JP2013223366A - Gas-insulated switchgear - Google Patents

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Kota Shinohe
康太 四戸
Osamu Nakano
修 中野
Hideaki Shirai
英明 白井
Masafumi Takei
雅文 武井
Kaneharu Fujiwara
金春 藤原
Masayuki Fukunaga
雅之 福永
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gas-insulated switchgear that can realize a reduction in size and improve insulation characteristics.SOLUTION: In a gas-insulated switchgear, non-linear resistance films are provided so as to coat at least one of a surface including a portion where a first triple junction is formed when an insulation gas is brought into contact with a joint portion between a metal container and a supporting section and a surface including a portion where a second triple junction is formed when the insulation gas is brought into contact with a joint portion between a conductor section and the supporting section. Each of the nonlinear resistance films has a high electric resistance value and insulation properties when an electrical field not greater than a predetermined electric field value is applied thereto, and has a low electric resistance value and conductivity when an electrical field higher than the predetermined electric field value is applied thereto. The predetermined electric field value is obtained by dividing an electric field value by which partial discharging is started in the first and second triple junctions by permittivity of the first and second nonlinear resistance films.

Description

本発明の実施形態は、ガス絶縁開閉装置に関する。   Embodiments described herein relate generally to a gas insulated switchgear.

ガス絶縁開閉装置は、変電所や発電所に設置されている。ガス絶縁開閉装置は、SFガスなどの絶縁ガスが封入される金属容器の内部において、絶縁材料で形成された支持部に通電用の高電圧導体が支持されている。 Gas-insulated switchgear is installed in substations and power plants. In the gas insulated switchgear, a high voltage conductor for energization is supported by a support portion formed of an insulating material inside a metal container in which an insulating gas such as SF 6 gas is sealed.

ガス絶縁開閉装置において、導電体と固体絶縁体と絶縁ガスとの3つが接するトリプルジャンクション部は、導電体と固体絶縁体との2つが接する部分、および、導電体と絶縁ガスとの2つが接する部分よりも、電界が集中して高くなる。このため、ガス絶縁開閉装置では、このトリプルジャンクション部での電界の集中によって、絶縁特性が低下する場合がある。   In the gas insulated switchgear, the triple junction portion where the conductor, the solid insulator and the insulating gas are in contact with each other is the portion where the conductor and the solid insulator are in contact with each other, and the conductor and the insulating gas are in contact with each other. The electric field concentrates and becomes higher than the portion. For this reason, in the gas-insulated switchgear, the insulation characteristics may deteriorate due to the concentration of the electric field at the triple junction.

ガス絶縁開閉装置においては、トリプルジャンクション部での電界集中を緩和するためにシールドが設けられている(たとえば、特許文献1参照)。   In the gas insulated switchgear, a shield is provided to alleviate electric field concentration at the triple junction (see, for example, Patent Document 1).

特開平11−285119号公報(図1など)JP-A-11-285119 (FIG. 1 etc.)

しかしながら、ガス絶縁開閉装置は、シールドの設置によって装置が大型化する。たとえば、絶縁材料で形成された支持部の内部にシールドを設けた場合には、支持部が大型になる。また、通電用の高電圧導体の周囲にシールドを設けた場合には、高電圧導体と金属容器との間の絶縁距離を長くする必要があるので、金属容器を大型化する必要がある。このため、ガス絶縁開閉装置では、小型化と、装置の絶縁特性の向上との両者を実現することが容易でない。   However, the gas insulated switchgear becomes larger due to the installation of the shield. For example, when a shield is provided inside a support portion made of an insulating material, the support portion becomes large. Further, when a shield is provided around the high-voltage conductor for energization, it is necessary to increase the insulation distance between the high-voltage conductor and the metal container, so that the metal container needs to be enlarged. For this reason, in a gas insulated switchgear, it is not easy to realize both miniaturization and improvement of the insulation characteristics of the device.

したがって、本発明が解決しようとする課題は、小型化を実現することができ、絶縁特性を向上できる、ガス絶縁開閉装置を提供することである。   Therefore, the problem to be solved by the present invention is to provide a gas insulated switchgear that can be miniaturized and can improve insulation characteristics.

本実施形態のガス絶縁開閉装置は、内部に絶縁ガスが封入される金属容器と、金属容器の内部に収納されており、通電される導体部と、金属容器の内部において導体部を支持しており、絶縁材料で形成されている支持部とを備える。ここでは、金属容器と支持部との接合部分において絶縁ガスが接したときに第1のトリプルジャンクション部が形成される部分を含む面と、導体部と支持部との接合部分において絶縁ガスが接したときに第2のトリプルジャンクション部が形成される部分を含む面との少なくとも一方を被覆するように、非線形抵抗膜が設けられている。非線形抵抗膜は、所定の電界値以下の電界が作用するときには電気抵抗値が高く絶縁性であり、その所定の電界値より高い電界が作用するときには電気抵抗値が低く導電性になる。所定の電界値は、第1および第2のトリプルジャンクション部において部分放電が開始する電界値を、第1および第2の非線形抵抗膜の誘電率で割った値である。   The gas-insulated switchgear according to the present embodiment includes a metal container in which an insulating gas is enclosed, a conductor part that is encased in the metal container, and supports the conductor part inside the metal container. And a support portion formed of an insulating material. Here, the insulating gas is in contact with the surface including the portion where the first triple junction portion is formed when the insulating gas comes into contact with the joint portion between the metal container and the support portion, and the joint portion between the conductor portion and the support portion. Then, the non-linear resistance film is provided so as to cover at least one of the surface including the portion where the second triple junction portion is formed. The non-linear resistance film has a high electric resistance value and insulation when an electric field below a predetermined electric field value is applied, and has a low electric resistance value and becomes conductive when an electric field higher than the predetermined electric field value is applied. The predetermined electric field value is a value obtained by dividing the electric field value at which partial discharge starts in the first and second triple junction portions by the dielectric constants of the first and second nonlinear resistance films.

本発明によれば、小型化を実現することができ、絶縁特性を向上できる、ガス絶縁開閉装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, size reduction can be implement | achieved and the gas insulated switchgear which can improve an insulation characteristic can be provided.

図1は、第1実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a main part of the gas insulated switchgear according to the first embodiment. 図2は、第1実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a main part of the gas insulated switchgear according to the first embodiment. 図3は、第1実施形態に係るガス絶縁開閉装置において、第1および第2の非線形抵抗膜の抵抗特性を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing resistance characteristics of the first and second nonlinear resistance films in the gas insulated switchgear according to the first embodiment. 図4は、第1実施形態に係るガス絶縁開閉装置の変形例を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a modification of the gas insulated switchgear according to the first embodiment. 図5は、第1実施形態に係るガス絶縁開閉装置の変形例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a modification of the gas insulated switchgear according to the first embodiment. 図6は、第2実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a main part of the gas insulated switchgear according to the second embodiment. 図7は、第3実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a main part of the gas insulated switchgear according to the third embodiment. 図8は、第3実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す正面図である。FIG. 8 is a front view showing a main part of the gas insulated switchgear according to the third embodiment. 図9は、第4実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a main part of the gas insulated switchgear according to the fourth embodiment. 図10は、第5実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a main part of a gas insulated switchgear according to the fifth embodiment. 図11は、第5実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す断面図である。FIG. 11: is sectional drawing which shows the principal part of the gas insulated switchgear concerning 5th Embodiment. 図12は、第6実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing a main part of a gas insulated switchgear according to the sixth embodiment. 図13は、第7実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す断面図である。FIG. 13: is sectional drawing which shows the principal part of the gas insulated switchgear concerning 7th Embodiment. 図14は、第7実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す断面図である。FIG. 14: is sectional drawing which shows the principal part of the gas insulated switchgear concerning 7th Embodiment.

実施形態について、図面を参照して説明する。   Embodiments will be described with reference to the drawings.

