JP2013235104A - 光電気混載基板およびその製法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁層1の表面に電気配線2が形成されてなる電気回路基板Eと、この電気回路基板Eの上記絶縁層1の裏面に金属層Mを介して形成された光導波路Wとを備えた光電気混載基板であって、金属層Mの少なくとも一部が、下記の(A)または(B)のパターン形成状態になっており、そのパターン形成により除去された金属層Mの除去跡に上記光導波路Wの第1クラッド層(アンダークラッド層)6が入り込んで埋めている。
(A)上記金属層Mが、複数のドット状凸部Maを分布形成したパターンに形成されている。
(B)上記金属層Mに、複数のドット状凹部を分布形成したパターンが形成されている。
【選択図】図1
Description
(A)上記金属層が、複数のドット状凸部を分布形成したパターンに形成されている。
(B)上記金属層に、複数のドット状凹部を分布形成したパターンが形成されている。
(A)上記金属層が、複数のドット状凸部を分布形成したパターンに形成されている。
(B)上記金属層に、複数のドット状凹部を分布形成したパターンが形成されている。
(A2)上記屈曲予定部の周辺部では、上記ドット状凸部の大きさが、上記屈曲予定部に近づくにつれて徐々に小さくなっており、上記屈曲予定部では、その最も小さいドット状凸部が分布している。
(B2)上記屈曲予定部の周辺部では、上記ドット状凹部の大きさが、上記屈曲予定部に近づくにつれて徐々に大きくなっており、上記屈曲予定部では、その最も大きいドット状凹部が分布している。
(A3)上記屈曲予定部の周辺部では、上記ドット状凸部の大きさが、上記屈曲予定部に近づくにつれて徐々に小さくなっており、上記屈曲予定部では、上記金属層が除去されている。
(B3)上記屈曲予定部の周辺部では、上記ドット状凹部の大きさが、上記屈曲予定部に近づくにつれて徐々に大きくなっており、上記屈曲予定部では、上記金属層が除去されている。
上記第1の実施の形態のものを実施例1とし、上記第2の実施の形態のものを実施例2とし、上記第3の実施の形態のものを実施例3とした。いずれも、ステンレス層(金属層)の厚みを18μm、絶縁層の厚みを5μm、第1クラッド層の厚み(絶縁層の裏面からの厚み)を10μm、コアの厚みを50μm、コアの幅を80μm、第2クラッド層の厚み(第1クラッド層の表面からの厚み)を70μmとした。
図11に示す光電気混載基板を比較例1とし、図12に示す光電気混載基板を比較例2とした。ステンレス層等の各構成の寸法は、上記実施例1〜3と同様とした。
発光素子(ULM社製、ULM850−10−TT−C0104U)および受光素子(Albis optoelectronics 社製、PDCA04−70−GS)を準備し、上記発光素子から発光された光を直接、上記受光素子で受光した際の光量I0 を測定した。ついで、上記発光素子を、上記実施例1〜3および比較例1,2の光電気混載基板の一端部の光学素子実装用パッドに実装し、上記受光素子を、他端部の光学素子実装用パッドに実装した。つぎに、上記発光素子から発光された光を、光導波路のコアを介して、上記受光素子で受光した際の光量Iを測定した。そして、それらの値から〔−10×log(I/I0 )〕を算出し、その値をコアの長さで割った値を光伝播損失とした。その結果を下記の表1に示した。
上記実施例1〜3および比較例1,2の光電気混載基板を、手に持って変形させ、フレキシブル性を評価した。その結果、比較的変形し易いものをフレキシブル性に優れるとして○、比較的変形し難いものをフレキシブル性に劣るとして×を下記の表1に示した。
M 金属層
Ma ドット状凸部
W 光導波路
1 絶縁層
2 電気配線
6 第1クラッド層
Claims (6)
