JP2013223366A - ガス絶縁開閉装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】小型化を実現でき、絶縁特性を向上できる、ガス絶縁開閉装置を提供する。
【解決手段】本実施形態のガス絶縁開閉装置は、金属容器と支持部との接合部分において絶縁ガスが接したときに第1のトリプルジャンクション部が形成される部分を含む面と、導体部と支持部との接合部分において絶縁ガスが接したときに第2のトリプルジャンクション部が形成される部分を含む面との少なくとも一方を被覆するように、非線形抵抗膜を設ける。非線形抵抗膜は、所定の電界値以下の電界が作用するときには電気抵抗値が高く絶縁性であり、その所定の電界値より高い電界が作用するときには電気抵抗値が低く導電性になる。上記の所定の電界値は、第1および第2のトリプルジャンクション部において部分放電が開始する電界値を、第1および第2の非線形抵抗膜の誘電率で割った値である。
【選択図】図1
【解決手段】本実施形態のガス絶縁開閉装置は、金属容器と支持部との接合部分において絶縁ガスが接したときに第1のトリプルジャンクション部が形成される部分を含む面と、導体部と支持部との接合部分において絶縁ガスが接したときに第2のトリプルジャンクション部が形成される部分を含む面との少なくとも一方を被覆するように、非線形抵抗膜を設ける。非線形抵抗膜は、所定の電界値以下の電界が作用するときには電気抵抗値が高く絶縁性であり、その所定の電界値より高い電界が作用するときには電気抵抗値が低く導電性になる。上記の所定の電界値は、第1および第2のトリプルジャンクション部において部分放電が開始する電界値を、第1および第2の非線形抵抗膜の誘電率で割った値である。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、ガス絶縁開閉装置に関する。
ガス絶縁開閉装置は、変電所や発電所に設置されている。ガス絶縁開閉装置は、SF6ガスなどの絶縁ガスが封入される金属容器の内部において、絶縁材料で形成された支持部に通電用の高電圧導体が支持されている。
ガス絶縁開閉装置において、導電体と固体絶縁体と絶縁ガスとの3つが接するトリプルジャンクション部は、導電体と固体絶縁体との2つが接する部分、および、導電体と絶縁ガスとの2つが接する部分よりも、電界が集中して高くなる。このため、ガス絶縁開閉装置では、このトリプルジャンクション部での電界の集中によって、絶縁特性が低下する場合がある。
ガス絶縁開閉装置においては、トリプルジャンクション部での電界集中を緩和するためにシールドが設けられている(たとえば、特許文献1参照)。
しかしながら、ガス絶縁開閉装置は、シールドの設置によって装置が大型化する。たとえば、絶縁材料で形成された支持部の内部にシールドを設けた場合には、支持部が大型になる。また、通電用の高電圧導体の周囲にシールドを設けた場合には、高電圧導体と金属容器との間の絶縁距離を長くする必要があるので、金属容器を大型化する必要がある。このため、ガス絶縁開閉装置では、小型化と、装置の絶縁特性の向上との両者を実現することが容易でない。
したがって、本発明が解決しようとする課題は、小型化を実現することができ、絶縁特性を向上できる、ガス絶縁開閉装置を提供することである。
本実施形態のガス絶縁開閉装置は、内部に絶縁ガスが封入される金属容器と、金属容器の内部に収納されており、通電される導体部と、金属容器の内部において導体部を支持しており、絶縁材料で形成されている支持部とを備える。ここでは、金属容器と支持部との接合部分において絶縁ガスが接したときに第1のトリプルジャンクション部が形成される部分を含む面と、導体部と支持部との接合部分において絶縁ガスが接したときに第2のトリプルジャンクション部が形成される部分を含む面との少なくとも一方を被覆するように、非線形抵抗膜が設けられている。非線形抵抗膜は、所定の電界値以下の電界が作用するときには電気抵抗値が高く絶縁性であり、その所定の電界値より高い電界が作用するときには電気抵抗値が低く導電性になる。所定の電界値は、第1および第2のトリプルジャンクション部において部分放電が開始する電界値を、第1および第2の非線形抵抗膜の誘電率で割った値である。
本発明によれば、小型化を実現することができ、絶縁特性を向上できる、ガス絶縁開閉装置を提供することができる。
実施形態について、図面を参照して説明する。
<第1実施形態>
[A]構成など
図1,図2は、第1実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図1は、側面の断面を示し、図2は、正面の一部断面を示している。
[A]構成など
図1,図2は、第1実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図1は、側面の断面を示し、図2は、正面の一部断面を示している。
図1,図2に示すように、ガス絶縁開閉装置は、金属容器11、支持部31、導体部41、第1および第2の非線形抵抗膜911,912を備えた同軸円筒構造のガス絶縁母線を有している。以下より、ガス絶縁開閉装置を構成する各部の詳細について順次説明する。
[A−1]金属容器11
金属容器11は、金属材料で形成された密閉容器であって、図1に示すように、内部の収容空間には、六フッ化硫黄(SF6)などの絶縁ガス21が封入される。また、金属容器11は、グランドに電気的に接続されている。