<第1実施形態>
[A]構成など
図1,図2は、第1実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図1は、側面の断面を示し、図2は、正面の一部断面を示している。
<First Embodiment>
[A] Configuration, etc. FIGS. 1 and 2 are views showing the main part of the gas insulated switchgear according to the first embodiment. FIG. 1 shows a side cross section, and FIG. 2 shows a partial front cross section.

図1,図2に示すように、ガス絶縁開閉装置は、金属容器11、支持部31、導体部41、第1および第2の非線形抵抗膜911,912を備えた同軸円筒構造のガス絶縁母線を有している。以下より、ガス絶縁開閉装置を構成する各部の詳細について順次説明する。   As shown in FIGS. 1 and 2, the gas-insulated switchgear includes a gas-insulated bus bar having a coaxial cylindrical structure including a metal container 11, a support portion 31, a conductor portion 41, and first and second nonlinear resistance films 911 and 912. have. Hereinafter, details of each part constituting the gas insulated switchgear will be sequentially described.

[A−1]金属容器11
金属容器11は、金属材料で形成された密閉容器であって、図1に示すように、内部の収容空間には、六フッ化硫黄(SF)などの絶縁ガス21が封入される。また、金属容器11は、グランドに電気的に接続されている。
[A-1] Metal container 11
The metal container 11 is a sealed container formed of a metal material. As shown in FIG. 1, an insulating gas 21 such as sulfur hexafluoride (SF 6 ) is enclosed in the internal storage space. The metal container 11 is electrically connected to the ground.

ここでは、金属容器11は、図1に示すように、第1容器本体部111と第2容器本体部112とを有している。第1容器本体部111および第2容器本体部112は、円筒形状の管状体であって、互いが中心軸方向(水平方向)に並んで連結されている。第1容器本体部111および第2容器本体部112の端部にはフランジ111F,112Fが形成されており、各フランジ111F,112Fが支持部31を挟んで対面し、ボルトなどの締結部材(図示省略)によって互いが締結されている。図2に示すように、第1容器本体部111のフランジ111Fは、第1容器本体部111の外周面を囲うようにリング状に形成されている(第2容器本体部112のフランジ112Fも同様)。   Here, the metal container 11 has the 1st container main-body part 111 and the 2nd container main-body part 112, as shown in FIG. The 1st container main-body part 111 and the 2nd container main-body part 112 are cylindrical tubular bodies, Comprising: Each other is connected along with the center axis direction (horizontal direction). Flange 111F, 112F is formed in the edge part of the 1st container main-body part 111 and the 2nd container main-body part 112, each flange 111F, 112F faces the support part 31, and fastening members, such as a volt | bolt (illustrating) Are omitted from each other. As shown in FIG. 2, the flange 111F of the first container main body 111 is formed in a ring shape so as to surround the outer peripheral surface of the first container main body 111 (the same applies to the flange 112F of the second container main body 112). ).

[A−2]支持部31
支持部31は、樹脂などの絶縁材料で形成されており、図1に示すように、金属容器11の内部において、導体部41を支持している。支持部31は、円錐部311とリング部312とを有し、円錐部311とリング部312とが一体に形成されている。
[A-2] Support part 31
The support portion 31 is formed of an insulating material such as a resin, and supports the conductor portion 41 inside the metal container 11 as shown in FIG. The support portion 31 includes a conical portion 311 and a ring portion 312, and the conical portion 311 and the ring portion 312 are integrally formed.

円錐部311は、金属容器11の内部に設けられている。円錐部311は、円錐形状の管状体であって、金属容器11の軸方向(水平方向)においてリング部312側の一端部から他端部へ向かうに伴って径が小さくなる部分を含むように形成されている。円錐部311は、その中心軸が金属容器11の中心軸と一致している。つまり、円錐部311は、金属容器11と同軸に配置されている。   The conical part 311 is provided inside the metal container 11. The conical portion 311 is a conical tubular body and includes a portion whose diameter decreases in the axial direction (horizontal direction) of the metal container 11 from one end portion on the ring portion 312 side toward the other end portion. Is formed. The central axis of the conical part 311 coincides with the central axis of the metal container 11. That is, the conical part 311 is arranged coaxially with the metal container 11.

リング部312は、リング形状の板状体であって、円錐部311の外周に設けられている。リング部312は、第1容器本体部111のフランジ111Fと第2容器本体部112のフランジ112Fとの間に挟まれている。リング部312は、その中心軸が金属容器11の中心軸と一致している。つまり、リング部312は、金属容器11と同軸に配置されている。   The ring portion 312 is a ring-shaped plate-like body and is provided on the outer periphery of the conical portion 311. The ring portion 312 is sandwiched between the flange 111F of the first container body 111 and the flange 112F of the second container body 112. The central axis of the ring portion 312 is coincident with the central axis of the metal container 11. That is, the ring portion 312 is arranged coaxially with the metal container 11.

[A−3]導体部41
導体部41は、図1に示すように、金属容器11の内部に収容されている。導体部41は、接触子51と、電極部61と、第1および第2の高電圧導体411,412とを有している。導体部41を構成する各部は、金属などの導電材料で形成されており、通電される。
[A-3] Conductor portion 41
As shown in FIG. 1, the conductor portion 41 is accommodated inside the metal container 11. The conductor portion 41 includes a contact 51, an electrode portion 61, and first and second high voltage conductors 411 and 412. Each part which comprises the conductor part 41 is formed with electrically conductive materials, such as a metal, and it supplies with electricity.

接触子51は、図1,図2に示すように、円柱形状であって、その中心軸が、金属容器11の中心軸に一致するように配置されている。接触子51は、図1に示すように、外周面にはフランジ51Fが形成されており、そのフランジ51Fに隣接するように電極部61が設けられている。そして、接触子51は、その電極部61が設けられた部分において、支持部31を構成する円錐部311の他端部に取付けられて支持されている。   As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the contact 51 has a cylindrical shape, and is arranged so that its central axis coincides with the central axis of the metal container 11. As shown in FIG. 1, the contact 51 has a flange 51 </ b> F formed on the outer peripheral surface, and an electrode portion 61 is provided adjacent to the flange 51 </ b> F. The contact 51 is attached to and supported by the other end portion of the conical portion 311 constituting the support portion 31 in the portion where the electrode portion 61 is provided.

電極部61は、図1に示すように、支持部31と接触子51との間に介在しており、接触子51の外周面を囲うように設けられている。   As shown in FIG. 1, the electrode part 61 is interposed between the support part 31 and the contact 51 and is provided so as to surround the outer peripheral surface of the contact 51.

第1および第2の高電圧導体411,412は、図1,図2に示すように、管状体であって、中心軸が、金属容器11の中心軸に一致するように配置されている。図1に示すように、第1および第2の高電圧導体411,412は、内周面に第1および第2のスライドコンタクト部71,72が設けられており、接触子51に取付けられている。ここでは、第1高電圧導体411は、接触子51の一端側が内部に挿入されており、第1スライドコンタクト部71を介して、接触子51と電気的に接続されている。また、第2高電圧導体412は、接触子51の他端側が内部に挿入されており、第2スライドコンタクト部72を介して、接触子51と電気的に接続されている。このため、第1および第2の高電圧導体411,412は、接触子51と第1および第2のスライドコンタクト部71,72とを介して、互いに電気的に接続されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the first and second high-voltage conductors 411 and 412 are tubular bodies, and are arranged so that the central axis coincides with the central axis of the metal container 11. As shown in FIG. 1, the first and second high voltage conductors 411 and 412 are provided with first and second slide contact portions 71 and 72 on the inner peripheral surface, and are attached to the contact 51. Yes. Here, the first high-voltage conductor 411 has one end of the contact 51 inserted therein, and is electrically connected to the contact 51 via the first slide contact portion 71. The second high voltage conductor 412 has the other end of the contact 51 inserted therein, and is electrically connected to the contact 51 via the second slide contact portion 72. Therefore, the first and second high voltage conductors 411 and 412 are electrically connected to each other via the contact 51 and the first and second slide contact portions 71 and 72.