- 絶縁層の表面に電気配線が形成されてなる電気回路基板と、この電気回路基板の上記絶縁層の裏面に金属層を介して形成された光導波路とを備えた光電気混載基板であって、上記金属層の少なくとも一部が、下記の(A)および(B)のいずれか一方のパターン形成状態になっており、そのパターン形成により除去された上記金属層の除去跡に上記光導波路のクラッド層が入り込んで埋めていることを特徴とする光電気混載基板。
(A)上記金属層が、複数のドット状凸部を分布形成したパターンに形成されている。
(B)上記金属層に、複数のドット状凹部を分布形成したパターンが形成されている。 - 上記光電気混載基板の一部が屈曲予定部に形成され、その屈曲予定部およびその周辺部に対応する上記金属層の部分が、下記の(A2)および(B2)のいずれか一方の状態になっている請求項1記載の光電気混載基板。
(A2)上記屈曲予定部の周辺部では、上記ドット状凸部の大きさが、上記屈曲予定部に近づくにつれて徐々に小さくなっており、上記屈曲予定部では、その最も小さいドット状凸部が分布している。
(B2)上記屈曲予定部の周辺部では、上記ドット状凹部の大きさが、上記屈曲予定部に近づくにつれて徐々に大きくなっており、上記屈曲予定部では、その最も大きいドット状凹部が分布している。 - 上記光電気混載基板の一部が屈曲予定部に形成され、その屈曲予定部およびその周辺部に対応する上記金属層の部分が、下記の(A3)および(B3)のいずれか一方の状態になっている請求項1記載の光電気混載基板。
(A3)上記屈曲予定部の周辺部では、上記ドット状凸部の大きさが、上記屈曲予定部に近づくにつれて徐々に小さくなっており、上記屈曲予定部では、上記金属層が除去されている。
(B3)上記屈曲予定部の周辺部では、上記ドット状凹部の大きさが、上記屈曲予定部に近づくにつれて徐々に大きくなっており、上記屈曲予定部では、上記金属層が除去されている。 - 金属層の表面に絶縁層を形成し、この絶縁層の表面に電気配線を形成した後、上記金属層の裏面に光導波路を形成する光電気混載基板の製法であって、上記光導波路の形成に先立って、上記光電気混載基板の上記金属層の少なくとも一部をエッチングにより、下記の(A)および(B)のいずれか一方のパターン形成状態にし、上記請求項1記載の光電気混載基板を得ることを特徴とする光電気混載基板の製法。
(A)上記金属層が、複数のドット状凸部を分布形成したパターンに形成されている。
(B)上記金属層に、複数のドット状凹部を分布形成したパターンが形成されている。 - 上記光電気混載基板の一部を屈曲予定部とし、その屈曲予定部およびその周辺部に対応する上記金属層の部分を、上記エッチングにより、下記の(A2)および(B2)のいずれか一方の状態にする請求項4記載の光電気混載基板の製法。
(A2)上記屈曲予定部の周辺部では、上記ドット状凸部の大きさが、上記屈曲予定部に近づくにつれて徐々に小さくなっており、上記屈曲予定部では、その最も小さいドット状凸部が分布している。
(B2)上記屈曲予定部の周辺部では、上記ドット状凹部の大きさが、上記屈曲予定部に近づくにつれて徐々に大きくなっており、上記屈曲予定部では、その最も大きいドット状凹部が分布している。 - 上記光電気混載基板の一部を屈曲予定部とし、その屈曲予定部およびその周辺部に対応する上記金属層の部分を、上記エッチングにより、下記の(A3)および(B3)のいずれか一方の状態にする請求項4記載の光電気混載基板の製法。
(A3)上記屈曲予定部の周辺部では、上記ドット状凸部の大きさが、上記屈曲予定部に近づくにつれて徐々に小さくなっており、上記屈曲予定部では、上記金属層が除去されている。
(B3)上記屈曲予定部の周辺部では、上記ドット状凹部の大きさが、上記屈曲予定部に近づくにつれて徐々に大きくなっており、上記屈曲予定部では、上記金属層が除去されている。
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