金属容器11は、金属材料で形成された密閉容器であって、図1に示すように、内部の収容空間には、六フッ化硫黄(SF6)などの絶縁ガス21が封入される。また、金属容器11は、グランドに電気的に接続されている。
ここでは、金属容器11は、図1に示すように、第1容器本体部111と第2容器本体部112とを有している。第1容器本体部111および第2容器本体部112は、円筒形状の管状体であって、互いが中心軸方向(水平方向)に並んで連結されている。第1容器本体部111および第2容器本体部112の端部にはフランジ111F,112Fが形成されており、各フランジ111F,112Fが支持部31を挟んで対面し、ボルトなどの締結部材(図示省略)によって互いが締結されている。図2に示すように、第1容器本体部111のフランジ111Fは、第1容器本体部111の外周面を囲うようにリング状に形成されている(第2容器本体部112のフランジ112Fも同様)。
[A−2]支持部31
支持部31は、樹脂などの絶縁材料で形成されており、図1に示すように、金属容器11の内部において、導体部41を支持している。支持部31は、円錐部311とリング部312とを有し、円錐部311とリング部312とが一体に形成されている。
支持部31は、樹脂などの絶縁材料で形成されており、図1に示すように、金属容器11の内部において、導体部41を支持している。支持部31は、円錐部311とリング部312とを有し、円錐部311とリング部312とが一体に形成されている。
円錐部311は、金属容器11の内部に設けられている。円錐部311は、円錐形状の管状体であって、金属容器11の軸方向(水平方向)においてリング部312側の一端部から他端部へ向かうに伴って径が小さくなる部分を含むように形成されている。円錐部311は、その中心軸が金属容器11の中心軸と一致している。つまり、円錐部311は、金属容器11と同軸に配置されている。
リング部312は、リング形状の板状体であって、円錐部311の外周に設けられている。リング部312は、第1容器本体部111のフランジ111Fと第2容器本体部112のフランジ112Fとの間に挟まれている。リング部312は、その中心軸が金属容器11の中心軸と一致している。つまり、リング部312は、金属容器11と同軸に配置されている。
[A−3]導体部41
導体部41は、図1に示すように、金属容器11の内部に収容されている。導体部41は、接触子51と、電極部61と、第1および第2の高電圧導体411,412とを有している。導体部41を構成する各部は、金属などの導電材料で形成されており、通電される。
導体部41は、図1に示すように、金属容器11の内部に収容されている。導体部41は、接触子51と、電極部61と、第1および第2の高電圧導体411,412とを有している。導体部41を構成する各部は、金属などの導電材料で形成されており、通電される。
接触子51は、図1,図2に示すように、円柱形状であって、その中心軸が、金属容器11の中心軸に一致するように配置されている。接触子51は、図1に示すように、外周面にはフランジ51Fが形成されており、そのフランジ51Fに隣接するように電極部61が設けられている。そして、接触子51は、その電極部61が設けられた部分において、支持部31を構成する円錐部311の他端部に取付けられて支持されている。
電極部61は、図1に示すように、支持部31と接触子51との間に介在しており、接触子51の外周面を囲うように設けられている。
第1および第2の高電圧導体411,412は、図1,図2に示すように、管状体であって、中心軸が、金属容器11の中心軸に一致するように配置されている。図1に示すように、第1および第2の高電圧導体411,412は、内周面に第1および第2のスライドコンタクト部71,72が設けられており、接触子51に取付けられている。ここでは、第1高電圧導体411は、接触子51の一端側が内部に挿入されており、第1スライドコンタクト部71を介して、接触子51と電気的に接続されている。また、第2高電圧導体412は、接触子51の他端側が内部に挿入されており、第2スライドコンタクト部72を介して、接触子51と電気的に接続されている。このため、第1および第2の高電圧導体411,412は、接触子51と第1および第2のスライドコンタクト部71,72とを介して、互いに電気的に接続されている。
[A−4]第1および第2の非線形抵抗膜911,912
第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、図1に示すように、金属容器11の内部において、導電体と固体絶縁体と絶縁ガスとの3つが接することによって、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2が形成される部分に設けられている。
第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、図1に示すように、金属容器11の内部において、導電体と固体絶縁体と絶縁ガスとの3つが接することによって、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2が形成される部分に設けられている。
具体的には、第1非線形抵抗膜911は、図1に示すように、導電体である金属容器11と固体絶縁体である支持部31とが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆している。