[A−4]第1および第2の非線形抵抗膜911,912
第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、図1に示すように、金属容器11の内部において、導電体と固体絶縁体と絶縁ガスとの3つが接することによって、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2が形成される部分に設けられている。
[A-4] First and second nonlinear resistance films 911, 912
As shown in FIG. 1, the first and second nonlinear resistance films 911 and 912 are formed in contact with three conductors, a solid insulator and an insulating gas inside the metal container 11. The triple junction portions TJ1 and TJ2 are provided at a portion where the triple junction portions TJ1 and TJ2 are formed.

具体的には、第1非線形抵抗膜911は、図1に示すように、導電体である金属容器11と固体絶縁体である支持部31とが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆している。   Specifically, as shown in FIG. 1, the first nonlinear resistance film 911 is a portion where the metal container 11 that is a conductor and the support portion 31 that is a solid insulator are joined, and the insulating gas 21 is in contact therewith. The surface including the portion where the first triple junction portion TJ1 is formed is covered.

一方で、第2非線形抵抗膜912は、図1に示すように、金属容器11の内部において、導体部41の電極部61と固体絶縁体である支持部31とが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆している。   On the other hand, as shown in FIG. 1, the second nonlinear resistance film 912 is a portion where the electrode portion 61 of the conductor portion 41 and the support portion 31 that is a solid insulator are joined inside the metal container 11, A surface including a portion where the second triple junction portion TJ2 is formed when the insulating gas 21 is in contact is covered.

第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、非線形抵抗材料を用いて形成されている。   The first and second nonlinear resistance films 911 and 912 are formed using a nonlinear resistance material.

図3は、第1実施形態に係るガス絶縁開閉装置において、第1および第2の非線形抵抗膜の抵抗特性を示す図である。図3において、横軸は、電界値Eであって、縦軸は、電気抵抗値Rの対数値(logR)である。図3では、第1および第2の非線形抵抗膜の抵抗特性の一例を示している。   FIG. 3 is a diagram showing resistance characteristics of the first and second nonlinear resistance films in the gas insulated switchgear according to the first embodiment. In FIG. 3, the horizontal axis represents the electric field value E, and the vertical axis represents the logarithmic value (log R) of the electric resistance value R. FIG. 3 shows an example of the resistance characteristics of the first and second nonlinear resistance films.

図3に示すように、第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、所定の電界値Ed以下の電界が作用するときには電気抵抗値が高く絶縁性であり、その所定の電界値Edより高い電界が作用するときには電気抵抗値が低く導電性になるように形成されている。ここで、所定の電界値Edは、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2において部分放電が開始する電界値Epを、第1および第2の非線形抵抗膜911,912の誘電率εで割った値である(Ed=Ep/ε)。第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2において部分放電が開始する電界値Epに対して、たとえば、1/10から1/2になる電界値Edが作用したときに、絶縁性から導電性になることが好適である。   As shown in FIG. 3, the first and second non-linear resistance films 911 and 912 have a high electric resistance value and an insulating property when an electric field equal to or lower than a predetermined electric field value Ed is applied, and from the predetermined electric field value Ed. When a high electric field is applied, the electric resistance value is low and the electrode is made conductive. Here, the predetermined electric field value Ed is the electric field value Ep at which partial discharge starts in the first and second triple junction portions TJ1 and TJ2, and is based on the dielectric constant ε of the first and second nonlinear resistance films 911 and 912. The divided value (Ed = Ep / ε). The first and second nonlinear resistance films 911 and 912 are, for example, 1/10 to 1/2 with respect to the electric field value Ep at which partial discharge starts in the first and second triple junction portions TJ1 and TJ2. It is preferable to change from insulating to conductive when the electric field value Ed is applied.

第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、たとえば、ZnO,SiC,SrTiO,BaTiO,CuO,Seの少なくとも1つを非線形抵抗材料として含むように形成されている。上記の非線形抵抗材料を主成分とする他に、Bi,Co,MnO,Sb,NiOなどの金属酸化物が副成分として含有してもよい。また、第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、膜厚が、たとえば、50μm以上,500μm以下の範囲になるように形成されている。下限値以上であれば、充填材の粒径を考慮して、非線形な抵抗特性を実現可能である。上限値以下であれば、製造上の制約がなくなる。 The first and second nonlinear resistance films 911 and 912 are formed to include, for example, at least one of ZnO, SiC, SrTiO 3 , BaTiO 3 , Cu 2 O, and Se as a nonlinear resistance material. In addition to the above-described nonlinear resistance material as a main component, metal oxides such as Bi 2 O 3 , Co 2 O 3 , MnO, Sb 2 O 3 , and NiO may be included as subcomponents. The first and second nonlinear resistance films 911 and 912 are formed so that the film thickness is in the range of, for example, 50 μm or more and 500 μm or less. If it is at least the lower limit value, nonlinear resistance characteristics can be realized in consideration of the particle size of the filler. If it is less than or equal to the upper limit, there are no restrictions on manufacturing.

第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、たとえば、各部を組み立てる前に、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2になる部分に非線形抵抗材料を塗布することによって形成される。第1非線形抵抗膜911については、支持部31の外周面に非線形抵抗材料を塗布すると共に、金属容器11の内周面に非線形抵抗材料を塗布することで形成される。また、第2非線形抵抗膜912については、電極部61と第1および第2のスライドコンタクト部71,72とが外周面に設けられた接触子51を支持部31に取り付けた後に、支持部31および電極部61の外周面に非線形抵抗材料を塗布することで形成される。   The first and second nonlinear resistance films 911 and 912 are formed, for example, by applying a nonlinear resistance material to the portions that become the first and second triple junction portions TJ1 and TJ2 before assembling each portion. The first nonlinear resistance film 911 is formed by applying a nonlinear resistance material to the outer peripheral surface of the support portion 31 and applying a nonlinear resistance material to the inner peripheral surface of the metal container 11. For the second non-linear resistance film 912, after attaching the contact 51 having the electrode portion 61 and the first and second slide contact portions 71, 72 on the outer peripheral surface to the support portion 31, the support portion 31. And it forms by apply | coating a nonlinear resistance material to the outer peripheral surface of the electrode part 61. FIG.

より具体的には、第1および第2の非線形抵抗膜911,912を形成する際には、はじめに、第1および第2の非線形抵抗膜911,912の成分を含む塗布液を作製する。つぎに、上記の塗布液を塗布した後に乾燥する。このようにすることで、第1および第2の非線形抵抗膜911,912が形成される。   More specifically, when the first and second nonlinear resistance films 911 and 912 are formed, first, a coating solution containing the components of the first and second nonlinear resistance films 911 and 912 is prepared. Next, the coating solution is applied and then dried. In this way, the first and second nonlinear resistance films 911 and 912 are formed.

本実施形態において、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2で部分放電が開始し得る電界が金属容器11内に生じた場合には、その電界の作用によって、第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、電気抵抗値が低下し、絶縁性から導電性になる。このため、第1非線形抵抗膜911が金属容器11と電気的に接続された状態になると共に、第2非線形抵抗膜912が導体部41と電気的に接続された状態になるので、電荷が蓄積されず、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2になる部分での電界の集中が緩和され、部分放電の発生を抑制できる。   In the present embodiment, when an electric field that can start partial discharge occurs in the metal container 11 at the first and second triple junction portions TJ1 and TJ2, the first and second nonlinearities are caused by the action of the electric field. The resistance films 911 and 912 have a low electrical resistance value and change from insulating to conductive. Therefore, the first nonlinear resistance film 911 is in a state of being electrically connected to the metal container 11 and the second nonlinear resistance film 912 is in a state of being electrically connected to the conductor portion 41, so that charge is accumulated. In other words, the concentration of the electric field in the portions that become the first and second triple junction portions TJ1 and TJ2 is alleviated, and the occurrence of partial discharge can be suppressed.

