JP2013207097A - ホール素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係るホール素子は、半導体基板上の半導体活性層に設けられた感磁部が緩衝効果を有する保護膜で覆われている。前記保護膜は、第1保護膜と第2保護膜とを含み、前記第1保護膜の押し込み硬さは、50GPa以下であることを特徴とする。これにより、環境変化に伴い発生する封止材からの応力が原因の不平衡電圧の変動を軽減するとともに、工業的量産性に優れ小型化の容易なホール素子を提供することができる。
【選択図】図1
Description
(1)まず、半導体基板上に化合物半導体から成る層(以下、「化合物半導体層」とする)を形成する。
(2)次いで、化合物半導体層に感磁部のパターンを例えば十文字形状に露光・現像した後に、化合物半導体層を塩酸・過酸化水素系やリン酸・過酸化水素系のエッチング液で所望の形状にメサエッチングして、磁電変換素子を形成する。感磁部の平面形状は、パターニングによって、例えば図1(a)に示したように、十字形状とすることができる。また、感磁部の形状は、メサエッチングによってメサ形状とすることができる。感磁部のパターンの形成方法は、ドライ方式であっても良い。エッチング液として、塩酸・過酸化水素系やリン酸・過酸化水素系以外のエッチング液を用いても良い。感磁部のパターンの形成方法は、オフセット電圧ばらつきの観点から感磁部以外を除去する方法が好ましいが、感磁部を形成する前に、例えば窒化シリコンから成る第2保護膜を先に形成し、感磁部のパターン形状にシリコンなどの不純物をインプラントしたうえで、加熱により活性化する方法でも良い。
(3)次いで、化合物半導体層と感磁部とを覆うように、窒化シリコン膜から成る第2保護膜をプラズマCVD法により形成する。
(4)第2保護膜を形成した後、電極部を形成する部分上の第2保護膜を、電極部を形成する部分よりも狭い範囲で反応性イオンエッチング装置を用いて除去することにより、電極部を形成する。
(5)最後に、磁電変換素子の感磁部面上且つ第2保護膜上に、ポリイミド樹脂から成る第1保護膜を形成する。
厚さ0.63mmの半絶縁性GaAs単結晶基板に、加速電圧250keVでSiイオン注入を行って導電層となる部分を形成した。このときのドーズ量は3.8E12ion/cm2であった。注入したイオンの活性化のためのアニールを行った。このときのシート抵抗は400Ω/□であった。
形成した保護膜のポリイミド樹脂を変更した以外は、実施例1と同一のプロセス及び同一のプロセス条件でホール素子を複数作成した。
ドーズ量を1.9E12ion/cm2とした以外は、実施例1と同一のプロセス及び同一のプロセス条件でホール素子を複数作成した。
102 感磁部
103 電極部
104 第2保護膜
105 第1保護膜
106 リードフレーム
107 金属線
108 モールド樹脂
Claims (6)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された感磁部と、
前記半導体基板上に形成された電極部と、
前記感磁部上に形成された第1保護膜と
を備えたホール素子であって、
前記第1保護膜の押し込み難さは、50GPa以下の何れか1値であることを特徴とするホール素子。 - 前記第1保護膜の厚さは、5μm乃至10μmの範囲のいずれか1値であることを特徴とする、請求項1に記載のホール素子。
- 前記第1保護膜は、ポリイミド樹脂であることを特徴とする、請求項1または2に記載のホール素子。
- 前記感磁部と、前記第1保護膜との間に第2保護膜をさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のホール素子。
- 前記半導体基板は、GaAs基板であり、シート抵抗は、300Ω/□乃至1800Ω/□の範囲のいずれか1値であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のホール素子
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載のホール素子を搭載したペレットであって、モールド樹脂に封止されていることを特徴とするペレット。
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