一方で、第2非線形抵抗膜912は、図1に示すように、金属容器11の内部において、導体部41の電極部61と固体絶縁体である支持部31とが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆している。
第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、非線形抵抗材料を用いて形成されている。
図3は、第1実施形態に係るガス絶縁開閉装置において、第1および第2の非線形抵抗膜の抵抗特性を示す図である。図3において、横軸は、電界値Eであって、縦軸は、電気抵抗値Rの対数値(logR)である。図3では、第1および第2の非線形抵抗膜の抵抗特性の一例を示している。
図3に示すように、第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、所定の電界値Ed以下の電界が作用するときには電気抵抗値が高く絶縁性であり、その所定の電界値Edより高い電界が作用するときには電気抵抗値が低く導電性になるように形成されている。ここで、所定の電界値Edは、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2において部分放電が開始する電界値Epを、第1および第2の非線形抵抗膜911,912の誘電率εで割った値である(Ed=Ep/ε)。第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2において部分放電が開始する電界値Epに対して、たとえば、1/10から1/2になる電界値Edが作用したときに、絶縁性から導電性になることが好適である。
第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、たとえば、ZnO,SiC,SrTiO3,BaTiO3,Cu2O,Seの少なくとも1つを非線形抵抗材料として含むように形成されている。上記の非線形抵抗材料を主成分とする他に、Bi2O3,Co2O3,MnO,Sb2O3,NiOなどの金属酸化物が副成分として含有してもよい。また、第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、膜厚が、たとえば、50μm以上,500μm以下の範囲になるように形成されている。下限値以上であれば、充填材の粒径を考慮して、非線形な抵抗特性を実現可能である。上限値以下であれば、製造上の制約がなくなる。
第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、たとえば、各部を組み立てる前に、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2になる部分に非線形抵抗材料を塗布することによって形成される。第1非線形抵抗膜911については、支持部31の外周面に非線形抵抗材料を塗布すると共に、金属容器11の内周面に非線形抵抗材料を塗布することで形成される。また、第2非線形抵抗膜912については、電極部61と第1および第2のスライドコンタクト部71,72とが外周面に設けられた接触子51を支持部31に取り付けた後に、支持部31および電極部61の外周面に非線形抵抗材料を塗布することで形成される。
より具体的には、第1および第2の非線形抵抗膜911,912を形成する際には、はじめに、第1および第2の非線形抵抗膜911,912の成分を含む塗布液を作製する。つぎに、上記の塗布液を塗布した後に乾燥する。このようにすることで、第1および第2の非線形抵抗膜911,912が形成される。
本実施形態において、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2で部分放電が開始し得る電界が金属容器11内に生じた場合には、その電界の作用によって、第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、電気抵抗値が低下し、絶縁性から導電性になる。このため、第1非線形抵抗膜911が金属容器11と電気的に接続された状態になると共に、第2非線形抵抗膜912が導体部41と電気的に接続された状態になるので、電荷が蓄積されず、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2になる部分での電界の集中が緩和され、部分放電の発生を抑制できる。
なお、本実施形態と異なり、線形な抵抗特性を示す導電膜で第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2になる面を被覆した場合には、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2に電荷が集中することになるため、部分放電が開始される。また、線形な抵抗特性を示す絶縁膜で第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2になる面を被覆した場合には、導電膜の場合よりも部分放電が起こりにくいが、さらに電界が高くなると、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2へ電荷が集中するため、部分放電が開始される。