なお、本実施形態と異なり、線形な抵抗特性を示す導電膜で第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2になる面を被覆した場合には、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2に電荷が集中することになるため、部分放電が開始される。また、線形な抵抗特性を示す絶縁膜で第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2になる面を被覆した場合には、導電膜の場合よりも部分放電が起こりにくいが、さらに電界が高くなると、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2へ電荷が集中するため、部分放電が開始される。   Unlike the present embodiment, when the first and second triple junction portions TJ1 and TJ2 are covered with a conductive film having a linear resistance characteristic, the first and second triple junction portions TJ1 and TJ1 are formed. Since the charge concentrates on TJ2, partial discharge is started. Further, when the surfaces to be the first and second triple junction portions TJ1 and TJ2 are covered with an insulating film having linear resistance characteristics, partial discharge is less likely to occur than in the case of the conductive film, but the electric field is higher. Then, since electric charges concentrate on the first and second triple junction portions TJ1 and TJ2, partial discharge is started.

[B]まとめ
以上のように、本実施形態では、金属容器11と支持部31との接合部分において絶縁ガス21が接したときに第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、導体部41の電極部61と支持部31との接合部分において絶縁ガス21が接したときに第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。
[B] Summary As described above, in this embodiment, the surface including the portion where the first triple junction portion TJ1 is formed when the insulating gas 21 comes into contact with the joint portion between the metal container 11 and the support portion 31 is covered. As described above, a first nonlinear resistance film 911 is provided. At the same time, the second non-linearity is formed so as to cover the surface including the portion where the second triple junction portion TJ2 is formed when the insulating gas 21 comes into contact with the electrode portion 61 of the conductor portion 41 and the support portion 31. A resistance film 912 is provided.

第1および第2の非線形抵抗膜911,912は、所定の電界値Ed以下の電界が作用するときには電気抵抗値が高く絶縁性であり、その所定の電界値より高い電界が作用するときには電気抵抗値が低く導電性である、非線形抵抗材料を用いて形成されている。ここで、所定の電界値Edは、第1および第2のトリプルジャンクション部TJ1,TJ2において部分放電が開始する電界値Epを、第1および第2の非線形抵抗膜911,912の誘電率εで割った値である(Ed=Ep/ε)。このため、本実施形態では、上述したように、部分放電が発生することを抑制できる。   The first and second nonlinear resistance films 911 and 912 have a high electrical resistance value when an electric field equal to or lower than a predetermined electric field value Ed acts, and are electrically insulating when an electric field higher than the predetermined electric field value acts. It is formed using a non-linear resistance material having a low value and conductivity. Here, the predetermined electric field value Ed is the electric field value Ep at which partial discharge starts in the first and second triple junction portions TJ1 and TJ2, and is based on the dielectric constant ε of the first and second nonlinear resistance films 911 and 912. The divided value (Ed = Ep / ε). For this reason, in this embodiment, it can suppress that partial discharge generate | occur | produces as mentioned above.

したがって、本実施形態では、シールドの設置が不要であるので装置の小型化が可能であって、構成を簡素化することができる。また、本実施形態では、第1および第2の非線形抵抗膜911,912によって、トリプルジャンクション部TJ1,TJ2での電界の集中が抑制されるので、装置の絶縁特性の向上を実現できる。   Therefore, in this embodiment, since the installation of a shield is unnecessary, the apparatus can be reduced in size and the configuration can be simplified. In this embodiment, the first and second nonlinear resistance films 911 and 912 suppress the concentration of the electric field at the triple junction portions TJ1 and TJ2, thereby improving the insulation characteristics of the device.

[D]変形例
上記の実施形態では、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面と、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面との両者を被覆するように、第1非線形抵抗膜911と第2非線形抵抗膜912との両者を設けているが、これに限定されない。
[D] Modification In the above embodiment, so as to cover both the surface including the portion where the first triple junction portion TJ1 is formed and the surface including the portion where the second triple junction portion TJ2 is formed. Although both the first nonlinear resistance film 911 and the second nonlinear resistance film 912 are provided, the present invention is not limited to this.

図4,図5は、第1実施形態に係るガス絶縁開閉装置の変形例を示す図である。図4,図5は、図1と同様に、側面の断面を示している。   4 and 5 are views showing modifications of the gas insulated switchgear according to the first embodiment. 4 and 5 show cross sections of the side surfaces as in FIG.

図4に示すように、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911を設け、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分には、第2非線形抵抗膜912(図1参照)を設けなくても良い。第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分には、従来と同様に、電界を緩和するために、第1および第2の高電圧導体411,412の外周を囲うようにシールド91を設けると共に、支持部31の内部に内部シールド92aを形成してもよい。   As shown in FIG. 4, the first nonlinear resistance film 911 is provided so as to cover the surface including the portion where the first triple junction portion TJ1 is formed, and the portion where the second triple junction portion TJ2 is formed is The second nonlinear resistance film 912 (see FIG. 1) may not be provided. In the portion where the second triple junction portion TJ2 is formed, a shield 91 is provided so as to surround the outer periphery of the first and second high voltage conductors 411 and 412 in order to reduce the electric field, as in the conventional case. An internal shield 92 a may be formed inside the support portion 31.

また、図5に示すように、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912を設け、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分には、第1非線形抵抗膜911(図1参照)を設けなくても良い。第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分には、従来と同様に、電界を緩和するために、金属容器11の内周面にシールド91Ab,91Bbを設けると共に、支持部31の内部に内部シールド91aを形成してもよい。   Further, as shown in FIG. 5, a second nonlinear resistance film 912 is provided so as to cover a surface including a portion where the second triple junction portion TJ2 is formed, and a portion where the first triple junction portion TJ1 is formed. The first nonlinear resistance film 911 (see FIG. 1) may not be provided. In the portion where the first triple junction portion TJ1 is formed, shields 91Ab and 91Bb are provided on the inner peripheral surface of the metal container 11 and an internal shield is provided inside the support portion 31 in order to reduce the electric field, as in the conventional case. 91a may be formed.

<第2実施形態>
[A]構成
図6は、第2実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図6は、図1と同様に、側面の断面を示している。
Second Embodiment
[A] Configuration FIG. 6 is a diagram illustrating a main part of a gas-insulated switchgear according to the second embodiment. FIG. 6 shows a cross section of the side surface as in FIG.

本実施形態では、図6に示すように、支持部31bの形態が、第1実施形態と異なっている。本実施形態は、この点、および、関連する点を除き、第1実施形態の場合と同様である。このため、本実施形態において、この実施形態と重複する個所については、適宜、記載を省略する。   In this embodiment, as shown in FIG. 6, the form of the support part 31b differs from 1st Embodiment. The present embodiment is the same as the first embodiment except for this point and related points. For this reason, in this embodiment, the description which overlaps with this embodiment is abbreviate | omitted suitably.

図6に示すように、支持部31bは、第1実施形態と異なり、リング状の板状体であって、外周部において、第1容器本体部111のフランジ111Fと第2容器本体部112のフランジ112Fとの間に挟まれている。支持部31bは、中心軸が金属容器11の中心軸と一致するように配置されている。   As shown in FIG. 6, the support portion 31 b is a ring-shaped plate-like body unlike the first embodiment, and has a flange 111 </ b> F of the first container main body portion 111 and the second container main body portion 112 at the outer peripheral portion. It is sandwiched between the flange 112F. The support portion 31 b is disposed so that the central axis coincides with the central axis of the metal container 11.

本実施形態では、第1実施形態と同様に、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。   In the present embodiment, as in the first embodiment, the first nonlinear resistance film 911 is provided so as to cover the surface including the portion where the first triple junction portion TJ1 is formed. At the same time, the second nonlinear resistance film 912 is provided so as to cover the surface including the portion where the second triple junction portion TJ2 is formed.

