基板の製造方法。 - 細線状に形成された磁性体であって複数の磁区が細線方向に区切られて生成する磁性細線を、互いに離間して基板上に複数並設し、前記磁性細線の下面が下に凸または上に凸のいずれかに形成されて細線方向に区切る変形部を当該磁性細線の1箇所以上に有する磁性細線搭載基板を製造する製造方法であって、
前記基板上に樹脂膜を設け、ナノインプリント法により、前記樹脂膜の表面に凹溝または突畝のいずれかを1本以上形成するマスク形成工程と、
前記樹脂膜をマスクとしてエッチングすることにより、前記基板の表面を加工して、前記樹脂膜の前記凹溝または突畝の直下を凹状または凸状のいずれかに形成する基板エッチング工程と、
前記基板上に磁性材料を成膜して前記複数の磁性細線を形成し、前記基板の前記凹状または凸状に形成された表面の直上に前記磁性細線の前記変形部が設けられる磁性細線形成工程と、を行い、
前記マスク形成工程で形成された前記樹脂膜は、前記凹溝または突畝が、前記磁性細線形成工程で形成される前記磁性細線の隣り合う2以上にわたって細線幅方向に延設されていることを特徴とする磁性細線搭載基板の製造方法。 - 細線状に形成された磁性体であって複数の磁区が細線方向に区切られて生成する磁性細線を、互いに離間して基板上に複数並設し、前記磁性細線の細線方向に区切られて飽和磁化の高さが他の領域と異なる飽和磁化変異領域を当該磁性細線の1箇所以上に有する磁性細線搭載基板を製造する製造方法であって、
前記基板上に、複数の磁性細線を形成する磁性細線形成工程と、
前記複数の磁性細線上に樹脂膜を設け、ナノインプリント法により、前記樹脂膜の表面に、隣り合う2以上の前記磁性細線の直上にわたって細線幅方向に延びた凹溝または突畝のいずれかを1本以上形成するマスク形成工程と、
前記樹脂膜をマスクとしてイオンを照射することにより、前記複数の磁性細線に前記イオンを注入して飽和磁化を変化させて、前記複数の磁性細線のそれぞれに、前記樹脂膜の前記凹溝または突畝の直下に前記飽和磁化変異領域を形成するイオン注入工程と、を行うことを特徴とする磁性細線搭載基板の製造方法。 - 細線状に形成された磁性体であって複数の磁区が細線方向に区切られて生成する磁性細線を、互いに離間して基板上に複数並設し、前記磁性細線の細線方向に区切られて飽和磁化の高さが他の領域と異なる飽和磁化変異領域を当該磁性細線の1箇所以上に有する磁性細線搭載基板を製造する製造方法であって、
前記基板上に磁性材料を成膜して磁性膜を形成する磁性膜成膜工程と、
前記磁性膜上に樹脂膜を設け、ナノインプリント法により、前記樹脂膜の表面に凹溝または突畝のいずれかを1本以上形成するマスク形成工程と、
前記樹脂膜をマスクとしてイオンを照射することにより、前記磁性膜に前記イオンを注入して、前記樹脂膜の前記凹溝または突畝の直下の領域を他の領域と高さが異なるように前記磁性膜の飽和磁化を変化させるイオン注入工程と、
前記磁性膜を細線状に加工して、前記磁性膜の飽和磁化の高さが他の領域と異なる領域を前記飽和磁化変異領域とした前記複数の磁性細線を形成する磁性細線加工工程と、を行い、
前記マスク形成工程で形成された前記樹脂膜は、前記凹溝または突畝が、前記磁性細線加工工程で前記磁性膜から形成される前記磁性細線の隣り合う2以上の直上にわたって細線幅方向に延設されていることを特徴とする磁性細線搭載基板の製造方法。
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