[B]まとめ
以上のように、本実施形態では、金属容器11と支持部31との接合部分において絶縁ガス21が接したときに第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、導体部41の電極部61と支持部31との接合部分において絶縁ガス21が接したときに第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。
以上のように、本実施形態では、金属容器11と支持部31との接合部分において絶縁ガス21が接したときに第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、導体部41の電極部61と支持部31との接合部分において絶縁ガス21が接したときに第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。
第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、所定の電界値Ed以下の電界が作用するときには電気抵抗値が高く絶縁性であり、その所定の電界値より高い電界が作用するときには電気抵抗値が低く導電性である、非線形抵抗材料を用いて形成されている。ここで、所定の電界値Edは、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2において部分放電が開始する電界値Epを、第1および第2の非線形抵抗膜911,912の誘電率εで割った値である(Ed=Ep/ε)。このため、本実施形態では、上述したように、部分放電が発生することを抑制できる。
したがって、本実施形態では、シールドの設置が不要であるので装置の小型化が可能であって、構成を簡素化することができる。また、本実施形態では、第1および第2の非線形抵抗膜911,912によって、トリプルジャンクション部TJ1,TJ2での電界の集中が抑制されるので、装置の絶縁特性の向上を実現できる。
[D]変形例
上記の実施形態では、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面と、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面との両者を被覆するように、第1非線形抵抗膜911と第2非線形抵抗膜912との両者を設けているが、これに限定されない。
上記の実施形態では、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面と、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面との両者を被覆するように、第1非線形抵抗膜911と第2非線形抵抗膜912との両者を設けているが、これに限定されない。
図4,図5は、第1実施形態に係るガス絶縁開閉装置の変形例を示す図である。図4,図5は、図1と同様に、側面の断面を示している。
図4に示すように、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911を設け、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分には、第2非線形抵抗膜912(図1参照)を設けなくても良い。第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分には、従来と同様に、電界を緩和するために、第1および第2の高電圧導体411,412の外周を囲うようにシールド91を設けると共に、支持部31の内部に内部シールド92aを形成してもよい。
また、図5に示すように、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912を設け、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分には、第1非線形抵抗膜911(図1参照)を設けなくても良い。第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分には、従来と同様に、電界を緩和するために、金属容器11の内周面にシールド91Ab,91Bbを設けると共に、支持部31の内部に内部シールド91aを形成してもよい。
<第2実施形態>
[A]構成
図6は、第2実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図6は、図1と同様に、側面の断面を示している。
[A]構成
図6は、第2実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図6は、図1と同様に、側面の断面を示している。
本実施形態では、図6に示すように、支持部31bの形態が、第1実施形態と異なっている。本実施形態は、この点、および、関連する点を除き、第1実施形態の場合と同様である。このため、本実施形態において、この実施形態と重複する個所については、適宜、記載を省略する。
図6に示すように、支持部31bは、第1実施形態と異なり、リング状の板状体であって、外周部において、第1容器本体部111のフランジ111Fと第2容器本体部112のフランジ112Fとの間に挟まれている。支持部31bは、中心軸が金属容器11の中心軸と一致するように配置されている。