[B]まとめ
以上のように、本実施形態では、第1実施形態と同様に、第1非線形抵抗膜911および第2非線形抵抗膜912が形成されている。このため、第1トリプルジャンクション部TJ1および第2トリプルジャンクション部TJ2において、電界が集中して部分放電が発生することを抑制できる。
[B] Summary As described above, in the present embodiment, the first nonlinear resistance film 911 and the second nonlinear resistance film 912 are formed as in the first embodiment. For this reason, it can suppress that an electric field concentrates and partial discharge generate | occur | produces in 1st triple junction part TJ1 and 2nd triple junction part TJ2.

したがって、本実施形態では、第1実施形態と同様に、小型化と、装置の絶縁特性の向上との両者を容易に実現できる。   Therefore, in the present embodiment, both the miniaturization and the improvement of the insulation characteristics of the device can be easily realized as in the first embodiment.

<第3実施形態>
[A]構成
図7,図8は、第3実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図7は、図1と同様に、側面の断面を示している。図8は、ガス絶縁開閉装置の一部の正面を示している。
<Third Embodiment>
[A] Configuration FIGS. 7 and 8 are views showing a main part of a gas insulated switchgear according to a third embodiment. FIG. 7 shows a cross section of the side surface, similar to FIG. FIG. 8 shows a front view of a part of the gas insulated switchgear.

本実施形態では、図7,図8に示すように、支持部31cの形態が、第1実施形態と異なっている。また、金属容器11が金属スペーサ113を含む。本実施形態は、これらの点、および、関連する点を除き、第1実施形態の場合と同様である。このため、本実施形態において、この実施形態と重複する個所については、適宜、記載を省略する。   In the present embodiment, as shown in FIGS. 7 and 8, the form of the support portion 31c is different from the first embodiment. Further, the metal container 11 includes a metal spacer 113. The present embodiment is the same as the first embodiment except for these points and related points. For this reason, in this embodiment, the description which overlaps with this embodiment is abbreviate | omitted suitably.

支持部31cは、図7に示すように、水平部311cと垂直部312cとを有し、水平部311cと垂直部312cとが連結された湾曲形状である。   As shown in FIG. 7, the support portion 31c has a horizontal portion 311c and a vertical portion 312c, and has a curved shape in which the horizontal portion 311c and the vertical portion 312c are connected.

支持部31cのうち、水平部311cは、図7に示すように、金属容器11の内部において水平方向に延在した部分を含むように設けられている。水平部311cは、一端部が金属スペーサ113に取付けられている。   Of the support portion 31c, the horizontal portion 311c is provided so as to include a portion extending in the horizontal direction inside the metal container 11, as shown in FIG. One end of the horizontal portion 311 c is attached to the metal spacer 113.

支持部31cのうち、垂直部312cは、図7に示すように、金属容器11の内部において垂直方向に延在した部分を含むように設けられている。垂直部312cは、一端部が、水平部311cの他端部に連結されている。図8に示すように、垂直部312cは、金属容器11の径方向において中心軸側から外側に向かって幅が広くなるように形成されている。そして、垂直部312cは、図8に示すように、他端部側において金属容器11の中心軸が貫く部分には、開口が形成されており、図7に示すように、その開口には、電極部61が外周面に設けられた接触子51が取り付けられている。   Of the support portion 31c, the vertical portion 312c is provided so as to include a portion extending in the vertical direction inside the metal container 11, as shown in FIG. One end of the vertical portion 312c is connected to the other end of the horizontal portion 311c. As shown in FIG. 8, the vertical portion 312 c is formed so as to increase in width from the central axis side toward the outside in the radial direction of the metal container 11. As shown in FIG. 8, the vertical portion 312 c has an opening at a portion where the central axis of the metal container 11 penetrates on the other end side, and as shown in FIG. 7, A contact 51 having an electrode portion 61 provided on the outer peripheral surface is attached.

金属スペーサ113は、図7に示すように、金属容器11の内部において、支持部31cが取付けられている。図8に示すように、金属スペーサ113は、リング部113Rと、凸部113Tとを有し、リング部113Rと、凸部113Tとが一体に形成されている。   As shown in FIG. 7, the metal spacer 113 has a support portion 31 c attached inside the metal container 11. As shown in FIG. 8, the metal spacer 113 has a ring portion 113R and a convex portion 113T, and the ring portion 113R and the convex portion 113T are integrally formed.

金属スペーサ113のうち、リング部113Rは、図8に示すように、リング形状の板状体である。リング部113Rは、図7に示すように、第1容器本体部111のフランジ111Fと第2容器本体部112のフランジ112Fとの間に挟まれている。   Of the metal spacer 113, the ring portion 113R is a ring-shaped plate-like body as shown in FIG. As shown in FIG. 7, the ring portion 113 </ b> R is sandwiched between the flange 111 </ b> F of the first container main body 111 and the flange 112 </ b> F of the second container main body 112.

金属スペーサ113のうち、凸部113Tは、図7,図8に示すように、リング部113Rの内周面から垂直方向に突き出るように形成されている。そして、凸部113Tの側面に支持部31cが取付けられている。   Of the metal spacer 113, the protrusion 113T is formed so as to protrude in the vertical direction from the inner peripheral surface of the ring portion 113R, as shown in FIGS. And the support part 31c is attached to the side surface of the convex part 113T.

そして、図7に示すように、導電体である金属容器11の凸部113Tと固体絶縁体である支持部31cとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。   Then, as shown in FIG. 7, the first triple junction when the insulating gas 21 comes into contact with the convex portion 113T of the metal container 11 that is a conductor and the support portion 31c that is a solid insulator. A first nonlinear resistance film 911 is provided so as to cover a surface including a portion where the portion TJ1 is formed.

また、図7に示すように、金属容器11の内部において、導体部41の電極部61と固体絶縁体である支持部31cとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。   In addition, as shown in FIG. 7, inside the metal container 11, a portion where the electrode portion 61 of the conductor portion 41 and the support portion 31 c that is a solid insulator are joined, and when the insulating gas 21 comes into contact with the electrode portion 61. The second nonlinear resistance film 912 is provided so as to cover the surface including the portion where the two triple junction portion TJ2 is formed.

[B]まとめ
以上のように、本実施形態では、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。このため、第1実施形態と同様に、第1トリプルジャンクション部TJ1および第2トリプルジャンクション部TJ2において、電界が集中して部分放電が発生することを抑制できる。
[B] Summary As described above, in the present embodiment, the first nonlinear resistance film 911 is provided so as to cover the surface including the portion where the first triple junction portion TJ1 is formed. At the same time, the second nonlinear resistance film 912 is provided so as to cover the surface including the portion where the second triple junction portion TJ2 is formed. For this reason, similarly to the first embodiment, it is possible to suppress the occurrence of partial discharge due to concentration of the electric field in the first triple junction portion TJ1 and the second triple junction portion TJ2.

したがって、本実施形態では、第1実施形態と同様に、小型化と、装置の絶縁特性の向上との両者を容易に実現できる。   Therefore, in the present embodiment, both the miniaturization and the improvement of the insulation characteristics of the device can be easily realized as in the first embodiment.

<第4実施形態>
[A]構成
図9は、第4実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図9は、図1と同様に、側面の断面を示している。
<Fourth embodiment>
[A] Configuration FIG. 9 is a diagram illustrating a main part of a gas insulated switchgear according to a fourth embodiment. FIG. 9 shows a cross section of the side surface, similar to FIG.

本実施形態では、図9に示すように、金属容器11は、接地電位座114dと接地電位電極115dとを含む。また、支持部31dの形態が、第1実施形態と異なっている。本実施形態は、これらの点、および、関連する点を除き、第1実施形態の場合と同様である。このため、本実施形態において、この実施形態と重複する個所については、適宜、記載を省略する。なお、導体部41については図示の一部を省略して示している。   In the present embodiment, as shown in FIG. 9, the metal container 11 includes a ground potential seat 114d and a ground potential electrode 115d. Further, the form of the support portion 31d is different from that of the first embodiment. The present embodiment is the same as the first embodiment except for these points and related points. For this reason, in this embodiment, the description which overlaps with this embodiment is abbreviate | omitted suitably. In addition, about the conductor part 41, a part of illustration was abbreviate | omitted and shown.