本実施形態では、第1実施形態と同様に、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。
[B]まとめ
以上のように、本実施形態では、第1実施形態と同様に、第1非線形抵抗膜911および第2非線形抵抗膜912が形成されている。このため、第1トリプルジャンクション部TJ1および第2トリプルジャンクション部TJ2において、電界が集中して部分放電が発生することを抑制できる。
以上のように、本実施形態では、第1実施形態と同様に、第1非線形抵抗膜911および第2非線形抵抗膜912が形成されている。このため、第1トリプルジャンクション部TJ1および第2トリプルジャンクション部TJ2において、電界が集中して部分放電が発生することを抑制できる。
したがって、本実施形態では、第1実施形態と同様に、小型化と、装置の絶縁特性の向上との両者を容易に実現できる。
<第3実施形態>
[A]構成
図7,図8は、第3実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図7は、図1と同様に、側面の断面を示している。図8は、ガス絶縁開閉装置の一部の正面を示している。
[A]構成
図7,図8は、第3実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図7は、図1と同様に、側面の断面を示している。図8は、ガス絶縁開閉装置の一部の正面を示している。
本実施形態では、図7,図8に示すように、支持部31cの形態が、第1実施形態と異なっている。また、金属容器11が金属スペーサ113を含む。本実施形態は、これらの点、および、関連する点を除き、第1実施形態の場合と同様である。このため、本実施形態において、この実施形態と重複する個所については、適宜、記載を省略する。
支持部31cは、図7に示すように、水平部311cと垂直部312cとを有し、水平部311cと垂直部312cとが連結された湾曲形状である。
支持部31cのうち、水平部311cは、図7に示すように、金属容器11の内部において水平方向に延在した部分を含むように設けられている。水平部311cは、一端部が金属スペーサ113に取付けられている。
支持部31cのうち、垂直部312cは、図7に示すように、金属容器11の内部において垂直方向に延在した部分を含むように設けられている。垂直部312cは、一端部が、水平部311cの他端部に連結されている。図8に示すように、垂直部312cは、金属容器11の径方向において中心軸側から外側に向かって幅が広くなるように形成されている。そして、垂直部312cは、図8に示すように、他端部側において金属容器11の中心軸が貫く部分には、開口が形成されており、図7に示すように、その開口には、電極部61が外周面に設けられた接触子51が取り付けられている。
金属スペーサ113は、図7に示すように、金属容器11の内部において、支持部31cが取付けられている。図8に示すように、金属スペーサ113は、リング部113Rと、凸部113Tとを有し、リング部113Rと、凸部113Tとが一体に形成されている。
金属スペーサ113のうち、リング部113Rは、図8に示すように、リング形状の板状体である。リング部113Rは、図7に示すように、第1容器本体部111のフランジ111Fと第2容器本体部112のフランジ112Fとの間に挟まれている。
金属スペーサ113のうち、凸部113Tは、図7,図8に示すように、リング部113Rの内周面から垂直方向に突き出るように形成されている。そして、凸部113Tの側面に支持部31cが取付けられている。
そして、図7に示すように、導電体である金属容器11の凸部113Tと固体絶縁体である支持部31cとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。
また、図7に示すように、金属容器11の内部において、導体部41の電極部61と固体絶縁体である支持部31cとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。
[B]まとめ
以上のように、本実施形態では、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。このため、第1実施形態と同様に、第1トリプルジャンクション部TJ1および第2トリプルジャンクション部TJ2において、電界が集中して部分放電が発生することを抑制できる。
以上のように、本実施形態では、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。このため、第1実施形態と同様に、第1トリプルジャンクション部TJ1および第2トリプルジャンクション部TJ2において、電界が集中して部分放電が発生することを抑制できる。
したがって、本実施形態では、第1実施形態と同様に、小型化と、装置の絶縁特性の向上との両者を容易に実現できる。
<第4実施形態>
[A]構成
図9は、第4実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図9は、図1と同様に、側面の断面を示している。
[A]構成
図9は、第4実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図9は、図1と同様に、側面の断面を示している。
本実施形態では、図9に示すように、金属容器11は、接地電位座114dと接地電位電極115dとを含む。また、支持部31dの形態が、第1実施形態と異なっている。本実施形態は、これらの点、および、関連する点を除き、第1実施形態の場合と同様である。このため、本実施形態において、この実施形態と重複する個所については、適宜、記載を省略する。なお、導体部41については図示の一部を省略して示している。
金属容器11において、接地電位座114dは、図9に示すように、管状体である容器本体部111dの外周面に設置されている。接地電位座114dは、容器本体部111dに設けられた開口を密閉している。接地電位電極115dは、接地電位座114dの内側の面に設けられている。
支持部31dは、図9に示すように、金属容器11の内部において、導体部41を支持している。支持部31dは、柱状体であって、導体部41の電極部61と、接地電位座114dに設けられた接地電位電極115dとの間において、中央部の幅が上端部および下端部の幅よりも広くなるように形成されている。
そして、図9に示すように、金属容器11の接地電位電極115dと固体絶縁体である支持部31dとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。
また、図9に示すように、金属容器11の内部において、導体部41の電極部61と固体絶縁体である支持部31dとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。
[B]まとめ
以上のように、本実施形態では、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。このため、第1実施形態と同様に、第1トリプルジャンクション部TJ1および第2トリプルジャンクション部TJ2において、電界が集中して部分放電が発生することを抑制できる。
以上のように、本実施形態では、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。このため、第1実施形態と同様に、第1トリプルジャンクション部TJ1および第2トリプルジャンクション部TJ2において、電界が集中して部分放電が発生することを抑制できる。
したがって、本実施形態では、第1実施形態と同様に、小型化と、装置の絶縁特性の向上との両者を容易に実現できる。
<第5実施形態>
[A]構成
図10,図11は、第5実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図10は、図1と同様に、側面の断面を示している。図11は、図2と同様に、正面の一部断面を示している。
[A]構成
図10,図11は、第5実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図10は、図1と同様に、側面の断面を示している。図11は、図2と同様に、正面の一部断面を示している。
本実施形態では、図10,図11に示すように、金属容器11は、接地電位座114eと接地電位電極115eとを含む。また、支持部31eの形態が、第1実施形態と異なっている。本実施形態は、これらの点、および、関連する点を除き、第1実施形態の場合と同様である。このため、本実施形態において、この実施形態と重複する個所については、適宜、記載を省略する。なお、導体部41については図示の一部を省略して示している。
金属容器11において、接地電位座114eは、図10,図11に示すように、管状体である容器本体部111eの内周面に複数が設置されている。接地電位電極115eは、複数の接地電位座114eの内側の面に設けられている。
支持部31eは、図10,図11に示すように、リング部311eと、脚部312eとを有し、リング部311eと脚部312eとが一体で形成されており、金属容器11の内部において、導体部41を支持している。
支持部31eのうち、リング部311eは、図10,図11に示すように、リング形状の板状体であって、中心軸が、金属容器11の中心軸に一致するように設けられている。リング部311eは、導体部41において外周面に電極部61が設けられた部分を内部に含むように、中心軸の軸方向に導体部41が貫通している。
支持部31eのうち、脚部312eは、図10,図11に示すように、リング部311eの径方向において外周面から外側に延びるように複数が設けられている。複数の脚部312eは、リング部311eの中心軸の周りにおいて等間隔で並ぶように配置されている。複数の脚部312eにおいては、外側の端部が、接地電位座114eに設けられた接地電位電極115eに接して取付けられている。
そして、図10,図11に示すように、導電体である金属容器11の接地電位電極115eと固体絶縁体である支持部31eとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。
また、図10,図11に示すように、金属容器11の内部において、導体部41の電極部61と固体絶縁体である支持部31eとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。
[B]まとめ
以上のように、本実施形態では、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。このため、第1実施形態と同様に、第1トリプルジャンクション部TJ1および第2トリプルジャンクション部TJ2において、電界が集中して部分放電が発生することを抑制できる。