金属容器11において、接地電位座114dは、図9に示すように、管状体である容器本体部111dの外周面に設置されている。接地電位座114dは、容器本体部111dに設けられた開口を密閉している。接地電位電極115dは、接地電位座114dの内側の面に設けられている。   In the metal container 11, the ground potential seat 114d is installed on the outer peripheral surface of the container body 111d, which is a tubular body, as shown in FIG. The ground potential seat 114d seals the opening provided in the container main body 111d. The ground potential electrode 115d is provided on the inner surface of the ground potential seat 114d.

支持部31dは、図9に示すように、金属容器11の内部において、導体部41を支持している。支持部31dは、柱状体であって、導体部41の電極部61と、接地電位座114dに設けられた接地電位電極115dとの間において、中央部の幅が上端部および下端部の幅よりも広くなるように形成されている。   As shown in FIG. 9, the support portion 31 d supports the conductor portion 41 inside the metal container 11. The support portion 31d is a columnar body, and the width of the central portion between the electrode portion 61 of the conductor portion 41 and the ground potential electrode 115d provided on the ground potential seat 114d is larger than the width of the upper end portion and the lower end portion. Is also formed to be wide.

そして、図9に示すように、金属容器11の接地電位電極115dと固体絶縁体である支持部31dとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。   As shown in FIG. 9, the ground potential electrode 115 d of the metal container 11 and the support portion 31 d that is a solid insulator are joined, and when the insulating gas 21 comes into contact, the first triple junction portion TJ <b> 1 is formed. A first nonlinear resistance film 911 is provided so as to cover the surface including the portion to be formed.

また、図9に示すように、金属容器11の内部において、導体部41の電極部61と固体絶縁体である支持部31dとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。   In addition, as shown in FIG. 9, in the metal container 11, a portion where the electrode portion 61 of the conductor portion 41 and the support portion 31 d that is a solid insulator are joined, and the insulating gas 21 comes into contact with the first portion. The second nonlinear resistance film 912 is provided so as to cover the surface including the portion where the two triple junction portion TJ2 is formed.

[B]まとめ
以上のように、本実施形態では、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。このため、第1実施形態と同様に、第1トリプルジャンクション部TJ1および第2トリプルジャンクション部TJ2において、電界が集中して部分放電が発生することを抑制できる。
[B] Summary As described above, in the present embodiment, the first nonlinear resistance film 911 is provided so as to cover the surface including the portion where the first triple junction portion TJ1 is formed. At the same time, the second nonlinear resistance film 912 is provided so as to cover the surface including the portion where the second triple junction portion TJ2 is formed. For this reason, similarly to the first embodiment, it is possible to suppress the occurrence of partial discharge due to concentration of the electric field in the first triple junction portion TJ1 and the second triple junction portion TJ2.

したがって、本実施形態では、第1実施形態と同様に、小型化と、装置の絶縁特性の向上との両者を容易に実現できる。   Therefore, in the present embodiment, both the miniaturization and the improvement of the insulation characteristics of the device can be easily realized as in the first embodiment.

<第5実施形態>
[A]構成
図10,図11は、第5実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図10は、図1と同様に、側面の断面を示している。図11は、図2と同様に、正面の一部断面を示している。
<Fifth Embodiment>
[A] Configuration FIGS. 10 and 11 are views showing a main part of a gas insulated switchgear according to a fifth embodiment. FIG. 10 shows a cross-section of the side surface as in FIG. FIG. 11 shows a partial front cross-section similar to FIG.

本実施形態では、図10,図11に示すように、金属容器11は、接地電位座114eと接地電位電極115eとを含む。また、支持部31eの形態が、第1実施形態と異なっている。本実施形態は、これらの点、および、関連する点を除き、第1実施形態の場合と同様である。このため、本実施形態において、この実施形態と重複する個所については、適宜、記載を省略する。なお、導体部41については図示の一部を省略して示している。   In the present embodiment, as shown in FIGS. 10 and 11, the metal container 11 includes a ground potential seat 114e and a ground potential electrode 115e. Moreover, the form of the support part 31e differs from 1st Embodiment. The present embodiment is the same as the first embodiment except for these points and related points. For this reason, in this embodiment, the description which overlaps with this embodiment is abbreviate | omitted suitably. In addition, about the conductor part 41, a part of illustration was abbreviate | omitted and shown.

金属容器11において、接地電位座114eは、図10,図11に示すように、管状体である容器本体部111eの内周面に複数が設置されている。接地電位電極115eは、複数の接地電位座114eの内側の面に設けられている。   In the metal container 11, as shown in FIGS. 10 and 11, a plurality of ground potential seats 114 e are installed on the inner peripheral surface of the container body 111 e that is a tubular body. The ground potential electrode 115e is provided on the inner surface of the plurality of ground potential seats 114e.

支持部31eは、図10,図11に示すように、リング部311eと、脚部312eとを有し、リング部311eと脚部312eとが一体で形成されており、金属容器11の内部において、導体部41を支持している。   As shown in FIGS. 10 and 11, the support portion 31 e includes a ring portion 311 e and a leg portion 312 e, and the ring portion 311 e and the leg portion 312 e are integrally formed. The conductor part 41 is supported.

支持部31eのうち、リング部311eは、図10,図11に示すように、リング形状の板状体であって、中心軸が、金属容器11の中心軸に一致するように設けられている。リング部311eは、導体部41において外周面に電極部61が設けられた部分を内部に含むように、中心軸の軸方向に導体部41が貫通している。   Of the support portion 31 e, the ring portion 311 e is a ring-shaped plate-like body as shown in FIGS. 10 and 11, and the center axis is provided so as to coincide with the center axis of the metal container 11. . In the ring portion 311e, the conductor portion 41 penetrates in the axial direction of the central axis so as to include a portion of the conductor portion 41 in which the electrode portion 61 is provided on the outer peripheral surface.

支持部31eのうち、脚部312eは、図10,図11に示すように、リング部311eの径方向において外周面から外側に延びるように複数が設けられている。複数の脚部312eは、リング部311eの中心軸の周りにおいて等間隔で並ぶように配置されている。複数の脚部312eにおいては、外側の端部が、接地電位座114eに設けられた接地電位電極115eに接して取付けられている。   Among the support portions 31e, as shown in FIGS. 10 and 11, a plurality of leg portions 312e are provided so as to extend outward from the outer peripheral surface in the radial direction of the ring portion 311e. The plurality of leg portions 312e are arranged so as to be arranged at equal intervals around the central axis of the ring portion 311e. In the plurality of legs 312e, the outer ends are attached in contact with the ground potential electrode 115e provided on the ground potential seat 114e.

そして、図10,図11に示すように、導電体である金属容器11の接地電位電極115eと固体絶縁体である支持部31eとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。   10 and 11, when the insulating gas 21 is in contact with the ground potential electrode 115e of the metal container 11 that is a conductor and the support portion 31e that is a solid insulator. A first nonlinear resistance film 911 is provided so as to cover the surface including the portion where the first triple junction portion TJ1 is formed.

また、図10,図11に示すように、金属容器11の内部において、導体部41の電極部61と固体絶縁体である支持部31eとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。   Further, as shown in FIGS. 10 and 11, the inside of the metal container 11 is a portion where the electrode portion 61 of the conductor portion 41 and the support portion 31 e that is a solid insulator are joined, and the insulating gas 21 is in contact therewith. A second non-linear resistance film 912 is provided so as to cover the surface including the portion where the second triple junction portion TJ2 is sometimes formed.

[B]まとめ
以上のように、本実施形態では、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。このため、第1実施形態と同様に、第1トリプルジャンクション部TJ1および第2トリプルジャンクション部TJ2において、電界が集中して部分放電が発生することを抑制できる。
[B] Summary As described above, in the present embodiment, the first nonlinear resistance film 911 is provided so as to cover the surface including the portion where the first triple junction portion TJ1 is formed. At the same time, the second nonlinear resistance film 912 is provided so as to cover the surface including the portion where the second triple junction portion TJ2 is formed. For this reason, similarly to the first embodiment, it is possible to suppress the occurrence of partial discharge due to concentration of the electric field in the first triple junction portion TJ1 and the second triple junction portion TJ2.

したがって、本実施形態では、第1実施形態と同様に、小型化と、装置の絶縁特性の向上との両者を容易に実現できる。   Therefore, in the present embodiment, both the miniaturization and the improvement of the insulation characteristics of the device can be easily realized as in the first embodiment.

<第6実施形態>
[A]構成
図12は、第6実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図12は、側面の断面において、上側部分を示している。
<Sixth Embodiment>
[A] Configuration FIG. 12 is a diagram illustrating a main part of a gas insulated switchgear according to a sixth embodiment. FIG. 12 shows the upper part in a side cross section.

本実施形態では、図12に示すように、金属容器11は、接地電位座114fと接地電位電極115fとを含む。また、支持部31fの形態が、第1実施形態と異なっている。本実施形態は、これらの点、および、関連する点を除き、第1実施形態の場合と同様である。このため、本実施形態において、この実施形態と重複する個所については、適宜、記載を省略する。なお、導体部41については図示の一部を省略して示している。   In the present embodiment, as shown in FIG. 12, the metal container 11 includes a ground potential seat 114f and a ground potential electrode 115f. Moreover, the form of the support part 31f differs from 1st Embodiment. The present embodiment is the same as the first embodiment except for these points and related points. For this reason, in this embodiment, the description which overlaps with this embodiment is abbreviate | omitted suitably. In addition, about the conductor part 41, a part of illustration was abbreviate | omitted and shown.

金属容器11において、接地電位座114fは、図12に示すように、容器本体部111fの外周面に設置されている。接地電位座114fは、容器本体部111fに設けられた開口を密閉している。接地電位電極115fは、接地電位座114の内側の面に設けられている。   In the metal container 11, the ground potential seat 114f is installed on the outer peripheral surface of the container body 111f as shown in FIG. The ground potential seat 114f seals the opening provided in the container main body 111f. The ground potential electrode 115 f is provided on the inner surface of the ground potential seat 114.

支持部31fは、図12に示すように、支持部31fは、金属容器11の内部において、導体部41を支持している。支持部31fは、棒状体であって、導体部41の電極部61と、接地電位座114fに設けられた接地電位電極115fとの間において、ほぼ同じ幅になるように形成されている。   As shown in FIG. 12, the support portion 31 f supports the conductor portion 41 inside the metal container 11. The support portion 31f is a rod-like body and is formed to have substantially the same width between the electrode portion 61 of the conductor portion 41 and the ground potential electrode 115f provided on the ground potential seat 114f.

そして、図12に示すように、金属容器11の接地電位電極115fと固体絶縁体である支持部31fとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。   Then, as shown in FIG. 12, the ground potential electrode 115f of the metal container 11 and the support portion 31f that is a solid insulator are joined to each other, and the first triple junction portion TJ1 is formed when the insulating gas 21 comes into contact. A first nonlinear resistance film 911 is provided so as to cover the surface including the portion to be formed.

また、図12に示すように、金属容器11の内部において、導体部41の電極部61と固体絶縁体である支持部31fとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。   In addition, as shown in FIG. 12, in the metal container 11, a portion where the electrode portion 61 of the conductor portion 41 and the support portion 31 f which is a solid insulator are joined, and the insulating gas 21 comes into contact with the first portion. The second nonlinear resistance film 912 is provided so as to cover the surface including the portion where the two triple junction portion TJ2 is formed.

[B]まとめ
以上のように、本実施形態では、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。このため、第1実施形態と同様に、第1トリプルジャンクション部TJ1および第2トリプルジャンクション部TJ2において、電界が集中して部分放電が発生することを抑制できる。
[B] Summary As described above, in the present embodiment, the first nonlinear resistance film 911 is provided so as to cover the surface including the portion where the first triple junction portion TJ1 is formed. At the same time, the second nonlinear resistance film 912 is provided so as to cover the surface including the portion where the second triple junction portion TJ2 is formed. For this reason, similarly to the first embodiment, it is possible to suppress the occurrence of partial discharge due to concentration of the electric field in the first triple junction portion TJ1 and the second triple junction portion TJ2.

したがって、本実施形態では、第1実施形態と同様に、小型化と、装置の絶縁特性の向上との両者を容易に実現できる。   Therefore, in the present embodiment, both the miniaturization and the improvement of the insulation characteristics of the device can be easily realized as in the first embodiment.

<第7実施形態>
[A]構成
図13,図14は、第7実施形態に係るガス絶縁開閉装置の要部を示す図である。図13は、図1と同様に、側面の断面を示している。図14は、図2と同様に、正面の一部断面を示している。
<Seventh embodiment>
[A] Configuration FIGS. 13 and 14 are views showing the main part of a gas-insulated switchgear according to a seventh embodiment. FIG. 13 shows a cross-section of the side surface as in FIG. FIG. 14 shows a partial cross section of the front, as in FIG.

本実施形態では、図13に示すように、金属容器11は、接地電位座114gと円盤体部115gとを含む。また、図13,図14に示すように、支持部31gの形態が、第1実施形態と異なっている。本実施形態は、これらの点、および、関連する点を除き、第1実施形態の場合と同様である。このため、本実施形態において、この実施形態と重複する個所については、適宜、記載を省略する。なお、導体部41については図示の一部を省略して示している。   In the present embodiment, as shown in FIG. 13, the metal container 11 includes a ground potential seat 114g and a disc body portion 115g. Further, as shown in FIGS. 13 and 14, the form of the support portion 31g is different from that of the first embodiment. The present embodiment is the same as the first embodiment except for these points and related points. For this reason, in this embodiment, the description which overlaps with this embodiment is abbreviate | omitted suitably. In addition, about the conductor part 41, a part of illustration was abbreviate | omitted and shown.

金属容器11のうち、接地電位座114gは、図13に示すように、円盤体部115gに設置されている。円盤体部115gは、管状体である容器本体部111gの一端部に設置され、金属容器11の内部を密閉しており、内側の面に接地電位座114gが固定されている。   Of the metal container 11, the ground potential seat 114g is installed in the disc body 115g as shown in FIG. The disc body 115g is installed at one end of a container body 111g, which is a tubular body, seals the inside of the metal container 11, and a ground potential seat 114g is fixed to the inner surface.

支持部31gは、図13,図14に示すように、円筒形状の管状体であって、金属容器11の内部において、一端部が接地電位座114gに固定されている。そして、支持部31gは、他端部に導体部41が固定されており、導体部41を支持している。支持部31gは、金属容器11と同軸になるように配置されている。   As shown in FIGS. 13 and 14, the support portion 31 g is a cylindrical tubular body, and one end of the support portion 31 g is fixed to the ground potential seat 114 g inside the metal container 11. The support portion 31g has the conductor portion 41 fixed to the other end portion, and supports the conductor portion 41. The support portion 31g is disposed so as to be coaxial with the metal container 11.

そして、図13,図14に示すように、金属容器11の接地電位座114gと固体絶縁体である支持部31gとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。   As shown in FIGS. 13 and 14, the first triple junction when the insulating gas 21 is in contact with the ground potential seat 114 g of the metal container 11 and the support portion 31 g which is a solid insulator. A first nonlinear resistance film 911 is provided so as to cover a surface including a portion where the portion TJ1 is formed.

また、図13に示すように、金属容器11の内部において、導体部41と固体絶縁体である支持部31gとが接合する部分であって、絶縁ガス21が接したときに第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。   Further, as shown in FIG. 13, in the inside of the metal container 11, a portion where the conductor portion 41 and the support portion 31 g which is a solid insulator are joined, and the second triple junction portion when the insulating gas 21 comes into contact therewith. A second non-linear resistance film 912 is provided so as to cover the surface including the portion where TJ2 is formed.