以上のように、本実施形態では、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。このため、第1実施形態と同様に、第1トリプルジャンクション部TJ1および第2トリプルジャンクション部TJ2において、電界が集中して部分放電が発生することを抑制できる。
したがって、本実施形態では、第1実施形態と同様に、小型化と、装置の絶縁特性の向上との両者を容易に実現できる。
<第6実施形態>
[A]構成
図12は、第6実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図12は、側面の断面において、上側部分を示している。
[A]構成
図12は、第6実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図12は、側面の断面において、上側部分を示している。
本実施形態では、図12に示すように、金属容器11は、接地電位座114fと接地電位電極115fとを含む。また、支持部31fの形態が、第1実施形態と異なっている。本実施形態は、これらの点、および、関連する点を除き、第1実施形態の場合と同様である。このため、本実施形態において、この実施形態と重複する個所については、適宜、記載を省略する。なお、導体部41については図示の一部を省略して示している。
金属容器11において、接地電位座114fは、図12に示すように、容器本体部111fの外周面に設置されている。接地電位座114fは、容器本体部111fに設けられた開口を密閉している。接地電位電極115fは、接地電位座114の内側の面に設けられている。
支持部31fは、図12に示すように、支持部31fは、金属容器11の内部において、導体部41を支持している。支持部31fは、棒状体であって、導体部41の電極部61と、接地電位座114fに設けられた接地電位電極115fとの間において、ほぼ同じ幅になるように形成されている。
そして、図12に示すように、金属容器11の接地電位電極115fと固体絶縁体である支持部31fとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。
また、図12に示すように、金属容器11の内部において、導体部41の電極部61と固体絶縁体である支持部31fとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。
[B]まとめ
以上のように、本実施形態では、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。このため、第1実施形態と同様に、第1トリプルジャンクション部TJ1および第2トリプルジャンクション部TJ2において、電界が集中して部分放電が発生することを抑制できる。
以上のように、本実施形態では、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。このため、第1実施形態と同様に、第1トリプルジャンクション部TJ1および第2トリプルジャンクション部TJ2において、電界が集中して部分放電が発生することを抑制できる。
したがって、本実施形態では、第1実施形態と同様に、小型化と、装置の絶縁特性の向上との両者を容易に実現できる。
<第7実施形態>
[A]構成
図13,図14は、第7実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図13は、図1と同様に、側面の断面を示している。図14は、図2と同様に、正面の一部断面を示している。
[A]構成
図13,図14は、第7実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図13は、図1と同様に、側面の断面を示している。図14は、図2と同様に、正面の一部断面を示している。
本実施形態では、図13に示すように、金属容器11は、接地電位座114gと円盤体部115gとを含む。また、図13,図14に示すように、支持部31gの形態が、第1実施形態と異なっている。本実施形態は、これらの点、および、関連する点を除き、第1実施形態の場合と同様である。このため、本実施形態において、この実施形態と重複する個所については、適宜、記載を省略する。なお、導体部41については図示の一部を省略して示している。
金属容器11のうち、接地電位座114gは、図13に示すように、円盤体部115gに設置されている。円盤体部115gは、管状体である容器本体部111gの一端部に設置され、金属容器11の内部を密閉しており、内側の面に接地電位座114gが固定されている。
支持部31gは、図13,図14に示すように、円筒形状の管状体であって、金属容器11の内部において、一端部が接地電位座114gに固定されている。そして、支持部31gは、他端部に導体部41が固定されており、導体部41を支持している。支持部31gは、金属容器11と同軸になるように配置されている。
そして、図13,図14に示すように、金属容器11の接地電位座114gと固体絶縁体である支持部31gとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。