[B]まとめ
以上のように、本実施形態では、第1トリプルジャンクション部TJ1が形成される部分を含む面を被覆するように、第1非線形抵抗膜911が設けられている。これと共に、第2トリプルジャンクション部TJ2が形成される部分を含む面を被覆するように、第2非線形抵抗膜912が設けられている。このため、第1実施形態と同様に、第1トリプルジャンクション部TJ1および第2トリプルジャンクション部TJ2において、電界が集中して部分放電が発生することを抑制できる。
[B] Summary As described above, in the present embodiment, the first nonlinear resistance film 911 is provided so as to cover the surface including the portion where the first triple junction portion TJ1 is formed. At the same time, the second nonlinear resistance film 912 is provided so as to cover the surface including the portion where the second triple junction portion TJ2 is formed. For this reason, similarly to the first embodiment, it is possible to suppress the occurrence of partial discharge due to concentration of the electric field in the first triple junction portion TJ1 and the second triple junction portion TJ2.

したがって、本実施形態では、第1実施形態と同様に、小型化と、装置の絶縁特性の向上との両者を容易に実現できる。   Therefore, in the present embodiment, both the miniaturization and the improvement of the insulation characteristics of the device can be easily realized as in the first embodiment.

<その他>
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
<Others>
Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

11…金属容器、21…絶縁ガス、31,31b,31c,31d,31e,31f,31g…支持部、41…導体部、51…接触子、61…電極部、71…第1スライドコンタクト部、72…第2スライドコンタクト部、91,91Ab,91Bb…シールド、91a,92…内部シールド、111…第1容器本体部、111d,111e,111f,111g…容器本体部、112…第2容器本体部、113…金属スペーサ、113R…リング部、113T…凸部、114,114d,114e,114f,114g…接地電位座
115,115d,115e,115f,115g…円盤体部、311…円錐部、311c…水平部、311e…リング部、312…リング部、312c…垂直部、312e…脚部、411…第1高電圧導体、412…第2高電圧導体、911…第1非線形抵抗膜、912…第2非線形抵抗膜、TJ1…第1トリプルジャンクション部、TJ2…第2トリプルジャンクション部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Metal container, 21 ... Insulating gas 31, 31b, 31c, 31d, 31e, 31f, 31g ... Supporting part, 41 ... Conductor part, 51 ... Contact, 61 ... Electrode part, 71 ... 1st slide contact part, 72 ... second slide contact part, 91, 91 Ab, 91Bb ... shield, 91a, 92 ... inner shield, 111 ... first container body part, 111d, 111e, 111f, 111g ... container body part, 112 ... second container body part , 113 ... metal spacer, 113R ... ring part, 113T ... convex part, 114, 114d, 114e, 114f, 114g ... ground potential seats 115, 115d, 115e, 115f, 115g ... disk body part, 311 ... conical part, 311c ... Horizontal part, 311e ... Ring part, 312 ... Ring part, 312c ... Vertical part, 312e ... Leg part, 411 ... First high voltage conductor 412 ... second high voltage conductor, 911 ... first non-linear resistance film, 912 ... second non-linear resistance film, TJ1 ... first triple junction portion, TJ2 ... second triple junction portion

Claims (9)

絶縁ガスが内部に封入される金属容器と、
前記金属容器の内部に収納されており、通電される導体部と、
前記金属容器の内部において前記導体部を支持しており、絶縁材料で形成されている支持部とを備えるガス絶縁開閉装置であって、
前記金属容器と前記支持部との接合部分において前記絶縁ガスが接したときに第1のトリプルジャンクション部が形成される部分を含む面と、前記導体部と前記支持部との接合部分において前記絶縁ガスが接したときに第2のトリプルジャンクション部が形成される部分を含む面との少なくとも一方を被覆するように、非線形抵抗膜が設けられており、
前記非線形抵抗膜は、所定の電界値以下の電界が作用するときには電気抵抗値が高く絶縁性であり、前記所定の電界値より高い電界が作用するときには電気抵抗値が低く導電性になり、
前記所定の電界値は、前記第1および第2のトリプルジャンクション部において部分放電が開始する電界値を、前記第1および第2の非線形抵抗膜の誘電率で割った値であることを特徴とする、
ガス絶縁開閉装置。
A metal container in which an insulating gas is enclosed;
A conductive portion that is housed in the metal container and energized;
A gas insulated switchgear that supports the conductor part inside the metal container and includes a support part formed of an insulating material,
A surface including a portion where a first triple junction portion is formed when the insulating gas comes into contact with the joint portion between the metal container and the support portion, and the insulation at the joint portion between the conductor portion and the support portion. A non-linear resistance film is provided so as to cover at least one of a surface including a portion where the second triple junction portion is formed when the gas comes into contact;
The non-linear resistance film has a high electrical resistance value when an electric field below a predetermined electric field value acts and is insulative, and when an electric field higher than the predetermined electric field value acts, the electric resistance value becomes low and becomes conductive,
The predetermined electric field value is a value obtained by dividing an electric field value at which partial discharge starts in the first and second triple junction portions by a dielectric constant of the first and second nonlinear resistance films. To
Gas insulated switchgear.
前記非線形抵抗膜は、ZnO,SiC,SrTiO,BaTiO,CuO,Seの少なくとも1つを含むように形成されている、
請求項1に記載のガス絶縁開閉装置。
The nonlinear resistance film is formed to include at least one of ZnO, SiC, SrTiO 3 , BaTiO 3 , Cu 2 O, and Se.
The gas insulated switchgear according to claim 1.
前記支持部は、円錐形状であって、円筒形状である前記金属容器と同軸になるように配置されている、
請求項1または2に記載のガス絶縁開閉装置。
The support portion is conical and is disposed so as to be coaxial with the cylindrical metal container.
The gas insulated switchgear according to claim 1 or 2.
前記支持部は、リング形状であって、円筒形状である前記金属容器と同軸になるように配置されている、
請求項1または2に記載のガス絶縁開閉装置。
The support portion is in a ring shape and is arranged so as to be coaxial with the metal container having a cylindrical shape.
The gas insulated switchgear according to claim 1 or 2.
前記支持部は、湾曲形状であって、円筒形状である前記金属容器の軸方向に沿った部分と、当該軸方向に直交する部分とを含む、
請求項1または2に記載のガス絶縁開閉装置。
The support portion has a curved shape and includes a cylindrical shape along the axial direction of the metal container and a portion perpendicular to the axial direction.
The gas insulated switchgear according to claim 1 or 2.
前記支持部は、柱状体であって、前記導体部と前記金属容器との間において、中央部の幅が両端部の幅よりも広くなるように形成されている、
請求項1または2に記載のガス絶縁開閉装置。
The support portion is a columnar body, and is formed such that the width of the central portion is wider than the width of both end portions between the conductor portion and the metal container.
The gas insulated switchgear according to claim 1 or 2.
前記支持部は、リング形状のリング部と、前記リング部の径方向において外周面から外側に延びた複数の脚部とを有し、前記リング部が、円筒形状である前記金属容器と同軸になるように配置されている、
請求項1または2に記載のガス絶縁開閉装置。
The support portion includes a ring-shaped ring portion and a plurality of legs extending outward from the outer peripheral surface in the radial direction of the ring portion, and the ring portion is coaxial with the metal container having a cylindrical shape. Arranged to be
The gas insulated switchgear according to claim 1 or 2.
前記支持部は、棒状体であって、前記導体部と前記金属容器との間において幅が同じになるように形成されている、
請求項1または2に記載のガス絶縁開閉装置。
The support portion is a rod-shaped body, and is formed so that the width is the same between the conductor portion and the metal container.
The gas insulated switchgear according to claim 1 or 2.
前記支持部は、円筒形状であって、円筒形状である前記金属容器と同軸になるように配置されている、
請求項1または2に記載のガス絶縁開閉装置。
The support portion is cylindrical and is arranged so as to be coaxial with the cylindrical metal container.
The gas insulated switchgear according to claim 1 or 2.
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