また、図13に示すように、金属容器11の内部において、導体部41と固体絶縁体である支持部31gとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。
[B]まとめ
以上のように、本実施形態では、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。このため、第1実施形態と同様に、第1トリプルジャンクション部TJ1および第2トリプルジャンクション部TJ2において、電界が集中して部分放電が発生することを抑制できる。
以上のように、本実施形態では、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。このため、第1実施形態と同様に、第1トリプルジャンクション部TJ1および第2トリプルジャンクション部TJ2において、電界が集中して部分放電が発生することを抑制できる。
したがって、本実施形態では、第1実施形態と同様に、小型化と、装置の絶縁特性の向上との両者を容易に実現できる。
<その他>
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
11…金属容器、21…絶縁ガス、31,31b,31c,31d,31e,31f,31g…支持部、41…導体部、51…接触子、61…電極部、71…第1スライドコンタクト部、72…第2スライドコンタクト部、91,91Ab,91Bb…シールド、91a,92…内部シールド、111…第1容器本体部、111d,111e,111f,111g…容器本体部、112…第2容器本体部、113…金属スペーサ、113R…リング部、113T…凸部、114,114d,114e,114f,114g…接地電位座
115,115d,115e,115f,115g…円盤体部、311…円錐部、311c…水平部、311e…リング部、312…リング部、312c…垂直部、312e…脚部、411…第1高電圧導体、412…第2高電圧導体、911…第1非線形抵抗膜、912…第2非線形抵抗膜、TJ1…第1トリプルジャンクション部、TJ2…第2トリプルジャンクション部
115,115d,115e,115f,115g…円盤体部、311…円錐部、311c…水平部、311e…リング部、312…リング部、312c…垂直部、312e…脚部、411…第1高電圧導体、412…第2高電圧導体、911…第1非線形抵抗膜、912…第2非線形抵抗膜、TJ1…第1トリプルジャンクション部、TJ2…第2トリプルジャンクション部
Claims (9)
- 絶縁ガスが内部に封入される金属容器と、
前記金属容器の内部に収納されており、通電される導体部と、
前記金属容器の内部において前記導体部を支持しており、絶縁材料で形成されている支持部とを備えるガス絶縁開閉装置であって、
前記金属容器と前記支持部との接合部分において前記絶縁ガスが接したときに第1のトリプルジャンクション部が形成される部分を含む面と、前記導体部と前記支持部との接合部分において前記絶縁ガスが接したときに第2のトリプルジャンクション部が形成される部分を含む面との少なくとも一方を被覆するように、非線形抵抗膜が設けられており、
前記非線形抵抗膜は、所定の電界値以下の電界が作用するときには電気抵抗値が高く絶縁性であり、前記所定の電界値より高い電界が作用するときには電気抵抗値が低く導電性になり、
前記所定の電界値は、前記第1および第2のトリプルジャンクション部において部分放電が開始する電界値を、前記第1および第2の非線形抵抗膜の誘電率で割った値であることを特徴とする、
ガス絶縁開閉装置。 - 前記非線形抵抗膜は、ZnO,SiC,SrTiO3,BaTiO3,Cu2O,Seの少なくとも1つを含むように形成されている、
請求項1に記載のガス絶縁開閉装置。 - 前記支持部は、円錐形状であって、円筒形状である前記金属容器と同軸になるように配置されている、
請求項1または2に記載のガス絶縁開閉装置。 - 前記支持部は、リング形状であって、円筒形状である前記金属容器と同軸になるように配置されている、
請求項1または2に記載のガス絶縁開閉装置。 - 前記支持部は、湾曲形状であって、円筒形状である前記金属容器の軸方向に沿った部分と、当該軸方向に直交する部分とを含む、
請求項1または2に記載のガス絶縁開閉装置。 - 前記支持部は、柱状体であって、前記導体部と前記金属容器との間において、中央部の幅が両端部の幅よりも広くなるように形成されている、
請求項1または2に記載のガス絶縁開閉装置。 - 前記支持部は、リング形状のリング部と、前記リング部の径方向において外周面から外側に延びた複数の脚部とを有し、前記リング部が、円筒形状である前記金属容器と同軸になるように配置されている、
請求項1または2に記載のガス絶縁開閉装置。 - 前記支持部は、棒状体であって、前記導体部と前記金属容器との間において幅が同じになるように形成されている、
請求項1または2に記載のガス絶縁開閉装置。 - 前記支持部は、円筒形状であって、円筒形状である前記金属容器と同軸になるように配置されている、
請求項1または2に記載のガス絶縁開閉装置。
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JP7109911B2 (ja) | 真空バルブ |
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